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具有改善的發(fā)光質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光裝置的制作方法

文檔序號(hào):7110042閱讀:142來源:國知局
專利名稱:具有改善的發(fā)光質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
各實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光裝置,其通過減少像素之間的泄漏電流而具有改善的發(fā)光質(zhì)量。
背景技術(shù)
近年來,有機(jī)發(fā)光裝置在顯示技術(shù)的領(lǐng)域中備受矚目。有機(jī)發(fā)光裝置發(fā)射當(dāng)電子和空穴耦合在一起然后變少時(shí)產(chǎn)生的光。有機(jī)發(fā)光裝置基本上包括用于注入空穴的電極、用于注入電子的電極以及發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光裝置具有發(fā)光層被層疊于陽極(即,用于注入空穴的電極)與陰極(即,用于注入電子的電極)之間的結(jié)構(gòu)。更具體地,電子被注入有機(jī)發(fā)光裝置的陰極,而空穴被注入有機(jī)發(fā)光裝置的陽極。當(dāng)電荷(空穴和電子)通過外部電場在相反的方向移動(dòng),電荷在發(fā)光層中耦合在一起并隨后變少時(shí),發(fā)射光。有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光層包括有機(jī)單體或有機(jī)聚合物。近年來,隨著顯示器的分辨率變高,像素的分辨率(ppi)增加,而像素之間的間隔逐漸減小。另外,近來隨著用于有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光材料的效率提高,能夠通過低電流和低電壓實(shí)現(xiàn)高亮度,從而能夠降低功耗。然而,由于能夠通過少量電流發(fā)射光(因?yàn)橛糜谟袡C(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光材料的高效率),所以由從一個(gè)像素泄漏到另一個(gè)相鄰像素的極少量的電流就可能發(fā)射光。因此,不應(yīng)發(fā)射光的相鄰像素常常會(huì)發(fā)射光。因泄漏電流而發(fā)射的光被稱為泄漏發(fā)射光。如果產(chǎn)生了泄漏發(fā)射光,就會(huì)產(chǎn)生顏色混合并改變顏色坐標(biāo)。此外,當(dāng)由于泄漏電流而導(dǎo)致的泄漏發(fā)光在低亮度區(qū)中產(chǎn)生時(shí),黑色亮度會(huì)增加。具體地,綠色發(fā)光材料具有高效率。因此,當(dāng)與綠色像素相鄰的紅色像素或藍(lán)色像素被驅(qū)動(dòng)時(shí),相鄰的綠色像素可能因來自紅色或藍(lán)色驅(qū)動(dòng)像素的電流泄漏而發(fā)射光。泄漏發(fā)射光是因發(fā)光材料的效率和顯示器的分辨率增加而產(chǎn)生的現(xiàn)象之一。因此,可以采用降低發(fā)光材料的效率或者降低顯示裝置的分辨率的方法來抑制泄漏發(fā)射光。然而,對(duì)于低功率/高分辨率的產(chǎn)品的需求也在近年增加。因而,必須在不降低發(fā)光材料的效率或者不降低顯示裝置的分辨率的情況下解決泄漏發(fā)射光的問題。因此,需要在不降低利用高效發(fā)光材料的顯示單元的分辨率的情況下用于抑制因泄漏電流而產(chǎn)生的泄漏發(fā)射光的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
—個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式可提供一種有機(jī)發(fā)光裝置,包括:基底部;構(gòu)圖的第一電極,位于所述基底部上;傳導(dǎo)材料層,與構(gòu)圖的所述第一電極間隔開,并且位于所述第一電極之間;像素限定層,位于構(gòu)圖的所述第一電極之間,所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊;發(fā)光層,位于所述第一電極上;以及第二電極,位于所述發(fā)光層上。該有機(jī)發(fā)光裝置還可包括在所述發(fā)光層與所述第一電極之間的至少一個(gè)第一輔助發(fā)光層。所述第一輔助發(fā)光層可包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
