專利名稱:帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及一種帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心。
背景技術(shù):
低頻電磁感應無極熒光燈電子鎮(zhèn)流器輸出的250KHZ左右的低頻功率,是通過外電磁耦合器以電磁感應方式耦合到燈管內(nèi)驅(qū)動燈管發(fā)光的,外耦合器的磁心性能是關(guān)系到整體轉(zhuǎn)換效率和可靠性的關(guān)鍵部件。國內(nèi)外低頻電磁感應熒光燈現(xiàn)用外耦合器的磁心均為鐵氧體材料,其材質(zhì)特性存在以下缺陷一是導磁率低、飽和磁感應強度低,磁心體積大且重,燈管荷載高,遇強振動時燈管易產(chǎn)生破碎故障,同時遮擋了部分光線有效輻射,影響到燈管的整體光效;二是居里溫度低,一般為230度左右,限制了燈管功率和工作溫度,不少燈具為密封型,燈具內(nèi)溫升累積,一旦達到材料居里溫度,便會產(chǎn)生磁飽和燒毀鎮(zhèn)流器輸出功率晶體管的故障;三是鐵氧體自身損耗大,效率低,產(chǎn)生有害的熱量,影響到整體轉(zhuǎn)換效率和熒光粉壽命;四是鐵氧體質(zhì)硬、脆,在裝配、維護過程中稍不注意,就有可能破碎,破損幾率高。另外,現(xiàn)有技術(shù)中磁環(huán)用鋁型材料包夾外徑固定,裸露磁環(huán)兩側(cè),造成電磁場泄露,易產(chǎn)生電磁干擾。由于低頻無極燈大部分應用于公共照明,因此工作環(huán)境較復雜,尤其是安裝在公路兩側(cè)的低頻無極燈,通常由于車輛產(chǎn)生的振動造成燈管破裂。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于,提供一種帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,它能夠有效防止電磁場泄漏,并且便于安裝和拆卸,還能夠有效保護燈管,延長燈管的使用壽命。另外還具有居里溫度高、強度高、硬度高、韌性好、導磁率高、飽和磁感應強度高、電阻率聞的優(yōu)點。本實用新型的技術(shù)方案一種帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,包括磁環(huán)體,磁環(huán)體上繞有電磁感應線圈,還包括屏蔽支架,磁環(huán)體和電磁感應線圈均嵌于屏蔽支架內(nèi)。前述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外稱合器磁心中,磁環(huán)體由2個180度半圓形磁心組合而成。采用這種設計便于磁環(huán)體的拆卸和安裝。前述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心中,所述屏蔽支架包括半圓形上支架和半圓形下支架,半圓形上支架和半圓形下支架的一端通過鉸鏈鉸接,另一端通過螺栓固定連接,半圓形下支架的底部設有安裝座;半圓形上支架和半圓形下支架的兩側(cè)均設有側(cè)屏蔽擋板。前述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心中,所述磁環(huán)體和屏蔽支架均采用非晶納米晶材料制成。前述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心中,磁環(huán)體的內(nèi)壁上設有減振墊片。設置減振墊片可以防止燈管由于振動而破碎,有效延長燈管的使用壽命。前述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心中,所述減振墊片采用硅膠或者橡膠制成。前述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心中,磁環(huán)體內(nèi)部和外部的邊角均采用圓角。采用這種設計可以克服傳統(tǒng)90度角易產(chǎn)生電磁輻射的缺陷。前述的非晶納米晶材料為公知材料,可在市場上購買獲得。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型由于采用了非晶納米晶材料制成的磁環(huán)體,使磁環(huán)體具備優(yōu)異的力學特性,屈服強度高、硬度高、韌性比鐵氧體材料好;具備低頻無極熒光燈耦合器需要的電磁學特性,導磁率高、飽和磁感應強度高、電阻率高;具備室外工作需要的耐腐蝕性能和較高的居里溫度,具有良好的溫度穩(wěn)定性。另外與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的導磁率提高5倍以上,磁心體積可減小50%, 減小了遮光面積;重量降低了 50%,減輕了燈管承載重量;居里溫度由230度提高到320度以上,導磁率不隨溫度變化而變化,使無極燈穩(wěn)定性大大提高;抗拉強度提高20倍以上,耐蝕性能優(yōu)于不銹鋼,比較好的解決了鐵氧體材料存在的問題。由于設置了非晶納米晶材料制成的全包封屏蔽支架,將磁環(huán)體和電磁感應線圈屏蔽后固定,改變現(xiàn)用磁心固定鋁型材支架。由于非晶納米晶材料的居里溫度在300度以上還有良好的導磁率,可有效地屏蔽耦合器泄漏出的電磁場向空間輻射,減小電子鎮(zhèn)流器產(chǎn)生的電磁干擾。由于磁環(huán)體內(nèi)部和外部的邊角均采用圓角,克服了傳統(tǒng)90度角易產(chǎn)生電磁輻射的缺陷。由于在磁環(huán)體的內(nèi)壁上設置了減振墊片,有效保護燈管,防止其由于振動而發(fā)生破裂,有效延長其使用壽命。
