專利名稱：無晶片自動調(diào)整的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片上制造半導(dǎo)體器件的方法。更具體地，本發(fā)明涉及維護(hù)用于蝕刻含金屬層的蝕刻室，所述含金屬層的蝕刻用于磁性隨機訪問存儲器(MRAM)的生產(chǎn)。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體器件的過程中，含金屬層被蝕刻。這種蝕刻在蝕刻室內(nèi)產(chǎn)生含金屬污染物。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)前述內(nèi)容，并根據(jù)本發(fā)明的目的，提供了一種用于減少蝕刻室中的污染物的方法。具有含金屬層的襯底被置于所述蝕刻室中。所述含金屬層被蝕刻，在所述蝕刻室的表面上產(chǎn)生不揮發(fā)的金屬殘留沉積物，其中所述金屬殘留沉積物中的一些金屬殘留處于第一狀態(tài)。所述襯底從所述蝕刻室被移除。通過將處于所述第一狀態(tài)的金屬殘留轉(zhuǎn)變到處于第二狀態(tài) 的金屬殘留，所述室被調(diào)整，其中處于所述第二狀態(tài)的金屬殘留相較處于所述第一狀態(tài)的金屬殘留對所述蝕刻室的表面具有更強的粘著性。在本發(fā)明的另一實施方式中,提供了一種用于減少具有電動窗(power window)和鄰近所述電動窗的法拉第屏蔽的蝕刻室中的污染物的方法。具有含金屬層的襯底被置于所述蝕刻室中。所述含金屬層被蝕刻，在包括所述法拉第屏蔽的所述蝕刻室的表面上產(chǎn)生不揮發(fā)的金屬殘留沉積物，其中所述金屬殘留包括金屬氫化物或金屬氮化物，其中所述蝕刻包括提供所述含金屬層中的金屬的化學(xué)反應(yīng)，以及濺射所述含金屬層中的化學(xué)反應(yīng)后的金屬。所述襯底從所述蝕刻室被移除。通過將包括所述金屬氫化物或金屬氮化物的金屬殘留轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬，所述室被調(diào)整，其中原態(tài)金屬相較所述金屬氫化物或金屬氮化物對所述蝕刻室的表面具有更強的粘著性，包括提供氧化作用以將所述金屬氮化物或金屬氫化物轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傺趸?，以及提供還原作用以將所述金屬氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬。下面，在本發(fā)明的詳細(xì)描述部分，結(jié)合附圖，將更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的這些特征以及其它特征。


在附圖中通過實施例的方式而非通過限定的方式來說明本發(fā)明，在這些附圖中，同樣的參考數(shù)字符號指代同樣的元件，其中:圖1是本發(fā)明的實施方式的流程圖。圖2是可被用來制造MRAM的堆棧(stack)的橫截面示意圖。圖3是可被用在本發(fā)明的實施方式中的等離子體處理室的示意圖。圖4是可被用于實施本發(fā)明的計算機系統(tǒng)的示意圖。圖5是調(diào)整室的步驟的更為詳細(xì)的流程圖。
具體實施例方式此處參照如附圖中所示的本發(fā)明的若干實施方式對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。在下面的描述中，為了提供對本發(fā)明的透徹理解，會闡明大量具體細(xì)節(jié)。但是，顯然地，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本發(fā)明可在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些甚或全部的情況下被實施。在其他情況下，為了不令本發(fā)明產(chǎn)生不必要的含糊，公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)不會被詳細(xì)描述。近年來，磁性隨機存儲器(MRAM)作為通用存儲器名聲大噪，并宣稱要取代DRAM、閃存和SRAM存儲器。MRAM堆棧由諸如Co/Fe/Pd/Pt/Ru/Ta/Ti/Ni/Mg/Mn及其合金之類的材料組成。