有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】根據(jù)示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器包括襯底、襯底上的像素電極、像素電極上的有機發(fā)射層、有機發(fā)射層上的公共電極、公共電極上的覆蓋層、覆蓋層上的氧化減少層、以及覆蓋氧化減少層的薄膜封裝層，氧化減少層被配置為減少公共電極的氧化，氧化減少層與公共電極分離。氧化減少層可以包括虛擬公共電極、紫外線（UV）阻擋層、以及緩沖層中的至少一種。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大體上涉及有機發(fā)光二極管顯示器，更具體地涉及具有薄膜封裝層的有機發(fā)光二極管顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管顯示器包括由陽極(即空穴注入電極)、有機發(fā)射層、以及陰極(gp電子注入電極)組成的有機發(fā)光元件。通過當結(jié)合有機發(fā)射層中的電子與空穴所產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)落到基態(tài)時產(chǎn)生的能量，每一個有機發(fā)光元件發(fā)光，并且通過利用這種發(fā)光，有機發(fā)光二極管顯示器顯示預先確定的圖像。
[0003]由于有機發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特性，并且與液晶顯示器不同，有機發(fā)光二極管顯示器不需要單獨的光源，所以可以減小其厚度和重量。此外，由于有機發(fā)光二極管顯示器表現(xiàn)出高質(zhì)量特性如低功耗、高亮度、以及快速反應速度，所以有機發(fā)光二極管顯示器作為下一代顯示裝置受到人們的注意。
[0004]有機發(fā)光元件可能會因外界因素如外部濕氣、氧氣、或紫外線(UV)而劣化。尤其，由于外部氧氣和濕氣顯著地影響有機發(fā)光兀件的壽命，所以封裝有機光發(fā)射兀件的封裝技術(shù)非常重要。
[0005]背景部分中公開的以上信息僅用于增強對本發(fā)明背景的理解，因此其可以包括不形成在本國中對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]一個或多個示例性實施方式提供一種有機發(fā)光二極管顯示器，其可以包括襯底、位于襯底上的像素電極、位于像素電極上的有機發(fā)射層、位于有機發(fā)射層上的公共電極、形成于公共電極上的覆蓋層、位于覆蓋層上的虛擬公共電極、以及覆蓋虛擬公共電極的薄膜封裝層，其中虛擬公共電極可以與公共電極分離。
[0007]虛擬公共電極可以具有50 A至200人的厚度。
[0008]虛擬公共電極可以包括選自鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li )、鈉(Na)、鈣(Ca)、或鍶(Sr),或者其合金中的任何一種。
[0009]紫外線(UV)阻擋層可以位于虛擬公共電極與薄膜封裝層之間。
[0010]緩沖層可以位于紫外線(UV)阻擋層與薄膜封裝層之間。
[0011]緩沖層可以是選自氟化鋰(LiF)、氟化鈣(CaF2)、氧化硅(SiO)、鈦氧化物(TiOx)、鑰氧化物(Mo0x)、氧化鋅(ZnO)、鋅錫氧化物(ZnSnOx)、和鋁氮氧化物(AlOxNy)中的任何一種。
[0012]薄膜封裝層可以包括交替層壓的至少一個封裝有機層和至少一個封裝無機層。
[0013]虛擬公共電極和紫外線(UV)阻擋層中的至少一個可以被配置為減少公共電極的氧化。
[0014]虛擬公共電極可以包括被配置為與氧氣反應以形成透明氧化物的材料。[0015]—個或多個不例性實施方式提供一種有機發(fā)光二極管顯不器，其可以包括:襯底、位于襯底上的像素電極、位于像素電極上的有機發(fā)射層、位于有機發(fā)射層上的公共電極、位于公共電極上的覆蓋層、位于覆蓋層上并被配置為減少公共電極的氧化的氧化減少層、以及覆蓋該氧化減少層的薄膜封裝層，其中氧化減少層可以與公共電極分離。
[0016]氧化減少層可以包括虛擬公共電極、紫外線(UV)阻擋層、以及緩沖層中的至少一種。[0017]氧化減少層可以包括虛擬公共電極和紫外線(UV)阻擋層。虛擬公共電極可以位于覆蓋層上并且紫外線(UV)阻擋層可以位于虛擬公共電極上。
[0018]氧化減少層可以包括虛擬公共電極和緩沖層。虛擬公共電極可以位于覆蓋層上并且緩沖層可以位于虛擬公共電極上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是根據(jù)第一示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的一個像素的等效電路。
[0020]圖2是根據(jù)第一示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
[0021]圖3是根據(jù)第二示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
【具體實施方式】
