專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種具有有機阻障層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于電子產(chǎn)品的外觀已逐漸趨向輕、薄、短、小發(fā)展，因此凸塊或引腳等電性連接元件必然朝向微細間距發(fā)展，然當凸塊或引腳等電性連接元件若含有銅時，容易因為銅離子游離而導(dǎo)致電性短路，進而造成產(chǎn)品不良的情形。由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其封裝構(gòu)造，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進的目標。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其封裝構(gòu)造，由于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含有該有機阻障層，因此可防止含銅凸塊在微細間距時因銅離子游離而導(dǎo)致電性短路的情形。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其至少包含一載體，其具有一表面、一形成于該表面的保護層及多個形成于該表面的導(dǎo)接墊，該保護層具有多個開口且所述開口顯露所述導(dǎo)接墊；多個凸塊下金屬層，其形成于所述導(dǎo)接墊；多個含銅凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層，各該含銅凸塊具有一頂面及一連接該頂面的環(huán)壁；以及一有機阻障層，其具有一凸塊覆蓋部，該凸塊覆蓋部覆蓋各該含銅凸塊的該 頂面及該環(huán)壁。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層另具有一保護層覆蓋部，該保護層覆蓋部覆蓋該保護層。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層的厚度小于lOum。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層的黏度范圍1-1. 2cp。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層的材質(zhì)選自于有機高分子材料。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中該有機阻障層選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層由苯駢咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所組成。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該載體選自于硅基板、玻璃基板、陶瓷基板或銅箔基板其中之一。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中各該凸塊下金屬層具有一環(huán)墻，該凸塊覆蓋部覆蓋各該凸塊下金屬層的該環(huán)墻。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其至少包含一載體，其具有一表面、一形成于該表面的保護層及多個形成于該表面的導(dǎo)接墊，該保護層具有多個開口且所述開口顯露所述導(dǎo)接墊；多個含銅凸塊，其形成于所述導(dǎo)接墊，各該含銅凸塊具有一頂面及一連接該頂面的環(huán)壁；以及一有機阻障層，其具有一凸塊覆蓋部，該凸塊覆蓋部覆蓋各該含銅凸塊的該頂面及該環(huán)壁。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層的厚度小于lOum。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層的粘度范圍為1-1. 2cp。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層的材質(zhì)選自于有機高分子材料。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中該有機阻障層選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該有機阻障層由苯駢咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所組成。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該載體選自于硅基板、玻璃基板、陶瓷基板或銅箔基板其中之一。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其至少包含一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一載體，其具有一表面、一形成于該表面的保護層及多個形成于該表面的導(dǎo)接墊，該保護層具有多個開口且所述開口顯露所述導(dǎo)接墊；多個凸塊下金屬層，其形成于所述導(dǎo)接墊；多個含銅凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層，各該含銅凸塊具有一頂面及一連接該頂面的環(huán)壁；以及一有機阻障層，其具有一凸塊覆蓋部，該凸塊覆蓋部覆蓋各該含銅凸塊的該環(huán)壁；以及一基板，其具有多個連接墊及一防焊層，該防焊層具有多個開槽以顯露所述連接墊，所述連接墊結(jié)合于所述含銅凸塊且該有機阻障層的該凸塊覆蓋部覆蓋該防焊層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該有機阻障層另具有一保護層覆蓋部，該保護層覆蓋部覆蓋該保護層。前述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該有機阻障層的厚度小于lOum。前述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該有機阻障層的粘度范圍為1-1. 2cp。前述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造,其中該有機阻障層的材質(zhì)選自于有機高分子材料。前述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該有機阻障層選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一。前述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該有機阻障層由苯駢咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所組成。前述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該載體選自于硅基板、玻璃基板、陶瓷基板或銅箔基板其中之一。前述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中各該凸塊下金屬層具有一環(huán)墻，該凸塊覆蓋部覆蓋各該凸塊下金屬層的該環(huán)墻。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為達到上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一載體、多個凸塊下金屬層、多個含銅凸塊以及一有機阻障層，該載體具有一表面、一形成于該表面的保護層及多個形成于該表面的導(dǎo)接墊，該保護層具有多個開口且該些開口顯露該些導(dǎo)接墊，該些凸塊下金屬層形成于該些導(dǎo)接墊，該些含銅凸塊形成于該些凸塊下金屬層，各該含銅凸塊具有一頂面及一連接該頂面的環(huán)壁，該有機阻障層具有一凸塊覆蓋部，該凸塊覆蓋部覆蓋各該含銅凸塊的該頂面及該環(huán)壁。由于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含有該有機阻障層，因此可防止該些含銅凸塊在微細間距時因銅離子游離而導(dǎo)致電性短路的情形。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其封裝構(gòu)造至少具有下列優(yōu)點及有益效果在本發(fā)明中，由于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含有該有機阻障層，因此可防止該些含銅凸塊于微細間距時因銅離子游離而導(dǎo)致電性短路的情形。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖2是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例，另一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖3是依據(jù)本發(fā)明的第三較佳實施例，又一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面示意圖。

