專利名稱：一種去除殘膠的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及一種去除殘膠的方法，用于在對芯片中的壓焊塊進行加厚過程中留下的殘膠進行去除。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域中，由于封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，傳統(tǒng)的金線封裝或\和鋁線封裝已經(jīng)不能滿足現(xiàn)在的封裝要求，而銅線封裝由于銅線本身具有低電阻率、低價格、高熱導(dǎo)的特點，使得該封裝技術(shù)的應(yīng)用越來越廣泛。為滿足銅線封裝的要求，芯片中壓焊塊的金屬層厚度要求也相應(yīng)增加，為了使芯片中壓焊塊的金屬層加厚，采用了多種加厚技術(shù)。傳統(tǒng)的芯片中壓焊塊的金屬層加厚工藝主要是，在其鈍化層進行刻蝕處理之后，再濺射一層金屬層在該鈍化層上，然后通過涂膠曝光顯影技術(shù)，將壓焊點區(qū)域以外的Al刻蝕掉，再對芯片中壓焊塊進行去膠處理，最后將芯片中壓焊塊上的鈍化層上下表面的兩層金屬層進行合金化處理，達到局部加厚芯片中壓焊塊的金屬層的效果。但是，本發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)上述方案存在以下技術(shù)問題:傳統(tǒng)的芯片中壓焊塊制作工藝在制造流程中會使芯片中某些線條密集區(qū)域如防靜電保護結(jié)構(gòu)區(qū)域留有殘膠，即便是更換光刻膠或者采用去膠溶液都不能將殘膠完全去掉，由于去膠不干凈，進而在將芯片中壓焊塊帶進設(shè)備時，會對設(shè)備造成污染，出現(xiàn)導(dǎo)致設(shè)備無法使用的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種去除殘膠的方法，用于在對芯片中的壓焊塊進行加厚過程中留下的殘膠進行去除，進而解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于芯片中某些線條密集區(qū)域如防靜電保護結(jié)構(gòu)區(qū)域留有殘膠，進而導(dǎo)致芯片污染設(shè)備的問題。本發(fā)明提供一種去除殘膠的方法，用于在對芯片中的壓焊塊進行加厚過程中留下的殘膠進行去除，所述方法具體包括:對厚度為dl的第一金屬層和第二金屬層進行合金化處理，使對應(yīng)至少一個第一開口處的第一金屬層和所述第二金屬層緊密結(jié)合；在所述第二金屬層上表面形成光致抗蝕層；通過光刻在所述光致抗蝕層形成數(shù)量與第一開口相同的第二開口，所述第二開口中每個第二開口的位置垂直地與所述第一開口中每個第一開口對應(yīng)；沿著每個第二開口對應(yīng)的所述第二金屬層表面垂直向下，通過刻蝕，去除所述第二開口中的部分第二金屬層，為每個第二開口形成第二底面?？蛇x的，所述第一開口為所述第一金屬層經(jīng)過刻蝕形成，其中，所述第一開口深度為dl、寬度為wl，每個第一開口具有第一底面。可選的，所述第一金屬層上表面與所述第二金屬層的下表面具有厚度為d2的鈍化層。
可選的，所述對厚度為dl的第一金屬層和第二金屬層進行合金化處理，使對應(yīng)至少一個第一開口處的第一金屬層和所述第二金屬層緊密結(jié)合之前，具體還包括:在所述鈍化層上通過濺射，形成第二金屬層，其中，所述第二金屬層形成于所述鈍化層上表面，并形成數(shù)量與所述第一開口相同的第三開口，所述第三開口中每個第三開口的位置垂直地與所述第一開口中每個第一開口對應(yīng)，每個第三開口具有第三底面，所述第三底面和所述第一底面位于不同水平面?？蛇x的，所述在所述鈍化層上通過濺射，形成第二金屬層之前，具體還包括:通過刻蝕在所述第一金屬層上表面的厚度為d2的鈍化層，在所述第一金屬層的上表面形成數(shù)量與所述第一開口相同的第四開口，所述第四開口中每個第四開口的位置垂直地與所述至少一個第一開口中每個第一開口對應(yīng)，其中，所述第四開口具有第四底面，所述第四底面與所述第一底面位于同一水平面。可選的，所述第三底面與所述第二底面位于同一水平面?？蛇x的，通過去膠處理，去除所述第四開口中每個第四開口中的殘膠，及所述光致抗蝕層?？蛇x的，所述第一金屬層的材質(zhì)具體為:A1，Cu，銅鋁合金或者鋁硅銅合金。可選的，所述第二金屬層的材質(zhì)具體為:A1，Cu，銅鋁合金或者鋁硅銅合金?？蛇x的，所述第三開口的寬度為w2 ;其中，所述《2小于等于所述Wl。上述技術(shù)方案中具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點:本發(fā)明中技術(shù)方案通過采用將所述第一金屬層和所述第二金屬層進行合金化之后，再對所述第二金屬層進行處理，并且為了解決在所述第一金屬層和所述第二金屬層進行合金化之后，對所述第二金屬層進行光刻比較難對準(zhǔn)的問題，采用將所述第一金屬層和所述鈍化層進行刻蝕，形成一致開口的疊加標(biāo)記，再進行光刻和刻蝕的技術(shù)方案，有效的避免了現(xiàn)有技術(shù)中存在的在對芯片中的壓焊塊進行加厚過程中會留有殘膠污染設(shè)備的技術(shù)問題，進而達到在對芯片帶進設(shè)備進行處理時，不會污染設(shè)備，可以降低設(shè)備耗損率的技術(shù)效果。