蝕刻這些材料時的障礙是當(dāng)?shù)入x子體物質(zhì)(species)與這些金屬的表面發(fā)生反應(yīng)時產(chǎn)生的蝕刻副產(chǎn)品的不揮發(fā)性質(zhì)。不揮發(fā)的蝕刻副產(chǎn)品意味著這些蝕刻副產(chǎn)品物質(zhì)(species)的蒸氣壓強(vapor pressure)很低以致它們不能在操作晶片的溫度(10_250°C )和壓強(1-50毫托)下變成氣態(tài)。由于蝕刻副產(chǎn)品的不揮發(fā)性質(zhì)，一旦這些產(chǎn)品濺射到晶片表面之外，它們便粘在包括變壓器耦合等離子體(TCP)窗、尖頂和襯墊的室壁上的瞄準(zhǔn)線區(qū)域。在半導(dǎo)體器件的制造過程中，金屬層可在蝕刻室內(nèi)被蝕刻。已發(fā)現(xiàn)金屬的蝕刻副產(chǎn)品的大部分沉積在介電TCP窗上，這干擾到通過介電窗從TCP線圈耦合到等離子體的射頻(RF)功率，并且阻止/減弱MRAM晶片的蝕刻。還發(fā)現(xiàn)當(dāng)MRAM材料晶片通過TCP反應(yīng)器循環(huán)時，與等離子體密度成比例且是通過TCP介電窗耦合用于受控的偏壓操作模式的RF的尺度的偏置功率下降。蝕刻室可以沉積模式運轉(zhuǎn)，這意味著室壁上的蝕刻副產(chǎn)品在每個晶片蝕刻之后不會被清潔且被允許積聚在室壁上。基于NH3的工藝已被開發(fā)來蝕刻MRAM材料。在將基于NH3的工藝用于CoFe的持久循環(huán)中，發(fā)現(xiàn)在使用13.56兆赫RF的CoFe覆蓋層晶片(blanketwafer)金屬循環(huán)10小時之后，當(dāng)該室打開，便會看到黑色粉末形式的松散殘留物。這樣的殘留物在處理時間段內(nèi)影響該室的正常功能并可導(dǎo)致工藝失敗和提早的濕法清潔(硬件替換)。可以證實這樣的殘留物的形成對靜電卡盤、襯墊、室壁以及通常暴露于等離子體的任何硬件等部件的使用壽命是有害的，且還能證實，對從事室維護(hù)工作的人員的個人安全而言是危險的。本發(fā)明的實施方式減少了這些殘留物的剝落(flaking)卻不會影響工藝的功能，所述剝落會導(dǎo)致硬件和工藝操作規(guī)程(regime)的偏差(drift)。圖1是本發(fā)明的實施方式的高級流程圖。在該實施方式中，具有含金屬蝕刻層的襯底被置于蝕刻室中(步驟104)。該含金屬蝕刻層被蝕刻(步驟108)。該襯底從該蝕刻室被移除(步驟112)。如果有另一襯底待處理(步驟116)，那么通過將處于第一狀態(tài)的金屬殘留轉(zhuǎn)變到處于第二狀態(tài)的金屬殘留來調(diào)整該蝕刻室，其中處于第二狀態(tài)的金屬殘留相較處于第一狀態(tài)的金屬殘留對表面具有更強的粘著性(步驟120)。該工藝被持續(xù)至多個襯底被處理。當(dāng)襯底均完工時，周期性的該工藝被停止。接著，諸如室清潔之類的其他工藝可被實施。
實施例在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，具有CoFe層的襯底被置于TCP等離子體蝕刻室中(步驟104)。圖2是具有襯底204、具有沉積在掩模212下面的CoFe蝕刻層208的堆棧200的橫截面示意圖。在該 實施例中，一或多個層216、220可被沉積在襯底204和CoFe蝕刻層208或者CoFe蝕刻層208和掩模212之間。雖然在MRAM的制造過程中，掩模被置于CoFe蝕刻層208之上，但是在本發(fā)明工藝的測試中，覆蓋層(blanket)CoFe蝕刻層被置于襯底之上而沒有掩模。圖3示意性地示出了可被用在本發(fā)明的一實施方式中的等離子體處理系統(tǒng)300的實施例。等離子體處理系統(tǒng)300包括等離子體反應(yīng)器302，等離子體反應(yīng)器302中具有由室壁350限定的等離子體處理室304。由匹配網(wǎng)絡(luò)308調(diào)諧的等離子體電源306供應(yīng)電力給位于電動窗312 (power window)附近的TCP線圈310, TCP線圈310成為給等離子體處理室304供電的電極以在等離子體處理室304中產(chǎn)生等離子體314。所述TCP線圈(上電源)310可被配置來在處理室304內(nèi)產(chǎn)生均勻的擴散的分布(profile)。例如，TCP線圈310可被配置來在等離子體314中產(chǎn)生環(huán)形配電。