[0022]下文中將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明；然而，可以通過不同的形式實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應被解釋為限于本文中闡明的實施方式。相反，提供這些實施方式以使本公開詳盡且完整，并且本公開將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達示例性的實施。
[0023]附圖和說明書本質(zhì)上應認為是說明性的而非限制性的。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。
[0024]此外，為了便于理解和描述方便，隨意地示出了附圖中的每一個組件的尺寸和厚度,但本發(fā)明的實施方式并不限于此。
[0025]在附圖中，為了清晰起見，放大了層、膜、板、區(qū)域等的厚度。在附圖中，為了便于理解和描述方便，放大了一些層和區(qū)域的厚度。應當理解當元件如層、膜、區(qū)域、或襯底被認為是“位于”另一元件上時，其可以直接位于另一元件上或者還可以存在插入的元件。
[0026]此外，除非明確地相反地說明，術(shù)語“包括(comprise)”及其變型如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”應理解為是指包括所述元件而非排出任何其他元件。另外，在說明書中，術(shù)語“位于……上”指位于對象部分上或在對象部分下方，但并非實質(zhì)上指基于重力方向位于該對象部分的上側(cè)。
[0027]圖1是根據(jù)第一示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的一個像素的等效電路。如圖1中所示，根據(jù)示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器包括多個信號線121、171、和172，以及與其相連接的像素PX。
[0028]信號線包括傳輸門信號(或掃描信號)的掃描信號線121、傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171、傳輸驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線172，等等。掃描信號線121基本上在行方向上延伸并且彼此平行，并且數(shù)據(jù)線171基本上在列方向上延伸并且?guī)缀醣舜似叫?。示出了基本上在列方向上延伸的?qū)動電壓線172，但是驅(qū)動電壓線172可以在行方向上或列方向上延伸或者可以形成為具有網(wǎng)狀形式。
[0029]一個像素PX可以包括開關(guān)晶體管Qs、驅(qū)動晶體管Qd、存儲電容器Cst、以及有機發(fā)光元件LD。
[0030]開關(guān)晶體管Qs具有控制端N1、輸入端N2、以及輸出端N3，控制端NI連接至掃描信號線121，輸入端N2連接至數(shù)據(jù)線171，并且輸入端N3連接至驅(qū)動晶體管Qd。響應于接收自掃描信號線121的掃描信號，開關(guān)晶體管Qs將接收自數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號傳輸至驅(qū)動晶體管Qd。
[0031]驅(qū)動晶體管Qd具有控制端N3、輸入端N4、以及輸出端N5，控制端N3連接至開關(guān)晶體管Qs，輸入端N4連接至驅(qū)動電壓線172，并且輸入端N5連接至有機發(fā)光元件LD。驅(qū)動晶體管Qd允許輸出電流Iui流過，其中該輸出電流I111的大小根據(jù)施加在控制端N3與輸出端N5之間的電壓而改變。
[0032]電容器Cst連接在驅(qū)動晶體管Qd的輸入端N4與控制端N3之間。電容器Cst為應用至驅(qū)動晶體管Qd的控制端N3的數(shù)據(jù)信號充電并且甚至在開關(guān)晶體管關(guān)閉后維持數(shù)據(jù)信號。
[0033]有機發(fā)光元件LD為例如有機發(fā)光二極管(0LED)，并且具有連接至驅(qū)動晶體管Qd的輸出端N5的陽極和連接至公共電壓Vss的陰極。有機發(fā)光元件LD通過發(fā)光來顯示圖像并且其強度根據(jù)驅(qū)動晶體管Qd的輸出電流I111而改變。有機發(fā)光元件LD可以包括本質(zhì)上發(fā)射具有原色(如紅、綠、以及藍三原色)中的任何一種光或至少一種光的有機材料，并且有機發(fā)光二極管顯示器通過顏色的空間總和顯示期望的圖像。
[0034]開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動晶體管Qd為η溝道場效應晶體管(FET),但是這些晶體管中的至少一個可以是P溝道場效應晶體管。此外，可以改變晶體管Qs、晶體管Qd、電容器Cst、與有機發(fā)光元件LD的連接關(guān)系。
[0035]然后，將參照圖2與圖1 一起詳細描述根據(jù)第一示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)。
[0036]圖2是根據(jù)第一示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
