專利名稱：一種led燈及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光學(xué)照明領(lǐng)域，尤其涉及ー種L E D燈及其封裝方法。
背景技術(shù)：
在LED (發(fā)光二極管)封裝領(lǐng)域，固晶技術(shù)是其關(guān)鍵的技術(shù)之一。固晶質(zhì)量的好壞將影響到LED的穩(wěn)定性、散熱性以及光效等等。根據(jù)LED功率的大小以及封裝エ藝的不同，選擇的固晶方式也不同。一般的，小功率LED使用絕緣膠固定芯片，通過電極引腳來傳熱；功率稍大的LED可使用銀膠或硅膠粘接散熱；對(duì)于功率更大的LED通常使用高導(dǎo)熱銀膠或共晶エ藝的方式固定芯片散熱。對(duì)于目前使用的銀膠或高導(dǎo)熱銀膠，烘烤之后膠體中含有一定量的基體樹脂，通過基體樹脂的粘接作用把Ag粒子結(jié)合在一起，形成導(dǎo)電、導(dǎo)熱通路，實(shí)現(xiàn)LED芯片與支架的導(dǎo)電、導(dǎo)熱連接。正是銀膠中基體樹脂的存在嚴(yán)重影響了其導(dǎo)熱性能以及機(jī)械強(qiáng)度。同吋，目前所使用的銀膠對(duì)光的吸收比較大，導(dǎo)致光效下降。對(duì)于聞功率LED的共晶エ藝，具有機(jī)械強(qiáng)度聞、熱阻小、穩(wěn)定性好、可華4生聞等優(yōu)點(diǎn)，但設(shè)備成本高，エ藝難度大，成品率低，對(duì)晶片/支架鍍層厚度及平整性要求較高，產(chǎn)品空洞率高是其難點(diǎn)。因此，高功率LED燈的散熱問題有待進(jìn)ー步解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于針對(duì)現(xiàn)有的高功率LED燈的散熱問題，提供ー種L E D燈。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:提供ー種L E D燈，包括支架、設(shè)于所述支架上方的至少ーL ED芯片以及包覆所述L E D芯片的封裝材料，于所述支架與所述L E D芯片相對(duì)的表面之間，分別設(shè)置有第一金屬鍍層和第二金屬鍍層，于所述第一金屬鍍層與所述第二金屬鍍層之間，采用燒結(jié)銀通過燒結(jié)的方式構(gòu)成ー粘結(jié)層。進(jìn)ー步地，所述粘結(jié)層具有重量百分比大于或等于99%的金屬銀。進(jìn)ー步地，所述第一金屬鍍層為純金鍍層或純銀鍍層。進(jìn)ー步地，所述第二金屬鍍層為純金鍍層或純銀鍍層。進(jìn)ー步地，所述L E D芯片與所述支架相対的表面為L E D芯片的反面，所述第ニ金屬鍍層設(shè)置在L E D芯片的反面上。進(jìn)ー步地，所述L E D芯片與所述支架相対的表面為L E D芯片的正面，所述第ニ金屬鍍層包括設(shè)置在L E D芯片的正面的正極上的正極鍍層以及設(shè)置在L E D芯片的正面的負(fù)極上的負(fù)極鍍層，所述正極鍍層與所述負(fù)極鍍層間隔設(shè)置，所述第一金屬鍍層包括相互間隔的第一支架鍍層及第ニ支架鍍層，所述粘結(jié)層包括連接于所述正極鍍層與所述第一支架鍍層之間的第一粘結(jié)層以及連接于所述負(fù)極鍍層與所述第二支架鍍層之間的第ニ粘接層。本發(fā)明提供的L E D燈，其利用燒結(jié)銀燒結(jié)后的產(chǎn)物作為粘結(jié)層連接設(shè)置于所述支架與L E D芯片相對(duì)的表面之間的第一金屬鍍層和第二金屬鍍層，通過燒結(jié)銀在高溫中的燒結(jié)完成第一金屬鍍層、粘結(jié)層和第二金屬鍍層三者之間的金屬連接，從而實(shí)現(xiàn)L E D芯片到支架的金屬原子傳熱，由于粘接材料內(nèi)部的連接不再依靠高分子有機(jī)添加剤，而是Ag-Ag顆粒，由此該粘結(jié)層內(nèi)部的熱量傳導(dǎo)通過Ag-Ag顆粒擴(kuò)散，相對(duì)于傳統(tǒng)銀膠，具有更高的導(dǎo)熱率，L E D芯片產(chǎn)生的熱量通過全為金屬材質(zhì)的第二金屬鍍層、粘接材料及第一金屬鍍層傳遞到支架上，再向外散發(fā)出去，提高了 L E D燈芯片的散熱性能。