屏蔽電纜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠抑制吸出現(xiàn)象并且容易處理的屏蔽電纜。屏蔽電纜（1）大致具備絞合電纜（4）和金屬樹(shù)脂帶（5），絞合電纜（4）具有由絕緣體包覆導(dǎo)體的第一及第二電線（2a、2b）、及具有導(dǎo)電性并與第一及第二電線（2a、2b）一同扭絞在一起的排擾線（3），金屬樹(shù)脂帶（5）具有導(dǎo)電層（5a）及絕緣層（5b），并以導(dǎo)電層（5a）沿著排擾線（3）連續(xù)地接觸的方式，沿著與絞合電纜（4）的扭絞方向相同的方向，且以與絞合電纜（4）的扭絞間距大致相同的卷繞間距卷繞在絞合電纜（4）上。
【專利說(shuō)明】屏蔽電纜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及屏蔽電纜。
【背景技術(shù)】
[0002]作為以往技術(shù)，已知有以如下方式構(gòu)成的差動(dòng)傳輸用的屏蔽電纜，S卩，在并列排列的兩根信號(hào)線、及沿著該信號(hào)線配置的排擾線的周圍，以螺旋狀卷繞在表面形成有金屬箔的金屬箔樹(shù)脂帶(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]該屏蔽電纜通過(guò)以金屬箔成為外側(cè)的方式將金屬箔樹(shù)脂帶的寬度方向的一端部折回，并在該折回的部分以金屬箔彼此重疊的方式疊繞，使重疊的部分電接觸。其結(jié)果，該屏蔽電纜中流過(guò)金屬箔樹(shù)脂帶的電流被分割，而順著排擾線流動(dòng)，因此能夠抑制高頻帶的信號(hào)急劇下降的、所謂吸出(suck out)現(xiàn)象的發(fā)生。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2011 - 222262號(hào)公報(bào)
[0006]但是，以往的屏蔽電纜與沒(méi)有將金屬箔樹(shù)脂帶折回的屏蔽電纜相比，容易在金屬箔上產(chǎn)生龜裂。因此，該屏蔽電纜因?yàn)榘l(fā)生了龜裂的部分的導(dǎo)通不良，所以流過(guò)金屬箔樹(shù)脂帶的電流被分割，抑制吸出現(xiàn)象的性能有可能降低。另外，由于該屏蔽電纜是將兩根信號(hào)線并列排列的，因此存在難以彎曲且處理困難的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因而，本發(fā)明的目的在于提供能抑制吸出現(xiàn)象并且容易處理的屏蔽電纜。
[0008]本發(fā)明為了達(dá)成上述目的而提供一種屏蔽電纜，該屏蔽電纜具備絞合電纜和帶狀部件，所述絞合電纜具有由絕緣體包覆導(dǎo)體的多根電線、及具有導(dǎo)電性并與所述多根電線一同扭絞在一起的導(dǎo)線，所述帶狀部件具有導(dǎo)電層及絕緣層，并以所述導(dǎo)電層沿著所述導(dǎo)線連續(xù)地接觸的方式，沿著與所述絞合電纜的扭絞方向相同的方向，且以與所述絞合電纜的扭絞間距大致相同的卷繞間距卷繞在所述絞合電纜上。
[0009]所述帶狀部件也可以設(shè)置成如下的結(jié)構(gòu)，即、所述導(dǎo)電層的厚度為6 μ m以上9 μ m以下，所述絕緣層的厚度為4 μ m以上6 μ m以下。
[0010]本發(fā)明具有如下有益效果。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制吸出現(xiàn)象，并且容易處理。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1 (a)是本發(fā)明的實(shí)施方式的屏蔽電纜的立體圖，圖1 (b)是將圖1 (a)的用I (b) — I (b)線切斷的截面從箭頭方向觀察的剖視圖。
