專利名稱：一種倒裝芯片的半導(dǎo)體器件及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及一種倒裝芯片的半導(dǎo)體器件及方法，更確切的說，本發(fā)明涉及一種利用倒裝芯片的封裝方式所制備的包含金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路相關(guān)制造工藝的發(fā)展以及芯片按照比例尺寸縮小的趨勢，器件熱傳導(dǎo)工程在半導(dǎo)體工藝和器件性能改善方面所起的作用越來越明顯。尤其是在一些特殊的芯片類型上，如一些應(yīng)用于功率芯片上的金屬氧化物半導(dǎo)體器件。通常，在半導(dǎo)體器件的復(fù)雜制備工藝流程中，尤其是封裝過程中，芯片存在各種各樣的熱傳導(dǎo)設(shè)計方式，由于器件尺寸的逐步縮小，很多散熱方式相對較佳的封裝形式對器 件的性能是有改善的。專利號為US20070108564的美國專利申請公開了一種利用倒裝芯片制程制造的半導(dǎo)體器件，圖I是該發(fā)明中由功率芯片102構(gòu)成的半導(dǎo)體封裝器件100，該半導(dǎo)體封裝器件100包括應(yīng)用于芯片102上方的金屬架110的電性連接及散熱途徑，及通過互連結(jié)構(gòu)104等將芯片102電性連接至引腳106、108上。在該半導(dǎo)體封裝器件100中，金屬架110及引腳106、108與芯片102的布局未能達(dá)到最佳的散熱效果，因為芯片102是通過焊錫球類或焊接凸塊類的互連結(jié)構(gòu)104電性連接至引腳106、108，而并非直接與引腳106、108接觸。實際上，如果針對類似如應(yīng)用于功率器件的雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 DMOSFET (Double-diffusion metal-oxi de-semi conductor FET)等芯片類型而言，芯片的表面一般只有柵極和源極，若是再利用焊錫球(Solder ball)或焊接凸塊(Bump)來將柵極、源極連接至引腳，則會較為明顯的影響到器件熱性能。正是鑒于以上情況，基于芯片封裝工藝中的倒裝芯片(Flip Chip)技術(shù)，提出了本發(fā)明所提供的各種實施例。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述所提及的問題，本發(fā)明提供一種倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，包括一芯片安裝單元，至少包含第一基座以及設(shè)置在第一基座附近并與第一基座分離開的第二基座和引線座，并且在所述第一基座的頂面、第二基座的頂面均形成有多條包括橫向及縱向的凹槽，其中，位于第一基座的頂面的凹槽將第一基座的頂面分割成包含多個第一類粘貼區(qū)的多個區(qū)域，位于第二基座的頂面的凹槽將第二基座的頂面分割成至少包含一個第二類粘貼區(qū)的多個區(qū)域；以及倒裝粘貼至第一基座、第二基座上的芯片，其中，所述芯片包括位于芯片正面的第一電極和第二電極，所述芯片的第一電極與所述多個第一類粘貼區(qū)接觸并粘貼在一起，芯片的第二電極與第二類粘貼區(qū)接觸并粘貼在一起。上述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，位于第一基座頂面邊緣處的一橫向凹槽對應(yīng)與位于第二基座頂面邊緣處的一橫向凹槽處于同一直線上，并且位于第一基座頂面邊緣處的一縱向凹槽對應(yīng)與位于第二基座頂面邊緣處的一縱向凹槽處于同一直線上。上述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，處于同一直線上的第一基座頂面邊緣處的橫向凹槽和第二基座頂面邊緣處的橫向凹槽，以及處于同一直線上的第一基座頂面邊緣處的縱向凹槽和第二基座頂面邊緣處的縱向凹槽，與第一基座頂面邊緣處的另一橫向凹槽和另一縱向凹槽圍繞構(gòu)成一矩形的周邊槽。上述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，所述芯片為一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，并且所述第一電極為芯片的源極，第二電極為芯片的柵極，位于芯片背面的第三電極為芯片的漏極。上述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，其中，所述芯片的第三電極通過鍵合線進(jìn)一步電性連接至引線座上。上述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，芯片邊緣四周的切割區(qū)位于所述周邊槽的正上方。