同時(shí)，由于燒結(jié)銀燒結(jié)后產(chǎn)生的粘結(jié)層其內(nèi)部的Ag含量很高，因此，粘結(jié)層對(duì)光的吸收較小，提高了 LE D燈的光效。并且，該L E D燈，由燒結(jié)銀燒結(jié)后得到的粘結(jié)層其與L E D芯片、支架的接觸均為金屬界面接觸，熱膨脹系數(shù)接近，其L E D芯片和支架之間的結(jié)合強(qiáng)度很高，推力測試后失效模式一般是粘結(jié)層斷裂；在可靠性試驗(yàn)中能夠表現(xiàn)出較好的耐冷熱沖擊，不會(huì)產(chǎn)生與L E D芯片、支架的剝離。本發(fā)明還提供了ー種上述L E D燈的封裝方法，包括如下步驟:a、于支架與L E D芯片相對(duì)的表面鍍上第一金屬鍍層，于L E D芯片的反面或者正面的正負(fù)極上鍍上第二金屬鍍層；b、將燒結(jié)銀施加到支架的第一金屬鍍層表面與LED芯片的第二金屬鍍層表面之間；C、將上述待燒結(jié)樣品放入烤箱中加熱燒結(jié)，待冷卻后取出；d、壓焊；e、加封裝材料封裝。進(jìn)ー步地，所述燒結(jié)銀具有重量百分比大于或等于80%且粒徑小于或等于2微米的銀粉，其余成分為易揮發(fā)的有機(jī)添加剤。進(jìn)ー步地，所述燒結(jié)銀燒結(jié)后形成連接第一金屬鍍層與第二金屬鍍層的粘結(jié)層，所述粘結(jié)層具有重量百分比大于或等于99%的金屬銀。進(jìn)ー步地，步驟c具體為:以恒定的升溫速率將烤箱的烘烤溫度升至170 250°C范圍內(nèi)，保溫0.5 Ih,然后冷卻至室溫后取出。本發(fā)明提供的L E D燈的封裝方法，通過燒結(jié)銀在高溫中的燒結(jié)完成第一金屬鍍層、粘結(jié)層和第二金屬鍍層三者之間的金屬連接，從而實(shí)現(xiàn)L E D芯片到支架的金屬原子傳熱，由于粘接材料內(nèi)部的連接不再依靠高分子有機(jī)添加劑，而是Ag-Ag顆粒，由此該粘結(jié)層內(nèi)部的熱量傳導(dǎo)通過Ag-Ag顆粒擴(kuò)散，相對(duì)于傳統(tǒng)銀膠，具有更高的導(dǎo)熱率，L E D芯片產(chǎn)生的熱量通過全為金屬材質(zhì)的第二金屬鍍層、粘接材料及第一金屬鍍層傳遞到支架上，再向外散發(fā)出去，提高了 L E D燈芯片的散熱性能。同時(shí)，由于燒結(jié)銀燒結(jié)后產(chǎn)生的粘結(jié)層其內(nèi)部的Ag含量很高，因此，粘結(jié)層對(duì)光的吸收較小，提高了 L E D燈的光效。并且，通過該封裝方法獲得的L E D燈，由燒結(jié)銀燒結(jié)后得到的粘結(jié)層其與L E D芯片、支架的接觸均為金屬界面接觸，熱膨脹系數(shù)接近，其L E D芯片和支架之間的結(jié)合強(qiáng)度很高，推力測試后失效模式一般是粘結(jié)層斷裂；在可靠性試驗(yàn)中能夠表現(xiàn)出較好的耐冷熱沖擊，不會(huì)產(chǎn)生與L E D芯片、支架的剝離。


圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的L E D燈的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明另ー實(shí)施例提供的L E D燈的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一歩詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用干限定本發(fā)明。請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明ー實(shí)施例提供了ー種L E D燈，包括置于底層的支架3、設(shè)于所述支架3上方的至少ー L E D芯片I以及從上方向下包覆L E D芯片的封裝材料4，于所述支架3與所述L E D芯片I相對(duì)的表面之間，分別設(shè)置有第一金屬鍍層5和第二金屬鍍層6，于所述第一金屬鍍層5與所述第二金屬鍍層6之間，采用燒結(jié)銀通過燒結(jié)的方式構(gòu)成一粘結(jié)層2。