[0013]圖2 Ca)是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的屏蔽電纜的排擾線的線徑的模式圖，圖2 (b)是將圖1 (a)的用II (b) -1I (b)線切斷的截面從箭頭方向觀察的剖視圖，圖2 (c)是金屬樹(shù)脂帶的剖視圖。[0014]圖3是本發(fā)明的實(shí)施例1的傳輸損耗(dB)和頻率(GHz)的曲線圖。
[0015]圖中:
[0016]I 一屏蔽電纜,2a 一第一電線,2b —第二電線，3 —排擾線，4 一絞合電纜，5 一金屬樹(shù)脂帶，5a —導(dǎo)電層，5b —絕緣層，6 —外皮，7 —屏蔽電流，8a —第一信號(hào)，8b —第二信號(hào)，20a、20b —導(dǎo)體，21a、21b —絕緣體，50 一重疊區(qū)域，51 一接觸區(qū)域，52 一非接觸區(qū)域，m 一中心軸，P1 一扭絞間距，P2 一卷繞間距，T 一扭絞方向。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下，參照【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。再者，就各圖中的附圖標(biāo)記而言，對(duì)于實(shí)質(zhì)上具有相同功能的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)以相同附圖標(biāo)記并省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0018][實(shí)施方式的概要]
[0019]實(shí)施方式的屏蔽電纜具備絞合電纜，該絞合電纜具有由絕緣體包覆導(dǎo)體的多根電線、及具有導(dǎo)電性并與多根電線一同扭絞在一起的導(dǎo)線，該屏蔽電纜具備帶狀部件，該帶狀部件具有導(dǎo)電層及絕緣層，并以導(dǎo)電層沿著導(dǎo)線連續(xù)地接觸的方式，沿著與絞合電纜的扭絞方向相同的方向，且以與絞合電纜的扭絞間距大致相同的卷繞間距卷繞在絞合電纜上。
[0020]在此，所謂“大致相同的卷繞間距”的意思是容許卷繞絞合電纜及帶狀部件時(shí)的誤差(例如扭絞間距的10%)。
[0021]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于帶狀部件以與絞合電纜相同的方向，且以與絞合電纜的扭絞間距大致相同的卷繞間距卷繞，因此導(dǎo)電層能夠沿著導(dǎo)線連續(xù)地接觸，能夠抑制吸出現(xiàn)象。另外，由于屏蔽電纜是將帶狀部件以螺旋狀卷繞在將多根電線和導(dǎo)線扭絞在一起的絞合電纜上，因此與多根電線和導(dǎo)線并列排列的電纜相比，容易彎曲且容易處理。
[0022][實(shí)施方式]
[0023]圖1 (a)是本發(fā)明的實(shí)施方式的屏蔽電纜的立體圖，圖1 (b)是將圖1 (a)的用I (b) — I (b)線切斷的截面從箭頭方向觀察的剖視圖。再者，在實(shí)施方式的各圖中，描繪的圖形間的比率有時(shí)與實(shí)際的比率不同。
[0024]作為一例，屏蔽電纜I主要用作處理IOGbps以上的高速數(shù)字信號(hào)的LVDS (LowVoltage Differential Signaling:低壓差分信號(hào))規(guī)格、或LVDS規(guī)格以后的次世代規(guī)格的高速傳輸用的電纜。另外，該屏蔽電纜I也可以用作例如傳輸?shù)退贁?shù)字信號(hào)的電纜。