此外，本發(fā)明還提供一種倒裝芯片的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟提供 的頂面包含多個第一類粘貼區(qū)，第二基座的頂面至少包含一個第二類粘貼區(qū)；在第一類粘貼區(qū)、第二類粘貼區(qū)涂覆導(dǎo)電材料，將一芯片倒裝粘貼至第一基座、第二基座上，芯片的第一電極與第一類粘貼區(qū)接觸并粘貼在一起，芯片的第二電極與第二類粘貼區(qū)接觸并粘貼在一起；利用鍵合線將位于芯片背面的第三電極電性連接至引線座上；利用塑封料封裝所述引線框架、芯片及鍵合線，然后對所述引線框架及塑封料進(jìn)行切割用于將以塑封體塑封芯片、鍵合線、芯片安裝單元的封裝體分離出來；其中，第二基座及引線座設(shè)置在第一基座附近并均與第一基座分離開，在第一基座的頂面、第二基座的頂面均形成有多條包括橫向及縱向的凹槽，位于第一基座的頂面的凹槽將第一基座的頂面分割成包含多個第一類粘貼區(qū)的多個區(qū)域，位于第二基座的頂面的凹槽將第二基座的頂面分割成至少包含一個第二類粘貼區(qū)的多個區(qū)域。上述的方法，所述橫向及縱向的凹槽是在第一基座、第二基座及引線座各自的頂面上進(jìn)行半刻蝕或模壓實現(xiàn)的。上述的方法,位于第一基座頂面邊緣處的一橫向凹槽對應(yīng)與位于第二基座頂面邊緣處的一橫向凹槽處于同一直線上，并且位于第一基座頂面邊緣處的一縱向凹槽對應(yīng)與位于第二基座頂面邊緣處的一縱向凹槽處于同一直線上。上述的方法，處于同一直線上的第一基座頂面邊緣處的橫向凹槽和第二基座頂面邊緣處的橫向凹槽，以及處于同一直線上的第一基座頂面邊緣處的縱向凹槽和第二基座頂面邊緣處的縱向凹槽，與第一基座頂面邊緣處的另一橫向凹槽和另一縱向凹槽圍繞構(gòu)成一矩形的周邊槽。上述的方法，將所述芯片倒裝粘貼至第一基座、第二基座上時，所述芯片邊緣四周的切割區(qū)位于所述周邊槽的正上方。上述的方法，所述芯片為一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，并且所述第一電極為芯片的源極，第二電極為芯片的柵極，位于芯片背面的第三電極為芯片的漏極。本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀以下較佳實施例的詳細(xì)說明，并參照附圖之后，本發(fā)明的這些和其他方面的優(yōu)勢無疑將顯而易見。


參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。圖I是背景技術(shù)中公開了的利用倒裝芯片制程制造的半導(dǎo)體器件。圖2A是本發(fā)明第一基座附近的第二基座、引線座組合在一起的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2B是本發(fā)明第一基座附近的第二基座、引線座組合在一起的俯視示意圖。圖2C是第一基座、第二基座各自的表面未經(jīng)刻蝕或模壓前的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是在本發(fā)明中芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是芯片焊接在第一基座、第二基座、引線座上的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是芯片焊接在第一基座、第二基座、引線座上的截面示意圖。圖6是第一基座、第二基座各自表面進(jìn)行刻蝕或模壓的另外一種實施方式的不意圖。圖7A-7G是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制備流程示意圖。
具體實施例方式圖2A所示出的包含第一基座201、第二基座202、引線座203的芯片安裝單元200與圖3所示出的芯片300封裝在一起就構(gòu)成了圖4所示出的半導(dǎo)體器件400。在圖2A的芯片安裝單元200中，第二基座202、引線座203設(shè)置在第一基座201附近并與第一基座201分離斷開，圖2B是圖2A的平面俯視圖，在第一基座201的頂面形成有多條包括橫向及縱向的凹槽，如縱向凹槽204、204a、204b及橫向凹槽205、205a、205b ;同樣在第二基座202的頂面形成有多條包括橫向及縱向的凹槽，如縱向凹槽206a、206b及橫向凹槽207a、207b。其中，圖2B所描述的凹槽只是為了便于敘述說明，其數(shù)量并不受限制。圖2B中，位于第一基座201的頂面包括橫向及縱向的凹槽(如凹槽204、204a、204b及凹槽205、205a、205b)將第一基座201的頂面分割成包含多個第一類粘貼區(qū)201b的多個區(qū)域，位于第二基座202的頂面包括橫向及縱向的凹槽(如凹槽206a、206b及凹槽207a、207b)將第二基座202的頂面分割成至少包含一個第二類粘貼區(qū)202b的多個區(qū)域。