導電幾何結構及超材料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種導電幾何結構及超材料，上述導電幾何結構具有磁諧振響應性，其等效介電常數(shù)為正，等效磁導率為負，用于隨H面入射波角度的改變而改變透波率與相移。本發(fā)明提供的導電幾何結構和超材料具有隨入射波角度的改變而改變透波率與相移能力，進而能夠在不對天線本身結構進行改動也不犧牲某些參數(shù)的前提下提高天線的方向性系數(shù)同時降低其副瓣。
【專利說明】導電幾何結構及超材料

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及通信領域，具體而言，涉及一種導電幾何結構及超材料。

【背景技術】
[0002]目前的在天線技術中，提高方向性系數(shù)和降低副瓣是兩個重要的研究課題。方向性系數(shù)是用來表示天線向某一個方向集中輻射電磁波程度(即方向性圖的尖銳程度)的一個參數(shù)，在中波和短波波段，方向性系數(shù)約為幾到幾十；在米波范圍內(nèi)，約為幾十到幾百；而在厘米波波段，則可高達幾千，甚至幾萬，方向性系數(shù)越高天線的性能越好。而副瓣則可以表征線功率輻射是否集中，副瓣是相對于主瓣而言的，主瓣寬度越小，方向圖越尖銳，表示天線輻射越集中，降低副瓣可以有效的增加主瓣寬度，使天線輻射更加集中，從而提高天線性能。
[0003]現(xiàn)有的技術多為通過改變天線本身的結構來提高方向性系數(shù)、降低副瓣，因此需要重新設計天線、或提高加工工藝精度。對于相控陣天線來說，還可以以降低增益為代價，通過對所有通道進行幅度加權來實現(xiàn)降低副瓣的目的。這些方法或需要對天線本身結構進行改動，不易實現(xiàn)，或需要犧牲某些參數(shù)，得不償失。目前現(xiàn)有技術中缺乏一種既不需要對天線本身結構進行改動也不需要犧牲某些參數(shù)就可以提高方向性系數(shù)同時降低副瓣的方案。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種導電幾何結構及超材料，具有隨入射波角度的改變而改變透波率與相移能力，進而能夠在不對天線本身結構進行改動也不犧牲某些參數(shù)的前提下提高天線的方向性系數(shù)同時降低其副瓣。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種導電幾何結構，所述導電幾何結構具有磁諧振響應性，其等效介電常數(shù)為正，等效磁導率為負，用于隨H面入射波角度的改變而改變透波率與相移。
[0006]所述導電幾何結構為帶有開口諧振環(huán)的磁諧振導電幾何結構。
[0007]所述導電幾何結構的各方向晶格尺寸范圍為:十分之一波長至四分之一波長。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種導電幾何結構，所述導電幾何結構具有電諧振響應性，其等效介電常數(shù)為負，等效磁導率為正，用于隨E面入射波角度的改變而改變透波率與相移。
[0009]所述導電幾何結構為帶/線狀、間斷線、“工”字型、或S型的電諧振導電幾何結構。
[0010]所述導電幾何結構的各方向晶格尺寸范圍為:十分之一波長至四分之一波長。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種導電幾何結構，所述導電幾何結構為具有電諧振性和磁諧振性的導電幾何結構，在E面方向上，等效為負介電常數(shù)與正磁導率，在H面方向上，等效為正介電常數(shù)和負磁導率，用于隨E面和H面入射波角度的改變而改變透波率與相移。
[0012]所述導電幾何結構為幾何結構上具有雙向正交特性的、同時具有電諧振性和磁諧振性的導電幾何結構。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種超材料，所述超材料其具有一層或多層的片層，每個所述片層單面或雙面上均勻周期性排布有上述任一種導電幾何結構。
[0014]所述片層中，至少有一層前后兩面上的導電幾何結構是非對稱的，其中，所述非對稱的形式包括以下至少之一:導電幾何結構為同種拓撲結構，細節(jié)尺寸相同，但排列方式不同；導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，所述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度；導電幾何結構屬于不同拓撲結構。
[0015]所述片層中，每一層前后兩面上的導電幾何結構完全相同，但至少有兩層的導電幾何結構是非對稱的，其中，所述非對稱的形式包括以下至少之一:至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構、細節(jié)尺寸相同，但導電幾何結構的排列方式不同；至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，所述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度；至少兩層上的導電幾何結構屬于不同拓撲結構。
