專(zhuān)利名稱(chēng)：電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電力電子器件，尤其涉及電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電力電子器件的工作電流比較大、功率比較大、耐壓比較高，電力電子器件的壓點(diǎn)的區(qū)域往往是整個(gè)器件中發(fā)熱量最大的部位，壓點(diǎn)的位置的電流密度也是整個(gè)器件中最大的，出現(xiàn)電遷移的概率最高，電遷移是半導(dǎo)體器件制造工藝中最重要的一個(gè)失效機(jī)制。由于電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域的電流密度較大，因此，電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域 的金屬連線(xiàn)厚度也比較大(通常在2. 5 5微米)。然而，器件的其他區(qū)域金屬連線(xiàn)厚度通常只需0. 4 I. 5微米，其他區(qū)域金屬連線(xiàn)的線(xiàn)條寬度也通常只有0. 5 I. 5微米。這樣，對(duì)電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域的金屬連線(xiàn)的刻蝕的時(shí)候，往往很容易引起其他區(qū)域金屬線(xiàn)條的侵蝕，特別是對(duì)其他區(qū)域細(xì)線(xiàn)條的侵害特別大、可能引起其他區(qū)域細(xì)線(xiàn)條的斷路。此外，由于電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域的金屬連線(xiàn)的面積比較大、厚度也較大，因此，電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域的金屬連線(xiàn)的應(yīng)力也相對(duì)較大，應(yīng)力問(wèn)題也是半導(dǎo)體器件失效的重要因素?？梢?jiàn)，在半導(dǎo)體器件制造工藝中，對(duì)于細(xì)線(xiàn)條的厚金屬層的反刻工藝是比較難以控制，電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)及其制造工藝是影響該類(lèi)器件性能的最重要因素，電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域的金屬連線(xiàn)的問(wèn)題，就可能造成整個(gè)器件金屬連線(xiàn)的質(zhì)量問(wèn)題，影響器件的穩(wěn)定性、可靠性、有效性、使用壽命。如何改善金屬層工藝的侵蝕現(xiàn)象，如何提高金屬層刻蝕工藝質(zhì)量，如何提高金屬連線(xiàn)工藝質(zhì)量，已成為工程技術(shù)人員重要研究課題。
發(fā)明內(nèi)容鑒于現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)有效地消除產(chǎn)品失效機(jī)制、提高產(chǎn)品的性能、尤其是提高產(chǎn)品的壽命。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有襯底區(qū)的電力電子器件，所述襯底區(qū)設(shè)有體區(qū)和壓點(diǎn)區(qū)，其特征在于所述體區(qū)上設(shè)有第一介質(zhì)薄膜層，所述第一介質(zhì)薄膜層中部設(shè)有溝槽和接觸孔，所述第一介質(zhì)薄膜層的溝槽和接觸孔的深度穿透第一介質(zhì)薄膜層至壓點(diǎn)區(qū)；所述第一介質(zhì)薄膜層的溝槽和接觸孔內(nèi)由下往上依次設(shè)有鈦鎢過(guò)渡層和第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層；所述第一介質(zhì)薄膜層上設(shè)有第二介質(zhì)薄膜層，所述第二介質(zhì)薄膜層中部設(shè)有溝槽和接觸孔，所述第二介質(zhì)薄膜層的溝槽和接觸孔的深度穿透第二介質(zhì)薄膜層至第一介質(zhì)薄膜層；所述第二介質(zhì)薄膜層的溝槽內(nèi)設(shè)有第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層；所述第二介質(zhì)薄膜層上設(shè)有表面鈍化保護(hù)層，所述表面鈍化保護(hù)層的中部設(shè)有壓點(diǎn)凹槽，所述壓點(diǎn)凹槽的深度穿透表面鈍化保護(hù)層至第二介質(zhì)薄膜層。[0008]進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)薄膜層為單層介質(zhì)薄膜層或多層復(fù)合介質(zhì)薄膜層。進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)薄膜層為二氧化硅、氮化硅、多晶硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、無(wú)摻雜硅玻璃、旋涂硅玻璃或正硅酸四乙脂的介質(zhì)薄膜層。