專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件及電極成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及以發(fā)光二極管(LED:Light Emitting Diode)等為代表的半導(dǎo)體發(fā)光元件，以及該半導(dǎo)體發(fā)光元件所具有的電極的成膜方法。
背景技術(shù)：
以LED等為代表的半導(dǎo)體發(fā)光元件具有低功耗、小型、高亮度、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，因此近年來(lái)以各種各樣的用途得到利用。例如，作為耗電量大的白熾燈的替代物被用于照明裝置。另外，為了提高發(fā)射效率，提出了在電極具備能夠使從發(fā)光層射出的光進(jìn)行反射并獲得的反射膜的半導(dǎo)體發(fā)光元件。例如，在特開(kāi)2002-26392號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2008-41866號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2011-66461號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2006-80469號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2006-93358號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2011-204804號(hào)公報(bào)(以下稱“公知文獻(xiàn)1飛”)中，提出了將反射率高且低價(jià)的Al用作反射膜的半導(dǎo)體發(fā)光元件。然而，由于Al是熔點(diǎn)低且化學(xué)性質(zhì)活潑的材料，因此存在表面容易腐蝕，內(nèi)部容易產(chǎn)生空隙和小丘以及遷移的問(wèn)題。另外，Al是在與異種金屬接觸時(shí)容易相互擴(kuò)散的材料，例如若與Au接觸就會(huì)因相互擴(kuò)散而形成高電阻且脆性的金屬間化合物AuAl，這成為半導(dǎo)體發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓上升或電極的附著強(qiáng)度退化等半導(dǎo)體發(fā)光元件的可靠性變差的主要原因。Au大多被用作連接外部電源裝置和半導(dǎo)體發(fā)光元件的導(dǎo)線，為了與該導(dǎo)線良好連接，常使用Au作為電極的焊盤膜?？墒?，如果電極中同時(shí)包含Al膜和Au膜，就會(huì)產(chǎn)生上述的接觸問(wèn)題。因此，例如在公知文獻(xiàn)1飛中提出的半導(dǎo)體發(fā)光元件具有這樣的電極，其通過(guò)在Al膜和Au膜之間插入由Al和Au以外的材料構(gòu)成的膜來(lái)防止Al膜與Au膜直接接觸。公知文獻(xiàn)I 5中提出了具有在Al膜和Au膜之間插入由T1、Pt、W、Ta、Pd等材料構(gòu)成的膜的結(jié)構(gòu)的電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件。然而，這些半導(dǎo)體發(fā)光元件的電極中，Al膜的側(cè)面露出，因此Al膜的側(cè)面有被腐蝕的可能性。另外，存在無(wú)意地在Al膜的側(cè)面形成Au膜的可能性，還存在由于Al和Au相互擴(kuò)散而形成高電阻且脆弱的AuAl層的可能性。另一方面，公知文獻(xiàn)6中提出的半導(dǎo)體發(fā)光元件具有如下的電極結(jié)構(gòu):在Al膜的上面及側(cè)面覆蓋W膜，再用Au膜覆蓋在W膜的上面及側(cè)面。然而，在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的電極上Au膜不僅存在于Al膜的上方而且存在于Al膜的側(cè)面，因此，Al膜和Au膜鄰接的部分增多，發(fā)生Al和Au的相互擴(kuò)散的可能性升高。另外，為了制備所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的電極，需要多道光刻工序和多道成膜工序，制造工藝變得繁雜且成本增加，不符合實(shí)用要求。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于，提供具有能夠用簡(jiǎn)易的方法制造且不易退化的電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件以及該電極的成膜方法。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供具有如下特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件:其包括具有被供電而發(fā)光的發(fā)光層的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，以及在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上形成的電極，所述電極具備:將所述發(fā)光層出射的光進(jìn)行反射的反射膜，在所述反射膜的上方和側(cè)面形成的阻擋膜，以及僅在所述阻擋膜的上面形成的焊盤膜。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，由阻擋膜覆蓋反射膜的側(cè)面，同時(shí)不在反射膜的側(cè)面形成焊盤膜。因此，能夠在抑制反射膜受腐蝕的同時(shí)抑制形成反射膜的材料和形成焊盤膜的材料之間相互擴(kuò)散。并且，優(yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述反射膜由Al構(gòu)成，所述焊盤膜由Au構(gòu)成。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，在通過(guò)阻擋膜抑制由Al構(gòu)成的反射膜受腐蝕的同時(shí)，能夠抑制由于構(gòu)成反射膜的Al和構(gòu)成焊盤膜的Au之間的相互擴(kuò)散而形成AuAl層。