[0016]所述片層中，至少有一層前后兩面上的導電幾何結構是非對稱的，且至少有兩層的導電幾何結構是非對稱的，其中，一層前后兩面上的導電幾何結構非對稱的形式包括以下至少之一:導電幾何結構為同種拓撲結構，細節(jié)尺寸相同，但排列方式不同；導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，所述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度；導電幾何結構屬于不同拓撲結構；至少有兩層的導電幾何結構非對稱的形式包括以下至少之一:至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構、細節(jié)尺寸相同，但導電幾何結構的排列方式不同；至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，所述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度；至少兩層上的導電幾何結構屬于不同拓撲結構。
[0017]通過本發(fā)明的技術方案，提供了多種具有隨入射波角度的改變而改變透波率與相移能力的導電幾何結構以及設置了這些導電幾何結構的超材料，將該超材料設置在天線的輻射方向上，即可以調(diào)節(jié)口徑面上的幅相分布，從而在不對天線本身結構進行改動也不犧牲某些參數(shù)的前提下，實現(xiàn)降低主平面副瓣、提高方向性系數(shù)的功能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中:
[0019]圖1是根據(jù)本發(fā)明實例一的ELC結構的示意圖；
[0020]圖2是根據(jù)本發(fā)明實例一的導電幾何結構的等效介電常數(shù)曲線；
[0021]圖3是根據(jù)本發(fā)明實例一的導電幾何結構的等效磁導率曲線；
[0022]圖4是根據(jù)本發(fā)明實例一的透波率隨入射波角度不同的變化曲線；
[0023]圖5是根據(jù)本發(fā)明實例一的相移能力隨入射波角度不同的變化曲線；
[0024]圖6是根據(jù)本發(fā)明實例一的實測俯仰面方向圖對比圖；
[0025]圖7是根據(jù)本發(fā)明實例二的“工”字型的導電幾何結構及電場的入射方向的示意圖；
[0026]圖8是根據(jù)本發(fā)明實例二的透波率隨入射波角度不同的變化曲線；
[0027]圖9是根據(jù)本發(fā)明實例二的正入射仿真副瓣壓制效果圖；
[0028]圖10是根據(jù)本發(fā)明實例二的俯仰面相掃圖；
[0029]圖11是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的第一種相互正交的ELC結構示意圖；
[0030]圖12是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的第二種相互正交的ELC結構示意圖；
[0031]圖13是根據(jù)本發(fā)明實例三的相互正交的ELC結構示意圖；
[0032]圖14是根據(jù)本發(fā)明實例三的方向性系數(shù)對比圖；
[0033]圖15是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一個片層前后兩面的導電幾何結構為同種拓撲結構，細節(jié)尺寸相同，但排列方式不同的情況一；
[0034]圖16是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一個片層前后兩面的導電幾何結構為同種拓撲結構，細節(jié)尺寸相同，但排列方式不同的情況二 ；
[0035]圖17是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一個片層前后兩面的導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同的情況一；
[0036]圖18是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一個片層前后兩面的導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同的情況二 ；
[0037]圖19是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一個片層前后兩面的導電幾何結構屬于不同拓撲結構的情況；
[0038]圖20是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構、細節(jié)尺寸相同，但導電幾何結構的排列方式不同的情況；
[0039]圖21是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同的情況；