本實(shí)施例中，所述L E D芯片I與支架3相対的表面為L E D芯片的反面，所述第二金屬鍍層6設(shè)置在L E D芯片的反面上。此處，L E D芯片的正面是指L E D芯片中具有電路結(jié)構(gòu)的表面，反面為與正面相対的絕緣表面。本實(shí)施例中，如圖1所示，第一金屬鍍層5包括間隔的第一部分71及第二部分72，LED芯片的正極、負(fù)極分別通過一金屬引線8連接到第一部分71及第二部分72上。第一金屬鍍層5的第一部分71及第二部分72之間是絕緣的。上述結(jié)構(gòu)中，由燒結(jié)銀燒結(jié)后得到的粘結(jié)層其與L E D芯片、支架的接觸均為金屬界面接觸，熱膨脹系數(shù)接近，其L E D芯片和支架之間的結(jié)合強(qiáng)度很高，推力測試后失效模式一般是粘結(jié)層斷裂；在可靠性試驗(yàn)中能夠表現(xiàn)出較好的耐冷熱沖擊，不會(huì)產(chǎn)生與LE D芯片、支架的剝離。本實(shí)施例中，所述支架包括陶瓷支架、環(huán)氧支架及片狀模塑料支架。但是不僅僅局限于此，本實(shí)施例的支架可以包含一切可以耐高溫的LED支架。例如金屬支架，金屬支架例如可以是銅支架、鐵支架等。本實(shí)施例中，封裝材料為添加了熒光粉的包封材料或環(huán)氧樹脂。燒結(jié)銀制作過程如下:按照一定的配比將銀粉、粘合劑、有機(jī)溶劑及其它ー些易揮發(fā)的有機(jī)添加劑混合，經(jīng)球磨機(jī)研磨得到片狀的燒結(jié)銀。上述的其它ー些易揮發(fā)的有機(jī)添加劑可以是分散劑(起到均勻分散粒子、防止銀顆粒團(tuán)聚的作用)、稀釋劑(起到調(diào)節(jié)燒結(jié)銀流動(dòng)性的作用)等。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，所選用的燒結(jié)銀具有重量百分比大于或等于80%且粒徑小于或等于2微米的銀粉，其余成分為易揮發(fā)的有機(jī)添加剤，優(yōu)選地，所選用的燒結(jié)銀具有重量百分比大于或等于85%的銀粉；經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)，原來存在于燒結(jié)銀內(nèi)部的易揮發(fā)的有機(jī)添加劑從燒結(jié)銀中揮發(fā)掉，燒結(jié)銀燒結(jié)后的產(chǎn)物即為連接第一金屬鍍層與第二金屬鍍層的粘結(jié)層，其具有重量百分比大于或等于99%的金屬銀。經(jīng)過燒結(jié)后粘結(jié)層內(nèi)部形成多孔結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)Ag-Ag顆粒之間的連接。本實(shí)施例中，所述第一金屬鍍層5為純金鍍層或純銀鍍層，所述第二金屬鍍層6為純金鍍層或純銀鍍層。此處，純金是指金的純度在99%以上。同樣，純銀是指銀的純度在99%以上。優(yōu)選地，所述第一金屬鍍層5、第二金屬鍍層6均為純銀鍍層，不僅有利于成本的控制，還可以得到一致的外觀，并且由于，第一金屬鍍層、粘結(jié)層及第ニ金屬鍍層之間的連接全部是通過Ag-Ag顆粒，這樣粘結(jié)層與第一金屬鍍層及第ニ金屬鍍層之間的粘結(jié)更為牢靠。本發(fā)明上述實(shí)施例提供的L E D燈，其利用燒結(jié)銀燒結(jié)后的產(chǎn)物作為粘結(jié)層連接設(shè)置于所述支架與L E D芯片相對(duì)的表面之間的第一金屬鍍層和第二金屬鍍層，通過燒結(jié)銀在高溫中的燒結(jié)完成第一金屬鍍層、粘結(jié)層和第二金屬鍍層三者之間的金屬連接，從而實(shí)現(xiàn)L E D芯片到支架的金屬原子傳熱，由于粘接材料內(nèi)部的連接不再依靠高分子有機(jī)添加劑，而是Ag-Ag顆粒，由此該粘結(jié)層內(nèi)部的熱量傳導(dǎo)通過Ag-Ag顆粒擴(kuò)散，相對(duì)于傳統(tǒng)銀膠，具有更高的導(dǎo)熱率，其導(dǎo)熱率可高達(dá)100W/m K，甚至更高；L E D芯片產(chǎn)生的熱量通過全為金屬材質(zhì)的第二金屬鍍層、粘接材料及第一金屬鍍層傳遞到支架上，再向外散發(fā)出去，提高了 L E D燈芯片的散熱性能。