專利名稱：一種用于制造半導體器件的氧化裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于制造半導體器件的氧化裝置，尤其涉及對密封裝置進 行改進的用于制造半導體器件的氧化裝置。
背景技術(shù)：
在半導體工藝中，需要在半導體襯底上形成金屬薄膜及氧化膜，為了解決不純 物的擴散等問題，在工藝中使用CVD裝置、氧化膜形成裝置及擴散裝置等裝置。其中有 將多個半導體襯底硅片置于豎直排列的高溫加熱的升降支架里，通過注入反應(yīng)氣體進行 熱處理的裝置。用于制造半導體器件的氧化裝置主要是指立式爐和臥式爐兩種，兩者結(jié)構(gòu)和工 作原理相似。圖1為現(xiàn)有的立式爐的截面圖。如圖1所示，立式爐包括放置半導體襯底 的支架W;用于升降支架W的升降控制部4;設(shè)置于升降控制部4下方的保溫桶5;內(nèi) 部放置多個半導體襯底的立式工藝管2 ；設(shè)置于立式工藝管2的底部的爐門1 ；設(shè)置具有 加熱器3的外壁爐8保證立式工藝管的反應(yīng)溫度。其中，立式工藝管2設(shè)有供氣口6及 排氣口 7，向立式工藝管提供工藝所需的反應(yīng)氣體。圖2為圖1中A部分的放大圖。如 圖2所示，在爐門1與立式工藝管2接觸的部分具有溝槽1-1，在溝槽1-1里設(shè)有密封裝 置，此密封裝置是材質(zhì)為全氟橡膠的O型密封圈9。O型密封圈緊密貼著爐門1及立式 工藝管2，起到密封立式爐的作用。上述以O(shè)型密封圈作為密封裝置的立式爐存在如下缺陷，即立式爐在工作狀態(tài) 時，立式工藝管的溫度高達數(shù)百度以上，O型密封圈直接與工藝管接觸，導致全氟橡膠O 型膠密封圈的融化粘接現(xiàn)象，導致產(chǎn)生顆粒，影響密封效果。

實用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實用新型要解決的技術(shù)問題是如何提高用于制造半導體器件的氧化裝置的密 封效果。( 二 )技術(shù)方案本實用新型公開了一種用于制造半導體器件的氧化裝置，包括工藝管、爐 門、密封裝置，上述爐門位于上述工藝管底部，并在與上述工藝管接觸部位形成溝槽， 上述密封裝置位于上述溝槽里，其特征在于，上述密封裝置包括O型密封圈及密封圈壓 片，上述密封圈壓片與上述立式工藝管接觸，上述O型密封圈與上述爐門接觸。上述用于制造半導體器件的氧化裝置為立式爐和臥式爐。上述密封圈壓片的材質(zhì)為PTFE。上述密封圈壓片的材質(zhì)為耐熱溫度在260-300°C的材質(zhì)。上述密封圈壓片為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。(三)有益效果[0014]本實用新型公開的一種用于制造半導體器件的氧化裝置在上述用于制造半導體 器件的氧化裝置處于工作狀態(tài)時，不會發(fā)生O型膠密封圈的融化粘接現(xiàn)象，使得設(shè)備的 工藝管和爐門在O型密封圈和密封圈壓片的作用下實現(xiàn)了工藝管內(nèi)與外界嚴格密封。同時避免頻繁更換O型密封圈帶來的維護成本的提高。

圖1為現(xiàn)有的用于制造半導體器件的氧化裝置的截面圖；圖2為為圖1中A部分的放大圖；圖3為本實用新型一實施例中用于制造半導體器件的立式爐的局部圖；圖4為圖3中B部分的放大圖。圖中1、爐門；1-1、溝槽；2、立式工藝管；3、加熱器；4、升降控制部； 5、保溫桶；6、供氣口 ； 7、排氣口 ； 8、外壁爐；9、O型密封圈；W、支架；1'、爐 門；1-1'溝槽；2'、立式工藝管；9'、O型密封圈；10、密封圈壓片。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖詳細說明本實用新型的一種用于制造半導體器件的氧化裝置。用于制造半導體器件的氧化裝置主要指立式爐和臥式爐。由于立式爐和臥式爐 的機構(gòu)和工作原理相似，下面以立式爐為例進行詳細說明。圖3為本實用新型一實施例的用于制造半導體器件的立式爐的局部圖；圖4為 圖3中B部分的放大圖。該立式爐主要包括立式工藝管2'、爐門1'、密封裝置，爐門 1'位于立式工藝管2'的底部，并在與立式工藝管2'接觸部位形成溝槽1-1'，密封裝 置位于上述溝槽1-1'里。密封裝置包括O型密封圈9'及密封圈壓片10，密封圈壓片 10與立式工藝管2'接觸，O型密封圈與爐門1'接觸。上述密封圈壓片10的材質(zhì)為PTFE。