并且，優(yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述反射膜的膜厚為40nm以上且為70nm以下。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，在確保充分的反射率的同時(shí)，能夠抑制由Al構(gòu)成的反射膜中產(chǎn)生空隙，又抑制構(gòu)成反射膜的Al和構(gòu)成焊盤膜的Au之間相互擴(kuò)散而形成AuAl層。并且，優(yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述阻擋膜由熔點(diǎn)比Al和Au高的高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成。特別優(yōu)選的是:所述阻擋膜包含Pt、Mo和W中的至少一種。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠適當(dāng)?shù)匾种齐姌O的退化。并且，優(yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述阻擋膜的膜厚為200nm以上。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠很可靠地獲得在反射膜的側(cè)面不存在焊盤膜的結(jié)構(gòu)的電極。并且，優(yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述阻擋膜的膜厚為300nm以下。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠抑制不必要地將阻擋膜形成得很厚。并且，優(yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件的在所述反射膜的側(cè)面形成的所述阻擋膜的膜厚為20nm以上。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，在反射膜的側(cè)面形成膜厚足夠的阻擋膜。因此，能夠適當(dāng)?shù)匾种齐姌O的退化。并且，優(yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，所述電極還包括與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的上表面接觸的接觸膜，在所述接觸膜的上面形成所述反射膜。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠通過(guò)設(shè)置接觸膜使電極和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟佑|(例如，歐姆接觸)。并且，優(yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述接觸膜由Ni構(gòu)成，其膜厚為4nm以下。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠通過(guò)設(shè)置接觸膜適當(dāng)?shù)匾种乒夥瓷渎式档?。并且，?yōu)選的是:上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述接觸膜由Ni構(gòu)成，其膜厚為2nm以上。根據(jù)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件，可增大電極的剝離強(qiáng)度，能夠防止電極的一部分或全部被剝離。因此，能夠在提高半導(dǎo)體發(fā)光元件的成品率的同時(shí)，抑制半導(dǎo)體發(fā)光元件的使用過(guò)程中發(fā)生缺陷。另外，本發(fā)明提供的電極成膜方法的特征在于，在具有被供電而發(fā)光的發(fā)光層的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上形成突出形狀的抗蝕劑層的抗蝕劑層形成工序；在形成有所述抗蝕劑層的表面上形成反射膜的反射膜形成工序；在所述反射膜形成工序后形成阻擋膜的阻擋膜形成工序；在所述阻擋膜形成工序后形成焊盤膜的焊盤膜形成工序；以及在所述焊盤膜形成工序后去掉所述抗蝕劑層的剝離工序，成為基底的膜的側(cè)面的成膜速度除以成為該基底的膜的上面的成膜速度所得的値即側(cè)面覆蓋率在所述阻擋膜形成工序的開(kāi)始時(shí)刻為15%以上，在所述阻擋膜形成工序的結(jié)束時(shí)刻以及在所述焊盤膜形成工序中為0%。根據(jù)該電極成膜方法，能夠用一種抗蝕劑容易地形成具有在反射膜的側(cè)面不存在焊盤膜的結(jié)構(gòu)的電極。并且，優(yōu)選的是:上述特征的電極成膜方法的所述反射膜形成工序、所述阻擋膜形成工序及所述焊盤膜形成工序通過(guò)連續(xù)成膜來(lái)形成所述反射膜、所述阻擋膜及所述焊盤膜。根據(jù)該電極成膜方法，能夠迅速且容易地形成各膜。并且，優(yōu)選的是:上述特征的電極成膜方法中在所述阻擋膜形成工序的結(jié)束時(shí)刻所述阻擋膜的膜厚為200nm以上。根據(jù)該電極成膜方法，能夠很可靠地獲得具有在反射膜的側(cè)面不存在焊盤膜的結(jié)構(gòu)的電極。并且，優(yōu)選的是:上述特征的電極成膜方法還在所述抗蝕劑層形成工序和所述反射膜形成工序之間包括形成與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的上表面接觸的接觸膜的接觸膜形成工序，所述接觸膜形成工序中的所述接觸膜的成膜速度為大于Onm/sec且在0.05nm/sec以下。根據(jù)該電極成膜方法，由于可使膜厚的偏差小，能夠良好地再現(xiàn)獲得符合設(shè)計(jì)要求的半導(dǎo)體發(fā)光元件。并且，由于可使接觸膜的膜厚均勻化，能夠提高接觸膜的附著性。因此，能夠在防止電極的剝離的同時(shí)降低接觸電阻。根據(jù)上述特征的半導(dǎo)體發(fā)光元件及電極成膜方法，能夠抑制電極的退化，同時(shí)以簡(jiǎn)易的方法將該電極成膜。