該有機(jī)發(fā)光裝置還可包括在所述發(fā)光層與所述第二電極之間的第二輔助發(fā)光層。所述第二輔助發(fā)光層可包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一個(gè)。所述第一電極可以是像素電極。所述第一電極可以是陽極,所述第二電極可以是陰極。包含于所述傳導(dǎo)材料層中的材料與包含于所述第一電極中的材料可以是相同的。所述傳導(dǎo)材料層可包括透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層和金屬層中的至少一個(gè)。所述透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層可包括ITO層、IZO層以及AZO層中的至少一個(gè)。所述金屬層可包括銀(Ag)層、銅(Cu)層以及鋁(Al)層中的至少一個(gè)。所述傳導(dǎo)材料層可包括按以下順序?qū)盈B的ITO層、銀(Ag)層以及ITO層。所述傳導(dǎo)材料層可電連接至電壓比所述第一電極的電壓低的端子。所述傳導(dǎo)材料層可電連接至陰極。所述傳導(dǎo)材料層可位于所述第一電極之間,并且具有網(wǎng)狀形狀、線形形狀或者梳狀形狀。所述發(fā)光層可包括紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層以及藍(lán)色發(fā)光層,所述傳導(dǎo)材料層可包圍與所述綠色發(fā)光層對(duì)應(yīng)的第一電極。所述基底部可包括襯底、TFT層以及平坦絕緣層。所述基底部可以是襯底。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式可提供一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法,包括:在基底部上形成第一電極的圖案;在構(gòu)圖的所述第一電極之間形成傳導(dǎo)材料層,所述傳導(dǎo)材料層與所述第一電極間隔開;在構(gòu)圖的所述第一電極之間形成像素限定層(PDL),所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊;在所述第一電極上形成發(fā)光層;以及在所述發(fā)光層上形成第二電極。該方法還可包括在形成所述像素限定層之后并在形成所述發(fā)光層之前,形成至少一個(gè)第一輔助發(fā)光層。形成所述第一輔助發(fā)光層的步驟可包括形成空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。該方法還可包括在形成所述發(fā)光層之后并在形成所述第二電極之前,形成至少一個(gè)第二輔助發(fā)光層。形成所述第二輔助發(fā)光層的步驟可包括形成電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。形成所述傳導(dǎo)材料層的步驟和形成所述第一電極的所述圖案的步驟可同時(shí)執(zhí)行。形成所述傳導(dǎo)材料層的步驟可包括形成透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層和金屬層中的至少一個(gè)。所述透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層可包括ITO層、IZO層以及AZO層中的至少一個(gè)。所述金屬層可包括銀(Ag)層、銅(Cu)層以及鋁(Al)層中的至少一個(gè)。形成所述傳導(dǎo)材料層的步驟可包括按以下順序形成ITO層;形成銀(Ag)層以及形成ITO層。所述傳導(dǎo)材料層可以網(wǎng)狀形狀、線形形狀以及梳狀形狀中的任意一種形狀形成。形成所述發(fā)光層的步驟可包括形成紅色發(fā)光層、形成綠色發(fā)光層以及形成藍(lán)色發(fā)光層,以及所述傳導(dǎo)材料層可被形成為包圍與所述綠色發(fā)光層對(duì)應(yīng)的第一電極。所述第一電極可以是陽極,所述第二電極可以是陰極,以及形成所述第二電極的步驟可包括將所述傳導(dǎo)材料層電連接至所述第二電極。該方法還可包括:在形成所述傳導(dǎo)材料層期間或者之后,將所述傳導(dǎo)材料層電連接至接地端子,其中所述有機(jī)發(fā)光裝置包括所述接地端子,所述接地端子的電壓比所述第一電極的電壓低?!N有機(jī)發(fā)光裝置,可包括:基底部;第一電極圖案,位于所述基底部上;傳導(dǎo)材料層,與所述第一電極圖案間隔開,并且設(shè)置在所述第一電極圖案之間;像素限定層,位于所述第一電極圖案之間,所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊;至少一個(gè)第一輔助發(fā)光層,位于所述第一電極圖案、所述傳導(dǎo)材料層以及所述像素限定層上;發(fā)光層,位于所述第一輔助發(fā)光層上;至少一個(gè)第二輔助發(fā)光層,位于所述發(fā)光層上;以及第二電極,位于所述第二輔助發(fā)光層上,其中,所述發(fā)光層形成在所述第一電極圖案上。所述第一輔助發(fā)光層可包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。所述第二輔助發(fā)光層可包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一個(gè)。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式可提一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法,包括:在基底部上形成第一電極圖案;在所述第一電極圖案之間形成傳導(dǎo)材料層,所述傳導(dǎo)材料層與所述第一電極圖案間隔開;在所述第一電極圖案之間形成像素限定層,所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊;在所述第一電極圖案、所述傳導(dǎo)材料層以及所述像素限定層上形成至少一個(gè)第一輔助發(fā)光層;在所述第一輔助發(fā)光層上形成發(fā)光層;在所述發(fā)光層上形成至少一個(gè)第二輔助發(fā)光層;以及在所述第二輔助發(fā)光層上形成第二電極,其中,所述發(fā)光層形成在所述第一電極圖案上。形成所述第一輔助發(fā)光層的步驟可包括形成空穴注入層以及形成空穴傳輸層中的至少一個(gè)步驟。形成所述第二輔助發(fā)光層的步驟可包括形成電子注入層以及形成電子傳輸層中的至少一個(gè)步驟。所述第一電極可以是陽極,所述第二電極可以是陰極,以及形成所述第二電極的步驟可包括將所述傳導(dǎo)材料層電連接至所述第二電極。該方法還可包括:在形成所述傳導(dǎo)材料層期間或者之后,將所述傳導(dǎo)材料層電連接至接地端子,其中所述有機(jī)發(fā)光裝置包括所述接地端子,所述接地端子的電壓比所述第一電極的電壓低。