[0037]如圖2中所示，驅(qū)動晶體管Qd形成在可以由例如透明玻璃或塑料形成的絕緣襯底110上。除此之外，多個信號線(未示出)、多個開關(guān)晶體管(未示出)等等還可以形成在絕緣襯底110上。
[0038]可以由無機材料或者有機材料制成的保護層180形成在驅(qū)動晶體管Qd上。在保護層180由有機材料制成的情況下，其表面可以是平的。接觸孔185形成在保護層180中，其中驅(qū)動晶體管Qd的一部分通過接觸孔185暴露。像素電極190形成在保護層180上。像素電極190可以包括反射電極及在其上形成的透明電極。反射電極可以由具有高反射系數(shù)的金屬如銀(Ag)或鋁(Al)、其合金等制成，并且透明電極可以由透明的導電氧化物如ITO(銦錫氧化物)或IZO (銦鋅氧化物)制成。
[0039]覆蓋像素電極190的邊緣的外周的像素限定層350形成在保護層180上。
[0040]有機發(fā)射層320形成在像素電極190上并且公共電極270形成在有機發(fā)射層320和像素限定層350上，從而形成發(fā)光二極管LD。公共電極270可以由鎂(Mg)與銀(Ag)的合金形成，其厚度為150人或更小。當公共電極270的厚度大于150A時，透射比可能會變差。
[0041]除實際上發(fā)光的發(fā)射層(未示出)外，有機發(fā)射層320還可以包括用于有效地將空穴或電子的載流子傳輸至發(fā)射層的有機層(未示出)。有機層可以是定位在像素電極190與發(fā)射層之間的空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)、以及定位在公共電極270與發(fā)射層之間的電子注入層(EIL)與電子傳輸層(ETL)。
[0042]覆蓋公共電極270以保護該公共電極270的覆蓋層280可以由公共電極270上的有機層形成。虛擬公共電極290形成在覆蓋層280上。虛擬公共電極290沒有連接至公共電極270,并且與其分尚。
[0043]薄膜封裝層400形成在虛擬公共電極290上。薄膜封裝層400從外側(cè)密封并且保護有機發(fā)光元件LD以及形成在襯底110上的驅(qū)動電路部分。
[0044]薄膜封裝層400包括逐個交替層壓的封裝無機層401、402、403、和404、以及封裝有機層411、412、和413。圖2示出了這樣的情況作為示例，即四個封裝無機層401、402、403、和404與三個封裝有機層411、412、和413逐個交替層壓以組成薄膜封裝層400，但是本發(fā)明的實施方式并不限于此。
[0045]如上所述，由于虛擬公共電極290首先被通過副產(chǎn)物例如形成薄膜封裝層400時產(chǎn)生的氧氣(O2)或水(H2O)的擴散氧化，所以通過在公共電極270與薄膜封裝層400之間形成虛擬公共電極290，副產(chǎn)物沒有被傳輸?shù)焦搽姌O270。因此，因為公共電極270沒有被氧化，所以公共電極正常地起到電極的作用。
[0046]相反地，通常當使用薄膜封裝(TFE )技術(shù)封裝有機發(fā)光元件時，用于形成薄膜封裝層的濺射過程可能產(chǎn)生副產(chǎn)物如氧氣(O2)或水(H2O),這些副產(chǎn)物進而可以擴散至下面的陰極以氧化陰極，從而產(chǎn)生越來越嚴重的暗斑缺陷。然而，根據(jù)示例性實施方式，由于虛擬公共電極粘接當薄膜封裝層被形成(例如被氧化)時產(chǎn)生的副產(chǎn)物，所以通過在公共電極與薄膜封裝層之間提供單獨的虛擬公共電極，可以使公共電極上的副產(chǎn)物的影響最小化。因此，通過形成薄膜封裝層時出現(xiàn)的副產(chǎn)物可以減少或防止公共電極的氧化。
[0047]虛擬公共電極290可以具有50人至200A的厚度。當虛擬公共電極290的厚度小于50A時，難以防止薄膜封裝層400的形成期間所產(chǎn)生的副產(chǎn)物擴散至公共電極270內(nèi)。當虛擬公共電極290的厚度大于200人時，可以減小透射比。
[0048]虛擬公共電極290可以包括制造透明氧化物的任何材料，例如選自鎂(Mg )、銀(Ag)、鋰(Li )、鈉(Na)、鈣(Ca)、或鍶(Sr)，或者其合金中的一種，從而在氧化期間由副產(chǎn)物形成透明氧化物。
[0049]在第一示例性實施方式中，僅虛擬公共電極290形成在公共電極270與薄膜封裝層400之間。在下面論述的第二實施方式中，阻擋紫外線(UV)的紫外線(UV)阻擋層和/或?qū)τ诟吣芰Ｗ拥呐鲎簿哂袕娔褪苄缘木彌_層還形成在薄膜封裝層400與虛擬公共電極290之間。
[0050]圖3是根據(jù)第二示例性實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。除了額外包括離子耐受性或緩沖層310和紫外線(UV)阻擋層282外，圖3中示出的第二示例性實施方式大體上與圖2中示出的第一示例性實施方式相同。因此，將不再重復其詳細說明。如圖3中所示，紫外線(UV)阻擋層282與緩沖層310順序地層壓在虛擬公共電極290與薄膜封裝層400之間。
[0051]紫外線(UV)阻擋層282可以由與覆蓋層280相同的材料形成。紫外線(UV)阻擋層282防止或減少由在封裝無機層的形成期間使用的等離子體產(chǎn)生的副產(chǎn)物例如氧氣(O2)或水(H2O)直接影響例如氧化虛擬公共電極290。