[0025]該屏蔽電纜I大致構(gòu)成為具備絞合電纜4和作為帶狀部件的金屬樹(shù)脂帶5，其中，如圖1 (a)所示，絞合電纜4具有由絕緣體包覆了導(dǎo)體的作為多根電線的第一及第二電線2a、2b、以及具有導(dǎo)電性并與第一及第二電線2a、2b—同扭絞在一起的作為導(dǎo)線的排擾線3，如后述的圖2 (b)及(c)所示，金屬樹(shù)脂帶5具有導(dǎo)電層5a及絕緣層5b，并以導(dǎo)電層5a沿著排擾線3連續(xù)地接觸的方式，并且沿著與絞合電纜4的扭絞方向相同的方向，且以與絞合電纜4的扭絞間距大致相同的卷繞間距卷繞在絞合電纜4上。
[0026]再者，在本實(shí)施方式中，雖然多根電線由傳輸差動(dòng)信號(hào)的第一及第二電線2a、2b構(gòu)成，但不限于此，也可以進(jìn)一步具備多根電線。例如，也可以將使用了兩組傳輸差動(dòng)信號(hào)的第一及第二電線2a、2b的四芯電纜扭絞在一起而作為絞合電纜4，而且還可以將傳輸差動(dòng)信號(hào)的多組扭絞在一起而作為絞合電纜4。
[0027]另外，屏蔽電纜I具備覆蓋卷繞在絞合電纜4上的金屬樹(shù)脂帶5的外皮6。[0028][第一及第二電線2a、2b的結(jié)構(gòu)]
[0029]如圖1 (a)及(b)所示，第一電線2a具備具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體20a、和具有絕緣性并包覆導(dǎo)體20a的絕緣體21a。另外，第二電線2b具備使用與導(dǎo)體20a相同的材料形成為相同形狀的導(dǎo)體20b、和使用與絕緣體21a相同的材料形成為相同形狀的絕緣體21b。
[0030]如圖1 (a)所示，在該第一電線2a中傳輸作為高速數(shù)字信號(hào)(差動(dòng)信號(hào))的第一信號(hào)8a。在第二電線2b中傳輸相位與第一信號(hào)8a相差180°的第二信號(hào)8b。
[0031]導(dǎo)體20a、20b是使用例如鋁、銅等金屬或以這些金屬作為主體的合金形成的單線或絞線。另外，導(dǎo)線20a、20b也可以實(shí)施例如鍍敷處理等。作為一例，本實(shí)施方式的導(dǎo)體20a、20b是將用所謂的鍍錫軟銅形成的多根線材扭絞在一起的絞線，所謂的鍍錫軟銅是用錫進(jìn)行了鍍敷處理的軟銅。
[0032]在此，所謂導(dǎo)電性的意思是在妥當(dāng)?shù)夭捎闷帘坞娎|I的電流及電壓的范圍內(nèi)具有導(dǎo)電性。同樣地，所謂絕緣性的意思是在妥當(dāng)?shù)夭捎闷帘坞娎|I的電流及電壓的范圍內(nèi)具有絕緣性。
[0033]絕緣體21a、21b通過(guò)將例如介電常數(shù)及介質(zhì)損耗角正切小的絕緣材料包覆在導(dǎo)體20a、20b上而形成。具體而言，絕緣體21a、21b的絕緣材料采用例如聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯一六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯一全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)等樹(shù)脂材料。
[0034]另外，為了縮小介電常數(shù)及介質(zhì)損耗角正切，絕緣體21a、21b也可以采用泡沫絕緣樹(shù)脂。形成該泡沫絕緣樹(shù)脂的方法，例如，采用在成型前將發(fā)泡劑熬入樹(shù)脂材料中、并利用成型時(shí)的溫度控制發(fā)泡度的方法、預(yù)先注入氮等氣體并在釋放壓力時(shí)使其發(fā)泡的方法等眾所周知的方法。作為一例，本實(shí)施方式的絕緣體21a、21b采用聚乙烯形成。