[0040]圖22是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的至少兩層上的導電幾何結構屬于不同拓撲結構的情況；
[0041]圖23是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的未采用不對稱導電幾何結構設計的超材料的導電幾何結構示意圖及其仿真結果圖；
[0042]圖24是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的采用了不對稱導電幾何結構設計的超材料的導電幾何結構示意圖及其仿真結果圖。

【具體實施方式】
[0043]下文中將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發(fā)明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0044]本實施例提供了一種導電幾何結構，上述導電幾何結構具有磁諧振響應性，可以等效成磁各向異性材料，用于優(yōu)化天線H面的副瓣，提高方向性系數(shù)，其等效介電常數(shù)為正，優(yōu)選的可以?1，等效磁導率〈0，呈現(xiàn)磁表面等離激元效應。該導電幾何結構能隨H面入射波角度的改變而改變透波率與相移能力，實現(xiàn)對口徑面幅相分布的調(diào)節(jié)，從而得到降低副瓣、提高方向性系數(shù)的效果。
[0045]優(yōu)選的，單一導電幾何結構單元的各方向晶格尺寸范圍為:十分之一波長?四分之一波長；
[0046]優(yōu)選的，單一導電幾何結構為帶有開口諧振環(huán)的磁諧振導電幾何結構，開口環(huán)的外形尺寸、線寬、開口的大小視所需要的諧振頻率、帶寬而定；改變晶格尺寸、開口環(huán)外形尺寸、開口大小將會顯著影響諧振頻率，改變線寬將會顯著影響帶寬。具體材質(zhì)可采用金屬、石墨等導電材料。
[0047]下面通過實例一對上述優(yōu)選實施例進行說明。本實例采用的導電幾何結構為(降低H面副瓣的磁等離子體)ELC結構(Electric Field Driven LC Resonator,電諧振結構)。
[0048]原天線水平極化，工作帶寬為3.1?3.4GHz,要求在天線的俯仰面(磁場面)上30?90。進行副瓣壓制。
[0049]所選用的ELC結構如圖1所示，基板選用0.25mm厚PTFE (聚四氟乙烯)，雙面覆銅蝕刻(雙面蝕刻的形狀一致);第一子部件使用3層覆銅PTFE層疊，每兩層之間使用1mm厚的泡沫(介電常數(shù)1.057)作為間隔。
[0050]導電幾何結構單元的晶格尺寸為15.333mm*20.333mm,ELC的尺寸參見圖1。該導電幾何結構的等效介電常數(shù)參見圖2 (3.lG,eps (介電常數(shù))=1.3 ;3.4G，印s=l.55)。該導電幾何結構的等效磁導率參見圖3 (3.lG，mur (磁導率)=-1.5 ；3.4G,mur=-0.24)。將TEM波以不同角度入射到ELC結構，并在全部過程中保持電場與ELC結構中間的短桿平行、磁場與兩端電容方向平行，其透波率、相移能力隨入射波的角度改變而改變，如圖4、5所示。
[0051]當俯仰面17°掃描時，實測的俯仰面方向圖對比圖，如圖6所示。
[0052]本實施例提供了一種導電幾何結構，上述的導電幾何結構具有電諧振響應性，可以等效成電各向異性材料，可以優(yōu)化天線E面的副瓣，提高方向性系數(shù)，其等效介電常數(shù)〈0，等效磁導率為正且?1，呈現(xiàn)電表面等離激元效應。該導電幾何結構能隨E面入射波角度的改變而改變透波率與相移能力，實現(xiàn)對口徑面幅相分布的調(diào)節(jié)，從而得到降低副瓣、提高方向性系數(shù)的效果。
[0053]優(yōu)選的，單一導電幾何結構單元的各方向晶格尺寸范圍為:十分之一波長?四分之一波長；
[0054]優(yōu)選的，單一導電幾何結構為帶/線狀、間斷線、“工”字型、或S狀(等)電諧振導電幾何結構，線寬、線間間距、S外形尺寸視所需要的諧振頻率、帶寬而定；改變晶格尺寸、線間間距、“工”字型、S外形尺寸將會顯著影響諧振頻率，改變線寬將會顯著影響帶寬。具體材質(zhì)可采用金屬、石墨等導電材料。
[0055]下面通過實例二對上述優(yōu)選實施例進行說明。本實例采用的導電幾何結構為(降低E面副瓣的電等離子體)“工”字型結構。
[0056]原天線垂直極化,工作帶寬為3.1?3.4GHz,要求在天線的俯仰面(電場面)上30?60°進行副瓣壓制。
[0057]“工”字型的導電幾何結構形式如圖7所示，基板選用0.25mm厚PTFE，雙面覆銅蝕刻(雙面蝕刻的形狀一致);超材料使用3層覆銅PTFE層疊，每兩層之間使用1mm厚的泡沫(介電常數(shù)1.057)作為間隔。