通過以下詳細(xì)的說明連同考慮附圖,各實(shí)施方式的以上和其它對(duì)象、特征以及優(yōu)勢將更加顯而易見,在附圖中:圖1概略地示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示例;圖2A至2D概略地示出了根據(jù)實(shí)施方式在有機(jī)發(fā)光裝置中的傳導(dǎo)材料層800的平面設(shè)置;圖3A是示出在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光裝置中的泄漏電流的流動(dòng)的電路圖;圖3B是示出在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置中的泄漏電流的流動(dòng)的電路圖,其中電流沒有泄漏到相鄰像素;圖4A至4H概略地示出了根據(jù)實(shí)施方式在制造有機(jī)發(fā)光裝置的過程中的各階段的示例;圖5A和5B示出了根據(jù)實(shí)施方式的、通過防止有機(jī)發(fā)光裝置中的泄漏電流而沒有產(chǎn)生泄漏發(fā)射光的狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式在下文中,將參考附圖更詳細(xì)地描述示例性實(shí)施方式。然而,實(shí)施方式的范圍不限于以下所描述的實(shí)施方式和附圖。作為參考,為了幫助理解實(shí)施方式,在附圖中的元件及其形狀可以被圖示或夸大。在附圖中,相同的參考標(biāo)號(hào)指示相同的元件。另外,當(dāng)描述一層或元件“在”另一層或元件“上”時(shí),該層或元件不僅可以直接地接觸另一層或元件,還可以在它們之間插入有第三層或元件。圖1概略地示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置。該有機(jī)發(fā)光裝置在顯示面板中使用。因此,該裝置有時(shí)被稱為有機(jī)發(fā)光顯示裝置。然而,在本文中使用術(shù)語“有機(jī)發(fā)光裝置”。圖1中的有機(jī)發(fā)光裝置可包括基底部100 ;構(gòu)圖于基底部100上的第一電極200 ;與構(gòu)圖的第一電極200間隔開并形成在第一電極200之間的傳導(dǎo)材料層800 ;在構(gòu)圖的第一電極200之間的像素限定層300 ;形成在第一電極200上的發(fā)光層510、520和530 ;以及形成在發(fā)光層510、520和530上的第二電極700。圖1中示出的有機(jī)發(fā)光裝置可包括第一輔助發(fā)光層400和第二輔助發(fā)光層600,第一輔助發(fā)光層400形成在發(fā)光層510、520和530與第一電極200之間,第二輔助發(fā)光層600形成在發(fā)光層510、520和530與第二電極700之間。發(fā)光層510、520和530、第一輔助發(fā)光層400以及第二輔助發(fā)光層600可對(duì)應(yīng)于有機(jī)層。參見圖1,傳導(dǎo)材料層800可形成在第一電極200之間,例如,第一電極200和傳導(dǎo)材料層800可以是交替的。像素限定層300可形成為使得傳導(dǎo)材料層800的上表面800a的一部分是開放的,即,未被像素限定層300覆蓋。例如,像素限定層300可以與傳導(dǎo)材料層800僅部分地交疊。像素限定層300可形成在第一電極200與傳導(dǎo)材料層800之間,例如,一個(gè)像素限定層300可以位于第一電極200與相鄰的傳導(dǎo)材料層800之間。像素限定層(PDL)300可以僅覆蓋第一電極200和傳導(dǎo)材料層800的上表面的一部分。第一電極200和傳導(dǎo)材料層800的上表面的剩余部分可以是開放的,即,未被像素限定層300覆蓋。第一電極200可以由像素限定層300限定在像素單元中。例如,與第一電極200中的每個(gè)相鄰的像素限定層300可限定像素。在第一電極200上可形成有發(fā)光層510、520以及530,發(fā)光層510、520以及530可由像素限定層300限定在像素單元中。發(fā)光層510、520以及530可包括紅色發(fā)光層510、綠色發(fā)光層520以及藍(lán)色發(fā)光層530。發(fā)光層510、520以及530可分別包括紅色發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料以及藍(lán)色發(fā)光材料。發(fā)光材料可以是有機(jī)材料。本領(lǐng)域已知的任何適當(dāng)?shù)陌l(fā)光材料均可用于發(fā)光層510、520以及 530。