圖1是表示與本發(fā)明的實(shí)施例有關(guān)的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖2是表示與本發(fā)明的實(shí)施例有關(guān)的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖3是表示與本發(fā)明的實(shí)施例有關(guān)的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的的一個(gè)例子的剖面圖。圖4是表示在Al膜具有各種大小的膜厚的情況下光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系的曲線圖。圖5是表示在光的波長(zhǎng)為450nm的情況下Al膜的膜厚與反射率的關(guān)系的曲線圖。圖6是表示Al膜的膜厚與Al膜中發(fā)生的空隙占有率的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示Al膜的膜厚與AuAl層形成率的關(guān)系的曲線圖。圖8是表示在光的波長(zhǎng)為450nm的情況下第一 Ni膜的膜厚與反射率的關(guān)系的曲線圖。圖9是表示第一 Ni膜的膜厚與電極的剝離強(qiáng)度的關(guān)系的曲線圖。圖10是表示第一 Ni膜的成膜速度與批間膜厚偏差的關(guān)系的曲線圖。圖11是表示累積膜厚與側(cè)面膜厚的關(guān)系的曲線圖以及說(shuō)明側(cè)面覆蓋率的示意圖。圖12是表示Pt膜的膜厚與Au膜的側(cè)面膜厚的關(guān)系的曲線圖。圖13是表示實(shí)施例和比較例的各自的操作例的曲線圖。圖14是表示在實(shí)施例的實(shí)際使用條件下的經(jīng)過(guò)時(shí)間與Al膜中發(fā)生的空隙占有率的關(guān)系的曲線圖。圖15是表示在實(shí)施例的實(shí)際使用條件下的經(jīng)過(guò)時(shí)間與AuAl層形成率的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式以下，作為本發(fā)明的實(shí)施例舉例說(shuō)明本發(fā)明用于LED的情況。但是，本發(fā)明適用的半導(dǎo)體發(fā)光元件不限于LED。本發(fā)明可以普遍適用于例如激光二極管等通過(guò)電極被供電而發(fā)光的半導(dǎo)體發(fā)光元件。〈半導(dǎo)體發(fā)光元件〉首先，參照?qǐng)Df圖3說(shuō)明與本發(fā)明的實(shí)施例有關(guān)的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法的一個(gè)例子。圖廣圖3是表示與本發(fā)明的實(shí)施例有關(guān)的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的的一個(gè)例子的剖面圖。圖1示例性地表示各種半導(dǎo)體層的層疊方法(半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的形成方法)。另外，圖2表示圖1之后的工序，例示了電極的成膜方法。另外，圖3表示圖2之后的工序，例示了保護(hù)膜的形成方法。首先，如圖1(a)所示，準(zhǔn)備青玉等構(gòu)成的襯底10。然后，如圖1(b)所示，將襯底10—側(cè)的主面(以下稱為表面)加工成凹凸?fàn)睢＠?，這種凹凸?fàn)羁梢酝ㄟ^(guò)如下方式形成:除了應(yīng)形成凹部(溝槽)的部分以外，在襯底10的表面上形成抗蝕劑層，并進(jìn)行使用鹵素氣體(例如，BC13、C12和Ar的混合氣體)的ICP (Inductively Coupled Plasma:電感f禹合等離子體)等的蝕刻。接著，如圖1(c)所示，在成為凹凸?fàn)畹囊r底10的表面上依次層疊n包覆層11、發(fā)光層(活性層)12和發(fā)光層(活性層)和p包覆層13，n包覆層11由n型的GaN構(gòu)成，發(fā)光層12具有通過(guò)交替地層疊由GaN構(gòu)成的勢(shì)壘層和由InxGahNOKx ( I)構(gòu)成的勢(shì)阱層、同時(shí)由最初和最后的層為勢(shì)壘層而形成的多重量子勢(shì)阱結(jié)構(gòu)，P包覆層13由p型的GaN構(gòu)成。n包覆層11、發(fā)光層12和p包覆層13可以通過(guò)例如MOCVD(Metal OrganicChemical Vapor Deposition:金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)等層疊。另外,作為n型的GaN的摻雜劑可以采用例如Si，作為p型的GaN的摻雜劑可以采用例如Mg。另外，可以在該p包覆層13層疊后退火以使p型摻雜劑活化。另外，構(gòu)成n包覆層11、發(fā)光層12和p包覆層13的GaN和InxGahN中也可以包含Al等其他元素。接著，如圖1 (d)所示,在p包覆層13上形成IT0(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)構(gòu)成的透明電極14。該透明電極14可以通過(guò)例如濺射等形成。本例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，為了在之后的工序中在n包覆層11上形成電極，需要在形成該電極的區(qū)域露出n包覆層11。因此，如圖1(e)所示，將該區(qū)域中的透明電極14、p包覆層13、發(fā)光層12、n包覆層11的一部分去掉。例如，透明電極14可以通過(guò)采用王水等的蝕刻來(lái)去掉。并且，例如p包覆層13、發(fā)光層12和n包覆層11可以通過(guò)采用鹵素氣體(例如，SiCl4)用ICP等的蝕刻來(lái)去掉。但是，進(jìn)行這些蝕刻的情況下，需要在應(yīng)去掉部分之外的區(qū)域形成抗蝕劑層。此外，在各蝕刻中分別使用的抗蝕劑層在各蝕刻結(jié)束后被去掉。接著，說(shuō)明電極的成膜方法。此外，以下為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，僅例示了 P電極的成膜方法，不過(guò)n電極的成膜方法也一樣。