圖1為本發(fā)明實施例去除殘膠的方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例對芯片中第一金屬層處理之后的結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明實施例對芯片中鈍化層處理之后的結(jié)構(gòu)圖；圖4為本發(fā)明實施例在鈍化層上濺射一層第二金屬層后的結(jié)構(gòu)圖；圖5為本發(fā)明實施例在第二金屬層上形成光致抗蝕層的結(jié)構(gòu)圖；圖6為本發(fā)明實施例對光致抗蝕層進行光刻之后的結(jié)構(gòu)圖；圖7為本發(fā)明實施例對光致抗蝕層進行刻蝕后的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式為了給出能有效避免芯片中某些線條密集區(qū)域如防靜電保護結(jié)構(gòu)區(qū)域留有殘膠留有殘膠，進而不污染設(shè)備并降低設(shè)備耗損率的實現(xiàn)方案，本發(fā)明實施例提供了一種去除殘膠的方法，以下結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明的實施例進行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的實施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。參考圖1，為本發(fā)明實施例一種去除殘膠的方法的流程圖。步驟101，對厚度為dl的第一金屬層和第二金屬層進行合金化處理，使對應(yīng)至少一個第一開口處的第一金屬層和所述第二金屬層緊密結(jié)合。其中，參考圖2，第一開口為所述第一金屬層經(jīng)過刻蝕形成，其中，所述第一開口深度為dl、寬度為wl，每個第一開口具有第一底面。所述第一金屬層上表面與所述第二金屬層的下表面具有厚度為d2的鈍化層。其中，第一金屬層的材質(zhì)可以采用Al，Cu，銅鋁合金或者鋁硅銅合金，而在本發(fā)明實施例中,第一金屬層的材質(zhì)采用Al，應(yīng)當(dāng)理解，此處所列的Al金屬材質(zhì)僅為本實施例采用的金屬材質(zhì)，根據(jù)本發(fā)明實施例也可以選擇其它的金屬材質(zhì)，實際應(yīng)用中可以考慮成本并結(jié)合各種金屬材質(zhì)所能達到的最佳效果而決定采用何種材質(zhì)。在步驟101之前，會對所述鈍化層預(yù)先做好處理，參考圖3，通過刻蝕在所述第一金屬層上表面的厚度為d2的鈍化層，在所述第一金屬層的上表面形成數(shù)量與所述第一開口相同的第四開口，所述第四開口中每個第四開口的位置垂直地與所述至少一個第一開口中每個第一開口對應(yīng)，其中，所述第四開口具有第四底面，所述第四底面與所述第一底面位于同一水平面，所述第四底面與所述第三底面位于不同水平面。在處理好鈍化層之后，會對第二金屬層進行處理，參考圖4，在所述鈍化層上通過濺射，形成第二金屬層，其中，所述第二金屬層形成于所述鈍化層上表面，并形成數(shù)量與所述第一開口相同的第三開口，所述第三開口中每個第三開口的位置垂直地與所述第一開口中每個第一開口對應(yīng)，每個第三開口具有第三底面，所述第三底面和所述第一底面位于不同水平面。步驟102，在所述第二金屬層上表面形成光致抗蝕層。參考圖5為第二金屬層上表面形成光致抗蝕層。步驟103，通過光刻在所述光致抗蝕層形成數(shù)量與第一開口相同的第二開口，所述第二開口中每個第二開口的位置垂直地與所述第一開口中每個第一開口對應(yīng)。參考圖6為對所述光致抗蝕層進行光刻之后，在所述光致抗蝕層形成的第二開口的數(shù)量，與所述第一開口相同。其中，第二開口中每個第二開口的位置垂直地與第一開口中每個第一開口對應(yīng)，圖6所描述的第二開口大于第三開口，而第二開口寬度也可以等于第三開口，可以小于等于第四開口，第二開口大小的具體的值根據(jù)實際情況確定。步驟104，沿著每個第二開口對應(yīng)的所述第二金屬層表面垂直向下，通過刻蝕，去除所述第二開口中的部分第二金屬層，為每個第二開口形成第二底面。所述第三底面與所述第二底面位于同一水平面，如圖7所示。在實際應(yīng)用過程中，對于半導(dǎo)體制作，所述刻蝕通常分為濕法刻蝕和干法刻蝕，本申請實施例采用濕法刻蝕。當(dāng)然，兩種方法各有特點，可以根據(jù)實際情況需要來選擇刻蝕的方法。主要是根據(jù)環(huán)境溫度、濕度的影響，以及選擇的工作壓力和功率這些因素來選擇刻蝕的方法。本發(fā)明實施例具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點:
本發(fā)明中技術(shù)方案通過采用將所述第一金屬層和所述第二金屬層進行合金化之后，再對所述第二金屬層進行處理，并且為了解決，在進行合金化之后，對所述第二金屬層進行光刻比較難對準(zhǔn)的問題，采用將所述第一金屬層和所述鈍化層進行刻蝕，形成一致開口的疊加標(biāo)記，再進行光刻和刻蝕的技術(shù)方案，有效的避免了現(xiàn)有技術(shù)中存在的在對芯片中的壓焊塊進行加厚過程中會留有殘膠污染設(shè)備的技術(shù)問題，進而達到在對芯片帶進設(shè)備進行處理時，不會污染設(shè)備，可以降低設(shè)備耗損率的技術(shù)效果。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種去除殘膠的方法，用于在對芯片中的壓焊塊進行加厚過程中留下的殘膠進行去除，其特征在于，所述方法具體包括: 對厚度為dl的第一金屬層和第二金屬層進行合金化處理，使對應(yīng)至少一個第一開口處的第一金屬層和所述第二金屬層緊密結(jié)合； 在所述第二金屬層上表面形成光致抗蝕層； 通過光刻在所述光致抗蝕層形成數(shù)量與第一開口相同的第二開口，所述第二開口中每個第二開口的位置垂直地與所述第一開口中每個第一開口對應(yīng)； 沿著每個第二開口對應(yīng)的所述第二金屬層表面垂直向下，通過刻蝕，去除所述第二開口中的部分第二金屬層，為每個第二開口形成第二底面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一開口為所述第一金屬層經(jīng)過刻蝕形成，其中，所述第一開口深度為dl、寬度為wl，每個第一開口具有第一底面。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層上表面與所述第二金屬層的下表面具有厚度為d2的鈍化層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對厚度為dl的第一金屬層和第二金屬層進行合金化處理，使對應(yīng)至少一個第一開口處的第一金屬層和所述第二金屬層緊密結(jié)合之前，具體還包括: 在所述鈍化層上通過濺射，形成第二金屬層，其中，所述第二金屬層形成于所述鈍化層上表面，并形成數(shù)量與所述第一開口相同的第三開口，所述第三開口中每個第三開口的位置垂直地與所述第一開口中每個第一開口對應(yīng)，每個第三開口具有第三底面，所述第三底面和所述第一底面位于不同水平面。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述鈍化層上通過濺射，形成第二金屬層之前，具體還包括: 通過刻蝕在所述第一金屬層上表面的厚度為d2的鈍化層，在所述第一金屬層的上表面形成數(shù)量與所述第一開口相同的第四開口，所述第四開口中每個第四開口的位置垂直地與所述至少一個第一開口中每個第一開口對應(yīng)，其中，所述第四開口具有第四底面，所述第四底面與所述第一底面位于同一水平面，所述第四底面與所述第三底面位于不同水平面。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三底面與所述第二底面位于同一水平面。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法具體還包括: 通過去膠處理，去除所述第二開口中每個第二開口中的殘膠，及所述光致抗蝕層。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層的材質(zhì)具體為: Al, Cu,銅招合金或者招娃銅合金。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金屬層的材質(zhì)具體為: Al, Cu,銅招合金或者招娃銅合金。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三開口的寬度為W2； 其中，所述w2小于等于所述wl。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種去除殘膠的方法，用于在對芯片中的壓焊塊進行加厚過程中留下的殘膠進行去除，通過采用將所述第一金屬層和所述第二金屬層進行合金化之后，再對所述第二金屬層進行處理，并且為了解決在所述第一金屬層和所述第二金屬層進行合金化之后，對所述第二金屬層進行光刻比較難對準(zhǔn)的問題，采用將所述第一金屬層和所述鈍化層進行刻蝕，形成一致開口的疊加標(biāo)記，再進行光刻和刻蝕的技術(shù)方案，有效的避免了現(xiàn)有技術(shù)中存在的在對芯片中的壓焊塊進行加厚過程中會留有殘膠污染設(shè)備的技術(shù)問題，進而達到在對芯片帶進設(shè)備進行處理時，不會污染設(shè)備，可以降低設(shè)備耗損率的技術(shù)效果。
文檔編號H01L21/027GK103165413SQ201110424678
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月16日
發(fā)明者陳兆同, 馬萬里, 趙文魁 申請人:北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司