從圖1中能夠看到,第一輔助發(fā)光層400可以形成在第一電極200、傳導(dǎo)材料層800以及像素限定層300的整個(gè)上表面上。第一輔助發(fā)光層400可以是空穴注入層和/或空穴傳輸層。第一輔助發(fā)光層400可包括兩個(gè)層,并且可分別包括空穴注入層和空穴傳輸層。在圖1的實(shí)施方式中示出的是,第一輔助發(fā)光層400是具有空穴注入功能和空穴傳輸功能的空穴注入傳輸層。第二輔助發(fā)光層600可以是電子注入層和/或電子傳輸層。第二輔助發(fā)光層600可包括兩個(gè)層,并且可分別包括電子注入層和電子傳輸層。在圖1的實(shí)施方式中示出的是,第二輔助發(fā)光層600是電子傳輸層。在圖1的實(shí)施方式中,第一電極200可以是用作像素電極的陽極,而第二電極700可以是用作公共電極的陰極。用作陽極的第一電極200可以以構(gòu)圖的形式形成在基底部100 上。第一電極200可以向紅色發(fā)光層510、綠色發(fā)光層520以及藍(lán)色發(fā)光層530供給電荷。形成在第一電極200上的紅色發(fā)光層510、綠色發(fā)光層520以及藍(lán)色發(fā)光層530可分別成為紅色像素、綠色像素以及藍(lán)色像素。
第二電極700 (S卩,陰極)可以形成在第二輔助發(fā)光層600的整個(gè)上表面上。圖2A至2D示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置中的傳導(dǎo)材料層800的示例性平
面設(shè)置。根據(jù)一些實(shí)施方式,如圖2A所不,傳導(dǎo)材料層800可以在構(gòu)圖的第一電極200之間形成網(wǎng)狀配置。例如,傳導(dǎo)材料層800可包圍每個(gè)第一電極的周邊。根據(jù)一些實(shí)施方式,如圖2B所示,傳導(dǎo)材料層800可包括彼此平行延伸的線形或直線部分。根據(jù)一些實(shí)施方式,如圖2C所示,在每個(gè)構(gòu)圖的第一電極200之間,傳導(dǎo)材料層800可以是梳狀的,其包括水平底部以及從底部垂下的豎直延伸部。如圖2D所示,傳導(dǎo)材料層800可形成為阱(trap),例如,用于包圍特定類型(S卩,選定的類型)的發(fā)光層的任何適當(dāng)?shù)男螤?。例如,傳?dǎo)材料層800可包圍與綠色發(fā)光層520對(duì)應(yīng)的第一電極200。綠色發(fā)光材料具有很高的效率。因此,發(fā)射光的泄漏會(huì)主要在綠色發(fā)光層中產(chǎn)生。因而,傳導(dǎo)材料層800可包圍與綠色發(fā)光層520對(duì)應(yīng)的第一電極200。如圖1所示,傳導(dǎo)材料層800可以形成在第一電極200之間,并且可以與第一電極200間隔開。例如,每個(gè)傳導(dǎo)材料層800可以隔開兩個(gè)相鄰的第一電極200。傳導(dǎo)材料層800可以與第一電極200電分隔。因此,像素限定層300也可形成在傳導(dǎo)材料層800與第一電極200之間。像素限定層300可以由絕緣材料形成。本領(lǐng)域已知的任何適當(dāng)?shù)牟牧暇捎糜谙袼叵薅▽?00。像素限定層還可被稱為隔墻(separation wall)或像素限定線(PDL)。在本文中使用措辭“像素限定層”。像素限定層300可以形成在第一電極200之間,以在像素單元中限定第一電極200。例如,與每個(gè)第一電極200相鄰的像素限定層300可以限定像素。像素限定層300還可以形成在第一電極200與傳導(dǎo)材料層800之間。像素限定層300可以不完全覆蓋傳導(dǎo)材料層800,即,可以與傳導(dǎo)材料層800僅部分地交疊。例如,像素限定層300可以僅覆蓋第一電極200和傳導(dǎo)材料層800的上表面800a的一部分。第一電極200和傳導(dǎo)材料層800的上表面的剩余部分可以是開放的,即,未被像素限定層300覆蓋。在傳導(dǎo)材料層800上可設(shè)置有第一輔助發(fā)光層400。第一輔助發(fā)光層400可以形成在第一電極200、傳導(dǎo)材料層800以及像素限定層300的整個(gè)上表面上。由于傳導(dǎo)材料層800可以以上述方式形成,所以在一個(gè)發(fā)光層510中產(chǎn)生的泄漏電流IL可以不流入相鄰的發(fā)光層520中,而是聚集在傳導(dǎo)材料層800中。因此,可以防止泄漏電流IL流入相鄰的發(fā)光層520中。傳導(dǎo)材料層800可以電連接至電壓比第一電極200的電壓低的端子。作為示例,傳導(dǎo)材料層800可以電連接到陰極700。傳導(dǎo)材料層800也可以連接到單獨(dú)的端子,并且可連接到接地端子。由于傳導(dǎo)材料層800可連接到陰極或接地端子,所以已聚集在傳導(dǎo)材料層800中的泄漏電流IL可以容易地釋放。因此,可以防止在與產(chǎn)生泄漏電流IL的發(fā)光層510相鄰的發(fā)光層520中產(chǎn)生泄漏發(fā)射光。就這一點(diǎn)而言,圖3A示出了在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光裝置中的泄漏電流的流動(dòng)。圖3B示出了在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置中的泄漏電流的流動(dòng)。從圖3A能夠看到,產(chǎn)生于紅色發(fā)光層510中的泄漏電流IL流入相鄰的綠色發(fā)光層520中。即使當(dāng)泄漏電流IL構(gòu)成較少的量時(shí),其仍可能導(dǎo)致綠色發(fā)光層520發(fā)射光。
