專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。更具體地，本發(fā)明主要涉及提高 光效率的OLED顯示器。
背景技術(shù)：
OLED顯示器是由發(fā)光的OLED顯示圖像的自發(fā)光顯示裝置。與液晶顯示器(IXD) 不同，OLED顯示器無(wú)需單獨(dú)的光源，從而可具有較低的厚度和重量。此外，OLED顯示器提供 高質(zhì)量特性，例如低功耗、高亮度和快速反應(yīng)速度。OLED通常具有空穴注入電極、有機(jī)發(fā)光層和電子注入電極。OLED通過(guò)激子降低至 基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的能量而發(fā)光，該激子通過(guò)來(lái)自空穴注入電極的空穴和來(lái)自電子注入電極的電 子在有機(jī)發(fā)光層中耦合而形成。為了提高OLED顯示器的可用性，需要通過(guò)有效地提取有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的光來(lái) 提高光效率的各種方法。此背景技術(shù)章節(jié)中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，因此它可能 會(huì)包含不構(gòu)成在該國(guó)對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的實(shí)施方式涉及OLED顯示器，所述OLED顯示器基本克服了由相關(guān)技 術(shù)的局限和不足導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。因此，實(shí)施方式的一個(gè)特點(diǎn)是提供了光效率改善的OLED顯示器。至少一個(gè)以上和其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)提供基板主體、所述基板主體上的OLED 以及形成在所述OLED上的覆蓋層來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述覆蓋層包括具有折射率不同的至少兩層的膜。所述膜是至少一層高折射膜與至少一層低折射膜的交替疊層。所述高折射膜可位 于所述覆蓋層距離所述OLED最遠(yuǎn)的頂層。所述高折射膜可具有大于或等于1. 7且小于2. 7的折射率。所述高折射膜可由無(wú) 機(jī)材料和有機(jī)材料中的至少一種制成。所述無(wú)機(jī)材料可包括氧化鋅、氧化鈦、氧化鋯、氧化 硅、氧化鈮、氧化鉭、氧化錫、氧化鎳、氮化銦和氮化鎵中的至少一種。所述有機(jī)材料可以是 聚合物。所述低折射膜可具有大于1. 3且小于1. 7的折射率。所述低折射膜可由無(wú)機(jī)材料 和有機(jī)材料中的至少一種制成。所述無(wú)機(jī)材料可包括氧化硅和氟化鎂中的至少一種。所述 有機(jī)材料可以是聚合物。所述OLED顯示器可進(jìn)一步包括封裝基板，所述封裝基板粘附并密封所述基板主 體，以覆蓋所述0LED，其中所述封裝基板與所述OLED之間具有分隔空間。所述OLED顯示器可進(jìn)一步包括布置在所述封裝基板與所述OLED之間的所述分隔 空間中的氣體。所述氣體的折射率可低于所述高折射膜的折射率。
所述OLED顯示器可進(jìn)一步包括布置在所述封裝基板與所述OLED之間的所述分隔 空間中的非氣體填充物。所述非氣體填充物的折射率可低于所述高折射膜的折射率。所述 非氣體填充物可以是有機(jī)材料，例如聚合物。在所述OLED顯示器中，所述OLED可包括第一電極、形成在所述第一電極上的有 機(jī)發(fā)光層、和形成在所述有機(jī)發(fā)光層上并相對(duì)最鄰接所述覆蓋層布置的第二電極。所述第 二電極可由透明材料和半透半反材料之一制成。所述第一電極可由反射層形成。


通過(guò)參照附圖對(duì)示例性實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的以上和其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)對(duì) 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得更顯而易見，其中圖1是根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的OLED顯示器像素平面圖。圖2是沿圖1的線III-III得到的像素截面圖。圖3是根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的OLED顯示器像素截面圖。