但是，p電極被設(shè)于透明電極14上面的一部分上，n電極被設(shè)于通過(guò)上述蝕刻露出的n包覆層11上面的一部分上。首先，如圖2 (a)所示，在透明電極14的上面形成突出形狀的抗蝕劑層R。此外，在通過(guò)上述的蝕刻露出的n包覆層11的上面，同樣形成突出形狀的抗蝕劑層R(圖2 (a)中未示出)。作為突出形狀的抗蝕劑層R的形成方法，可以使用公知的任何形成方法。例如，可以通過(guò)在形成開(kāi)口部壁面垂直的通常的抗蝕劑層后，選擇性地使透明電極14的上面?zhèn)群蚽包覆層11的上面?zhèn)仁湛s或溶解來(lái)形成突出形狀的抗蝕劑層R。另外，例如也可以通過(guò)在形成無(wú)開(kāi)口部的抗蝕劑層后，選擇性地溶解成突出形狀來(lái)形成突出形狀的抗蝕劑層R。此外，如圖2 (a)所示，如果使抗蝕劑層R的開(kāi)口部RO的周邊成為凹狀，能夠?qū)⒗珉姌O的材料有效地導(dǎo)入開(kāi)口部RO內(nèi)，因此可優(yōu)選。接著，如圖2 (b)所示，通過(guò)蒸鍍等方法在形成抗蝕劑層R的透明電極14的上面和n包覆層11的上面上依次形成構(gòu)成電極的各種膜。具體而言，先形成由Ni構(gòu)成的第一 Ni膜2a (接觸膜)，其次形成由Al構(gòu)成的Al膜2b (反射膜)，再其次形成由Ni構(gòu)成的第二 Ni膜2c，再其次形成由Pt構(gòu)成的Pt膜2d (阻擋膜)，再其次形成由Au構(gòu)成的Au膜2e (焊盤膜)，再其次形成由Ni構(gòu)成的第三Ni膜2f。各膜2a 2f在抗蝕劑層R的上面成膜的同時(shí)，將形成各膜2a 2f的材料經(jīng)由抗蝕劑層R的開(kāi)口部RO送入，從而分別在透明電極14的上面和n包覆層11的上面成膜。特別是，分別在透明電極14的上面和n包覆層11的上面，從透明電極14的上面和n包覆層11的上面向上方以第一 Ni膜2a、Al膜2b、第二 Ni膜2c、Pt膜2d、Au膜2e、第三Ni膜2f的順序形成各膜2a 2f。此外，如果通過(guò)連續(xù)成膜來(lái)形成各膜2a 2f，則可迅速且容易地成膜，因此可優(yōu)選。分別在透明電極14的上面和n包覆層11的上面，在第二 Ni膜2c的上面同時(shí)也在Al膜2b的側(cè)面形成Pt膜2d。另一方面，Au膜2e只在Pt膜2d的上面形成。此外，Pt膜2d的一部分不僅在Al膜2b的側(cè)面，也可以在第一 Ni膜2a和第二 Ni膜2c的側(cè)面形成。后文將描述如上的膜可被形成的條件的細(xì)節(jié)，但是優(yōu)選的是，例如將各膜2a 2f的膜厚形成如下 第一 Ni膜2a為4nm、Al膜2b為50nm、第二 Ni膜2c為40nm、Pt膜2d為250nm、Au 膜 2e 為 700nm、第三 Ni 膜 2f 為 20nm。第一 Ni膜2a分別與透明電極14和n包覆層11歐姆接觸。另外，Al膜2b將發(fā)光層12出射的光的至少一部分反射。另外，第二 Ni膜2c將Al膜2b和Pt膜2d牢固接合。另外，Pt膜2d確保在Al膜2b與Au膜2e之間隔開(kāi)距離，防止Al和Au的相互擴(kuò)散。另外，Au膜2e和第三Ni膜2f同與供電的外部電源裝置電連接用的導(dǎo)線等電且機(jī)械連接。然后，如圖2 (C)所示，用濕法蝕刻等將各膜2a 2f在其上面形成的抗蝕劑層R去掉(剝離)。以上舉例說(shuō)明了分別在透明電極14的上面和n包覆層11的上面上同時(shí)形成各膜2a 2f方法，但是也可以將它們各自成膜。另外，如果需要，也可以在抗蝕劑層R去掉后進(jìn)行熱處理。接著，如圖3所示，分別在透明電極14的上面、n包覆層11的上面和各膜2a 2f的側(cè)面和上面的一部分上形成由SiO2構(gòu)成的保護(hù)膜30。保護(hù)膜30通過(guò)例如等離子體CVD等全面地形成SiO2 (膜)后，在除了各膜2a 2f 的頂面的一部分(導(dǎo)線等被接合的部分)以外形成抗蝕劑層，再用氟酸等蝕刻液去掉該部分的SiO2而形成。并且在這時(shí)，也對(duì)第三Ni膜2f進(jìn)行蝕刻，使基底 的Au膜2e露出。通過(guò)這樣的方式，在透明電極14的上面形成n電極21，在n包覆層11的上面形成p電極22。此外，在蝕刻結(jié)束后除掉蝕刻中使用的抗蝕劑層。通過(guò)以上的工序，形成了半導(dǎo)體發(fā)光元件I。但是，由于此階段是晶片的狀態(tài)(襯底10和n包覆層11通用，多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件I成為一體的狀態(tài))，可按需要分割成芯片。這種分割以半導(dǎo)體發(fā)光元件I為單位，一個(gè)芯片包含至少一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件I。在此分割工序中，首先在n包覆層11上形成分割槽。該分割槽可以通過(guò)例如在除了應(yīng)形成分割槽的部分以外的部分形成抗蝕劑層，使用鹵素氣體(例如，SiCl4)的ICP等進(jìn)行蝕刻而形成。此外，在蝕刻結(jié)束后去掉蝕刻中使用的抗蝕劑層。接著，通過(guò)研磨等使襯底10的沒(méi)有形成凹凸的一側(cè)的面(以下稱為背面)變薄。然后，對(duì)該襯底10的背面通過(guò)激光刻線等形成刻線溝。此時(shí)，在與n包覆層11上的分割槽相對(duì)的位置上形成襯底10上的刻線溝。然后，例如通過(guò)將刀片在襯底10的背面?zhèn)刃纬傻目叹€溝中按壓，在刻線溝和分割槽之間割裂，于是晶片被分割。通過(guò)上述分割產(chǎn)生的成為芯片的半導(dǎo)體發(fā)光元件I (以下稱為芯片)，例如通過(guò)引線接合安裝來(lái)進(jìn)行安裝。在這種情況下，發(fā)光層12出射的光從芯片的上面和側(cè)面取向外部。發(fā)光層12出射的光有些被直接取向外部，但是也有些入射到p電極21和n電極22上?？墒牵肷涞絧電極21和n電極22的光經(jīng)p電極21和n電極22中的Al膜2b反射，再在凹凸?fàn)畹囊r底10的表面上被反射，從而能夠自芯片的上面和側(cè)面取向外部。因此，能夠有效地從芯片出射光。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件I和電極成膜方法，成為用Pt膜2d覆蓋Al膜2b的側(cè)面且不在Al膜2b的側(cè)面形成Au膜2e的結(jié)構(gòu)。因此，能夠抑制Al膜2b受腐蝕，同時(shí)可抑制構(gòu)成Al膜2b的Al和構(gòu)成Au膜2e的Au之間相互擴(kuò)散而形成AuAl層。另外，能夠用一種抗蝕劑R容易地在Al膜2b的側(cè)面不存在Au膜2e的結(jié)構(gòu)的電極21、22成膜。因此，能夠抑制電極21、22退化，同時(shí)可用簡(jiǎn)易的方法在電極21、22成膜。<構(gòu)成電極的各膜的優(yōu)選條件>接著，參照