同時(shí)，由于燒結(jié)銀燒結(jié)后產(chǎn)生的粘結(jié)層其內(nèi)部的Ag含量很高，因此，粘結(jié)層對(duì)光的吸收較小，提高了 L E D燈的光效。請(qǐng)參照?qǐng)D2，本發(fā)明另一實(shí)施例提供了ー種L E D燈，包括置于底層的支架30、設(shè)于所述支架30上方的至少ー L E D芯片10以及從上方向下包覆L E D芯片的封裝材料40,于所述支架30與所述LED芯片10相對(duì)的表面之間，分別設(shè)置有第一金屬鍍層50和第二金屬鍍層60，于所述第一金屬鍍層50與所述第二金屬鍍層60之間，采用燒結(jié)銀通過燒結(jié)的方式構(gòu)成ー粘結(jié)層20。與圖1所示實(shí)施例不同之處在于，本實(shí)施例中，所述L E D芯片10與所述支架30相対的表面為L E D芯片10的正面，所述第二金屬鍍層60包括設(shè)置在L E D芯片的正面的正極上的正極鍍層61以及設(shè)置在L E D芯片的正面的負(fù)極上的負(fù)極鍍層62，所述正極鍍層61與所述負(fù)極鍍層62間隔設(shè)置，以防止短路；所述第一金屬鍍層50包括相互間隔的第一支架鍍層51及第ニ支架 鍍層52，所述粘結(jié)層20包括連接于所述正極鍍層61與所述第一支架鍍層51之間的第一粘結(jié)層21以及連接于所述負(fù)極鍍層62與所述第二支架鍍層52之間的第二粘接層22。由圖2可知，本實(shí)施例中，正極鍍層61、第一支架鍍層51以及連接在正極鍍層61與第一支架鍍層51之間的第一粘結(jié)層21之間金屬連接所共同組成的結(jié)構(gòu)，其與負(fù)極鍍層62、第二支架鍍層52以及連接在正極鍍層61與第二支架鍍層52之間的第二粘結(jié)層22之間金屬連接所共同組成的結(jié)構(gòu)是間隔設(shè)置的，并且第一支架鍍層51及第ニ支架鍍層52之間是絕緣的，以防止L E D芯片正負(fù)極連通導(dǎo)致短路。本實(shí)施例中，支架可以是陶瓷支架、環(huán)氧支架及片狀模塑料支架。但是不僅僅局限于此，本實(shí)施例的支架可以包含一切可以耐高溫的LED支架。例如金屬支架，金屬支架例如可以是銅支架、鐵支架等。本實(shí)施例中，L E D燈采用類似于覆晶封裝的結(jié)構(gòu)，即L E D芯片的正面朝向支架，并在L E D芯片的正極、負(fù)極上分別設(shè)置正極鍍層以及負(fù)極鍍層；相對(duì)于圖1所示的實(shí)施例，本實(shí)施例采用的L E D芯片可以具有更小的體積，以及更短的電極引線，不僅可以減小L E D燈的體積，還有利于成本的控制。圖1及圖2所示的實(shí)施例中，每個(gè)L E D燈包含ー個(gè)L E D芯片，在其它實(shí)施例中，L E D燈還可包括兩個(gè)以上的L E D芯片。即本發(fā)明實(shí)施例提供的L E D燈也可以是由多個(gè)L E D芯片所組成的組合式L E D燈。另外，本發(fā)明還提供了ー種上述L E D燈的封裝方法，包括如下步驟:a、干支架與LED芯片相對(duì)的表面通過電鍍或化學(xué)鍍的方式鍍上第一金屬鍍層，于L E D芯片的反面或者正面的正負(fù)極上通過電鍍或化學(xué)鍍的方式鍍上第二金屬鍍層。第一金屬鍍層為純金鍍層或純銀鍍層，第二金屬鍍層為純金鍍層或純銀鍍層。優(yōu)選地，第一金屬鍍層、第二金屬鍍層均為純銀鍍層，不僅有利于成本的控制，還可以得到一致的外觀。b、將燒結(jié)銀施加到支架的第一金屬鍍層表面與LED芯片的第二金屬鍍層表面之間，得到待燒結(jié)樣品；步驟b中，可以是通過點(diǎn)膠或絲網(wǎng)印刷的方式將燒結(jié)銀施加到支架的第一金屬鍍層表面上，然后將L E D芯片置于燒結(jié)銀之上,使L E D芯片與支架相連；也可以是，通過點(diǎn)膠或絲網(wǎng)印刷的方式將燒結(jié)銀施加到L E D芯片的第二金屬鍍層表面上，然后將施加了燒結(jié)銀的L E D芯片置于支架固晶區(qū)，使L E D芯片與支架相連。