專利名稱：12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有12kV真空大電流斷路器用真空開關(guān)管，由于沿用斷路器用普通真空開關(guān)管對觸頭、導(dǎo)電桿及屏蔽筒的設(shè)計，忽視了大電流真空開關(guān)管使用時對散熱條件的要求，這樣在大電流條件工作時就存在管體的溫升較大、增加開關(guān)管工作時的熱能消耗的問題，導(dǎo)致大電流開關(guān)性能不穩(wěn)定。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管，可以解決大電流開關(guān)性能不穩(wěn)定的問題。一種12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管，包括瓷筒，在瓷筒兩端軸心位置設(shè)有動導(dǎo)電桿和靜導(dǎo)電桿，靜導(dǎo)電桿為塔狀結(jié)構(gòu)，動導(dǎo)電桿的端頭設(shè)有動觸頭，靜導(dǎo)電桿的端頭設(shè)有靜觸頭，靜觸頭和動觸頭接觸，動觸頭和動導(dǎo)電桿之間設(shè)有保護(hù)罩，動導(dǎo)電桿的上端依次有套裝有導(dǎo)向套、動端蓋，動端蓋固定在瓷筒的上端；靜觸頭通過靜導(dǎo)電桿及靜端蓋固定在瓷筒的下端；所述動端蓋和保護(hù)罩之間設(shè)有波紋管，波紋管套裝在動導(dǎo)電桿上；動觸頭、 靜觸頭及部分靜導(dǎo)電桿和保護(hù)罩位于屏蔽筒內(nèi)，屏蔽筒的厚度為1. 5-2mm。本實(shí)用新型通過加厚屏蔽筒壁厚，即將屏蔽筒的厚度由原來的Imm增加到 1.5-2mm，增加了屏蔽筒對電弧的冷凝效果，以及對靜導(dǎo)電桿優(yōu)化設(shè)計，即由原來的桿狀結(jié)構(gòu)設(shè)計成塔狀結(jié)構(gòu)，增加了靜導(dǎo)電桿的熱容量和散熱面積，有利于降低管體的溫升，從而有效解決了大電流開關(guān)性能不穩(wěn)定的問題。

圖1是本實(shí)用新型12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1-動導(dǎo)電桿，2-固定環(huán)，3-動端蓋，4-第一封接環(huán)，5-瓷筒，6_靜導(dǎo)電桿， 7-靜端蓋，8-導(dǎo)向套，9-吸氣劑，10-波紋管，11-保護(hù)罩，12-觸頭，13-靜觸頭，14-屏蔽筒， 15-第二封接環(huán)。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型中的附圖，對本實(shí)用新型中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。圖1所示為本實(shí)用新型12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管的結(jié)構(gòu)示意圖，所述 12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管包括瓷筒5，在瓷筒5的兩端軸心位置設(shè)有動導(dǎo)電桿 1和靜導(dǎo)電桿6，靜導(dǎo)電桿6為塔狀結(jié)構(gòu)，動導(dǎo)電桿1的端頭設(shè)有動觸頭12，靜導(dǎo)電桿6的端頭設(shè)有靜觸頭13，靜觸頭13和動觸頭12接觸，動觸頭12和動導(dǎo)電桿1之間設(shè)有保護(hù)罩11，動導(dǎo)電桿1的上端依次有套裝有導(dǎo)向套8、動端蓋3，動端蓋3固定在瓷筒5的上端；靜觸頭13通過靜導(dǎo)電桿6及靜端蓋7固定在瓷筒5的下端；所述動端蓋3和保護(hù)罩11之間設(shè)有波紋管10，波紋管10套裝在動導(dǎo)電桿1上；動觸頭12、靜觸頭13及部分靜導(dǎo)電桿6和保護(hù)罩11位于屏蔽筒14內(nèi)，屏蔽筒14的厚度為1. 5-2mm,動端蓋3和瓷筒5之間通過第一封接環(huán)4密封，靜端蓋7和瓷筒5之間通過第二封接環(huán)15密封。所述瓷筒5為一個外表面帶裙邊的大爬距波紋狀瓷筒，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計延長了瓷筒的爬電距離，提高了瓷筒的絕緣強(qiáng)度，滿足了其耐壓強(qiáng)度的要求，從而不需要在真空開關(guān)管的外表面再套一個硅橡膠套，降低了工藝風(fēng)險，提高了產(chǎn)品的成品率。導(dǎo)向套8外端上部包固有固定環(huán)2，所述的固定環(huán)2的下端位于導(dǎo)向套8與動端蓋 3之間，這種結(jié)構(gòu)可以使導(dǎo)向套8和動端蓋3之間的固定更加穩(wěn)固、嚴(yán)密。