構(gòu)成電極21、22的各個(gè)膜2a 2f的優(yōu)選條件。首先，參照?qǐng)D4和圖5說(shuō)明用來(lái)確保充分的反射率的Al膜2b的膜厚條件。圖4是表示在將Al膜的膜厚設(shè)置成各種大小的情況下光的波長(zhǎng)與反射率的關(guān)系的曲線圖。圖5是表示光的波長(zhǎng)為450n m時(shí)Al膜的膜厚與反射率的關(guān)系的曲線圖。此外，圖4的曲線圖中的縱軸是反射率(%)，橫軸是光的波長(zhǎng)(nm)。另外，圖5的曲線圖的縱軸是反射率(%)，橫軸是Al膜2b的膜厚(nm)。如圖4所示，在大概如上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件I可出射的光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，如果Al膜2b的膜厚小，反射率就低。特別是，如圖5所示，如果使Al膜2b的膜厚小于40nm，反射率就急劇下降。另一方面，如果Al膜2b的膜厚成為40nm以上，反射率就穩(wěn)定地變高。因此，優(yōu)選的是:A1膜2b的膜厚在包含制造偏差的情況下達(dá)到40nm以上。接著，參照?qǐng)D6和圖7說(shuō)明用來(lái)抑制電極21、22的退化的Al膜2b的膜厚條件。圖6是表示Al膜的膜厚與Al膜中發(fā)生的空隙占有率的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示Al膜的膜厚與AuAl層形成率的關(guān)系的曲線圖。此外，圖6的曲線圖的縱軸是Al膜2b的每單位長(zhǎng)度發(fā)生的空隙占有率(%)，橫軸是Al膜2b的膜厚(nm)。另外，圖7的曲線圖中的縱軸是Al膜2b的每單位長(zhǎng)度產(chǎn)生的AuAl層的形成率(%)，橫軸是Al膜2b的膜厚(nm)。本申請(qǐng)的發(fā)明者、對(duì)于在高于LED的保證溫度(14(Tl50 °C )的各種溫度(250^4500C )下以各種時(shí)間加熱電極21、22后得到的各種樣品作了斷面SEM(ScanningElectron Microscope:掃描電子顯微鏡)觀察，求出了 Al膜2b的每單位長(zhǎng)度占有的空隙的長(zhǎng)度即空隙占有率。然后，根據(jù)該觀察結(jié)果得知:A1膜2b的膜厚越大，加熱溫度越高，空隙占有率就越大。特別是，本申請(qǐng)的發(fā)明者根據(jù)該觀察結(jié)果的阿倫尼烏斯圖(Arrhenius plot)求出了 Al膜2b的膜厚與空隙生長(zhǎng)的活化能的關(guān)系。其結(jié)果是，膜厚50nm時(shí)活化能成為0.41eV,膜厚75nm時(shí)活化能成為0.32eV，膜厚IOOnm時(shí)活化能成為0.25eV。即，發(fā)現(xiàn)了這樣的情況:Al膜2b的膜厚越小，空隙生長(zhǎng)的活化能越大，空隙就越難形成。根據(jù)上述結(jié)果，將空隙占有率作了模型化，如下式⑴所示。下式⑴中，S為空隙占有率，S。為初期空隙占有率，C 5為常數(shù)，E a 5為空隙生長(zhǎng)的活化能，k為玻爾茲曼常數(shù)，T為絕對(duì)溫度，t為加熱時(shí)間。S = S0+Cs*EXP(-Eas/kT)* I n (t).(I)圖 6 是將上式(I)應(yīng)用于LED的實(shí)際使用條件得到的曲線圖。具體而言，是將上式(I)中的絕對(duì)溫度T設(shè)為418K(145°C )、加熱時(shí)間t設(shè)為10萬(wàn)小時(shí)，求出Al膜2b的各種膜厚時(shí)的空隙占有率S并畫出曲線而形成的。如圖6所示，如果Al膜2b的膜厚過(guò)大，Al膜2b中的空隙占有率就變大。特別是，如果使Al膜2b的膜厚增大到超過(guò)70nm，Al膜2b中的空隙占有率便急劇上升。另一方面，如果使Al膜2b的膜厚成為70nm以下，則空隙占有率穩(wěn)定地變低。因此，按照適當(dāng)?shù)匾种瓶障栋l(fā)生的觀點(diǎn)，優(yōu)選的是使Al膜2b的膜厚成為70nm以下。同樣地，本申請(qǐng)的發(fā)明者對(duì)于在高于LED的保證溫度(14(Tl5(rC )的各種溫度(25(T450°C )下將電極21、22以各種時(shí)間加熱后得到的各種樣品進(jìn)行斷面SEM觀察，求出了每單位長(zhǎng)度的Al膜2b中所占的AuAl層的長(zhǎng)度即AuAl層形成率。然后，根據(jù)該觀察結(jié)果獲知:A1膜2b的膜厚越大，加熱溫度越高，AuAl層形成率就越大。特別是，本申請(qǐng)的發(fā)明者根據(jù)該觀察結(jié)果的阿倫尼烏斯圖求出了 Al膜2b的膜厚與AuAl層生長(zhǎng)的活化能的關(guān)系。其結(jié)果是，膜厚50nm時(shí)活化能成為1.45eV,膜厚IOOnm時(shí)活化能成為1.22eV，膜厚200nm時(shí)活化能成為0.97eV。即，發(fā)現(xiàn)了這樣的情況:A1膜2b的膜厚越小，AuAl層生長(zhǎng)的活化能就越大，AuAl層就越難以形成(Au和Al的相互擴(kuò)散受到抑制)。根據(jù)上述結(jié)果，將AuAl層形成率作了模型化，如下式(2)所示。下式(2)中、X為AuAl層形成率，CxS常數(shù)，E a x SAuAl層生長(zhǎng)的活化能，k玻爾茲曼常數(shù)，T為絕對(duì)溫度，t為加熱時(shí)間。X = Cx* EXP (-Eax/kT) I n (t) (2)圖7是將上式(2)應(yīng)用于LED的實(shí)際使用條件得到的曲線圖。