圖I是本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是屏蔽支架的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是磁環(huán)體邊角為圓角的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中的標記為1-磁環(huán)體,2-電磁感應線圈,3-屏蔽支架,4-半圓形上支架, 5-半圓形下支架,6-鉸鏈,7-螺栓,8-安裝座,9-側(cè)屏蔽擋板,10-減振墊片。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步的詳細說明,但并不作為對本實用新型做任何限制的依據(jù)。本實用新型的實施例I :如圖I所示,一種帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,包括磁環(huán)體I,磁環(huán)體I上繞有電磁感應線圈2,還包括屏蔽支架3,磁環(huán)體I和電磁感應線圈2均嵌于屏蔽支架3內(nèi)。磁環(huán)體I由2個180度半圓形磁心組合而成。磁環(huán)體I的內(nèi)壁上設有減振墊片10。所述減振墊片10采用橡膠制成。如圖2所示,屏蔽支架3包括半圓形上支架4和半圓形下支架5,半圓形上支架4 和半圓形下支架5的一端通過鉸鏈6鉸接,另一端通過螺栓7連接,半圓形下支架5的底部設有安裝座8 ;半圓形上支架4和半圓形下支架5的兩側(cè)均設有側(cè)屏蔽擋板9。所述磁環(huán)體I和屏蔽支架3均采用非晶納米晶材料制成。如圖3所示,磁環(huán)體I內(nèi)部和外部的邊角均采用圓角。本實用新型的實施例2 :如圖I所示,一種帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,包括磁環(huán)體I,磁環(huán)體I上繞有電磁感應線圈2,還包括屏蔽支架3,磁環(huán)體I和電磁感應線圈2均嵌于屏蔽支架3內(nèi)。磁環(huán)體I由2個180度半圓形磁心組合而成。磁環(huán)體I的內(nèi)壁上設有減振墊片10。所述減振墊片10采用硅膠制成。如圖2所示,屏蔽支架3包括半圓形上支架4和半圓形下支架5,半圓形上支架4 和半圓形下支架5的一端通過鉸鏈6鉸接,另一端通過螺栓7連接,半圓形下支架5的底部設有安裝座8 ;半圓形上支架4和半圓形下支架5的兩側(cè)均設有側(cè)屏蔽擋板9。所述磁環(huán)體I和屏蔽支架3均采用非晶納米晶材料制成。如圖3所示,磁環(huán)體I內(nèi)部和外部的邊角均采用圓角。上述實施例中所使用的非晶納米晶材料可在市場上購買獲得。本實用新型的使用方法首先松開屏蔽支架3上的螺栓7,然后將繞有電磁感應線圈的半圓形的磁心安裝到半圓形下支架5內(nèi),將另一個半圓形的磁心安裝到半圓形上支架 4內(nèi),然后將燈管放入2個180度半圓形磁心之間,然后將半圓形上支架4和半圓形下支架 5合攏,并通過螺栓7將其固定好,然后將半圓形下支架5上的安裝座8通過螺栓固定在燈罩內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,包括磁環(huán)體(1),磁環(huán)體a)上繞有電磁感應線圈(2),其特征在于還包括屏蔽支架(3),磁環(huán)體(I)和電磁感應線圈(2)均嵌于屏蔽支架(3)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,其特征在于磁環(huán)體(I)由2個180度半圓形磁心組合而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,其特征在于所述屏蔽支架(3)包括半圓形上支架(4)和半圓形下支架(5),半圓形上支架(4)和半圓形下支架(5)的一端通過鉸鏈(6)鉸接,另一端通過螺栓(7)連接,半圓形下支架(5)的底部設有安裝座(8);半圓形上支架(4)和半圓形下支架(5)的兩側(cè)均設有側(cè)屏蔽擋板(9)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,其特征在于所述磁環(huán)體(I)和屏蔽支架(3)均采用非晶納米晶材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,其特征在于磁環(huán)體(I)的內(nèi)壁上設有減振墊片(10)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,其特征在于所述減振墊片(10)采用硅膠或者橡膠制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,其特征在于磁環(huán)體⑴內(nèi)部和外部的邊角均采用圓角。
專利摘要本實用新型公開了一種帶屏蔽支架的低頻無極燈外耦合器磁心,包括磁環(huán)體(1),磁環(huán)體(1)上繞有電磁感應線圈(2),還包括屏蔽支架(3),磁環(huán)體(1)和電磁感應線圈(2)均嵌于屏蔽支架(3)內(nèi)。本實用新型能夠有效防止電磁場泄漏,并且便于安裝和拆卸,還能夠有效保護燈管,延長燈管的使用壽命。另外還具有居里溫度高、強度高、硬度高、韌性好、導磁率高、飽和磁感應強度高、電阻率高的優(yōu)點。
文檔編號H01F1/153GK202352465SQ201120488420
公開日2012年7月25日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者不公告發(fā)明人 申請人:北京金自益卓光電科技有限公司