從圖3B能夠看到,在產(chǎn)生于紅色發(fā)光層510中的泄漏電流IL流入綠色發(fā)光層520中之前,其流經(jīng)由傳導(dǎo)材料層800新形成的路徑PL (泄漏路徑)。當(dāng)傳導(dǎo)材料層800電連接到陰極時(shí),泄漏電流將流到陰極,當(dāng)傳導(dǎo)材料層800連接到單獨(dú)的接地端子時(shí),泄漏電流將流到接地線。因此,防止了在與產(chǎn)生泄漏電流的發(fā)光層510相鄰的發(fā)光層520中產(chǎn)生泄漏發(fā)射光。根據(jù)一些實(shí)施方式,傳導(dǎo)材料層800可以由與第一電極200相同的材料形成。根據(jù)一些實(shí)施方式,傳導(dǎo)材料層800可以由與第一電極200不同的材料形成。傳導(dǎo)材料層800可以是單層或者多個(gè)層疊的層。傳導(dǎo)材料層800可包括透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層和金屬層中的至少一種。透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層可包括本領(lǐng)域通常使用的適當(dāng)材料。例如,透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層可包括選自ITO層、IZO層以及AZO層中的至少一種。金屬層也可包括本領(lǐng)域通常使用的適當(dāng)材料。例如,金屬層可包括選自銀(Ag)層、銅(Cu)層以及鋁(Al)層中的至少一種材料。而且,傳導(dǎo)材料層800也可以由除了以上列出的材料之外的材料形成。傳導(dǎo)材料層800可包括:例如包含廣泛用于透明電極材料的ITO的層以及包含具有良好傳導(dǎo)性的銀(Ag)的層。傳導(dǎo)材料層800可包括例如層疊的結(jié)構(gòu),其中相繼層疊有ITO層、銀(Ag)層以及ITO層。根據(jù)一些實(shí)施方式,基底部100可包括襯底、TFT層以及平坦絕緣層。基底部100可以僅包括襯底。因此,根據(jù)一些實(shí)施方式,基底部100可以是襯底。為了簡化,圖1沒有示出基底部100的全部個(gè)體元件。圖4A至4H概略地示出了根據(jù)實(shí)施方式在制造有機(jī)發(fā)光裝置的過程中的階段??梢允紫戎苽浠撞?00,并且可以向基底部100施加用于形成第一電極和傳導(dǎo)材料層的材料201 (圖4A)。根據(jù)一些實(shí)施方式,制備基底部100的過程可包括制備襯底的步驟、形成TFT層的步驟以及形成平坦絕緣層的步驟。在本實(shí)施方式中,將省略對(duì)制備基底部100的整個(gè)過程的描述。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,可僅將襯底作為基底部。施加用于形成第一電極和傳導(dǎo)材料層的材料201的方法可以是本領(lǐng)域通常使用的任何適當(dāng)?shù)姆椒?。這種方法的示例可包括濺射。根據(jù)一些實(shí)施方式,第一電極200和傳導(dǎo)材料層800可以由相同的材料形成,如將參照?qǐng)D4A至4H所描述的。因此,用于形成第一電極200和傳導(dǎo)材料層800的材料可以整體施加于基底部100,例如,在一個(gè)步驟中。第一電極200和傳導(dǎo)材料層800可包括透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層和金屬層中的至少一種。因此,在施加用于形成第一電極200和傳導(dǎo)材料層800的材料201的過程中,可包括形成透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層的步驟和形成金屬層的步驟中的至少一個(gè)步驟。這里,透明傳導(dǎo)氧化物(ITO)層可包括ITO層、IZO層以及AZO層中的至少一種。金屬層可包括銀(Ag)層、銅(Cu)層以及鋁(Al)層中的至少一種。并且,第一電極200和傳導(dǎo)材料層800可包括按順序?qū)盈B的ITO層、銀(Ag)層以及ITO層。為了形成第一電極200和傳導(dǎo)材料層800,可以相繼執(zhí)行形成ITO層的步驟、形成銀(Ag)層的步驟以及形成ITO層的步驟。
可以通過對(duì)施加到基底部100上的、用于形成第一電極和傳導(dǎo)材料層的材料201進(jìn)行構(gòu)圖,來形成第一電極200和傳導(dǎo)材料層800 (圖4B)。可以采用本領(lǐng)域公知的任何適當(dāng)?shù)臉?gòu)圖方法。第一電極200和傳導(dǎo)材料層800可以同時(shí)被構(gòu)圖??梢詫鲗?dǎo)材料層800形成在第一電極200的圖案之間,并且傳導(dǎo)材料層800可以與第一電極200的圖案間隔開。根據(jù)一些實(shí)施方式,當(dāng)對(duì)傳導(dǎo)材料層800進(jìn)行構(gòu)圖時(shí),傳導(dǎo)材料層800可以以如上所述的網(wǎng)狀、線形、或梳狀形狀中的任意一種形成在第一電極200之間。根據(jù)一些實(shí)施方式,當(dāng)對(duì)傳導(dǎo)材料層800進(jìn)行構(gòu)圖時(shí),傳導(dǎo)材料層800可以僅包圍與綠色發(fā)光層對(duì)應(yīng)的第一電極200。可以在構(gòu)圖的第一電極200和傳導(dǎo)材料層800上施加像素限定層形成材料301(圖4C)。