[0035]該第一及第二電線2a、2b的導(dǎo)體20a、20b的截面積及絕緣體21a、21b的厚度能夠根據(jù)例如采用屏蔽電纜I的通信規(guī)格而適當(dāng)變更。
[0036]再者，第一及第二電線2a、2b的導(dǎo)體20a、20b的截面積及絕緣體21a、21b的厚度優(yōu)選的是例如分別是相同的截面積及厚度，并且標(biāo)準(zhǔn)離差少。即，由于導(dǎo)體20a、20b的截面積及絕緣體21a、21b的厚度相同，且標(biāo)準(zhǔn)離差少，因此導(dǎo)體20a、20b之間的距離在任何區(qū)間內(nèi)都相同，并且第一及第二電線2a、2b的物理長(zhǎng)度相同，從而確保電線的對(duì)稱性，能夠抑制由導(dǎo)體20a、20b之間的電容耦合等引起的偏斜等的發(fā)生。
[0037]在此，就上述導(dǎo)體的截面積而言，如果是單線，則表示與導(dǎo)體的中心軸正交的截面的面積，如果是絞線，則表示在與電線的中心軸正交的截面中，線材的集合體內(nèi)切的圓的面積。另外，所謂絕緣體的厚度表示以電線的中心軸為中心的周向的厚度。在此，所謂中心軸是經(jīng)過(guò)線的短邊方向的截面的中心的軸，線以該軸為中心而成為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。以下只要沒(méi)有預(yù)先通知，所謂的截面積、厚度及中心軸表示上述的截面積、厚度及中心軸。
[0038][排擾線3的結(jié)構(gòu)]
[0039]圖2 (a)是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的屏蔽電纜的排擾線的線徑的模式圖，圖2 (b)是將圖1 (a)的用II (b)-1I (b)線切斷的截面沿著箭頭方向觀察的剖視圖，圖2 (C)是金屬樹(shù)脂帶的剖視圖。在圖2 (b)中，為了便于說(shuō)明，表示金屬樹(shù)脂帶5的截面，同時(shí)圖示了除去了外皮6的狀態(tài)。圖2 (c)是沿著寬度方向切斷了金屬樹(shù)脂帶5的截面的概略圖。
[0040]排擾線3是使用例如鋁、銅等金屬或以這些金屬作為主體的合金形成的單線或絞線。另外，作為一例，排擾線3也可以實(shí)施鍍敷處理等。另外，排擾線3的根數(shù)能夠根據(jù)用途來(lái)適當(dāng)變更。本實(shí)施方式的排擾線3例如是將用鍍錫軟銅形成的多根線材扭絞在一起的絞線。在圖1 (a)及(b)中，將作為絞線的導(dǎo)體20a、20b及排擾線3的截面作為線材的集合體使用一個(gè)圓來(lái)表示。
[0041]例如，在將屏蔽電纜I連接在電子設(shè)備等上時(shí)，該排擾線3與準(zhǔn)備好的GND電連接。通過(guò)排擾線3連接在GND上，能夠抑制屏蔽電纜I受到放置在附近的金屬等導(dǎo)體的影響，并且能夠使屏蔽電纜I的特性阻抗穩(wěn)定。該排擾線3通過(guò)與金屬樹(shù)脂帶5的導(dǎo)電層5a接觸，將導(dǎo)電層5a與GND電連接。即，通過(guò)流過(guò)金屬樹(shù)脂帶5的屏蔽電流7經(jīng)由排擾線3流向GND，屏蔽電纜I能夠保持穩(wěn)定的屏蔽性能。于是，排擾線3優(yōu)選配置成與導(dǎo)電層5a連續(xù)接觸并保持絞合電纜4的對(duì)稱性。因而，排擾線3例如為了保持絞合電纜4的對(duì)稱性，與第一及第二電線2a、2b —同扭絞在一起。
[0042]另外，為了使排擾線3容易與導(dǎo)電層5a接觸，排擾線3優(yōu)選具有電線的線徑的四分之一以上的線徑。再者，所謂電線的線徑是電線的粗細(xì)、也就是將與中心軸正交的電線的截面設(shè)置成圓形時(shí)的直徑。所謂排擾線3的線徑是排擾線3的粗細(xì)、也就是將與中心軸正交的排擾線3的截面設(shè)置成圓形時(shí)的直徑。