具體而言，是將上式⑵中的絕對(duì)溫度T設(shè)為4 18K(145°C )、加熱時(shí)間t設(shè)為10萬(wàn)小時(shí)，求出Al膜2b的各種膜厚時(shí)的AuAl層形成率X而得到的曲線圖。如圖7所示，如果Al膜2b的膜厚過(guò)大，AuAl層形成率就變大。特別是，如果使Al膜2b的膜厚超過(guò)150nm，AuAl層形成率就急劇增大。另一方面，如果使Al膜2b的膜厚成為150nm以下，AuAl層形成率就穩(wěn)定地變低。因此，基于適當(dāng)?shù)匾种艫uAl層的形成(Au和Al的相互擴(kuò)散)的觀點(diǎn)，優(yōu)選的是使Al膜2b的膜厚成為150nm以下。如此，通過(guò)使Al膜2b的膜厚成為40nm以上且為70nm以下，能夠在確保充分的反射率的同時(shí)，抑制Al膜2b中產(chǎn)生空隙，又抑制Al和Au相互擴(kuò)散而形成AuAl層。接著，參照?qǐng)D8說(shuō)明第一 Ni膜2a的膜厚條件。圖8是表示光的波長(zhǎng)為450nm時(shí)第一Ni膜的膜厚與反射率的關(guān)系的曲線圖。此外，圖8的曲線圖的縱軸是反射率(%)，橫軸是第一 Ni膜2a的膜厚(nm)。如圖8所示，如果使第一 Ni膜2a的膜厚增大，則反射率降低。特別是，如果使第一Ni膜2a的膜厚超過(guò)4nm大，反射率就急劇降低。另一方面，如果使第一 Ni膜2a的膜厚成為4nm以下，反射率就穩(wěn)定地變高。因此，優(yōu)選的是使第一 Ni膜2a的膜厚成為4nm以下。如此，通過(guò)使第一 Ni膜2a的膜厚成為4nm以下，能夠適當(dāng)?shù)匾种朴捎谠O(shè)置第一 Ni膜2a而使光反射率降低。并且，參照?qǐng)D9說(shuō)明第一 Ni膜2a的膜厚條件。圖9是表示第一 Ni膜的膜厚與電極的剝離強(qiáng)度的關(guān)系的曲線圖。此外，圖9的曲線圖的縱軸是電極21、22的剝離強(qiáng)度(gF:克力)，橫軸是第一 Ni膜2a的膜厚(nm)。這里，所謂剝離強(qiáng)度是指將對(duì)象物(本例的電極21,22)從粘附表面剝離所需的力。另外，圖9中將電極21、22的剝離強(qiáng)度的單位設(shè)為gF(克力)，lgF 9.8 X IO^3N0如圖9所示，如果使第一 Ni膜2a的膜厚成為小于2nm，則電極21、22的剝離強(qiáng)度急劇減小。另一方面，如果使第一 Ni膜2a的膜厚成為2nm以上，則電極21、22的剝離強(qiáng)度穩(wěn)定地變高。因此，優(yōu)選的是使第一 Ni膜2a的膜厚成為2nm以上。如此，通過(guò)使第一 Ni膜2a的膜厚成為2nm以上，可增大電極21、22的剝離強(qiáng)度，能夠防止電極21、22的一部分或全部被剝離。因此，能夠提高半導(dǎo)體發(fā)光元件I的成品率，同時(shí)抑制半導(dǎo)體發(fā)光元件I的使用過(guò)程中發(fā)生缺陷。接著，參照?qǐng)D10說(shuō)明第一 Ni膜2a的成膜條件。圖10是表示第一 Ni膜的成膜速度與批間膜厚偏差的關(guān)系的曲線圖。此外，圖10的曲線圖中的縱軸以3 O (nm)標(biāo)示第一 Ni膜2a的批間膜厚偏差，橫軸是第一 Ni膜2a的成膜速度(nm/sec)。這里，3o是指標(biāo)準(zhǔn)差的3倍，幾乎所有的數(shù)據(jù)(膜厚)被包括在平均値±3o的范圍內(nèi)(在偏差為正態(tài)分布的情況下，則99.7%的數(shù)據(jù)(膜厚)屬于該范圍內(nèi))。因此，3 O小，數(shù)據(jù)(膜厚)的整體的偏差就小，數(shù)據(jù)(膜厚)集中在預(yù)定値附近。如圖10所示，如果使第一 Ni膜2a的成膜速度成為大于0.05nm/SeC，則批間膜厚偏差3 O急劇增大。另一方面,如果使第一 Ni膜2a的成膜速度成為0.05nm/sec以下,貝Ij批間膜厚偏差3 O穩(wěn)定地變小(在圖10的例中大致為0)。因此，優(yōu)選的是使第一 Ni膜2a的成膜速度成為0.05nm/sec以下。此外,第一 Ni膜2a的成膜速度當(dāng)然要大于Onm/sec。如此，能夠通過(guò)使第一 Ni膜2a的成膜速度成為0.05nm/sec以下來(lái)使膜厚的偏差變小，因此能夠良好地再現(xiàn)獲得符合設(shè)計(jì)要求的半導(dǎo)體發(fā)光元件I。并且，由于能夠使第一Ni膜2a的膜厚均勻化，能夠提高第一 Ni膜2a的附著性。因此，能夠防止電極21、22的剝離，同時(shí)降低接觸電阻。接著，參照?qǐng)D11和圖12說(shuō)明Pt膜2d的膜厚條件。此外，以下為了便于說(shuō)明，將上面方向的膜厚如前稱為“膜厚”，不過(guò)將側(cè)面方向的膜厚(特別是，Al膜2b的側(cè)面方向上的膜厚)稱為“側(cè)面膜厚” ，以示區(qū)別。圖11 (a)是表示在依次形成第一 Ni膜2a、Al膜2b、第二 Ni膜2c、Pt膜2d、Au膜2e(連續(xù)成膜)的過(guò)程中，膜厚的累積値(累積膜厚)與側(cè)面膜厚的關(guān)系的曲線圖，圖11(b)是說(shuō)明側(cè)面覆蓋率的示意圖。此外，在圖11(a)的實(shí)線的曲線圖中，縱軸是Pt膜2d和Al!膜2e的側(cè)面膜厚(nm)，橫軸是累積膜厚(nm)。另外，圖11(a)的點(diǎn)劃線的曲線圖中，縱軸是Pt膜2d和Au膜2e的側(cè)面覆蓋率(%)，橫軸是累積膜厚(nm)。另外，圖11 (a)所示的曲線圖例示出第一 Ni膜2a的膜厚為4nm、Al膜2b的膜厚為50nm、第二 Ni膜2c的膜厚為40nm的情況。另外，圖12是表示Pt膜的膜厚與Au膜的側(cè)面膜厚的關(guān)系的曲線圖。此外，圖12的曲線圖中的縱軸是Au膜2e的側(cè)面膜厚，橫軸是Pt膜2d的膜厚。如圖11(a)的實(shí)線的曲線圖所示，在Al膜2b的側(cè)面成膜的Pt膜2d的側(cè)面膜厚到膜厚成為200nm為止一直增加，如果膜厚成為200nm以上，側(cè)面膜厚就在20nm以上的値處成為恒定。即，一旦Pt膜2d的膜厚成為200nm以上后，Pt膜2d和Au膜2e就不在Al膜2b的側(cè)面形成，僅在朝上的方向上形成Pt膜2d和Au膜2e?；趥?cè)面覆蓋率說(shuō)明同樣的情況。此外，如圖11(b)所示，所謂側(cè)面覆蓋率是側(cè)面膜厚的成膜速度(增加量)IY除以膜厚的成膜速度(增加量)Tv所得的値0Y/Tv)。