像素限定層形成材料301可以是電絕緣材料。像素限定層形成材料301可以由本領(lǐng)域公知的任何適當(dāng)?shù)牟牧闲纬伞?梢酝ㄟ^對(duì)像素限定層形成材料301進(jìn)行構(gòu)圖來形成像素限定層300(圖4D)??梢圆捎帽绢I(lǐng)域公知的任何適當(dāng)?shù)臉?gòu)圖方法??梢詫⑾袼叵薅▽?00形成在第一電極200之間,以使得傳導(dǎo)材料層800的上部可以開放。例如,像素限定層300可以與傳導(dǎo)材料層800僅部分交疊。如圖4D所示,像素限定層300可以形成在第一電極200與傳導(dǎo)材料層800之間。第一電極200的上部和傳導(dǎo)材料層800的上部可以部分地開放。例如,像素限定層300可以與傳導(dǎo)材料層800和第一電極200僅部分交疊。當(dāng)?shù)谝浑姌O200之間不存在傳導(dǎo)材料層800時(shí),像素限定層300可以僅形成于第一電極200之間。例如,當(dāng)在兩個(gè)相鄰的第一電極200之間沒有設(shè)置傳導(dǎo)材料層800時(shí),像素限定層300中的每個(gè)可以接觸兩個(gè)相鄰的第一電極 200。可以在形成發(fā)光層510、520和530之前形成第一輔助發(fā)光層400 (圖4E)。如在圖4E中能看到,可以在第一電極200、傳導(dǎo)材料層800以及像素限定層300的表面上(例如,整個(gè)表面上)形成第一輔助發(fā)光層400。第一輔助發(fā)光層400可以是空穴注入層和空穴傳輸層中的任意一個(gè),并且可既包括空穴注入層又包括空穴傳輸層。圖4E示出了作為輔助發(fā)光層400的空穴注入及傳輸層,其具有空穴注入功能和空穴傳輸功能。形成第一輔助發(fā)光層400的步驟可包括形成空穴注入層的步驟和形成空穴傳輸層的步驟中的至少一個(gè)步驟,也可包括這兩個(gè)步驟。例如,第一輔助發(fā)光層400可包括兩個(gè)層,即,空穴注入層和空穴傳輸層??梢栽谛纬煽昭▊鬏攲又靶纬煽昭ㄗ⑷雽?。而后,可以在第一輔助發(fā)光層400上形成發(fā)光層510、520和530 (圖4F)。發(fā)光層510、520和530可以設(shè)置在由像素限定層300限定在像素單元中的第一電極200上。發(fā)光層可包括紅色發(fā)光層510、綠色發(fā)光層520以及藍(lán)色發(fā)光層530??梢圆捎帽绢I(lǐng)域公知的任何適當(dāng)?shù)闹苽浒l(fā)光層的方法來制備發(fā)光層510、520和530。因此,省略對(duì)制備發(fā)光層的具體描述。根據(jù)本實(shí)施方式,可以在形成發(fā)光層510、520和530之后,并在形成第二電極700之前形成第二輔助發(fā)光層600 (圖4G)。第二輔助發(fā)光層600可包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一種。因此,形成第二輔助發(fā)光層600的步驟可包括形成電子注入層的步驟和形成電子傳輸層的步驟中的至少一個(gè)步驟。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式,第二輔助發(fā)光層600可以是電子傳輸層。因此,圖4G示出了電子傳輸層形成為第二輔助發(fā)光層600。然而,第二輔助發(fā)光層600可包括兩個(gè)層,并且可分別包括電子注入層和電子傳輸層。接下來,可以在第二輔助發(fā)光層600上形成第二電極700 (圖4H)??梢酝ㄟ^上述過程制造根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置。圖5A和5B示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式制造的有機(jī)發(fā)光裝置的光的發(fā)射。如圖5A所示,當(dāng)紅色像素R被導(dǎo)通時(shí),僅紅色像素R發(fā)光。如圖5B所示,當(dāng)藍(lán)色像素B被導(dǎo)通時(shí),僅藍(lán)色像素B發(fā)光。這樣,根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置可以防止產(chǎn)生泄漏電流,而不會(huì)導(dǎo)致泄漏發(fā)射光。根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置可以防止(在驅(qū)動(dòng)像素時(shí)所產(chǎn)生的)從發(fā)光部分的一個(gè)像素流到相鄰像素的泄漏電流。相應(yīng)地,可以防止相鄰像素中不期望的光發(fā)射。因此,顏色能夠精確地實(shí)現(xiàn),并且能夠改善光發(fā)射質(zhì)量。即使在利用高效發(fā)光材料的高分辨率的有機(jī)發(fā)光裝置中,也能夠抑制因泄漏電流而產(chǎn)生的泄漏發(fā)射光。