具體實(shí)施例方式以下將參照附圖更完整地說(shuō)明示例性實(shí)施方式，其中附圖示出了示例性實(shí)施方 式。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，所說(shuō)明的實(shí)施方式可以以多種不同方式變更，而不背離 本發(fā)明的精神或范圍。附圖和說(shuō)明應(yīng)理解成本質(zhì)上的說(shuō)明而非限制性。全文中相似的附圖標(biāo)記表示相似 元件。此外，在多個(gè)示例性實(shí)施方式中相似的附圖標(biāo)記表示相似元件，并在第一示例性實(shí)施 方式中得到代表性說(shuō)明，而與第一示例性實(shí)施方式不同的元件將在第二示例性實(shí)施方式中 說(shuō)明。在附圖中，為了清楚，可將層、膜、板、區(qū)域等的厚度放大。在附圖中，為了更好理解 并易于說(shuō)明，過(guò)大地顯示了一些層和區(qū)域的厚度。應(yīng)理解的是當(dāng)某一元件，如層、膜、區(qū)域或 基板被說(shuō)成是“在另一元件之上”時(shí)，它可直接在該另一元件之上，或者也可存在插入元件。以下，將參照?qǐng)D1和2說(shuō)明第一示例性實(shí)施方式。如圖1和2所示，根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的OLED顯示器101可包括基板主體 111、驅(qū)動(dòng)電路DC、0LED 70、覆蓋層500和封裝基板210。OLED顯示器101可進(jìn)一步包括緩 沖層120和像素界定膜190。基板主體111可以是絕緣基板，例如玻璃、石英、陶瓷或塑料。然而，第一示例性實(shí) 施方式不限于此，且基板主體111可由導(dǎo)電基板，例如不銹鋼等金屬基板形成。緩沖層120可布置在基板主體111上。此外，緩沖層120可由多種無(wú)機(jī)膜和有機(jī) 膜中的至少一種形成。緩沖層120可用于使表面平坦化，同時(shí)防止不需要的組分、例如雜質(zhì) 或濕氣透入到驅(qū)動(dòng)電路DC或OLED 70。然而，緩沖層120并非總是必需的，根據(jù)基板主體 111的種類和工藝條件可省略。驅(qū)動(dòng)OLED 70的驅(qū)動(dòng)電路DC可以在緩沖層120上，并可包括多個(gè)薄膜晶體管10 和20。也就是說(shuō)，OLED 70根據(jù)接收驅(qū)動(dòng)電路DC的驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)光而顯示圖像。OLED 70可包括第一電極710，例如注射空穴的陽(yáng)極；第二電極730，例如注射電 子的陰極；和第一電極710與第二電極730之間的有機(jī)發(fā)光層720。也就是說(shuō)，可依次堆疊第一電極710、有機(jī)發(fā)光層720和第二電極730以形成OLED 70。然而，第一示例性實(shí)施方 式不限于此。例如，第一電極710可以是陰極，而第二電極730可以是陽(yáng)極。在第一示例性實(shí)施方式中，第一電極710由反射層形成，且第二電極730由半透半 反層形成。因此，有機(jī)發(fā)光層720中產(chǎn)生的光穿過(guò)第二電極730發(fā)出。也就是說(shuō)，在第一示 例性實(shí)施方式中，OLED顯示器101具有前發(fā)光結(jié)構(gòu)。反射層和半透半反層可用鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)和 鋁(Al)、和它們的合金中的至少一種形成。在這種情況下，該層是反射型還是半透半反型由 其厚度決定。隨著此層的厚度減小，光透過(guò)率增加，且隨著此層的厚度增加，光透過(guò)率減小。 通常，如果這種層的厚度大于約200nm，它將是反射型的。此外，第一電極710可進(jìn)一步包括透明導(dǎo)電層。也就是說(shuō)，第一電極710可具有包 括反射層和透明導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。第一電極710的透明導(dǎo)電層可布置在反射層和有機(jī)發(fā) 光層720之間。此外，第一電極710可以是透明導(dǎo)電層、反射層和透明導(dǎo)電層依次堆疊的三