動端蓋3的內(nèi)側(cè)表面有吸氣劑9，吸氣劑9用于吸收老練及觸頭燃弧產(chǎn)生的氣體， 保證真空管內(nèi)真空的穩(wěn)定性，可在器件的儲存和工作期間維持一定的真空度。瓷筒5的內(nèi)側(cè)上設(shè)有與屏蔽筒14的外側(cè)突起匹配定位的突起，可以與屏蔽筒14 的外側(cè)突起之間匹配定位，可使屏蔽筒14定位在瓷筒5上。本實(shí)用新型的靜導(dǎo)電桿的設(shè)計成塔狀結(jié)構(gòu)，這樣就增大了導(dǎo)電截面，從而增加靜導(dǎo)電桿的熱容量和散熱面積，有利于降低管體的溫升。另外，本實(shí)用新型的屏蔽筒將其厚度由原來的Imm加厚到1. 5_2mm，增加了屏蔽筒對電弧的冷凝效果，有利于提高開斷能力和弧后介質(zhì)強(qiáng)度的恢復(fù)。本實(shí)用新型通過加厚屏蔽筒壁厚(厚度由原來的Imm增加到1.5-2mm，增加了屏蔽筒對電弧的冷凝效果)，以及對靜導(dǎo)電桿優(yōu)化設(shè)計(由原來的桿狀結(jié)構(gòu)設(shè)計成塔狀結(jié)構(gòu))， 從而有效解決了大電流開關(guān)性能不穩(wěn)定的問題。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何屬于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管，其特征在于包括瓷筒(5)，在瓷筒(5) 兩端軸心位置設(shè)有動導(dǎo)電桿⑴和靜導(dǎo)電桿(6)，靜導(dǎo)電桿(6)為塔狀結(jié)構(gòu)，動導(dǎo)電桿⑴ 的端頭設(shè)有動觸頭(12)，靜導(dǎo)電桿(6)的端頭設(shè)有靜觸頭(13)，靜觸頭(1 和動觸頭(12) 接觸，動觸頭(1 和動導(dǎo)電桿(1)之間設(shè)有保護(hù)罩(11)，動導(dǎo)電桿(1)的上端依次有套裝有導(dǎo)向套(8)、動端蓋(3)，動端蓋(3)固定在瓷筒(5)的上端；靜觸頭(1 通過靜導(dǎo)電桿 (6)及靜端蓋(7)固定在瓷筒(5)的下端；所述動端蓋(3)和保護(hù)罩(11)之間設(shè)有波紋管 (10)，波紋管(10)套裝在動導(dǎo)電桿⑴上；動觸頭(12)、靜觸頭(13)及部分靜導(dǎo)電桿(6) 和保護(hù)罩(11)位于屏蔽筒(14)內(nèi)，屏蔽筒(14)的厚度為1.5-2mm。
2.如權(quán)利要求1所述的12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管，其特征在于動端蓋 (3)和瓷筒( 之間通過第一封接環(huán)(4)密封，靜端蓋(7)和瓷筒( 之間通過第二封接環(huán) (15)密封。
3.如權(quán)利要求1所述的12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管，其特征在于所述瓷筒 (5)為一個外表面帶裙邊的大爬距波紋狀瓷筒。
4.如權(quán)利要求1所述的12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管，其特征在于瓷筒(5) 的內(nèi)側(cè)上設(shè)有與屏蔽筒(14)的外側(cè)突起匹配定位的突起。
專利摘要一種12kV大電流真空斷路器用真空開關(guān)管，包括瓷筒，在瓷筒兩端軸心位置設(shè)有動導(dǎo)電桿和靜導(dǎo)電桿，靜導(dǎo)電桿為塔狀結(jié)構(gòu)，動導(dǎo)電桿的端頭設(shè)有動觸頭，靜導(dǎo)電桿的端頭設(shè)有靜觸頭，靜觸頭和動觸頭接觸，動觸頭和動導(dǎo)電桿之間設(shè)有保護(hù)罩，動導(dǎo)電桿的上端依次有套裝有導(dǎo)向套、動端蓋，動端蓋固定在瓷筒的上端；靜觸頭通過靜導(dǎo)電桿及靜端蓋固定在瓷筒的下端；所述動端蓋和保護(hù)罩之間設(shè)有波紋管，波紋管套裝在動導(dǎo)電桿上；動觸頭、靜觸頭及部分靜導(dǎo)電桿和保護(hù)罩位于屏蔽筒內(nèi)，屏蔽筒的厚度為1.5-2mm。本實(shí)用新型通過加厚屏蔽筒壁厚以及對靜導(dǎo)電桿優(yōu)化設(shè)計，從而有效解決了大電流開關(guān)性能不穩(wěn)定的問題。
文檔編號H01H33/66GK202205645SQ201120298868
公開日2012年4月25日 申請日期2011年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者丁安平, 張雍, 胡聞問 申請人:武漢飛特電氣有限公司