[0043]具體而言，排擾線3的線徑通過(guò)如下方式求得。首先，如圖2 (a)所示，在第一及第二電線2a、2b的線徑相同的情況下，直角三角形BCD根據(jù)勾股定理，以下的公式(I)成立。
[0044]BD2+CD2=BC2…(I)
[0045]其中，點(diǎn)A~G按照如下的方式定義。
[0046]點(diǎn)A:第一電線2a的中心點(diǎn)。
[0047]點(diǎn)B:第二電線2b的中心點(diǎn)。
[0048]點(diǎn)C:排擾線3的中心點(diǎn)。
[0049]點(diǎn)D:第一及第二電線2a、2b的切點(diǎn)。
[0050]點(diǎn)E:經(jīng)過(guò)點(diǎn)C、D的直線與表示排擾線3的截面的圓的交點(diǎn)之中靠近線AB的點(diǎn)。
[0051]點(diǎn)F:經(jīng)過(guò)點(diǎn)C、D的直線與表示排擾線3的截面的圓的交點(diǎn)之中遠(yuǎn)離線AB的點(diǎn)。
[0052]點(diǎn)G:第一電線2a與金屬樹(shù)脂帶5的導(dǎo)電層5a的表面的切點(diǎn)。
[0053]如圖2 (a)所示，排擾線3的線徑(線EF)能夠根據(jù)如下的條件求得，即，該條件是只要線DF的長(zhǎng)度為線AG的長(zhǎng)度以上即可。因而，以下的公式(2)成立。
[0054]AG≤ DF=DE+CE+CF…(2)
[0055]如果對(duì)于線CE解公式(I)及(2)，則以下的公式(3)成立。
[0056]AG/4 ≤ CE…(3)
[0057]AG是第一電線2a的半徑，CE是排擾線3的半徑。因而，只要排擾線3的線徑是第一及第二電線2a、2b的線徑的四分之一以上即可。
[0058]再者，排擾線3的線徑優(yōu)選的是小于第一及第二電線2a、2b的線徑。這是因?yàn)?，如果排擾線3的線徑大于電線，則屏蔽電纜的重量及成本增加并且難以彎曲，即難以處理。因而，優(yōu)選排擾線3的線徑為第一及第二電線2a、2b的線徑的四分之一以上且第一及第二電線2a、2b的線徑以下。
[0059][絞合電纜4的結(jié)構(gòu)]
[0060]絞合電纜4將第一及第二電線2a、2b和排擾線3扭絞在一起而構(gòu)成。絞合電纜4以如下的方式扭絞在一起，即，在與絞合電纜4的中心線正交的截面中，第一及第二電線2a、2b與排擾線3彼此保持距離。
[0061]作為一例，如圖1 (a)的箭頭所示，該絞合電纜4的扭絞方向T是從圖1 (a)中左偵讓察絞合電纜4時(shí)的順時(shí)針?lè)较颉Q言之，第一及第二電線2a、2b及排擾線3以屏蔽電纜I的中心軸m為中心，并從圖1 (a)中左側(cè)觀察沿著箭頭方向一并扭絞。再者，扭絞方向T也可以是逆時(shí)針?lè)较颉?br> [0062]該絞合電纜4的扭絞間距P1，例如圖1(a)所示，是露出于絞合電纜4的表面上的、第一電線2a、第二電線2b及排擾線3的屏蔽電纜I的長(zhǎng)度方向的距離。換言之，扭絞間距P1表示絞合電纜4在以屏蔽電纜I的中心軸m為中心沿著周向環(huán)繞一周期間，沿著中心軸m方向前進(jìn)的距離。
[0063]在此，在將排擾線縱向添加在將兩根電線扭絞在一起的絞合電纜上的情況下，沒(méi)有電纜的對(duì)稱性，即一方的電線與排擾線、另一方的電線與排擾線的距離根據(jù)電纜的位置而不同，因此由于電容耦合等影響，特性阻抗不穩(wěn)定，容易產(chǎn)生偏斜等。
[0064]但是，本實(shí)施方式的絞合電纜4是將第一及第二電線2a、2b和排擾線3扭絞在一起而形成的，因此第一電線2a與第二電線2b、第一電線2a與排擾線3、第二電線2b與排擾線3各自的距離在任何位置上都是恒定的。因而絞合電纜4成為具有對(duì)稱性的狀態(tài)。[0065][金屬樹(shù)脂帶5的結(jié)構(gòu)]