[0058]導電幾何結構單元的晶格尺寸為16mm*20mm，“工”字型線寬0.5mm，兩橫一豎長度均為12mm,對應不同入射角度的TEM波(一種電矢量和磁矢量都與傳播方向垂直的波),保持其磁場垂直于導電幾何結構所在平面，電場的入射方向如圖7所示。其透波率隨入射波角度的不同而改變，如圖8所示。正入射時，仿真副瓣壓制效果如圖9所示，俯仰面相掃如圖10所示。
[0059]本實施例提供了一種導電幾何結構，上述導電幾何結構為同時具有電諧振性和磁諧振性的導電幾何結構，在E面方向上，等效為負介電常數(shù)與正磁導率，呈現(xiàn)電表面等離激元效應，在H面方向上，等效為正介電常數(shù)和負磁導率，呈現(xiàn)磁表面等離激元效應，用于隨E面和H面入射波角度的改變而改變透波率與相移。該導電幾何結構可以同時降低兩個主平面的副瓣，提高方向性系數(shù)。
[0060]優(yōu)選的，上述導電幾何結構為幾何結構上具有雙向正交特性的、同時具有電諧振性和磁諧振性的金屬導電幾何結構。優(yōu)選的，可采用圖11、12所示的結構。
[0061]下面通過實例三對上述優(yōu)選實施例進行說明。本實例采用相互正交的ELC結構，如圖13所示。
[0062]天線工作在14?14.5G的頻段，導電幾何結構選用單層0.25mm厚的PTFE雙面蝕刻 iELC 結構(Isotropic Electric Field Driven LC Resonator,各向同性電諧振結構)，導電幾何結構晶格為7.8*7.8mm, iELC寬6.5_，線寬0.5mm,四角電容間距1_，長4.4mm,如圖13所示。導電幾何結構置于天線口徑面前方120mm處，如圖14所示，方向性系數(shù)與原天線相比有大幅提聞。
[0063]本實施例提供了一種超材料，所述超材料其具有一層或多層的片層，每個所述片層單面或雙面上均勻周期性排布有上述任一種導電幾何結構。將上述超材料設置在天線的輻射方向或者說口徑前，即可在不對天線本身結構進行改動也不犧牲某些參數(shù)的前提下，實現(xiàn)了降低主平面副瓣、提高方向性系數(shù)的功能。
[0064]優(yōu)選的，所述片層的成板形式可以為以下之一:單層基板單面覆銅蝕刻、單層基板雙面覆銅蝕刻、多層基板(單面或雙面覆銅蝕刻)層疊。
[0065]優(yōu)選的，對于上述超材料來說，還可以進一步在導電幾何結構的排布上進行設計，進一步達到為角度濾波降副瓣、為二次輻射提增益、實現(xiàn)某電磁參數(shù)等效果。
[0066]優(yōu)選的，在上述片層中，至少有一層前后兩面上的導電幾何結構是非對稱的，即至少有一層(不限于一層)的介質(zhì)基板，其兩面上的導電幾何結構是非對稱的，上述非對稱的形式包括:
[0067]導電幾何結構為同種拓撲結構，細節(jié)尺寸相同，但排列方式不同，例如圖15、16所示的情況；
[0068]導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，上述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度，例如圖17、18 (正面、反面(正視圖))所示的情況；
[0069]導電幾何結構屬于不同拓撲結構，例如圖19所示的情況。
[0070]優(yōu)選的，在上述片層中，每一層前后兩面上的導電幾何結構完全相同，但至少有兩層的導電幾何結構是非對稱的，即每一層介質(zhì)基板的前后兩面上的導電幾何結構完全相同，但至少有兩層(不限于兩層)介質(zhì)基板，其上的導電幾何結構是非對稱的，上述非對稱的形式包括以下至少之一:
[0071]至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構、細節(jié)尺寸相同，但導電幾何結構的排列方式不同，例如圖20所示的情況；
[0072]至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，上述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度，例如圖21所示的情況；
[0073]至少兩層上的導電幾何結構屬于不同拓撲結構，例如圖22所示的情況。
[0074]優(yōu)選的，第一子部件的片層中，至少有一層前后兩面上的導電幾何結構是非對稱的，且至少有兩層的導電幾何結構是非對稱的，具體可參見上述兩個優(yōu)選實施例。
[0075]圖24顯示了未采用不對稱導電幾何結構設計的超材料的導電幾何結構示意圖及其仿真結果圖，圖25顯示了采用了不對稱導電幾何結構設計的超材料的導電幾何結構示意圖及其仿真結果圖。如圖24、25所示，采用上述不對稱導電幾何結構設計的超材料，其濾波帶寬明顯增寬:各層導電幾何結構均對稱時，帶寬較窄；多層介質(zhì)基板，每層介質(zhì)基板兩面的導電幾何結構不對稱時，帶寬明顯變寬，較之各層導電幾何結構對稱的設計帶寬增加30%以上。
[0076]將上述任一實施例、優(yōu)選實施例、實例所描述的超材料設置在天線的輻射方向或者說口徑前，即可在不對天線本身結構進行改動也不犧牲某些參數(shù)的前提下，實現(xiàn)了降低主平面副瓣、提高方向性系數(shù)的功能。