因此,在滿足近期對(duì)低功耗和高分辨率產(chǎn)品增長的需求的同時(shí),根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置能夠改善顏色實(shí)現(xiàn)和光發(fā)射質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置,包括: 基底部; 構(gòu)圖的第一電極,位于所述基底部上; 傳導(dǎo)材料層,與構(gòu)圖的所述第一電極間隔開,并且位于所述第一電極之間; 像素限定層,位于構(gòu)圖的所述第一電極之間,所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊; 發(fā)光層,位于所述第一電極上;以及 第二電極,位于所述發(fā)光層上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,還包括在所述發(fā)光層與所述第一電極之間的至少一個(gè)第一輔助發(fā)光層。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述第一輔助發(fā)光層包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,還包括在所述發(fā)光層與所述第二電極之間的第二輔助發(fā)光層。
5.如權(quán) 利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述第二輔助發(fā)光層包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一個(gè)。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述第一電極是像素電極。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述第一電極是陽極,所述第二電極是陰極。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中包含于所述傳導(dǎo)材料層中的材料與包含于所述第一電極中的材料是相同的。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述傳導(dǎo)材料層包括透明傳導(dǎo)氧化物層和金屬層中的至少一個(gè)。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述透明傳導(dǎo)氧化物層包括ITO層、IZO層以及AZO層中的至少一個(gè)。
11.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述金屬層包括銀層、銅層以及鋁層中的至少一個(gè)。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述傳導(dǎo)材料層包括按以下順序?qū)盈B的ITO層、銀層以及ITO層。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述傳導(dǎo)材料層電連接至電壓比所述第一電極的電壓低的端子。
14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述傳導(dǎo)材料層電連接至陰極。
15.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述傳導(dǎo)材料層位于所述第一電極之間,并且具有網(wǎng)狀形狀、線形形狀或者梳狀形狀。
16.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述發(fā)光層包括紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層以及藍(lán)色發(fā)光層,所述傳導(dǎo)材料層包圍與所述綠色發(fā)光層對(duì)應(yīng)的第一電極。
17.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述基底部包括襯底、TFT層以及平坦絕緣層。
18.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述基底部是襯底。
19.一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法,包括: 在基底部上形成第一電極的圖案; 在構(gòu)圖的所述第一電極之間形成傳導(dǎo)材料層,所述傳導(dǎo)材料層與所述第一電極間隔開; 在構(gòu)圖的所述第一電極之間形成像素限定層,所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊; 在所述第一電極上形成發(fā)光層;以及 在所述發(fā)光層上形成第二電極。
20.如權(quán)利要求19所述的方法,還包括在形成所述像素限定層之后并在形成所述發(fā)光層之前,形成至少一個(gè)第一輔助發(fā)光層。
21.如權(quán)利要求20所述的方法,其中形成所述第一輔助發(fā)光層的步驟包括形成空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
22.如權(quán)利要求19所述的方法,還包括在形成所述發(fā)光層之后并在形成所述第二電極之前,形成至少一個(gè)第二輔助發(fā)光層。
23.如權(quán)利要求22所述的方法,其中形成所述第二輔助發(fā)光層的步驟包括形成電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。
24.如權(quán)利要求19所述的方法,其中形成所述傳導(dǎo)材料層的步驟和形成所述第一電極的所述圖案的步驟同時(shí)執(zhí)行。