[0066]如圖2 (b)及(C)所示，金屬樹(shù)脂帶5大致具備具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電層5a和具有絕緣性的絕緣層5b。該金屬樹(shù)脂帶5具有細(xì)長(zhǎng)且薄的帶形狀。該金屬樹(shù)脂帶5以導(dǎo)電層5a成為絞合電纜4側(cè)、且與絞合電纜4的間隙小的方式卷繞。
[0067]導(dǎo)電層5a是例如通過(guò)蒸鍍法等形成在絕緣層5b的一方的面上的金屬層。作為一例，該導(dǎo)電層5a用鋁、鎳、銅等金屬、或以這些金屬作為主體的合金形成。另外，作為一例，導(dǎo)電層5a也可以實(shí)施鍍敷處理等。再者，導(dǎo)電層5a例如也可以是采用了上述金屬材料的單層，還可以是將多種金屬材料層疊在一起的層。另外，金屬樹(shù)脂帶5例如也可以將用上述金屬材料形成的金屬箔粘接在絕緣層5b上而成，但不限于這些。
[0068]作為一例，絕緣層5b使用聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等作為薄膜的基材的樹(shù)脂材料形成。
[0069]金屬樹(shù)脂帶5優(yōu)選的是導(dǎo)電層5a的厚度為6 μ m以上9 μ m以下,絕緣層5b的厚度為4μL?以上6μL?以下。這是因?yàn)?，如果?dǎo)電層5a的厚度比6 μ m薄，則由于屏蔽電纜I的彎曲等，容易在導(dǎo)電層5a上產(chǎn)生龜裂或斷裂，從而屏蔽性能有可能降低。另外，如果導(dǎo)電層5a的厚度比9 μ m厚，則屏蔽電纜I的柔性及彎曲性降低，并且屏蔽電纜I的重量增加從而難以處理。進(jìn)而，如果絕緣層5b的厚度比4μπι薄，則與導(dǎo)電層5a同樣地有可能產(chǎn)生龜裂或斷裂。進(jìn)而，如果絕緣層5b的厚度比6 μ m厚，則屏蔽電纜I的柔性及彎曲性有可能降低。
[0070]金屬樹(shù)脂帶5具有在扭絞間距P1上加上重疊部的寬度，并以其寬度方向、即與長(zhǎng)度方向正交的短邊方向的一部分重疊的方式，疊繞成螺旋狀。具體而言，如圖1 (a)所示，金屬樹(shù)脂帶5沿著與絞合電纜4的扭絞方向相同的方向，并以與絞合電纜4的扭絞間距P1大致相同的卷繞間距P2卷繞在絞合電纜4上。
[0071]雖然該卷繞間距P2優(yōu)選的是與扭絞間距P1相同，但也可以在排擾線3和金屬樹(shù)脂帶5的導(dǎo)電層5a沿著排擾線3的長(zhǎng)度方向連續(xù)地且電接觸的范圍內(nèi)大致相同，即有標(biāo)準(zhǔn)離差(例如10%的誤差)。由此，排擾線3成為縱向添加在金屬樹(shù)脂帶5上的狀態(tài)。因而，如圖1 (a)所示，流過(guò)導(dǎo)電層5a的屏蔽電流7不會(huì)沿著屏蔽電纜I的中心軸m方向流動(dòng)，而是以螺旋狀流動(dòng)。
[0072]另外，金屬樹(shù)脂帶5以寬度方向的端部重疊的方式卷繞在絞合電纜4上。該重疊部分是圖2 (b)所示的重疊區(qū)域50。再者，雖然以重疊區(qū)域50的寬度大致相同的方式卷繞，但不限于此。
[0073]作為一例，金屬樹(shù)脂帶5以其寬度的1/2?1/4重疊的方式卷繞。再者，金屬樹(shù)脂帶5不一定必須重疊卷繞，但由于絞合電纜4因彎曲等而從金屬樹(shù)脂帶5之間露出，從而屏蔽性降低，因此優(yōu)選的是以絞合電纜4不會(huì)因彎曲等而露出的方式重疊卷繞。
[0074]卷繞間距P2例如也是該重疊區(qū)域50的間隔。換言之，卷繞間距P2是金屬樹(shù)脂帶5在以屏蔽電纜I的中心軸m為中心沿著周向環(huán)繞一周期間,沿著中心軸m方向前進(jìn)的距離。