優(yōu)選地，此步驟中，所述燒結(jié)銀在未燒結(jié)前，即所選用的燒結(jié)銀具有重量百分比大于或等于80%且粒徑小于或等于2微米的銀粉，其余成分為易揮發(fā)的有機(jī)添加剤。在一具體實(shí)施例中，所選用的燒結(jié)銀具有重量百分比為90%且粒徑為小于或等于I微米的銀粉。C、將上述待燒結(jié)樣品放入烤箱中加熱燒結(jié)，待冷卻后取出。優(yōu)選地，所述烤箱為熱風(fēng)循環(huán)烤箱。本實(shí)施例中，步驟b具體為:以恒定的升溫速率將烤箱的烘烤溫度升至170 250°C范圍內(nèi)，保溫0.5 lh，然后冷卻至室溫后取出。更為優(yōu)選地，b步驟之后，SP所述燒結(jié)銀在燒結(jié)后，具有重量百分比大于或等于99%的銀。d、壓焊；壓焊的目的將電極引到LED芯片上，完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。壓焊有金絲球焊和鋁絲壓焊兩種方式，其皆為現(xiàn)有的L E D封裝中的成熟エ藝，此處在此不再詳述。e、加封裝材料封裝。封裝材料通常使用透明的環(huán)氧樹脂。封裝有點(diǎn)膠封裝、灌封封裝及模壓封裝三種方式，其皆為現(xiàn)有的L E D封裝中的成熟エ藝，此處在此不再詳述。本發(fā)明提供的L E D燈封裝方法，通過燒結(jié)銀在高溫中的燒結(jié)完成第一金屬鍍層、粘結(jié)層和第二金屬鍍層三者之間的金屬連接，從而實(shí)現(xiàn)L E D芯片到支架的金屬原子傳熱，由于粘接材料內(nèi)部的連接不再依靠高分子有機(jī)添加劑，而是Ag-Ag顆粒，由此該粘結(jié)層內(nèi)部的熱量傳導(dǎo)通過Ag-Ag顆粒擴(kuò)散，相對(duì)于傳統(tǒng)銀膠，具有更高的導(dǎo)熱率，L E D芯片產(chǎn)生的熱量通過全為金屬材質(zhì)的第二金屬鍍層、粘接材料及第一金屬鍍層傳遞到支架上，再向外散發(fā)出去，提高了 L E D燈芯片的散熱性能。同時(shí)，由于燒結(jié)銀燒結(jié)后產(chǎn)生的粘結(jié)層其內(nèi)部的Ag含量很高，因此，粘結(jié)層對(duì)光的吸收較小，提高了 L E D燈的光效。并且，通過該封裝方法獲得的L E D燈，由燒結(jié)銀燒結(jié)后得到的粘結(jié)層其與L E D芯片、支架的接觸均為金屬界面接觸，熱膨脹系數(shù)接近，其L E D芯片和支架之間的結(jié)合強(qiáng)度很高，推力測試后失效模式一般是粘結(jié)層斷裂；在可靠性試驗(yàn)中能夠表現(xiàn)出較好的耐冷熱沖擊，不會(huì)產(chǎn)生與L E D芯片、支架的剝離。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換或改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種L E D燈，包括支架、設(shè)于所述支架上方的至少ー L E D芯片以及包覆所述LE D芯片的封裝材料，其特征在干，于所述支架與所述L E D芯片相對(duì)的表面之間，分別設(shè)置有第一金屬鍍層和第二金屬鍍層，于所述第一金屬鍍層與所述第二金屬鍍層之間，米用燒結(jié)銀通過燒結(jié)的方式構(gòu)成ー粘結(jié)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LE D燈，其特征在于，所述粘結(jié)層具有重量百分比大于或等于99%的金屬銀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LE D燈，其特征在于，所述第一金屬鍍層為純金鍍層或純銀鍍層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LE