層結(jié)構(gòu)。透明導(dǎo)電層可由具有相對(duì)高功函的透明材料制成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅 (IZO)、氧化鋅(SiO)或氧化銦(In2O3)。因此，空穴可通過(guò)第一電極710平穩(wěn)注入。第二電極730可由透明導(dǎo)電層形成。當(dāng)?shù)诙姌O730由透明導(dǎo)電層形成時(shí)，第二 電極730可用作注入空穴的陽(yáng)極。在這種情況下，第一電極710可用作僅由反射層形成的 陰極。此外，有機(jī)發(fā)光層720可以是包括發(fā)光層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、 電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中至少一層的多層結(jié)構(gòu)。除了發(fā)光層，其余的層都 可根據(jù)需要省略。當(dāng)有機(jī)發(fā)光層720包括上述所有層時(shí)，HIL布置在作為陽(yáng)極的第一電極 710上，且HTL、發(fā)光層、ETL和EIL依次堆疊在HIL上。此外，有機(jī)發(fā)光層720可根據(jù)需要 進(jìn)一步包括其它層。像素界定膜190具有開口 1905。像素界定膜190的開口 1905使一部分第一電極 710暴露。第一電極710、有機(jī)發(fā)光層720和第二電極730依次堆疊在像素界定膜190的開 口 1905內(nèi)。此時(shí)，第二電極730形成像素界定膜190和有機(jī)發(fā)光層720之上。有機(jī)發(fā)光層 720除發(fā)光層以外的層可布置在像素界定膜190和第二電極730之間。OLED 70在像素界 定膜190的開口 1905內(nèi)的有機(jī)發(fā)光層720中發(fā)光。也就是說(shuō)，像素界定膜190的開口 1905 限定發(fā)光區(qū)域。覆蓋層500可以在OLED 70之上。覆蓋層500可用于輔助使有機(jī)發(fā)光層720中產(chǎn) 生的光有效發(fā)光，同時(shí)保護(hù)OLED 70不受外界影響。覆蓋層500可包括多層膜，例如折射率 不同的至少兩個(gè)層。因此，覆蓋層500通過(guò)提高由OLED 70的有機(jī)發(fā)光層720所發(fā)出光的 提取率(extraction ratio)來(lái)提高光效率。具體地，覆蓋層500可包括交替堆疊的至少一層高折射膜510和至少一層低折射 膜520，即所述膜520具有比所述膜510低的折射率。圖2示出了一層高折射膜510和一層 低折射膜520，但第一示例性實(shí)施方式不限于此。此外，高折射膜510布置在距離OLED 70相對(duì)最遠(yuǎn)的頂層。也就是說(shuō)，覆蓋層500 的頂層由高折射膜510形成。高折射膜510可具有大于或等于1. 7并小于2. 7的折射率。此外，高折射膜510由無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料中的至少一種制成。也就是說(shuō)，高折射膜510可由無(wú)機(jī)膜、有機(jī)膜、 或者含無(wú)機(jī)顆粒的有機(jī)膜形成。可用于高折射膜510的無(wú)機(jī)材料可為例如氧化鋅、氧化鈦、氧化鋯、氧化硅、氧化 鈮、氧化鉭、氧化錫、氧化鎳、氮化銦和氮化鎵?？捎糜诟哒凵淠?10的有機(jī)材料例如可為聚合物?？捎米鞲采w層500的普通有 機(jī)材料例如可為丙烯酸類聚合物、聚酰亞胺和聚酰胺?？捎糜诟哒凵淠?10的有機(jī)材料包 括聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)(PEDOT)、4，4'-雙[(N_(3_甲基苯基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯 (TPD)、4，4'，4〃 -三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、l，3，5-三[N， N-雙甲基苯基)-氨基]苯(o-MTDAB)、1，3，5-三[N，N-雙(3-甲基苯基)-氨基]苯 (m-MTDAB)、l，3，5-三[N，N-雙(4-甲基苯基)-氨基]苯(p-MTDAB)、4，4'-雙[N，N-雙 (3-甲基苯基)-氨基]二苯基甲烷(BPPM)、4，4' -二咔唑基-1，1'-聯(lián)苯(CBP)、4，4'， 4〃 -三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、1，3，5-三(1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯(2， 2，，2”-(l，3，5-benzentolyl)tris-l-[phenyl-lH-benzoimidazol]) (TPBI)和 3- -聯(lián) 苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)。低折射膜520可具有大于1. 3且小于1. 7的折射率。此外，低折射膜520可由無(wú) 機(jī)材料和有機(jī)材料中的至少一種制成。