[0075]如圖2 (b)所示，該重疊區(qū)域50從絞合電纜4側(cè)按照導(dǎo)電層5a、絕緣層5b、導(dǎo)電層5a、絕緣層5b的順序重合。S卩，在重疊區(qū)域50中，重合的導(dǎo)電層5a彼此不導(dǎo)通，因此如圖1 (a)所示，流過(guò)金屬樹(shù)脂帶5的屏蔽電流7不會(huì)沿著屏蔽電纜I的長(zhǎng)度方向流動(dòng)，而是沿著金屬樹(shù)脂帶5以螺旋狀流動(dòng)。
[0076]另一方面，圖2 (b)所示的接觸區(qū)域51表示與絞合電纜4接觸的導(dǎo)電層5a。另夕卜，圖2 (b)所示的非接觸區(qū)域52表示重疊的金屬樹(shù)脂帶5的間隙的區(qū)域。該接觸區(qū)域51是從絞合電纜4側(cè)的導(dǎo)電層5a的端部到疊加到金屬樹(shù)脂帶5上的跟前的區(qū)域，是有可能與絞合電纜4接觸的區(qū)域。金屬樹(shù)脂帶5以排擾線3至少位于該接觸區(qū)域51內(nèi)的卷繞間距P2卷繞。
[0077]S卩，如圖2 (b)所示，金屬樹(shù)脂帶5以相鄰的第一及第二電線2a、2b及排擾線3收納在接觸區(qū)域51內(nèi)的方式卷繞在絞合電纜4上。換言之，就像第一及第二電線2a、2b及排擾線3縱向添加在金屬樹(shù)脂帶5上那樣進(jìn)行卷繞。因而，排擾線3沿著金屬樹(shù)脂帶5且與接觸區(qū)域51連續(xù)地接觸。
[0078]在此，已知有所謂的吸出現(xiàn)象，即由于依存于金屬樹(shù)脂帶的卷繞間距的共振現(xiàn)象，在某個(gè)頻帶發(fā)生急劇的信號(hào)衰減的現(xiàn)象。該吸出現(xiàn)象是在傳輸高速數(shù)字信號(hào)之際顯著出現(xiàn)的現(xiàn)象。吸出現(xiàn)象主要由以下的原因引起，即，存在從金屬樹(shù)脂帶的導(dǎo)電層流向排擾線、然后流向GND的屏蔽電流沿著排擾線在金屬樹(shù)脂帶上具有恒定的同步性而沒(méi)有導(dǎo)通的部分(金屬樹(shù)脂帶的疊繞的重疊部分)，并產(chǎn)生依存于該周期的共振現(xiàn)象。另外，在排擾線位于如上所述的非接觸區(qū)域，即排擾線與導(dǎo)電層斷續(xù)地接觸的情況下，也產(chǎn)生共振現(xiàn)象，從而產(chǎn)生吸出現(xiàn)象。
[0079]但是，本實(shí)施方式的屏蔽電纜I通過(guò)使絞合電纜4的扭絞方向和金屬樹(shù)脂帶5的卷繞方向相同，并使絞合電纜4的扭絞間距P1和金屬樹(shù)脂帶5的卷繞間距P2大致相同，從而使排擾線3與導(dǎo)電層5a連續(xù)地接觸，能夠抑制吸出現(xiàn)象。
[0080][外皮6的結(jié)構(gòu)]
[0081]外皮6例如使用聚乙烯、聚氯乙烯、氟樹(shù)脂等熱塑性樹(shù)脂材料形成。外皮6例如通過(guò)熱塑性樹(shù)脂材料的擠壓成形，以覆蓋卷繞在絞合電纜4上的金屬樹(shù)脂帶5的方式形成。
[0082][實(shí)施方式的效果][0083]本實(shí)施方式的屏蔽電纜I抑制吸出現(xiàn)象，并且容易處理。具體而言，該屏蔽電纜I由于金屬樹(shù)脂帶5沿著與絞合電纜4相同的方向，且以與絞合電纜4的扭絞間距P1大致相同的卷繞間距P2卷繞，因此導(dǎo)電層5a沿著排擾線3連續(xù)地接觸，屏蔽電纜I能夠抑制吸出現(xiàn)象。
[0084]該屏蔽電纜I由于金屬樹(shù)脂帶5以螺旋狀卷繞在將第一及第二電線2a、2b和排擾線3扭絞在一起的絞合電纜4上，因此與將多根電線和排擾線并列地排列的雙股電纜相比，容易彎曲且容易處理。另外，屏蔽電纜I即便在彎曲的情況下，排擾線3和導(dǎo)電層5a也穩(wěn)定地接觸，因此能夠顯示穩(wěn)定的屏蔽性，并且能夠抑制吸出現(xiàn)象。