電動窗312被提供來分離TCP線圈310和等離子體室304，同時允許能量從TCP線圈310傳遞到等離子體室304。法拉第屏蔽360被置于電動窗312和等離子體314之間。法拉第屏蔽在基于全部目的通過參考并入本文的美國專利7，223，321中進(jìn)行了描述。由匹配網(wǎng)絡(luò)318調(diào)諧的晶片偏壓電源316提供電力給電極320以設(shè)置由電極320支撐的硅襯底204上的偏壓，使得該實施方式中的電極320亦是襯底支撐件。脈沖控制器352導(dǎo)致偏壓被施加脈沖。脈沖控制器352可在匹配網(wǎng)絡(luò)318和襯底支撐件之間或者在偏壓電源316和匹配網(wǎng)絡(luò)318之間或者在控制器324和偏壓電源316之間或者在一些其它的配置中，以使該偏壓被施以脈沖?？刂破?24設(shè)置等離子體電源306和晶片偏壓電源316的點。等離子體電源306和晶片偏壓電源316可被配置為操作在具體的射頻，比如
13.56MHz、27MHz、2MHz、400kHz或者它們的組合。等離子體電源306和晶片偏壓電源316可適當(dāng)調(diào)整大小以提供功率范圍從而達(dá)到所希望的工藝性能。例如，在本發(fā)明的一實施方式中，等離子體電源306可供應(yīng)300到10000瓦特范圍內(nèi)的功率，而晶片偏壓電源316可供應(yīng)10到2000V范圍內(nèi)的偏置電壓。另外，TCP線圈310和/或電極320可以由兩或更多子線圈或子電極組成，其可由單一電源供電或者由多個電源供電。如圖3中所示，等離子體處理系統(tǒng)300進(jìn)一步包括氣源/氣體供應(yīng)機構(gòu)330。所述氣源包括第一組分氣源332、第二組分氣源334以及可選的額外組分氣源336。下面將討論各個組分氣體。氣源332、334和336通過進(jìn)氣口 340與處理室304流體連接。所述進(jìn)氣口可位于室304中的任何有利位置，且可以任何形式注入氣體。但是，優(yōu)選地，所述進(jìn)氣口可被配置為產(chǎn)生“可調(diào)的”氣體注入分布(profile)，這允許到處理室304中的多個區(qū)域的氣體的各自的流的獨立調(diào)整。經(jīng)由作為調(diào)壓器的壓強控制閥342和亦用來維持等離子體處理室304內(nèi)的特定壓強且還提供出氣口的泵344，工藝氣體及副產(chǎn)品從室304被移除。氣源/氣體供應(yīng)機構(gòu)330受控制器324控制。Lam Research Corporation (朗姆研究公司)的Kiyo系統(tǒng)可被用來實施本發(fā)明的實施方式。圖4是示出適于實現(xiàn)在本發(fā)明的實施方式中使用的控制器324的計算機系統(tǒng)400的高級框圖。所述計算機系統(tǒng)可具有許多物理形態(tài)，從集成電路、印刷電路板、以及小型手持設(shè)備直至巨型超級計算機。計算機系統(tǒng)400包括一或多個處理器402、并可進(jìn)一步包括電子顯示設(shè)備404 (用于顯示圖形、文本和其它數(shù)據(jù))、主存儲器406 (例如，隨機訪問存儲器(RAM))、存儲設(shè)備408 (例如，硬盤驅(qū)動器) 、可移動存儲設(shè)備410 (例如，光盤驅(qū)動器)、用戶接口設(shè)備412 (例如，鍵盤、觸摸屏、小鍵盤、鼠標(biāo)或其它定點設(shè)備，等等)、以及通信接口 414(例如，無線網(wǎng)絡(luò)接口)。通信接口 414使得軟件和數(shù)據(jù)經(jīng)由鏈路在計算機系統(tǒng)400和外部設(shè)備之間進(jìn)行傳遞。所述系統(tǒng)還可包括通信基礎(chǔ)設(shè)施416(例如，通信總線、交叉桿、或者網(wǎng)絡(luò))，前述設(shè)備/模塊可被連接到通信基礎(chǔ)設(shè)施416。經(jīng)由通信接口 414傳遞的信息可以是信號形式，比如能夠經(jīng)由運載信號且可利用電線或電纜、光纖、電話線、蜂窩電話鏈路、射頻鏈路、和/或其它通信通道而實現(xiàn)的通信鏈路被通信接口 414接收的電子信號、電磁信號、光學(xué)信號、或者其它信號。利用這樣的通信接口，能夠在執(zhí)行上述方法的步驟期間預(yù)期一或多個處理器402可從網(wǎng)絡(luò)接收信息，或者可將信息輸出給所述網(wǎng)絡(luò)。