進(jìn)一步地，所述鈦鎢過(guò)渡層的厚度為0. 03、. 05微米，優(yōu)先選用0. 04微米。進(jìn)一步地，所述第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層和第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層均為鋁硅銅合金層，其厚度均為I. 5^2. 5微米，優(yōu)先選用2. 0微米。進(jìn)一步地，所述第二介質(zhì)薄膜層的接觸孔為多孔狀介質(zhì)結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述第二介質(zhì)薄膜層為二氧化硅或氮化硅的介質(zhì)薄膜層。進(jìn)一步地，所述表面鈍化保護(hù)層為氮化硅或磷硅玻璃的保護(hù)層。 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)。(I)本實(shí)用新型改變了傳統(tǒng)的壓點(diǎn)金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)的單層厚金屬結(jié)構(gòu)，改變?yōu)殡p層薄金屬結(jié)構(gòu)、兩金屬層中間夾著一層薄的多孔狀介質(zhì)層，以便將兩個(gè)薄金屬層連通。這樣的改變，會(huì)引起三個(gè)變化①、可以極大改善壓點(diǎn)區(qū)域的應(yīng)力結(jié)構(gòu)、減少壓點(diǎn)應(yīng)力報(bào)廢、提高成品率；②、可以較好地改善金屬層反刻工藝的侵蝕現(xiàn)象，提高刻蝕工藝質(zhì)量，提高金屬連線(xiàn)工藝質(zhì)量，使得厚金屬層的細(xì)線(xiàn)條工藝變得更加容易控制；③、整個(gè)過(guò)程工藝變動(dòng)較少金屬布線(xiàn)掩膜版使用兩次，每次淀積金屬層厚度變?yōu)樵瓉?lái)得二分之一；增加一個(gè)壓點(diǎn)孔狀介質(zhì)層，該層掩膜版圖只須將壓點(diǎn)版圖作輕微變更。(2)本實(shí)用新型增加一層很薄的鈦鎢過(guò)渡層，該過(guò)渡層有三種作用①、增強(qiáng)內(nèi)連線(xiàn)金屬層與有源區(qū)(包括壓點(diǎn)區(qū))的附著力、增強(qiáng)歐姆接觸的效果、減小歐姆接觸的電阻、降低器件的發(fā)熱量；②、阻擋壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬原子向有源區(qū)的擴(kuò)散，以避免PN結(jié)、絕緣層、介質(zhì)層的漏電、發(fā)揮光刻抗反射層作用，極大減弱壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層的光刻反射強(qiáng)度，以利于壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層的光刻對(duì)準(zhǔn)工藝。(3)本實(shí)用新型采用特定配比的鋁硅銅合金中，取代純鋁或純銅，有三個(gè)好處①、這樣配比的鋁硅銅合金，比純鋁的抗電遷移能力提高了近兩個(gè)數(shù)量級(jí)，大大地降低了器件的失效幾率、提高了器件的穩(wěn)定性、延長(zhǎng)了器件的使用壽命、這樣配比的鋁硅銅合金，比純鋁的功耗要小，減少RC信號(hào)延遲，增加器件芯片的速度；③、這樣配比的鋁硅銅合金，t匕純銅的硬度要小很多，易于刻蝕，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單且易于控制，減少金屬連線(xiàn)的侵蝕現(xiàn)象。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟I后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟2后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟3后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟4后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟5后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟6后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟7后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟8后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟9后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟10后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。