也就是說(shuō)，低折射膜520可由無(wú)機(jī)膜、有機(jī)膜、或者 含無(wú)機(jī)顆粒的有機(jī)膜形成。可用于低折射膜520的無(wú)機(jī)材料例如可為氧化硅和氟化鎂?？捎糜诘驼凵淠?20 的有機(jī)材料可以是聚合物?？捎糜诘驼凵淠?20的有機(jī)材料例如可為丙烯酸類聚合物、聚 酰亞胺、聚酰胺或Alq3(三(8-羥基喹啉))鋁。此外，在第一示例性實(shí)施方式中，可用于高折射膜510和低折射膜520的材料不限 于上述材料。因此，高折射膜510和低折射膜520可由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的多種材 料制成。低折射膜520可具有約20 30nm范圍內(nèi)的厚度t2，且高折射膜510可具有約 110 120nm范圍內(nèi)的厚度tl。當(dāng)?shù)驼凵淠?20和高折射膜510的厚度在上述范圍內(nèi)時(shí)， 從有機(jī)發(fā)光層720發(fā)出并穿透覆蓋層500的光的光效率可提高大于90%。然而，第一示例 性實(shí)施方式不限于上述說(shuō)明。因此，低折射膜520和高折射膜510的厚度可根據(jù)需要適當(dāng) 調(diào)節(jié)。封裝基板210為透明絕緣基板，例如玻璃、石英、陶瓷或塑料基板。封裝基板210 可粘附并密封基板體111，以覆蓋OLED 70。在這種情況下，封裝基板210和OLED 70相互 分離。封裝基板210和基板主體111之間的空間通過(guò)其外圍的密封劑(未示出)密封。此外，氣體300、例如空氣可布置在封裝基板210和OLED 70之間的分隔空間中。 氣體300可具有比高折射膜低的折射率。例如，當(dāng)氣體300為空氣時(shí)，折射率為約1。通過(guò) 這種配置，根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的OLED顯示器101能提供通過(guò)覆蓋層500的光效率。由于覆蓋層500的高折射膜510和低折射膜520之間的折射率差，由發(fā)光層720 發(fā)出光的一部分透過(guò)覆蓋層500，且發(fā)出光的另一部分被覆蓋層500反射。特別是在高折射 膜510與低折射膜520的界面以及高折射膜510與氣體300的界面處的光被反射。由覆蓋層500反射的光在第一電極710或第二電極730處再次反射，并在重復(fù)反 射時(shí)被增強(qiáng)。此外，光在覆蓋層500內(nèi)重復(fù)反射時(shí)被增強(qiáng)。也就是說(shuō)，可在高折射膜510與低折射膜520的界面以及高折射膜510與氣體300的界面之間重復(fù)進(jìn)行反射，從而使在背 向OLED 70的觀察表面因反射而會(huì)損失的光回收。OLED顯示器101通過(guò)此共振效應(yīng)有效地 使光增強(qiáng)，從而提高光效率，即光提取率。此外，因?yàn)楣馔ㄟ^(guò)高折射膜510和低折射膜520的折射率差在高折射膜510和低 折射膜520的界面處反射，優(yōu)選高折射膜510和低折射膜520具有適宜的折射率差，例如， 設(shè)定使所需比例的光在界面處反射。此外，接觸高折射膜510的氣體可被看作低折射材料。因此，考慮到氣體300的折射率以及用于制造各折射膜510和520的材料特性，高 折射膜510和低折射膜520各自具有預(yù)定范圍的折射率。也就是說(shuō)，根據(jù)用作高折射膜510 材料的組分，高折射膜510可具有大于或等于1. 7并小于2. 7的折射率。根據(jù)用作低折射 膜520的組分，低折射膜520具有大于1. 3且小于1. 7的折射率。在這種情況下，即使使用 相同材料，高折射膜510和低折射膜520根據(jù)制造方法可具有不同的折射率。以下將詳細(xì)說(shuō)明驅(qū)動(dòng)電路DC和OLED 70的結(jié)構(gòu)。在圖1和圖2中，說(shuō)明了一個(gè)像素中具有兩個(gè)薄膜晶體管(TFT) 10和20和一個(gè)電 容器80的2Tr-l蓋結(jié)構(gòu)的有源矩陣(AM)OLED顯示器101，但第一示例性實(shí)施方式不限于 此。因此，隨著進(jìn)一步形成單獨(dú)配線，OLED顯示器101在一個(gè)像素中可具有三個(gè)或更多個(gè) TFT和兩個(gè)或更多個(gè)電容器，并可具有多種結(jié)構(gòu)。在本文中，像素是顯示圖像的最小單元，且 OLED顯示器101通過(guò)多個(gè)像素顯示圖像。在各個(gè)像素中各自形成開關(guān)TFT 10 JgaTFT 20、電容器80和0LED70。在此，包 括開關(guān)TFT 10、驅(qū)動(dòng)TFT 20和電容器80的配置稱作驅(qū)動(dòng)電路DC。