一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及觸摸屏導電膜【技術領域】，具體涉及一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，通過在樹脂基體正面和反面分別設置第一納米銀層和第二納米銀層，利用納米銀的高滲透性和導電性，提高納米銀層與樹脂基體間的結(jié)合力和本實用新型導電性，通過設置第一氧化鋅層和第二氧化鋅層，實現(xiàn)透過率高，在樹脂基體正面設置第一ITO層、第二ITO層，在樹脂基體反面設置第三ITO層和第四ITO層，使ITO經(jīng)過兩次結(jié)晶，促進ITO層的結(jié)晶更加完善，實現(xiàn)透光性好、電阻率低、化學穩(wěn)定性好；綜上，本實用新型的正面和反面雙層結(jié)構，不僅有效避免單層導電膜加工過程出現(xiàn)的印刷和貼合良率低的問題，而且使制得導電膜透過率高、電阻率低、化學穩(wěn)定性好。
【專利說明】一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及觸摸屏導電膜【技術領域】，具體涉及一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜。
【背景技術】
[0002]觸摸屏是一種顯著改善人機操作界面的輸入設備，具有直觀、簡單、快捷的優(yōu)點。觸摸屏在許多電子產(chǎn)品中已經(jīng)獲得了廣泛的應用，比如手機、PDA、多媒體、公共信息查詢系統(tǒng)等。觸摸屏制作中常用到ITO導電膜，ITO導電膜是指采用磁控濺射的方法，在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層得到的高技術產(chǎn)品。ITO (Indium TinOxides，銦錫金屬氧化物)，作為一種典型的N型氧化物半導體被廣泛地運用在手機、MP3、MP4、數(shù)碼相機等領域。
[0003]現(xiàn)有的ITO導電膜只在樹脂基體的一個面上完成導電膜的制作，而觸摸屏制造工藝需要上線和下線兩層單面ITO導電膜，容易在加工過程中出現(xiàn)產(chǎn)品的印刷和貼合良率較低，不能滿足正常生產(chǎn)要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，可有效避免在加工過程中出現(xiàn)產(chǎn)品的印刷和貼合良率較低的問題。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術方案:一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，包括樹脂基體，樹脂基體的正面依次設有第一納米銀層、第一氧化鋅層，第一 ITO層、第二 ITO層、第一二氧化硅層，樹脂基體的反面依次設有第二納米銀層、第二氧化鋅層，第三ITO層、第四ITO層、第二二氧化硅層。
[0006]所述樹脂基體的厚度為150-250微米，所述樹脂基體由厚度比為1:3:1的第一聚
對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體、聚亞胺樹脂基體、第二聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體壓合而成。
[0007]所述第一納米銀層和第二納米銀層的厚度相等，均為40-60納米。
[0008]所述第一氧化鋅層和第二氧化鋅層的厚度相等，第一 ITO層和第三ITO層的厚度相等，第二 ITO層和第四ITO層的厚度相等，第一二氧化硅層和第二二氧化硅層的厚度相
坐寸O
[0009]所述第一氧化鋅層和第二氧化鋅層的厚度均為50-100納米；第一 ITO層和第三ITO層的厚度均為15-25納米；第二 ITO層和第四ITO層的厚度均為8_15納米；第一二氧化硅層和第二二氧化硅層的厚度均為50-100微米。
[0010]本實用新型與現(xiàn)有技術相比較，有益效果在于:本實用新型通過設置第一納米銀層和第二納米銀層，利用納米銀的高滲透性和導電性，大大提高了納米銀層與樹脂基體之間的結(jié)合力和本實用新型的導電性，通過設置第一氧化鋅層和第二氧化鋅層，使得本實用新型透光性好，在樹脂基體的正面設置第一 ITO層、第二 ITO層，在樹脂基體的反面設置第三ITO層和第四ITO層，使得ITO經(jīng)過兩次結(jié)晶過程，促使ITO層的結(jié)晶更加完善，使得本實用新型透光性好、電阻率低、化學穩(wěn)定性好；第一二氧化硅層和第二二氧化硅層的硬度較高，具有很強的耐磨性，可防止本實用新型被劃傷；綜上，本實用新型的導電膜具有正面和反面雙層結(jié)構，不僅有效避免了單層導電膜在加工過程中出現(xiàn)產(chǎn)品的印刷和貼合良率較低的問題，而且使制得的觸摸屏用ITO導電膜透過率高、電阻率低、化學穩(wěn)定性好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型的結(jié)構示意圖。
[0012]附圖標記
[0013]I樹脂基體
[0014]2—第一納米銀層
[0015]3——第一氧化鋅層
[0016]4-第一 ITO 層
[0017]5——第二 ITO 層
[0018]6——第一二氧化硅層
[0019]7——第二納米銀層
[0020]8——第二氧化鋅層
[0021]9——第三ITO層
[0022]10-第四 ITO 層
[0023]11——第二二氧化硅層。
【具體實施方式】
[0024]為了便于本領域技術人員的理解，下面結(jié)合實施例和附圖對本實用新型作進一步的說明，實施方式提及的內(nèi)容并非對本實用新型的限定。