[0029]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟11后的壓點(diǎn)區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟12后的壓點(diǎn)區(qū)域剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例完成步驟12后的壓點(diǎn)區(qū)域俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1_體區(qū)，2-壓點(diǎn)區(qū)，3-第一介質(zhì)薄膜層，4-鈦鎢過(guò)渡層，5-第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層，6-第二介質(zhì)薄膜層，7-第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層，8-表面鈍化保護(hù)層，9-壓點(diǎn)凹槽。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的闡述。為了方便說(shuō)明，在以下的實(shí)施例中，相同的結(jié)構(gòu)層次以相同的編號(hào)表示，所附圖樣、材料、層厚度、尺寸及其他細(xì)節(jié)，均是用于舉例說(shuō)明之用，并非對(duì)本實(shí)用新型加以限制。參考圖12 13，一種電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有襯底區(qū)的電力 電子器件，所述襯底區(qū)設(shè)有體區(qū)I和壓點(diǎn)區(qū)2，其特征在于所述體區(qū)I上設(shè)有第一介質(zhì)薄膜層3，所述第一介質(zhì)薄膜層3中部設(shè)有溝槽和接觸孔，所述第一介質(zhì)薄膜層3的溝槽和接觸孔的深度穿透第一介質(zhì)薄膜層3至壓點(diǎn)區(qū)2 ;所述第一介質(zhì)薄膜層3的溝槽和接觸孔內(nèi)由下往上依次設(shè)有鈦鎢過(guò)渡層4和第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層5 ;所述第一介質(zhì)薄膜層3上設(shè)有第二介質(zhì)薄膜層6，所述第二介質(zhì)薄膜層6中部設(shè)有溝槽和接觸孔，所述第二介質(zhì)薄膜層6的溝槽和接觸孔的深度穿透第二介質(zhì)薄膜層6至第一介質(zhì)薄膜層3 ;所述第二介質(zhì)薄膜層6的溝槽內(nèi)設(shè)有第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層7 ;所述第二介質(zhì)薄膜層6上設(shè)有表面鈍化保護(hù)層8，所述表面鈍化保護(hù)層8的中部設(shè)有壓點(diǎn)凹槽9，所述壓點(diǎn)凹槽9的深度穿透表面鈍化保護(hù)層8至第二介質(zhì)薄膜層6。在本實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)薄膜層3為單層介質(zhì)薄膜層或多層復(fù)合介質(zhì)薄膜層，所述第一介質(zhì)薄膜層3為二氧化娃、氮化娃、多晶娃、硼娃玻璃、磷娃玻璃、硼磷娃玻璃、無(wú)摻雜硅玻璃、旋涂硅玻璃或正硅酸四乙脂的一種或多種介質(zhì)薄膜層。在本實(shí)施例中，所述鈦鎢過(guò)渡層4的厚度為O. 03、. 05微米，優(yōu)先選用O. 04微米。在本實(shí)施例中，所述第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層5和第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層7均為鋁硅銅合金層，其厚度均為I. 5^2. 5微米，優(yōu)先選用2. O微米。在本實(shí)施例中，所述第二介質(zhì)薄膜層6的接觸孔為多孔狀介質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述第二介質(zhì)薄膜層6為二氧化硅或氮化硅的介質(zhì)薄膜層。在本實(shí)施例中，所述表面鈍化保護(hù)層8為氮化硅或磷硅玻璃的保護(hù)層。下面提供一種電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟。步驟1，如圖I所示，在硅片上完成了電力電子器件的襯底區(qū)、有源區(qū)(包括體區(qū)I和壓點(diǎn)區(qū)2)等前道工序的制作。步驟2，如圖2所示，在硅片上淀積單層介質(zhì)薄膜層或多層復(fù)合介質(zhì)薄膜層，如二氧化硅、氮化硅、多晶硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、無(wú)摻雜硅玻璃)、旋涂硅玻璃或正硅酸四乙脂等第一介質(zhì)薄膜層3。步驟3，如圖3所示，使用光刻和刻蝕的方法，在第一介質(zhì)薄膜層3中，形成溝槽和接觸孔結(jié)構(gòu)，接觸孔的深度要穿透第一介質(zhì)薄膜層3，到達(dá)硅片襯底的有源區(qū)(包括壓點(diǎn)區(qū)2)。