參見圖2A及2B，第一基座201還連接有多個引腳201a，第二基座202還連接有一個或多個引腳202a，引線座203還連接有多個引腳203a。為了便于理解圖2A所示的在第一基座201的頂面、第二基座202的頂面所形成的多條包括橫向及縱向的凹槽，圖2C的芯片安裝單元200'是圖2A中芯片安裝單元200未形成凹槽的結(jié)構(gòu)形式。在芯片安裝單元20(V中，有多種方式可以形成如圖2A及2B那樣的橫向或縱向的凹槽，一種優(yōu)選方式是在第一基座20Γ、第二基座202'、引線座203'各自的頂面進(jìn)行半刻蝕(Half etch)或進(jìn)行模壓(Punch)，半刻蝕是指在厚度上部分刻蝕第一基座201'、第二基座202'、引線座203'。參見圖3所示，芯片300為垂直式的功率器件，例如頂源底漏式的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，則芯片300的第一電極301為源極、第二電極302為柵極，為芯片300漏極的第三電極303位于芯片300的背面(未示出)。參見圖4所示，即是將芯片300以倒裝芯片的封裝方式安置在圖2A所示出的芯片安裝單元200上。在圖4中，芯片300焊接至第一基座201、第二基座202上，其中，芯片300的第一電極301與第一類粘貼區(qū)201b接觸并焊接在一起，芯片300的第二電極302與第二類粘貼區(qū)202b接觸并焊接在一起，并且位于芯片300背面的第三電極303通過鍵合線401進(jìn)一步電性連接至引線座203上。鍵合線401還可以用其他的導(dǎo)體替代，例如金屬帶、金屬片等。芯片300也有其他的可選類型，例如底源頂漏的垂直金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，則第一電極301為漏極、第二電極302為柵極，位于芯片300的背面的第三電極303為源極。圖5是圖4的截面示意圖，在半導(dǎo)體器件400的截面結(jié)構(gòu)中，參考圖2A、2B，位于第一基座201頂面邊緣處的一橫向凹槽205b對應(yīng)與位于第二基座202頂面邊緣處的一橫向凹槽207b處于同一直線上，位于第一基座201頂面邊緣處的一縱向凹槽204b對應(yīng)與位于第二基座202頂面邊緣處的一縱向凹槽206b處于同一直線上。進(jìn)而,處于同一直線上的第一基座202頂面邊緣處的橫向凹槽205b和第二基座202頂面邊緣處的橫向凹槽207b，以及處于同一直線上的第一基座201頂面邊緣處的縱向凹槽204b和第二基座202頂面邊緣處的縱向凹槽206b，與第一基座201頂面邊緣處的另一縱向凹槽204a和另一橫向凹槽205a圍繞構(gòu)成一矩形的以虛線示出的周邊槽(Surrounding Groove)208。而位于第二基座202 頂面邊緣處的另一縱向凹槽206a和另一橫向凹槽207a與縱向凹槽206b、橫向凹槽207b圍繞構(gòu)成另一以虛線示出的矩形槽209，以將第二類粘貼區(qū)202b圍繞在內(nèi)。如圖5及圖4所示，在粘貼芯片300至第一基座201、第二基座202上的過程中，要保障芯片300邊緣四周的切割區(qū)304位于周邊槽208的正上方，也就是說在垂直方向上芯片300邊緣四周的切割區(qū)304位于周邊槽208內(nèi)，以防止芯片300與芯片安裝單元200的其他部位發(fā)生電氣接觸而短路。切割區(qū)304原本是芯片300在同一晶圓上與其他芯片鑄造連接在一起的部分，而芯片300被從晶圓上切割下來后，切割區(qū)(Scribe line)304被部分切割掉但還有部分遺留在芯片300的邊緣四周。切割區(qū)304位于周邊槽208的正上方也即是意味著切割區(qū)304的垂直投影落在周邊槽208內(nèi)。所以，基于芯片300的尺寸大小而要對周邊槽208的尺寸進(jìn)行調(diào)整，以使得周邊槽208的尺寸比芯片300的尺寸稍大。在圖2B及圖5中，如果縱向凹槽204a、橫向凹槽205a、縱向凹槽204b、縱向凹槽206b、橫向凹槽207b、橫向凹槽205b中最小的凹槽寬度為W，則芯片300邊緣四周的切割區(qū)304在垂直方向上位于這個W的寬度范圍內(nèi)。圖2B所示的芯片安裝單元200還可以利用圖6所示的芯片安裝單元500代替。芯片安裝單元200與芯片安裝單元500的結(jié)構(gòu)并無較大的差異，只是芯片安裝單元500中第一基座501的頂面被更多的橫向及縱向凹槽分割成更多的包含多個第一類粘貼區(qū)501b的多個區(qū)域。但是位于第二基座502的頂面的凹槽僅僅為一橫向凹槽和一縱向凹槽，將第二基座502的頂面分割成包含一個第二類粘貼區(qū)502b的多個區(qū)域。