[0077]通過以上的描述可以看出，本發(fā)明提供了多種具有隨入射波角度的改變而改變透波率與相移能力的導電幾何結構以及設置了這些導電幾何結構的超材料，該超材料一層或多層片層，每一片層均具有上述的特殊人造導電幾何結構，導電幾何結構本身也具有多種不同的排布方式，該超材料具有隨入射波角度的改變而改變透波率與相移能力，從而可以調(diào)節(jié)口徑面上的幅相分布，在不對天線本身結構進行改動也不犧牲某些參數(shù)的前提下，實現(xiàn)了降低主平面副瓣、提高方向性系數(shù)的功能。
[0078]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種導電幾何結構，其特征在于，所述導電幾何結構具有磁諧振響應性，其等效介電常數(shù)為正，等效磁導率為負，用于隨H面入射波角度的改變而改變透波率與相移。
2.根據(jù)權利要求1所述的導電幾何結構，其特征在于，所述導電幾何結構為帶有開口諧振環(huán)的磁諧振導電幾何結構。
3.根據(jù)權利要求2所述的導電幾何結構，其特征在于，所述導電幾何結構的各方向晶格尺寸范圍為:十分之一波長至四分之一波長。
4.一種導電幾何結構，其特征在于，所述導電幾何結構具有電諧振響應性，其等效介電常數(shù)為負，等效磁導率為正，用于隨E面入射波角度的改變而改變透波率與相移。
5.根據(jù)權利要求4所述的導電幾何結構，其特征在于，所述導電幾何結構為帶/線狀、間斷線、“工”字型、或S型的電諧振導電幾何結構。
6.根據(jù)權利要求5所述的導電幾何結構，其特征在于，所述導電幾何結構的各方向晶格尺寸范圍為:十分之一波長至四分之一波長。
7.一種導電幾何結構，其特征在于，所述導電幾何結構為具有電諧振性和磁諧振性的導電幾何結構，在E面方向上，等效為負介電常數(shù)與正磁導率，在H面方向上，等效為正介電常數(shù)和負磁導率，用于隨E面和H面入射波角度的改變而改變透波率與相移。
8.根據(jù)權利要求7所述的超材料，其特征在于，所述導電幾何結構為幾何結構上具有雙向正交特性的、同時具有電諧振性和磁諧振性的導電幾何結構。
9.一種超材料，其特征在于，所述超材料其具有一層或多層的片層，每個所述片層單面或雙面上均勻周期性排布有權利要求1-8任一項所述的導電幾何結構。
10.根據(jù)權利要求9所述的超材料，其特征在于，所述片層中，至少有一層前后兩面上的導電幾何結構是非對稱的，其中，所述非對稱的形式包括以下至少之一: 導電幾何結構為同種拓撲結構，細節(jié)尺寸相同，但排列方式不同； 導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，所述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度； 導電幾何結構屬于不同拓撲結構。
11.根據(jù)權利要求9所述的超材料，其特征在于，所述片層中，每一層前后兩面上的導電幾何結構完全相同，但至少有兩層的導電幾何結構是非對稱的，其中，所述非對稱的形式包括以下至少之一: 至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構、細節(jié)尺寸相同，但導電幾何結構的排列方式不同； 至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，所述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度； 至少兩層上的導電幾何結構屬于不同拓撲結構。
12.根據(jù)權利要求9所述的超材料，其特征在于，所述片層中，至少有一層前后兩面上的導電幾何結構是非對稱的，且至少有兩層的導電幾何結構是非對稱的，其中， 一層前后兩面上的導電幾何結構非對稱的形式包括以下至少之一:導電幾何結構為同種拓撲結構，細節(jié)尺寸相同，但排列方式不同；導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，所述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度；導電幾何結構屬于不同拓撲結構； 至少有兩層的導電幾何結構非對稱的形式包括以下至少之一:至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構、細節(jié)尺寸相同，但導電幾何結構的排列方式不同；至少兩層上的導電幾何結構為同種拓撲結構，但參數(shù)不同，所述參數(shù)包括以下至少之一:外形尺寸、線寬、縫隙開口寬度、電容結構長度；至少兩層上的導電幾何結構屬于不同拓撲結構。
【文檔編號】H01Q15/00GK104347950SQ201310330427
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年7月31日 優(yōu)先權日:2013年7月31日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術有限公司