步驟4，如圖4所示，在硅片上淀積一層很薄的鈦鎢過(guò)渡層4，大約O. 04微米左右，該鈦鎢過(guò)渡層4有三種作用(I)、增強(qiáng)內(nèi)連線(xiàn)金屬層與有源區(qū)(包括壓點(diǎn)區(qū)2)的附著力、增強(qiáng)歐姆接觸的效果、減小歐姆接觸的電阻、降低器件的發(fā)熱量；(2)、阻擋壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬原子向有源區(qū)的擴(kuò)散，以避免PN結(jié)、絕緣層、介質(zhì)層的漏電；(3)、發(fā)揮光刻抗反射層作用，極大減弱壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層的光刻反射強(qiáng)度，以利于壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層的光刻對(duì)準(zhǔn)工藝。步驟5，如圖5所示，在硅片上淀積第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層5——招硅銅合金層，大約I. 5 2. 5微米左右。在鋁硅銅合金中，銅的含量O. 5% 4%，硅的含量O. 3% O. 5%。以這樣配比的鋁硅銅合金取代純鋁或純銅，有三個(gè)好處(1)、這樣配比的鋁硅銅合金，比純鋁的抗電遷移能力提高了近兩個(gè)數(shù)量級(jí)，大大地降低了電力電子器件的失效幾率、提高了電力電子器件的穩(wěn)定性、延長(zhǎng)了電力電子器件的使用壽命；(2)、這樣配比的鋁硅銅合金，比純鋁的功耗要小，減少RC信號(hào)延遲，增加半導(dǎo)體器件芯片速度；(3)、這樣配比的鋁硅銅合金，比純銅的硬度要小很多，易于刻蝕，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單且易于控制，減少金屬連線(xiàn)的侵蝕現(xiàn)象。 步驟6，如圖6所示，使用金屬反刻方法，磨掉硅片表面的鋁硅銅合金，留下溝槽和壓點(diǎn)接觸孔中的鋁硅銅合金，構(gòu)成第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層5與硅片襯底有源區(qū)(壓點(diǎn)區(qū)域)的互連接觸，即完成了第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層5與硅片襯底有源區(qū)(壓點(diǎn)區(qū)2)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)。步驟7，如圖7所示，在硅片上淀積第二介質(zhì)薄膜層6，如二氧化硅(Si02)、或氮化娃(Si3N4)等介質(zhì)薄膜層。步驟8，如圖8所示，使用光刻和刻蝕的方法，在第二介質(zhì)薄膜層6中，形成溝槽和壓點(diǎn)接觸孔結(jié)構(gòu)，在壓點(diǎn)區(qū)域要作成多孔狀的介質(zhì)結(jié)構(gòu)，溝槽和接觸孔的深度要穿透第二介質(zhì)薄膜層6，到達(dá)硅片的第一層連線(xiàn)金屬層5 ;壓點(diǎn)區(qū)域的第二介質(zhì)薄膜層6為介質(zhì)薄膜孔狀結(jié)構(gòu)。步驟9，如圖9所示，在硅片上淀積第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層7—招硅銅合金層，大約I. 5 2. 5微米左右，鋁硅銅合金的配比與步驟5相同。步驟10，如圖10所示，使用金屬反刻方法，磨掉硅片表面的鋁硅銅合金，留下溝槽中和壓點(diǎn)接觸孔的鋁硅銅合金，構(gòu)成第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層7與第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層5互連接觸，即完成了第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層7與第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層5的連線(xiàn)結(jié)構(gòu)。步驟11，如圖11所示，在硅片上淀積一表面鈍化保護(hù)層8，如氮化硅、或磷硅玻璃等保護(hù)層。步驟12，如圖12 13所示，使用光刻和刻蝕的方法，在表面鈍化保護(hù)層8中，形成壓點(diǎn)凹槽9，最終形成了壓點(diǎn)區(qū)域金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)；其中，圖12為電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域縱向剖面結(jié)構(gòu)圖，圖13為電力電子器件的壓點(diǎn)區(qū)域俯視結(jié)構(gòu)圖。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實(shí)用新型的涵蓋范圍。