在該像素中，還形成在 一個(gè)方向上布置的柵極線151、以及與柵極線151絕緣并交叉的數(shù)據(jù)線171和公共電源線 172。像素通過(guò)柵極線151、數(shù)據(jù)線171和公共電源線172作為界限來(lái)限定，但像素不限于 此。OLED 70包括第一電極710、在第一電極710上的有機(jī)發(fā)光層720和在有機(jī)發(fā)光層 720上的第二電極730。分別來(lái)自第一電極710和第二電極730的空穴和電子被注入到有 機(jī)發(fā)光層720中。當(dāng)通過(guò)所注入的空穴和電子耦合形成的激子從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時(shí)發(fā)光。電容器80可包括其間插入有夾層絕緣層160的一對(duì)電容器板158和178。在此， 夾層絕緣層160為介電材料。電容器容量通過(guò)電容器80中儲(chǔ)存的電荷和電容器板158和 178之間的電壓決定。開關(guān)TFT 10可包括開關(guān)半導(dǎo)體層131、開關(guān)柵極152、開關(guān)源極173和開關(guān)漏極 174。驅(qū)動(dòng)TFT 20可包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132、驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O155、驅(qū)動(dòng)源極176和驅(qū)動(dòng)漏極177。開關(guān)TFT 10可用作選擇像素發(fā)光的開關(guān)。開關(guān)柵極152與柵極線151連接。開 關(guān)源極173與數(shù)據(jù)線171連接。開關(guān)漏極174與開關(guān)源極173分開并與一個(gè)電容器板158 連接。驅(qū)動(dòng)TFT 20向第一電極710施加驅(qū)動(dòng)電源，用于使OLED 70的有機(jī)發(fā)光層720在 所選擇的像素中發(fā)光。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O巧5與電容器板158連接，電容器板158與開關(guān)漏極174 連接。驅(qū)動(dòng)源極176和另一個(gè)電容器板178分別與公共電源線172連接。驅(qū)動(dòng)漏極177通 過(guò)接觸孔與OLED 70的第一電極710連接。通過(guò)此結(jié)構(gòu)，開關(guān)TFT 10通過(guò)施加到柵極線151的柵極電壓運(yùn)行，從而實(shí)現(xiàn)將施 加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)津?qū)動(dòng)TFT 20的功能。對(duì)應(yīng)于由公共電源線172向驅(qū)動(dòng)
8TFT 20施加的公用電壓與由開關(guān)TFT 10傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓之差的電壓儲(chǔ)存在電容器80中， 并且與儲(chǔ)存在電容器80中的電壓相對(duì)應(yīng)的電流通過(guò)驅(qū)動(dòng)TFT 20流向OLED 70，由此OLED 70發(fā)光。以下將參照?qǐng)D3說(shuō)明第二示例性實(shí)施方式。如圖3所示，根據(jù)第二示例性實(shí)施方 式的OLED顯示器102包括在OLED 70與封裝基板210之間的分隔空間內(nèi)的非氣體填充物 400。代替氣體300，非氣體填充物400填充OLED顯示器102的內(nèi)部空間。非氣體填充物400可由有機(jī)材料、例如折射率為1. 7或更低的聚合物制成。也就 是說(shuō)，非氣體填充物400可具有比覆蓋層500的高折射膜510低的折射率。通過(guò)此配置，根 據(jù)第二示例性實(shí)施方式的OLED顯示器102可提高通過(guò)覆蓋層500的光效率。此外，因?yàn)榉?氣體填充物400用非氣態(tài)材料填充了 OLED顯示器102中的空間，所以O(shè)LED顯示器102的 機(jī)械強(qiáng)度和耐久性能得到提高。在此已公開了示例性實(shí)施方式，盡管使用了具體術(shù)語(yǔ)，但它們僅以普通且說(shuō)明性 方式使用并作出解釋，而不用于限制目的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解的是，可進(jìn)行 形式和細(xì)節(jié)上的各種改變而不背離所附權(quán)利要求書中所述的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括基板主體；所述基板主體上的有機(jī)發(fā)光二極管；和所述有機(jī)發(fā)光二極管上的覆蓋層，其中所述覆蓋層包括具有折射率不同的至少兩層的膜。