[0025]見圖1，一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，包括樹脂基體1，樹脂基體I的正面依次設有第一納米銀層2、第一氧化鋅層3，第一 ITO層4、第二 ITO層5、第一二氧化硅層6，樹脂基體I的反面依次設有第二納米銀層7、第二氧化鋅層8，第三ITO層9、第四ITO層10、第二二氧化硅層11。本實用新型設置第一納米銀層2和第二納米銀層7，利用納米銀的高滲透性和導電性，大大提高了納米銀層與樹脂基體I之間的結(jié)合力和本實用新型的導電性，通過設置第一氧化鋅層3和第二氧化鋅層8，使得本實用新型透光性好，在樹脂基體I的正面設置第一 ITO層4、第二 ITO層5，在樹脂基體I的反面設置第三ITO層9和第四ITO層10，使得ITO經(jīng)過兩次結(jié)晶過程，促使ITO層的結(jié)晶更加完善，使得本實用新型透光性好、電阻率低、化學穩(wěn)定性好；第一二氧化硅層6和第二二氧化硅層11的硬度較高，具有很強的耐磨性，可防止本實用新型被劃傷；綜上，本實用新型的導電膜具有正面和反面雙層結(jié)構，不僅有效避免了單層導電膜在加工過程中出現(xiàn)產(chǎn)品的印刷和貼合良率較低的問題，而且使制得的觸摸屏用ITO導電膜透過率高、電阻率低、化學穩(wěn)定性好。
[0026]所述樹脂基體I的厚度為150-250微米，所述樹脂基體I由厚度比為1:3:1的第一聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體、聚亞胺樹脂基體、第二聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體壓合而成，通過這種夾心結(jié)構的設計，可充分發(fā)揮每種材料的特性，既能保持本實用新型的柔韌性，又能保證樹脂基體I與第一納米銀層2和第二納米銀層7的結(jié)合力。
[0027]所述第一納米銀層2和第二納米銀層7的厚度相等，均為40-60納米，在此范圍內(nèi)可達到使用效果和成本的平衡。
[0028]所述第一氧化鋅層3和第二氧化鋅層8的厚度相等，第一 ITO層4和第三ITO層9的厚度相等，第二 ITO層5和第四ITO層10的厚度相等，第一二氧化硅層6和第二二氧化硅層11的厚度相等，以方便后續(xù)的加工需求，當然，也可根據(jù)廠家的要求和產(chǎn)品的需要，設定為不同的厚度。
[0029]所述第一氧化鋅層3和第二氧化鋅層8的厚度均為50-100納米；第一 ITO層4和第三ITO層9的厚度均為15-25納米；第二 ITO層5和第四ITO層10的厚度均為8_15納米；第一二氧化硅層6和第二二氧化硅層11的厚度均為50-100微米，在此范圍內(nèi)可達到使用效果和成本的平衡，當然，在實際生產(chǎn)過程中，可根據(jù)廠家的要求和產(chǎn)品的需要，合理選擇厚度，滿足不同的需求。
[0030]最后應當說明的是，以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對本實用新型保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本實用新型作了詳細地說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本實用新型的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術方案的實質(zhì)和范圍。
【權利要求】
1.一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，其特征在于:包括樹脂基體，樹脂基體的正面依次設有第一納米銀層、第一氧化鋅層，第一 ITO層、第二 ITO層、第一二氧化硅層，樹脂基體的反面依次設有第二納米銀層、第二氧化鋅層，第三ITO層、第四ITO層、第二二氧化硅層。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，其特征在于:所述樹脂基體的厚度為150-250微米，所述樹脂基體由厚度比為1:3:1的第一聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體、聚亞胺樹脂基體、第二聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體壓合而成。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，其特征在于:所述第一納米銀層和第二納米銀層的厚度相等，均為40-60納米。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，其特征在于:所述第一氧化鋅層和第二氧化鋅層的厚度相等，第一 ITO層和第三ITO層的厚度相等，第二ITO層和第四ITO層的厚度相等，第一二氧化硅層和第二二氧化硅層的厚度相等。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種改進型的具有正反結(jié)構的觸摸屏導電膜，其特征在于:所述第一氧化鋅層和第二氧化鋅層的厚度均為50-100納米；第一 ITO層和第三ITO層的厚度均為15-25納米；第二 ITO層和第四ITO層的厚度均為8-15納米；第一二氧化硅層和第二二氧化硅層的厚度均為50-100微米。
【文檔編號】H01B1/02GK203535980SQ201320638238
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年10月16日 優(yōu)先權日:2013年10月16日
【發(fā)明者】李林波 申請人:東莞市平波電子有限公司