[0052]緩沖層310可以是針對離子碰撞具有強耐受性的材料，例如選自無機的氟化物如氟化鋰(LiF)和氟化鈣(CaF2)以及無機氧化物如氧化硅(SiO)、鈦氧化物(TiOx)、鑰氧化物(MoOx)、氧化鋅(ZnO)、鋅錫氧化物(ZnSnOx )、和鋁氮氧化物(AlOxNy)中的任何一種。緩沖層310可以通過熱沉積法形成，并且用來防止當形成無機封裝層時由等離子體產(chǎn)生的高能粒子影響在其下方的公共電極270。
[0053]在示例性實施方式中，示出了紫外線(UV)阻擋層282和緩沖層310，但是僅可以提供紫外線(UV)阻擋層282和緩沖層310中的一個。此外，通過形成多個氧化減少層，例如虛擬公共電極290和紫外線(UV)阻擋層282，可以更加完全地防止公共電極270的氧化。
[0054]根據(jù)實施方式，通過進一步在虛擬公共電極與薄膜封裝層之間形成紫外線(UV)阻擋層和/或緩沖層，還可以例如完全地抑制公共電極的氧化并且可以減少或防止由具有高能的等離子體導致的公共電極的物理損壞。
[0055]通過總結(jié)和回顧，通過在公共電極與薄膜封裝層之間提供隔離公共電極的一個或多個氧化減少層，可以減少或防止在薄膜封裝層的形成期間可能出現(xiàn)的對公共電極的損壞。
[0056]雖然已經(jīng)結(jié)合目前認為是可實施的示例性實施方式描述了本公開，但是應該理解本發(fā)明并不限于所公開的實施方式，而相反地旨在涵蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管顯不器，其包括: 襯底； 像素電極，位于所述襯底上； 有機發(fā)射層，位于所述像素電極上； 公共電極，位于所述有機發(fā)射層上； 覆蓋層，位于所述公共電極上； 虛擬公共電極，位于所述覆蓋層上；以及 薄膜封裝層，覆蓋所述虛擬公共電極， 其中所述虛擬公共電極與所述公共電極分離。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述虛擬公共電極具有50A至200A的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述虛擬公共電極包含鎂、銀、鋰、鈉、鈣、或鍶，或其合金中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，還包括紫外線阻擋層，所述紫外線阻擋層位于所述虛擬公共電極與所述薄膜封裝層之間。
5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示器，還包括緩沖層，所述緩沖層位于所述紫外線阻擋層與所述薄膜封裝層之間。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述緩沖層包括氟化鋰、氟化鈣、氧化娃、鈦氧化物、鑰氧化物、氧化鋅、鋅錫氧化物、和招氮氧化物中的至少一種。
7.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述虛擬公共電極和所述紫外線阻擋層中的至少一個被配置為減少所述公共電極的氧化。
8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述薄膜封裝層包括交替層壓的至少一個封裝有機層和至少一個封裝無機層。
9.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述虛擬公共電極包括被配置為與氧氣反應以形成透明氧化物的材料。
10.一種有機發(fā)光二極管顯不器，其包括: 襯底； 像素電極，位于所述襯底上； 有機發(fā)射層，位于所述像素電極上； 公共電極，位于所述有機發(fā)射層上； 覆蓋層，位于所述公共電極上； 氧化減少層，位于所述覆蓋層上，所述氧化減少層被配置為減少所述公共電極的氧化；以及 薄膜封裝層，覆蓋所述氧化減少層， 其中所述氧化減少層與所述公共電極分離。
11.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述氧化減少層包括虛擬公共電極、紫外線阻擋層、以及緩沖層中的至少一種。
12.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述氧化減少層包括所述虛擬公共電極和所述紫外線阻擋層。
13.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述虛擬公共電極位于所述覆蓋層上并且所述紫外線阻擋層位于所述虛擬公共電極上。
14.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述氧化減少層包括所述虛擬公共電極和所述緩沖層。
15.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述虛擬公共電極位于所述覆蓋層上并且所述緩沖層位于·所述虛擬公共電極上。
【文檔編號】H01L27/32GK103579287SQ201310256077
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】李榮山, 曺煐美, 蔡敬贊 申請人:三星顯示有限公司