圖4A至圖4G是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)工藝的截面示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，應(yīng)用該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所形成的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。10 :半導(dǎo)體封裝構(gòu)造 100 :半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110:載體111 :表面112:保護層112a:開口113:導(dǎo)接墊120:凸塊下金屬層 121 :環(huán)墻130 :含銅凸塊131 :頂面132 :環(huán)壁140:有機阻障層141 :凸塊覆蓋部142 :保護層覆蓋部200 :半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)210 :載體211 :表面212:保護層212a:開口213 :導(dǎo)接墊220 :含銅凸塊221 :頂面222 :環(huán)壁230:有機阻障層231 :凸塊覆蓋部300 :基板310 :連接墊320 :防焊層
321 :開槽M :含銅金屬層P :光阻層Pl:凸塊開口
具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其封裝構(gòu)造其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。請參閱圖1所示，其是本發(fā)明的第一較佳實施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包含一載體110、多個凸塊下金屬層120、多個含銅凸塊130以及一有機阻障層140，該載體110具有一表面111、一形成于該表面111的保護層112及多個形成于該表面111的導(dǎo)接墊113，該保護層112具有多個開口 112a 且該些開口 112a顯露該些導(dǎo)接墊113，該載體110可選自于硅基板、玻璃基板、陶瓷基板或銅箔基板其中之一，在本實施例中，該載體110可為硅基板，該些凸塊下金屬層120形成于該些導(dǎo)接墊113，該些含銅凸塊130形成于該些凸塊下金屬層120，各該含銅凸塊130具有一頂面131及一連接該頂面131的環(huán)壁132，該有機阻障層140具有一凸塊覆蓋部141，該凸塊覆蓋部141覆蓋各該含銅凸塊130的該頂面131及該環(huán)壁132。較佳地，各該凸塊下金屬層120具有一環(huán)墻121，該凸塊覆蓋部141覆蓋各該凸塊下金屬層120的該環(huán)墻121，在本實施例中，該有機阻障層140的厚度小于lOum，該有機阻障層140的材質(zhì)選自于有機高分子材料，該有機阻障層140選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、
替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一，其結(jié)構(gòu)式如下
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包含一載體，其具有一表面、一形成于該表面的保護層及多個形成于該表面的導(dǎo)接墊，該保護層具有多個開口且所述開口顯露所述導(dǎo)接墊；多個凸塊下金屬層，其形成于所述導(dǎo)接墊；多個含銅凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層，各該含銅凸塊具有一頂面及一連接該頂面的環(huán)壁；以及一有機阻障層，其具有一凸塊覆蓋部，該凸塊覆蓋部覆蓋各該含銅凸塊的該頂面及該環(huán)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層另具有一保護層覆蓋部，該保護層覆蓋部覆蓋該保護層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層的厚度小于 IOum0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層的黏度范圍1-L 2cp。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層的材質(zhì)選自于有機高分子材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層由苯駢咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該載體選自于娃基板、玻璃基板、陶瓷基板或銅箔基板其中之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中各該凸塊下金屬層具有一環(huán)墻，該凸塊覆蓋部覆蓋各該凸塊下金屬層的該環(huán)墻。
10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包含一載體，其具有一表面、一形成于該表面的保護層及多個形成于該表面的導(dǎo)接墊，該保護層具有多個開口且所述開口顯露所述導(dǎo)接墊；多個含銅凸塊，其形成于所述導(dǎo)接墊，各該含銅凸塊具有一頂面及一連接該頂面的環(huán)壁；以及一有機阻障層，其具有一凸塊覆蓋部，該凸塊覆蓋部覆蓋各該含銅凸塊的該頂面及該環(huán)壁。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層的厚度小于 IOum0
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層的粘度范圍為1-L 2cp0
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層的材質(zhì)選自于有機高分子材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該有機阻障層由苯駢咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所組成。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于其中該載體選自于娃基板、玻璃基板、陶瓷基板或銅箔基板其中之一。
17.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其至少包含一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一載體，其具有一表面、一形成于該表面的保護層及多個形成于該表面的導(dǎo)接墊，該保護層具有多個開口且所述開口顯露所述導(dǎo)接墊；多個凸塊下金屬層，其形成于所述導(dǎo)接墊；多個含銅凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層，各該含銅凸塊具有一頂面及一連接該頂面的環(huán)壁；以及一有機阻障層，其具有一凸塊覆蓋部，該凸塊覆蓋部覆蓋各該含銅凸塊的該環(huán)壁；以及一基板，其具有多個連接墊及一防焊層，該防焊層具有多個開槽以顯露所述連接墊，所述連接墊結(jié)合于所述含銅凸塊且該有機阻障層的該凸塊覆蓋部覆蓋該防焊層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中該有機阻障層另具有一保護層覆蓋部，該保護層覆蓋部覆蓋該保護層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中該有機阻障層的厚度小于 IOum0
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中該有機阻障層的粘度范圍為 1-1. 2cp。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中該有機阻障層的材質(zhì)選自于有機高分子材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中該有機阻障層選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中該有機阻障層由苯駢咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所組成。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中該載體選自于硅基板、 玻璃基板、陶瓷基板或銅箔基板其中之一。
25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中各該凸塊下金屬層具有一環(huán)墻，該凸塊覆蓋部覆蓋各該凸塊下金屬層的該環(huán)墻。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其封裝構(gòu)造，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一載體、多個凸塊下金屬層、多個含銅凸塊以及一有機阻障層，該載體具有一表面、一保護層及多個導(dǎo)接墊，該保護層具有多個開口且該些開口顯露該些導(dǎo)接墊，該些凸塊下金屬層形成于該些導(dǎo)接墊，該些含銅凸塊形成于該些凸塊下金屬層，各該含銅凸塊具有一頂面及一環(huán)壁，該有機阻障層具有一凸塊覆蓋部，該凸塊覆蓋部覆蓋各該含銅凸塊的該頂面及該環(huán)壁。
文檔編號H01L23/498GK103035608SQ201110307548
公開日2013年4月10日 申請日期2011年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月8日
發(fā)明者施政宏, 林淑真, 謝永偉, 葉潤宇 申請人:頎邦科技股份有限公司