上述差異可以在第一基座501、第二基座502各自表面進(jìn)行半刻蝕或模壓的流程中，以不同的刻蝕圖案或模壓圖案實現(xiàn)。為了獲得圖4示出的半導(dǎo)體器件400并將其塑封，圖7A-7E展示了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制備流程示意圖。圖7A是引線框架605的平面俯視示意圖，引線框架605包含多個芯片安裝單元600 (與圖2A或圖6所示的芯片安裝單元相同)，進(jìn)一步而言，引線框架605包含多個由第一基座601、第二基座602及引線座603(與圖2A或圖6所示的芯片安裝單元相同)構(gòu)成的芯片安裝單元600，其中，第一基座601的頂面包含多個第一類粘貼區(qū)(未示出，參考圖2A或圖6)，第二基座602的頂面至少包含一個第二類粘貼區(qū)(未示出，參考圖2A或圖6)。圖7B是芯片安裝單元600的截面示意圖，在圖7B-7D中，通過在第一類粘貼區(qū)、第二類粘貼區(qū)涂覆導(dǎo)電材料802，將芯片700(與圖3所示的芯片300相同)倒裝焊接至第一基座601、第二基座602上。芯片700的第一電極701與第一類粘貼區(qū)接觸并焊接在一起，芯片700的第二電極702與第二類粘貼區(qū)接觸并焊接在一起，其中導(dǎo)電材料802可以為焊接劑(如焊錫膏)或?qū)щ娬澈蟿?如導(dǎo)電銀漿)；將芯片700倒裝焊接至第一基座601、第二基座602上還可以用共晶焊的方式進(jìn)行，芯片700的第一電極701、第二電極702可以采用純錫(Sn)或金錫(Au-Sn)合金作接觸面鍍層，第一電極701、第二電極702可共晶焊接于鍍有金或銀的第一類粘貼區(qū)、第二類粘貼區(qū)上，芯片安裝單元600被加熱至適合的共晶溫度時，令共晶層固化并將芯片700緊固的焊于第一基座601、第二基座602上。其中，由于有橫向或縱向的凹槽的存在，使得導(dǎo)電材料802不易從芯片安裝單元600溢出，并且多個第一類粘貼區(qū)及第二類粘貼區(qū)的存在加強了芯片700與第一基座601、第二基座602之間的連接強度。如圖7E所示，利用鍵合線801將位于芯片700背面的第三電極電性連接至引線座 603上，并利用塑封料803封裝弓I線框架605、芯片700及鍵合線801，如圖7F完成以塑封料803塑封引線框架605后的塑封料803、引線框架605的截面示意圖。然后對引線框架605及塑封料803進(jìn)行切割用于將以塑封體803 ^塑封芯片700、鍵合線801、芯片安裝單元600的封裝體900從引線框架605及塑封料803'中分離出來，以形成單獨的器件，如圖7G所示。在芯片安裝單元600中，其引腳(未示出，類同如圖2A所示的引腳201a、202a、203a)可作為芯片安裝單元600與引線框架605連接的連筋，弓I腳在對弓I線框架605及塑封料803的切割過程中被切斷，并且塑封體803'源于對塑封料803的切割。而且在上述步驟中，將芯片700倒裝焊接至第一基座601、第二基座602上時，要保障芯片700邊緣四周的切割區(qū)804位于芯片安裝單元600的周邊槽808 (參考圖7E及圖5)的正上方。在本申請的一種優(yōu)選實施方式中，芯片700為一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,第一電極701為芯片700的源極，第二電極702為芯片的柵極，第三電極為芯片700的漏極。而在另一種可選的實施方式中，芯片700為一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,第一電極701為芯片700的漏極,第二電極702為芯片的柵極，并且第三電極為芯片700的源極。通過說明和附圖，給出了具體實施方式
的特定結(jié)構(gòu)的典型實施例，例如，本案是以金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管器件進(jìn)行闡述，基于本發(fā)明精神，芯片還可作其他類型的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括 一芯片安裝單元，至少包含第一基座以及設(shè)置在第一基座附近并與第一基座分離開的第二基座和引線座，并且在所述第一基座的頂面、第二基座的頂面均形成有多條包括橫向及縱向的凹槽，其中，位于第一基座的頂面的凹槽將第一基座的頂面分割成包含多個第一類粘貼區(qū)的多個區(qū)域，位于第二基座的頂面的凹槽將第二基座的頂面分割成至少包含一個第二類粘貼區(qū)的多個區(qū)域；以及 倒裝粘貼至第一基座、第二基座上的芯片，其中，所述芯片包括位于芯片正面的第一電極和第二電極，所述芯片的第一電極與所述多個第一類粘貼區(qū)接觸并粘貼在一起，所述芯片的第二電極與第二類粘貼區(qū)接觸并粘貼在一起。