D燈，其特征在于，所述第二金屬鍍層為純金鍍層或純銀鍍層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的LE D燈，其特征在于，所述L E D芯片與所述支架相対的表面為L E D芯片的反面，所述第二金屬鍍層設(shè)置在L E D芯片的反面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的LE D燈，其特征在于，所述L E D芯片與所述支架相対的表面為L E D芯片的正面，所述第二金屬鍍層包括設(shè)置在L E D芯片的正面的正極上的正極鍍層以及設(shè)置在L E D芯片的正面的負(fù)極上的負(fù)極鍍層，所述正極鍍層與所述負(fù)極鍍層間隔設(shè)置，所述第一金屬鍍層包括相互間隔的第一支架鍍層及第ニ支架鍍層，所述粘結(jié)層包括連接于所述正極鍍層與所述第一支架鍍層之間的第一粘結(jié)層以及連接于所述負(fù)極鍍層與所述第二支架鍍層之間的第二粘接層。
7.—種如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的L E D燈的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: a、于支架與LE D芯片相對(duì)的表面鍍上第一金屬鍍層，于L E D芯片的反面或者正面的正負(fù)極上鍍上第二金屬鍍層； b、將燒結(jié)銀施加到支架的第一金屬鍍層表面與LED芯片的第二金屬鍍層表面之間； C、將上述待燒結(jié)樣品放入烤箱中加熱燒結(jié)，待冷卻后取出； d、壓焊； e、加封裝材料封裝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LE D燈的封裝方法，其特征在于，所述燒結(jié)銀具有重量百分比大于或等于80%且粒徑小于或等于2微米的銀粉，其余成分為易揮發(fā)的有機(jī)添加剤。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述LE D燈的封裝方法，其特征在于，所述燒結(jié)銀燒結(jié)后形成連接第一金屬鍍層與第二金屬鍍層的粘結(jié)層，所述粘結(jié)層具有重量百分比大于或等于99%的金屬銀。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任意一項(xiàng)所述LE D燈的封裝方法，其特征在于，步驟c具體為:以恒定的升溫速率將烤箱的烘烤溫度升至170 250°C范圍內(nèi)，保溫0.5 lh，然后冷卻至室溫后取出。
全文摘要
本發(fā)明提供一種LED燈，屬于光學(xué)照明領(lǐng)域。該LED燈，包括支架、設(shè)于所述支架上方的至少一LED芯片以及包覆所述LED芯片的封裝材料，于所述支架與所述LED芯片相對(duì)的表面之間，分別設(shè)置有第一金屬鍍層和第二金屬鍍層，于所述第一金屬鍍層與所述第二金屬鍍層之間，采用燒結(jié)銀通過燒結(jié)的方式構(gòu)成一粘結(jié)層。本發(fā)明利用燒結(jié)銀燒結(jié)后的產(chǎn)物作為粘結(jié)層，通過燒結(jié)銀在高溫中的燒結(jié)完成第一金屬鍍層、粘結(jié)層和第二金屬鍍層三者之間的金屬連接，從而實(shí)現(xiàn)LED芯片到支架的金屬原子傳熱，粘結(jié)層內(nèi)部依靠Ag-Ag顆粒連接，由此該粘結(jié)層內(nèi)部的熱量傳導(dǎo)通過Ag-Ag顆粒擴(kuò)散，相對(duì)于傳統(tǒng)銀膠，具有更高的導(dǎo)熱率，有利于芯片熱量的散發(fā)。
文檔編號(hào)H01L33/64GK103137831SQ20131005535
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2013年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月21日
發(fā)明者石素君 申請(qǐng)人:深圳市瑞豐光電子股份有限公司