上述密封圈壓片10的材質(zhì)為耐熱溫度在260_300°C的材質(zhì)。形狀為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。上述O型密封圈9'為耐高溫在300°C的全氟橡膠或相近的材質(zhì)，并且為實心結(jié) 構(gòu)，充分利用了其耐高溫、耐腐蝕的物質(zhì)特性。在具體工藝中，將上述O型密封圈9'安裝于爐門Γ與立式工藝管2'之間的 爐門1'的溝槽1-1'里面，再把密封圈壓片10放在O型密封圈9'上，最后保障用于制 造半導體器件的氧化裝置的立式工藝管2'與爐門1'上表面壓緊，從而實現(xiàn)立式工藝管 2'與爐門Γ嚴實密封，達到了半導體設(shè)備用于制造半導體器件的氧化裝置的立式工藝 管2'的密封效果。綜上所述，本實用新型公開的一種用于制造半導體器件的氧化裝置在上述用于 制造半導體器件的氧化裝置處于工作狀態(tài)時，不會發(fā)生O型膠密封圈9'的融化粘接現(xiàn) 象，使得設(shè)備的立式工藝管2'和爐門1'在O型密封圈9'和密封圈壓片10的作用下實 現(xiàn)了立式工藝管2'內(nèi)與外界嚴格密封。同時避免了頻繁更換O型密封圈帶來的維護成本的提高。對于臥式爐來說，其密封裝置仍然是包括O型密封圈和密封圈壓片，所述密封圈壓片與所述工藝管接觸，所述O型密封圈與所述爐門接觸。 最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限 制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當 理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特 征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各 實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種用于制造半導體器件的氧化裝置，包括工藝管、爐門、密封裝置，所述爐門 位于所述工藝管底部，并在與所述工藝管接觸部位形成溝槽，所述密封裝置位于所述溝 槽里，其特征在于，所述密封裝置包括O型密封圈及密封圈壓片，所述密封圈壓片與所 述工藝管接觸，所述O型密封圈與所述爐門接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制造半導體器件的氧化裝置，其特征在于，所述用 于制造半導體器件的氧化裝置為立式爐或者臥式爐。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制造半導體器件的氧化裝置，其特征在于，所述密 封圈壓片的材質(zhì)為PTFE。
4 .根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制造半導體器件的氧化裝置，其特征在于，所述密 封圈壓片的材質(zhì)為耐熱溫度在260-300°C的材質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制造半導體器件的氧化裝置，其特征在于，所述密 封圈壓片為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型公開了一種用于制造半導體器件的氧化裝置，包括工藝管、爐門、密封裝置，爐門位于工藝管底部，并在與工藝管接觸部位形成溝槽，密封裝置位于溝槽里，密封裝置包括O型密封圈及密封圈壓片，密封圈壓片與工藝管接觸，O型密封圈與爐門接觸。本實用新型公開的一種用于制造半導體器件的氧化裝置在用于制造半導體器件的氧化裝置處于工作狀態(tài)時，不會發(fā)生O型密封圈的融化粘接現(xiàn)象，使得設(shè)備的工藝管和爐門在O型密封圈和密封圈壓片的作用下實現(xiàn)了工藝管內(nèi)與外界嚴格密封。同時避免頻繁更換O型密封圈帶來的維護成本的提高。
文檔編號H01L21/02GK201796870SQ20102052371
公開日2011年4月13日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者孫少東, 王麗榮, 董金衛(wèi), 趙燕平 申請人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司