權(quán)利要求1.一種電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有體區(qū)和壓點(diǎn)區(qū)的電力電子器件，其特征在于所述體區(qū)上設(shè)有第一介質(zhì)薄膜層，所述第一介質(zhì)薄膜層中部設(shè)有溝槽和接觸孔，所述第一介質(zhì)薄膜層的溝槽和接觸孔的深度穿透第一介質(zhì)薄膜層至壓點(diǎn)區(qū)；所述第一介質(zhì)薄膜層的溝槽和接觸孔內(nèi)由下往上依次設(shè)有鈦鎢過(guò)渡層和第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層；所述第一介質(zhì)薄膜層上設(shè)有第二介質(zhì)薄膜層，所述第二介質(zhì)薄膜層中部設(shè)有溝槽和接觸孔，所述第二介質(zhì)薄膜層的溝槽和接觸孔的深度穿透第二介質(zhì)薄膜層至第一介質(zhì)薄膜層；所述第二介質(zhì)薄膜層的溝槽內(nèi)設(shè)有第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層；所述第二介質(zhì)薄膜層上設(shè)有表面鈍化保護(hù)層，所述表面鈍化保護(hù)層的中部設(shè)有壓點(diǎn)凹槽，所述壓點(diǎn)凹槽的深度穿透表面鈍化保護(hù)層至第二介質(zhì)薄膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一介質(zhì)薄膜層為單層介質(zhì)薄膜層或多層復(fù)合介質(zhì)薄膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一介質(zhì)薄膜層為二氧化娃、氮化娃、多晶娃、硼娃玻璃、磷娃玻璃、硼磷娃玻璃、無(wú)摻雜硅玻璃、旋涂硅玻璃或正硅酸四乙脂的介質(zhì)薄膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鈦鎢過(guò)渡層的厚度為O. 03、. 05微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鈦鎢過(guò)渡層的厚度為O. 04微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層和第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層均為鋁硅銅合金層，其厚度均為I. 5^2. 5微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層和第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層的厚度均為2. O微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二介質(zhì)薄膜層的接觸孔為多孔狀介質(zhì)結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二介質(zhì)薄膜層為二氧化硅或氮化硅的介質(zhì)薄膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述表面鈍化保護(hù)層為氮化硅或磷硅玻璃的保護(hù)層。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種電力電子器件的壓點(diǎn)的金屬連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有體區(qū)和壓點(diǎn)區(qū)的電力電子器件，所述體區(qū)上設(shè)有第一介質(zhì)薄膜層，所述第一介質(zhì)薄膜層中部設(shè)有深度穿透第一介質(zhì)薄膜層至壓點(diǎn)區(qū)的溝槽和接觸孔；所述第一介質(zhì)薄膜層的溝槽和接觸孔內(nèi)由下往上依次設(shè)有鈦鎢過(guò)渡層和第一層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層；所述第一介質(zhì)薄膜層上設(shè)有第二介質(zhì)薄膜層，所述第二介質(zhì)薄膜層中部設(shè)有深度穿透第二介質(zhì)薄膜層至第一介質(zhì)薄膜層的溝槽和接觸孔；所述第二介質(zhì)薄膜層的溝槽內(nèi)設(shè)有第二層壓點(diǎn)連線(xiàn)金屬層；所述第二介質(zhì)薄膜層上設(shè)有表面鈍化保護(hù)層，所述表面鈍化保護(hù)層的中部設(shè)有深度穿透表面鈍化保護(hù)層至第二介質(zhì)薄膜層的壓點(diǎn)凹槽。該結(jié)構(gòu)有效地消除產(chǎn)品失效機(jī)制、提高產(chǎn)品的性能。
文檔編號(hào)H01L23/49GK202434502SQ20112057041
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者林善彪, 林立桂, 梅海軍, 江桂欽, 熊愛(ài)華, 石建武 申請(qǐng)人:福建福順微電子有限公司