2.如權(quán)利要求I所述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，其特征在于，處于同一直線上的第一基座頂面邊緣處的橫向凹槽和第二基座頂面邊緣處的橫向凹槽，以及處于同一直線上的第一基座頂面邊緣處的縱向凹槽和第二基座頂面邊緣處的縱向凹槽，與第一基座頂面邊緣處的另一橫向凹槽和另一縱向凹槽圍繞構(gòu)成一矩形的周邊槽。
3.如權(quán)利要求2所述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述芯片邊緣四周的切割區(qū)位于所述周邊槽的正上方。
4.如權(quán)利要求I所述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述芯片還包括位于芯片 背面的第三電極，所述第三電極通過鍵合線進(jìn)一步電性連接至所述弓丨線座上。
5.如權(quán)利要求4所述的倒裝芯片的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述芯片為一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，并且所述第一電極為芯片的源極，第二電極為芯片的柵極，位于芯片背面的第三電極為芯片的漏極。
6.一種倒裝芯片的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟 提供包含多個由第一基座、第二基座及引線座構(gòu)成的芯片安裝單元的引線框架，其中，第一基座的頂面包含多個第一類粘貼區(qū)，第二基座的頂面至少包含一個第二類粘貼區(qū)； 在第一類粘貼區(qū)、第二類粘貼區(qū)涂覆導(dǎo)電材料，將一芯片倒裝粘貼至第一基座、第二基座上，芯片的第一電極與第一類粘貼區(qū)接觸并粘貼在一起，芯片的第二電極與第二類粘貼區(qū)接觸并粘貼在一起； 利用鍵合線將位于芯片背面的第三電極電性連接至引線座上； 利用塑封料封裝所述引線框架、芯片及鍵合線，然后對所述引線框架及塑封料進(jìn)行切割用于將以塑封體塑封芯片、鍵合線、芯片安裝單元的封裝體分離出來； 其中，第二基座及引線座設(shè)置在第一基座附近并均與第一基座分離開，在第一基座的頂面、第二基座的頂面均形成有多條包括橫向及縱向的凹槽，位于第一基座的頂面的凹槽將第一基座的頂面分割成包含多個第一類粘貼區(qū)的多個區(qū)域，位于第二基座的頂面的凹槽將第二基座的頂面分割成至少包含一個第二類粘貼區(qū)的多個區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述橫向及縱向的凹槽是在第一基座、第二基座及引線座各自的頂面上進(jìn)行半刻蝕或模壓實現(xiàn)的。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，處于同一直線上的第一基座頂面邊緣處的橫向凹槽和第二基座頂面邊緣處的橫向凹槽，以及處于同一直線上的第一基座頂面邊緣處的縱向凹槽和第二基座頂面邊緣處的縱向凹槽，與第一基座頂面邊緣處的另一橫向凹槽和另一縱向凹槽圍繞構(gòu)成一矩形的周邊槽。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，將所述芯片倒裝粘貼至第一基座、第二基座上時，所述芯片邊緣四周的切割區(qū)位于所述周邊槽的正上方。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述芯片為一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，并且所述第一電極為芯片的源極，第二電極為芯片的柵極，位于芯片背面的第三電極為芯片的漏極。
全文摘要
本發(fā)明一般涉及一種倒裝芯片的半導(dǎo)體器件及方法，更確切的說，本發(fā)明涉及一種利用倒裝芯片的封裝方式所制備的包含金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法。在芯片安裝單元上，通過在第一基座、第二基座各自的頂面上進(jìn)行半刻蝕或模壓來獲得橫向或縱向的凹槽，以將第一基座的頂面分割成包含多個第一類粘貼區(qū)的多個區(qū)域，將第二基座的頂面分割成至少包含一個第二類粘貼區(qū)的多個區(qū)域，其中，芯片頂面的電極與第一類粘貼區(qū)、第二類粘貼區(qū)與進(jìn)行接觸并粘貼。
文檔編號H01L21/60GK102832190SQ20111017001
公開日2012年12月19日 申請日期2011年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月14日
發(fā)明者薛彥迅, 何約瑟, 哈姆扎·耶爾馬茲, 魯軍 申請人:萬國半導(dǎo)體股份有限公司