25.如權(quán)利要求19所述的方法,其中形成所述傳導(dǎo)材料層的步驟包括形成透明傳導(dǎo)氧化物層和金屬層中的至少一個(gè)。
26.如權(quán)利要求25所述的方法,其中所述透明傳導(dǎo)氧化物層包括ITO層、IZO層以及AZO層中的至少一個(gè)。
27.如權(quán)利要求25所述的方法,其中所述金屬層包括銀層、銅層以及鋁層中的至少一個(gè)。
28.如權(quán)利要求19所述的方法,其中形成所述傳導(dǎo)材料層的步驟包括按以下順序形成ITO層;形成銀層以及形成ITO層。
29.如權(quán)利要求19所述的方法,其中所述傳導(dǎo)材料層以網(wǎng)狀形狀、線形形狀以及梳狀形狀中的任意一種形狀形成。
30.如權(quán)利要求19所述的方法,其中 形成所述發(fā)光層的步驟包括形成紅色發(fā)光層、形成綠色發(fā)光層以及形成藍(lán)色發(fā)光層,以及 所述傳導(dǎo)材料層被形成為包圍與所述綠色發(fā)光層對(duì)應(yīng)的第一電極。
31.如權(quán)利要求19所述的方法,其中 所述第一電極是陽極,所述第二電極是陰極,以及 形成所述第二電極的步驟包括將所述傳導(dǎo)材料層電連接至所述第二電極。
32.如權(quán)利要求19所述的方法,還包括: 在形成所述傳導(dǎo)材料層期間或者之后,將所述傳導(dǎo)材料層電連接至接地端子,其中所述有機(jī)發(fā)光裝置包括所述接地端子,所述接地端子的電壓比所述第一電極的電壓低。
33.一種有機(jī)發(fā)光裝置,包括:基底部; 第一電極圖案,位于所述基底部上; 傳導(dǎo)材料層,與所述第一電極圖案間隔開,并且設(shè)置在所述第一電極圖案之間; 像素限定層,位于所述第一電極圖案之間,所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊; 至少一個(gè)第一輔助發(fā)光層,位于所述第一電極圖案、所述傳導(dǎo)材料層以及所述像素限定層上; 發(fā)光層,位于所述第一輔助發(fā)光層上; 至少一個(gè)第二輔助發(fā)光層,位于所述發(fā)光層上;以及 第二電極,位于所述第二輔助發(fā)光層上, 其中,所述發(fā)光層形成在所述第一電極圖案上。
34.如權(quán)利要求33所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述第一輔助發(fā)光層包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
35.如權(quán)利要求33所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中所述第二輔助發(fā)光層包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一個(gè)。
36.一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法,包括: 在基底部上形成第一電極圖案; 在所述第一電極圖案之間形成傳導(dǎo)材料層,所述傳導(dǎo)材料層與所述第一電極圖案間隔開; 在所述第一電極圖案之間形成像素限定層,所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊; 在所述第一電極圖案、所述傳導(dǎo)材料層以及所述像素限定層上形成至少一個(gè)第一輔助發(fā)光層; 在所述第一輔助發(fā)光層上形成發(fā)光層; 在所述發(fā)光層上形成至少一個(gè)第二輔助發(fā)光層;以及 在所述第二輔助發(fā)光層上形成第二電極, 其中,所述發(fā)光層形成在所述第一電極圖案上。
37.如權(quán)利要求36所述的方法,其中形成所述第一輔助發(fā)光層的步驟包括形成空穴注入層以及形成空穴傳輸層中的至少一個(gè)步驟。
38.如權(quán)利要求36所述的方法,其中形成所述第二輔助發(fā)光層的步驟包括形成電子注入層以及形成電子傳輸層中的至少一個(gè)步驟。
39.如權(quán)利要求36所述的方法,其中 所述第一電極是陽極,所述第二電極是陰極,以及 形成所述第二電極的步驟包括將所述傳導(dǎo)材料層電連接至所述第二電極。
40.如權(quán)利要求36所述的方法,還包括: 在形成所述傳導(dǎo)材料層期間或者之后, 將所述傳導(dǎo)材料層電連接至接地端子,其中所述有機(jī)發(fā)光裝置包括所述接地端子,所述接地端子的電壓比所述第一電極的電壓低。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光裝置,包括基底部;構(gòu)圖的第一電極,位于所述基底部上;傳導(dǎo)材料層,與構(gòu)圖的所述第一電極間隔開,并且位于所述第一電極之間;像素限定層,位于構(gòu)圖的所述第一電極之間,所述像素限定層僅與所述傳導(dǎo)材料層的上表面的一部分交疊;發(fā)光層,位于所述第一電極上;以及第二電極,位于所述發(fā)光層上。
文檔編號(hào)H01L27/32GK103137893SQ201210393899
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者郭源奎 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司
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