此外，本發(fā)明的方法的實施方式可僅僅在處理器上執(zhí)行或者可在諸如互聯(lián)網(wǎng)等網(wǎng)絡(luò)上結(jié)合分擔(dān)部分處理任務(wù)的遠(yuǎn)程處理器來執(zhí)行所使用的術(shù)語“非瞬態(tài)計算機可讀介質(zhì)”通常是指諸如主存儲器、輔助存儲器、移動存儲和存儲設(shè)備等介質(zhì)，所述存儲設(shè)備比如硬盤、閃存、磁盤、CD-ROM以及其它形式的持久存儲器，且該術(shù)語不應(yīng)該被解釋為覆蓋諸如載波或信號之類的瞬態(tài)事物。計算機代碼的實施例包括比如由編譯器生成的機器代碼、包含由計算機利用解譯器執(zhí)行的更高級代碼的文件。計算機可讀介質(zhì)也可以是由具體表現(xiàn)為載波的計算機數(shù)據(jù)信號傳輸且代表可由處理器執(zhí)行的一系列指令的計算機代碼。CoFe層被蝕刻(步驟108)。優(yōu)選地，CoFe層蝕刻首先使金屬起化學(xué)反應(yīng)，比如形成金屬氫化物或金屬氮化物，接著濺射化學(xué)反應(yīng)后的金屬。結(jié)果，化學(xué)反應(yīng)后的金屬殘留匕如金屬氫化物或金屬氮化物)圍繞該室被沉積在來自襯底的瞄準(zhǔn)線范圍中。這樣的金屬氫化物或金屬氮化物往往會剝落并污染襯底。用來蝕刻CoFe層的蝕刻工藝的一個實施例提供2毫托的壓強。100標(biāo)況毫升每分(Sccm)NH3的蝕刻氣體流入該室，同時120°C的溫度被提供。1500瓦特的RF功率被提供來使蝕刻氣體變成等離子體。1000伏特的偏壓被提供來提供濺射。襯底從蝕刻室被移除(步驟112)。如果有另一襯底待處理(步驟116)，則通過將處于第一狀態(tài)的金屬殘留轉(zhuǎn)變到第二狀態(tài)來調(diào)整該室(步驟120)，其中處于第二狀態(tài)的金屬殘留相較處于第一狀態(tài)的金屬對蝕刻室的表面具有更強的粘著性。圖5是本發(fā)明的用于調(diào)整該室(步驟120)的實施方·式的更為詳細(xì)的流程圖。在該實施方式中，為了將處于第一狀態(tài)的金屬殘留轉(zhuǎn)變到第二狀態(tài)，首先，氧化作用被提供(步驟504)。在該步驟過程中，金屬氮化物和金屬氫化物被轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傺趸?。接著，還原作用被提供(步驟508)以將金屬氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬(native state metal)(步驟508)。在用于提供氧化作用(步驟504)的配方的一個具體實施例中，蝕刻室中的壓強被設(shè)置為大于5暈托，且70標(biāo)況暈升每分(sccm) O2和大于30標(biāo)況暈升每分(sccm) Cl2的流流入蝕刻室。TCP功率被設(shè)置在13.56MHz、功率大于500瓦特。配方的另一實施例將20標(biāo)況暈升每分(sccm) CO和80標(biāo)況暈升每分(sccm) NF3注入蝕刻室。在其它實施方式中，氧化步驟可注入包含諸如O2或CO之類氣體的氧。包含氣體的氧必須具有足夠的氧來氧化含金屬的殘留物。本發(fā)明的其它實施方式中，第一狀態(tài)是金屬氧化物。在這樣的實施方式中，僅一個步驟被用來將金屬氧化物還原為元素金屬(elemental metal)。在其它實施方式中，第二狀態(tài)不是兀素金屬。在一實施方式中，金屬處于原態(tài)(native state)。原態(tài)金屬是兀素金屬或者是不同元素金屬的合金，使得所述金屬不是沒有反應(yīng)性的離子。處于原態(tài)的金屬的實施例可以是在壁上的Co、Fe、Ru、Pd的金屬合金或混合層使得它們形成具有良好粘附強度的良好金屬膜。例如，原態(tài)金屬可以是CoFe合金。在這樣的實施方式中，金屬會處于兀素狀態(tài)(如純獨立(stand alone)金屬)或者處于混合物狀態(tài)(如CoPd膜或FeTi膜等)。在其它實施方式中，可以使用其它蝕刻室，比如電容耦合蝕刻室。在本發(fā)明的另一實施方式中，金屬殘留是鐵的氮化物。氧化處理將鐵的氮化物轉(zhuǎn)變?yōu)殍F的氧化物。氫還原將鐵的氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)樵罔F。在不同的實施方式中，可以使用不同的方法來提供還原。