如圖11(a)的點(diǎn)劃線曲線圖所示，Pt膜2d和Au膜26的成膜隨著整體膜厚的增加而進(jìn)行，在Pt膜2d成膜開(kāi)始時(shí)為15%以上的側(cè)面覆蓋率逐漸下降。即，Pt膜2d的膜厚越增加，在Al膜2b的側(cè)面Pt膜2d和Au膜2e就越難以形成。然后，Pt膜2d的膜厚一旦成為200nm以上，側(cè)面覆蓋率即成為0%。S卩，Pt膜2d的膜厚一旦成為200nm以上，在Al膜2b的側(cè)面就不再形成Pt膜2d和Au膜2e。另外，如圖12所示，如果Pt膜2d的膜厚設(shè)定為小于200nm，Au膜2e的側(cè)面膜厚大于Onm(在Al膜2b的側(cè)面方向上形成Au膜2e)。另一方面，如果Pt膜2d的膜厚設(shè)定為200nm以上，則Au膜2e的側(cè)面膜厚成為Onm(在Al膜2b的側(cè)面方向上不形成Au膜2e)。因此，利用該特性，通過(guò)將Pt膜2d的膜厚設(shè)定成200nm以上，能夠防止在Au膜2e的成膜階段有Au膜2e形成于Al膜2b的側(cè)面。另一方面，考慮到每個(gè)制品的偏差等，優(yōu)選的是:Pt膜2d的膜厚設(shè)定為上述的下限値即200nm以上。但是，如果Pt膜2d的膜厚過(guò)大，則不可取，因?yàn)樾枰脑狭孔兇?，制造工序所花費(fèi)時(shí)間加長(zhǎng)。因此，使Pt膜2d的膜厚成為例如300nm以下為好。具體而言，例如，假定每個(gè)制品的偏差±50nm左右，則將Pt膜2d設(shè)定為250nm為好。如此，優(yōu)選的是使Pt膜2d的膜厚成為200nm以上且300nm以下。在這種情況下，能夠很可靠地獲得具有Al膜2b的側(cè)面不存在Au膜2e的結(jié)構(gòu)的電極21、22。另外，能夠在Al膜2b的側(cè)面形成可適當(dāng)?shù)匾种齐姌O21、22的退化的側(cè)面膜厚(20nm以上)的足夠大的Pt膜2d。并且，能夠抑制不必要地將Pt膜2d形成得很厚的情況。接著，參照?qǐng)D13分別就滿足上述條件的半導(dǎo)體發(fā)光元件I (以下稱實(shí)施例)的操作例以及不滿足上述條件的不設(shè)反射膜的半導(dǎo)體發(fā)光元件(以下稱比較例)的操作例進(jìn)行說(shuō)明。圖13是表示實(shí)施例和比較例的各自的操作例的曲線圖。圖13的曲線圖表示各個(gè)波長(zhǎng)的光輸出功率，這些光功率是在半導(dǎo)體發(fā)光元件被供給預(yù)定電流(例如，8 5mA)而射出的光通過(guò)積分球聚光后測(cè)量的結(jié)果。此外，圖13中，用 表示實(shí)施例的操作結(jié)果，用□表示比較例的操作結(jié)果。此外，圖12的曲線圖的縱軸是光輸出功率(mW)，橫軸是波長(zhǎng)(nm)。如圖13所示，在發(fā)光波長(zhǎng)的總體上看，實(shí)施例的出射光的光輸出功率大于比較例的出射光的光輸出功率(本例的情況是，3.8mff左右，比例為4%左右)。即，與比較例相比，實(shí)施例中能夠更有效地出射光。另外，對(duì)于實(shí)施例進(jìn)行了高溫高濕偏壓試驗(yàn)(溫度:85°C、濕度:85%、反向偏壓:_5V、驅(qū)動(dòng)時(shí)間:1000小時(shí))，確認(rèn)了不存在驅(qū)動(dòng)電壓特性、光輸出功率特性、耐壓特性上的問(wèn)題，同時(shí)確認(rèn)了也不存在腐蝕問(wèn)題。另外，參照?qǐng)D14和圖15說(shuō)明實(shí)際使用條件下(溫度:145°C )的實(shí)施例的空隙發(fā)生率以及AuAl層形成率。圖14是表示實(shí)施例的實(shí)際使用條件下的經(jīng)過(guò)時(shí)間與Al膜中發(fā)生的空隙占有率的關(guān)系的曲線圖。另外，圖15是表示實(shí)施例的實(shí)際使用條件下的經(jīng)過(guò)時(shí)間與AuAl層形成率的關(guān)系的曲線圖。此外，圖14的曲線圖是設(shè)Al膜2b的膜厚為70nm的情況下根據(jù)上式(I)求出的，而圖15的曲線圖是設(shè)Al膜2b的膜厚為70nm的情況下根據(jù)上式
(2)求出的。另外，圖14的曲線圖的縱軸是每單位長(zhǎng)度的Al膜2b發(fā)生的空隙占有率(%)，橫軸是實(shí)際使用條件下的經(jīng)過(guò)時(shí)間(h)。另外，圖15的曲線圖的縱軸是每單位長(zhǎng)度的Al膜2b發(fā)生的AuAl層的形成率(%)，橫軸是實(shí)際使用條件下的經(jīng)過(guò)時(shí)間(h)。
如圖14所示，經(jīng)過(guò)10萬(wàn)小時(shí)后的空隙發(fā)生率為1.8%。另一方面，如圖15所示，經(jīng)過(guò)10萬(wàn)小時(shí)后的AuAl層形成率為8X 10_5%。這兩個(gè)値均達(dá)到了在半導(dǎo)體發(fā)光元件的可靠性上不存在問(wèn)題的程度?！唇Y(jié)構(gòu)變形〉上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件I的結(jié)構(gòu)僅為舉例，可以適當(dāng)?shù)刈兏?。例如，半?dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)If 14可以采用公知的任何結(jié)構(gòu)。但是，優(yōu)選的是:半導(dǎo)體發(fā)光元件是具有發(fā)光層和對(duì)該發(fā)光層供電的電極的結(jié)構(gòu)。另外，上述的p電極21和n電極22的結(jié)構(gòu)僅為舉例，只要設(shè)有將發(fā)光層12出射的光的至少一部分反射的反射膜、焊盤膜以及抑制反射膜和焊盤膜的反應(yīng)的阻擋膜，采用任何結(jié)構(gòu)都行。另外，上述的示例中，例示了構(gòu)成p電極21和n電極22的各個(gè)膜2a 2f由I種金屬構(gòu)成的情況，這些膜中的至少一個(gè)也可以含有多種金屬。另外，構(gòu)成P電極21和n電極22的各自的膜2a 2f的一部分或全部可以與上述的示例不同。例如，例示了阻擋膜為Pt結(jié)構(gòu)的情況，然而阻擋膜也可以由其他材料構(gòu)成。