[0085][實(shí)施例1]
[0086]以下進(jìn)一步說(shuō)明具體的實(shí)施例1。再者，在該實(shí)施例1中列舉上述實(shí)施方式的屏蔽電纜I的具體的一例，但不限于該實(shí)施例。
[0087]圖3是實(shí)施例1的傳輸損耗(dB)和頻率(GHz)的曲線圖。該圖3中縱軸是傳輸損耗(dB)，橫軸是頻率(GHz)。
[0088]實(shí)施例1的屏蔽電纜I是28AWG的LVDS電纜。具體而言，第一及第二電線2a、2b的導(dǎo)體20a、20b是將七根直徑為0.127mm的線材扭絞在一起的絞線。排擾線3是將七根直徑為0.127mm的線材扭絞在一起的絞線。金屬樹(shù)脂帶5的導(dǎo)電層5a由鋁構(gòu)成，絕緣層5b是PET。導(dǎo)電層5a的厚度為9 μ m，絕緣層5b的厚度為4 μ m。另外，外皮6的外徑設(shè)置成12.7mm0
[0089]用該屏蔽電纜I利用網(wǎng)絡(luò)分析器進(jìn)行了吸出現(xiàn)象的測(cè)定。更具體而言，將電纜長(zhǎng)度設(shè)置成3m，測(cè)定頻率設(shè)置成300kHz至20GHz，網(wǎng)絡(luò)分析器采用了安捷倫公司制造的網(wǎng)絡(luò)分析器、型號(hào)N5245A。
[0090]如圖3所示，實(shí)施例1的屏蔽電纜I即便是在超過(guò)IOGHz的高頻帶也沒(méi)能測(cè)定到吸出現(xiàn)象。因而，該實(shí)施例1的屏蔽電纜I在超過(guò)IOGHz之類的高速數(shù)字信號(hào)的傳輸中，沒(méi)有傳輸損耗急劇增加、即高頻帶的信號(hào)急劇地下降的情況，而能夠穩(wěn)定地使用。其結(jié)果，能夠進(jìn)行電子設(shè)備之間或電子設(shè)備內(nèi)部的高速數(shù)字信號(hào)的傳輸，并能夠提高這些電子設(shè)備的性能。
[0091]再者，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于上述實(shí)施方式及實(shí)施例，在不改變本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變形、實(shí)施。另外，在不改變本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，能夠省略上述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)要素的一部分。
【權(quán)利要求】
1.一種屏蔽電纜，其特征在于， 具備絞合電纜和帶狀部件， 所述絞合電纜具有由絕緣體包覆導(dǎo)體的多根電線、及具有導(dǎo)電性并與所述多根電線一同扭絞在一起的導(dǎo)線， 所述帶狀部件具有導(dǎo)電層及絕緣層，并以所述導(dǎo)電層沿著所述導(dǎo)線連續(xù)地接觸的方式，沿著與所述絞合電纜的扭絞方向相同的方向，且以與所述絞合電纜的扭絞間距大致相同的卷繞間距卷繞在所述絞合電纜上。
2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽電纜，其特征在于， 所述帶狀部件的所述導(dǎo)電層的厚度為6 μ m以上9 μ m以下，所述絕緣層的厚度為4 μ m以上6 μ m以下。
【文檔編號(hào)】H01B7/17GK103915137SQ201310170847
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年5月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】黃得天, 小林正則 申請(qǐng)人:日立金屬株式會(huì)社