例如，金屬氧化物可被加熱以驅(qū)出氧從而提供原態(tài)金屬。在另一實施方式中，輻照被提供來將金屬氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬。在另一實施方式中，氧化和氫還原在單一工藝過程中被執(zhí)行。在另一實施方式中，另一襯底被置于該室中且在該襯底在蝕刻室中時執(zhí)行調(diào)整。已發(fā)現(xiàn)元素金屬相較金屬氫化物和金屬氮化物可更好地粘附于室壁。此外，還發(fā)現(xiàn)相較粘附于金屬氫化物和金屬氮化物，后續(xù)沉積物更好地粘附于元素金屬。另外，已在本發(fā)明的實施方式中發(fā)現(xiàn)，金屬殘留物的改變?yōu)楦€(wěn)定的蝕刻工藝留出了余地。在本發(fā)明的實施方式中，這樣的穩(wěn)定的蝕刻工藝沒有工藝漂移，也沒有松散顆粒的形成。濕法清潔用新的或干凈的部件來替換部件。然后，臟部件被送去化學(xué)處理或用酸清潔。元素金屬并不減少窗的傳輸量，因為法拉第屏蔽360被置于室中窗312的正下方。屏蔽360接地并且其中有縫隙。該屏蔽具有兩個目的:第一，該屏蔽阻止不揮發(fā)的副產(chǎn)品到達(dá)TCP窗，第二，該屏蔽允許電磁場穿過并生成等離子體。由于該屏蔽接地，所以所有的金屬殘留物沉積在它上面。本發(fā)明的實施方式防止金屬殘留沉積物剝落或者形成會落到晶片上的松散顆粒。雖然本發(fā)明以若干優(yōu)選實施方式的形式進(jìn)行描述，但其有變化方式、置換方式和各種替代等同方式也落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。還應(yīng)當(dāng)注意的是，實施本發(fā)明的方法和裝置有許多替代方式。所以，意 思是下面所附的權(quán)利要求可被理解為包括落在本發(fā)明的真實精神和范圍之內(nèi)的所有這樣的變化方式、置換方式和各種替代等同方式。
權(quán)利要求
1.一種用于減少蝕刻室中的污染物的方法，其包括: 將具有含金屬層的襯底置于所述蝕刻室內(nèi)； 蝕刻所述含金屬層，在所述蝕刻室的表面上產(chǎn)生不揮發(fā)的金屬殘留沉積物，其中所述金屬殘留沉積物中的一些金屬殘留處于第一狀態(tài)； 將所述襯底從所述蝕刻室移除；以及 通過將處于所述第一狀態(tài)的金屬殘留轉(zhuǎn)變到處于第二狀態(tài)的金屬殘留來調(diào)整所述室，其中處于所述第二狀態(tài)的金屬殘留相較處于所述第一狀態(tài)的金屬殘留對所述蝕刻室的表面具有更強的粘著性。
2.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中處于所述第一狀態(tài)的所述金屬殘留是金屬氮化物或金屬氫化物中的至少一者，且其中處于所述第二狀態(tài)的金屬殘留是原態(tài)金屬。
3.如權(quán)利要求2中所述的方法，其中所述調(diào)整所述室，包括: 提供氧化作用以將所述金屬氮化物或金屬氫化物中的至少一者轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傺趸铮灰约? 提供還原作用以將所述金屬氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬。
4.如權(quán)利要求3中所述的方法，其中所述提供還原作用是提供氫還原、加熱還原、或者輻照還原中的至少一者。
5.如權(quán)利要求4中所述 的方法，其中所述蝕刻所述金屬，包括: 提供所述含金屬層中的金屬的化學(xué)反應(yīng)；以及 濺射所述含金屬層中的化學(xué)反應(yīng)后的所述金屬。
6.如權(quán)利要求5中所述的方法，其中所述調(diào)整所述室在無晶片的情況下被執(zhí)行。
7.如權(quán)利要求6中所述的方法，其中所述原態(tài)金屬是元素金屬或者至少兩種元素金屬的合金。
8.如權(quán)利要求7中所述的方法，其中所述室具有電動窗和法拉第屏蔽，所述法拉第屏蔽減少沉積在所述電動窗上的殘留物。
9.如權(quán)利要求8中所述的方法，其中所述法拉第屏蔽接地使得較多的殘留物被沉積到所述法拉第屏蔽上而不是被沉積到所述電動窗上，且其中所述調(diào)整所述室將沉積在所述法拉第屏蔽上的金屬殘留轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬。