但是，基于適當(dāng)?shù)匾种齐姌O21、22的退化的觀點(diǎn)，優(yōu)選的是:至少由熔點(diǎn)高于構(gòu)成反射膜的材料(Al)和構(gòu)成焊盤膜的材料(Au)的高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成(例如，含有Pt、Mo和W中的至少一種)。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件和電極成膜方法，適合用于照明裝置等中安裝的LED 等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，包括: 具有被供電而發(fā)光的發(fā)光層的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)；以及 在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上形成的電極， 所述電極包括: 將所述發(fā)光層出射的光進(jìn)行反射的反射膜； 在所述反射膜的上方和側(cè)面形成的阻擋膜；以及 僅在所述阻擋膜的上面形成的焊盤膜。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述反射膜由Al構(gòu)成，所述焊盤膜由Au構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述反射膜的膜厚為40nm以上且為70nm以下。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述阻擋膜由熔點(diǎn)高于Al和Au的高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4 所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述阻擋膜含有Pt、Mo和W中的至少一種。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述阻擋膜的膜厚為200nm以上。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述阻擋膜的膜厚為300nm以下。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 在所述反射膜的側(cè)面形成的所述阻擋膜的膜厚為20nm以上。
9.如權(quán)利要求廣8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述電極還包括與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的上表面接觸的接觸膜， 所述反射膜形成于所述接觸膜的上面。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述接觸膜由Ni構(gòu)成，其膜厚為4nm以下。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述接觸膜由Ni構(gòu)成，其膜厚為2nm以上。
12.—種電極成膜方法,其特征在于,包括: 抗蝕劑層形成工序，其中在具有被供電而發(fā)光的發(fā)光層的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上形成突出形狀的抗蝕劑層； 反射膜形成工序，其中在形成了所述抗蝕劑層的表面上形成反射膜； 阻擋膜形成工序，其中在所述反射膜形成工序后形成阻擋膜； 焊盤膜形成工序，其中在所述阻擋膜形成工序后形成焊盤膜；以及 剝離工序，其中在所述焊盤膜形成工序后去掉所述抗蝕劑層， 成為基底的膜的側(cè)面的成膜速度除以在成為該基底的膜的上面的成膜速度所得的値，即側(cè)面覆蓋率，在所述阻擋膜形成工序的開(kāi)始時(shí)刻為15%以上，在所述阻擋膜形成工序的結(jié)束時(shí)刻以及所述焊盤膜形成工序中為0%。
13.如權(quán)利要求12所述的電極成膜方法，其特征在于，所述反射膜形成工序、所述阻擋膜形成工序和所述焊盤膜形成工序通過(guò)連續(xù)成膜形成所述反射膜、所述阻擋膜和所述焊盤膜。
14.如權(quán)利要求12所述的電極成膜方法，其特征在于， 所述阻擋膜形成工序的結(jié)束時(shí)刻的所述阻擋膜的膜厚為200nm以上。
15.如權(quán)利要求12 14中任何一項(xiàng)所述的電極成膜方法，其特征在于， 在所述抗蝕劑層形成工序和所述反射膜形成工序之間還包括接觸膜形成工序，所述接觸面形成工序形成與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的上表面接觸的接觸膜， 所述接觸膜形成工序中的所述接觸膜的成膜速度為大于Onm/sec且在0.05nm/sec以下。
全文摘要
本發(fā)明提供了設(shè)有可用簡(jiǎn)易的方法制造且不易退化的電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件及電極成膜方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件(1)包括具有被供電而發(fā)光的發(fā)光層(12)的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)(10~14)和在半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)(10~14)上形成的電極(21、22)。電極(21、22)包括將發(fā)光層(12)出射的光進(jìn)行反射的反射膜(2b)、在反射膜(2b)上方和側(cè)面形成的阻擋膜(2d)和僅在阻擋膜(2d)的上面形成的焊盤膜(2e)。
文檔編號(hào)H01L33/40GK103208573SQ20131000695
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2013年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者佐藤智久, 森淳 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社