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述膜是至少一層高折射膜與至 少一層低折射膜的交替疊層。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述高折射膜位于所述覆蓋層距 離所述有機(jī)發(fā)光二極管最遠(yuǎn)的頂層。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述高折射膜具有大于或等于 1.7且小于2. 7的折射率。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述高折射膜由無(wú)機(jī)材料和有機(jī) 材料中的至少一種制成。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述無(wú)機(jī)材料包括氧化鋅、氧化 鈦、氧化鋯、氧化硅、氧化鈮、氧化鉭、氧化錫、氧化鎳、氮化銦和氮化鎵中的至少一種。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)材料是聚合物。
8.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述低折射膜具有大于1.3且小 于1. 7的折射率。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述低折射膜包括無(wú)機(jī)材料和有 機(jī)材料中的至少一種。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述無(wú)機(jī)材料包括氧化硅和氟 化鎂中的至少一種。
11.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)材料是聚合物。
12.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括封裝基板，所述封裝基板 粘附并密封所述基板主體，以覆蓋所述有機(jī)發(fā)光二極管，所述封裝基板與所述有機(jī)發(fā)光二 極管之間具有分隔空間。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，在所述封裝基板與所述有機(jī)發(fā)光二 極管之間的所述分隔空間內(nèi)進(jìn)一步包括氣體。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述氣體的折射率低于所述高 折射膜的折射率。
15.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，在所述封裝基板與所述有機(jī)發(fā)光二 極管之間的所述分隔空間中進(jìn)一步包括非氣體填充物。
16.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述非氣體填充物的折射率低 于所述高折射膜的折射率。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述非氣體填充物由有機(jī)材料 制成。
18.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)材料是聚合物。
19.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管包括第一電極；所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；和在所述有機(jī)發(fā)光層上且相對(duì)最鄰接所述覆蓋層布置的第二電極，其中所述第二電極由 透明材料和半透半反材料之一制成。
20.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一電極由反射層形成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。所述OLED顯示器包括基板主體、所述基板主體上的OLED以及所述OLED上的覆蓋層。所述覆蓋層包括具有折射率不同的至少兩層的膜。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102074568SQ20101052278
公開日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月25日
發(fā)明者丁憙星, 樸順龍 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社