10.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述蝕刻所述金屬，包括: 提供所述含金屬層中的金屬的化學(xué)反應(yīng)；以及 濺射所述含金屬層中的化學(xué)反應(yīng)后的所述金屬。
11.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述調(diào)整所述室在無晶片的情況下被執(zhí)行。
12.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述室具有電動窗和法拉第屏蔽，所述法拉第屏蔽減少沉積在所述電動窗上的殘留物。
13.如權(quán)利要求12中所述的方法，其中所述法拉第屏蔽接地使得較多的殘留物被沉積到所述法拉第屏蔽上而不是被沉積到所述電動窗上，且其中所述調(diào)整所述室將沉積在所述法拉第屏蔽上的金屬殘留轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬。
14.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述調(diào)整所述室，包括: 提供氧化作用以將所述金屬殘留轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傺趸铮灰约? 提供還原作用以將所述金屬氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬。
15.如權(quán)利要求14中所述的方法，其中所述原態(tài)金屬是元素金屬或者至少兩種元素金屬的合金。
16.如權(quán)利要求15中所述的方法，其中所述提供還原作用是提供氫還原、加熱還原、或者輻照還原中的至少一者。
17.一種用于減少具有電動窗和鄰近所述電動窗的法拉第屏蔽的蝕刻室中的污染物的方法，其包括: 將具有含金屬層的襯底置于所述蝕刻室內(nèi)； 蝕刻所述含金屬層，在包括所述法拉第屏蔽的所述蝕刻室的表面上產(chǎn)生不揮發(fā)的金屬殘留沉積物，其中所述金屬殘留包括金屬氫化物或金屬氮化物，其中所述蝕刻包括: 提供所述含金屬層中的金屬的化學(xué)反應(yīng)；以及 濺射所述含金屬層中的化學(xué)反應(yīng)后的所述金屬； 將所述襯底從所述蝕刻室移除；以及 通過將包括所述金屬氫化物或金屬氮化物的金屬殘留轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬來調(diào)整所述室，其中原態(tài)金屬相較所述金屬氫化物或金屬氮化物對所述蝕刻室的表面具有更強的粘著性，包括: 提供氧化作用以將所述金屬氮化物或金屬氫化物轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傺趸?；以? 提供還原作用以將所述金屬氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)樵瓚B(tài)金屬。
18.如權(quán)利要求17中所述的方法，其中所述提供還原作用是提供氫還原、加熱還原、或者輻照還原中的至少一者。`
19.如權(quán)利要求18中所述的方法，其中所述調(diào)整所述室在無晶片的情況下被執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明涉及無晶片自動調(diào)整，具體提供了一種用于減少蝕刻室中的污染物的方法。具有含金屬層的襯底被置于所述蝕刻室中。所述含金屬層被蝕刻，在所述蝕刻室的表面上產(chǎn)生不揮發(fā)的金屬殘留沉積物，其中所述金屬殘留沉積物中的一些金屬殘留處于第一狀態(tài)。所述襯底從所述蝕刻室被移除。通過將處于所述第一狀態(tài)的金屬殘留轉(zhuǎn)變到處于第二狀態(tài)的金屬殘留，所述室被調(diào)整，其中處于所述第二狀態(tài)的金屬殘留相較處于所述第一狀態(tài)的金屬殘留對所述蝕刻室的表面具有更強的粘著性。
文檔編號H01L43/12GK103247754SQ201310036929
公開日2013年8月14日 申請日期2013年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月3日
發(fā)明者喬迪普·古哈, ?？铺亍どＬ? 神內(nèi)佛霖 申請人:朗姆研究公司