專利名稱：陣列基板及其制造方法、液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、液晶面板。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點，在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，例如液晶電視、高清晰度數(shù)字電視、電腦、手機、PDA等。其中， TFT-LCD技術(shù)是微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)結(jié)合的一種技術(shù)，通常是在大面積的玻璃上進行薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)陣列的加工，并將陣列基板與帶彩色濾色膜的彩膜基板，形成一個液晶盒，最終制作得到液晶顯示器。圖1為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板對應(yīng)的電路示意圖。如圖1和圖2所示，現(xiàn)有TFT-IXD中的陣列基板包括縱橫交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線11和柵線12，數(shù)據(jù)線11和柵線12限定的像素單元13內(nèi)設(shè)置有像素電極14和像素電極開關(guān)15， 該像素電極開關(guān)15為設(shè)置在數(shù)據(jù)線11和柵線12交叉處的薄膜晶體管，像素電極開關(guān)15 的柵極與柵線12連接，源極和漏極分別與數(shù)據(jù)線11和像素電極14連接。其中，TFT-IXD中的每個像素從結(jié)構(gòu)上可以簡化為像素電極與共同電極之間夾設(shè)有一層液晶，從電學(xué)的角度可以將一個像素看成是一個電容，像素電極開關(guān)就可以看作是對電容進行充電的開關(guān)，具體可參見圖2中所示，TFT-IXD工作時，通過為柵線12送入電壓，即可使得與柵線12連接的柵極控制的薄膜晶體管打開，然后依次從數(shù)據(jù)線11輸入數(shù)據(jù)電壓，即可實現(xiàn)對各像素電極14，即電容進行充電，由于夾在液晶層上的電壓可存儲于各像素對應(yīng)的電容內(nèi)，因此液晶層可穩(wěn)定的工作。圖3為TFT-IXD采用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式驅(qū)動時，陣列基板上像素電極的電荷極性示意圖；圖4為TFT-LCD采用列反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式驅(qū)動時，陣列基板上像素電極的電荷極性示意圖。TFT-LCD工作時，為避免液晶材料產(chǎn)生極化而造成永久性的破壞等，需要在每隔預(yù)定時間內(nèi)對施加在液晶兩側(cè)的電壓的極性進行點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)，其中圖3中的左右側(cè)視圖分別為TFT-LCD工作時采用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動前后陣列基板上各像素電極上電荷極性示意圖，圖4中的左右側(cè)視圖分別為TFT-LCD工作時采用列反轉(zhuǎn)驅(qū)動前后陣列基板上各像素電極上電荷極性示意圖，可以看出，采用點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式驅(qū)動TFT-LCD工作時，陣列基板上處于同一行上的相鄰兩個像素電極的電壓極性是相反的，且每隔預(yù)定時間就需要對各像素電極上的電荷極性進行反轉(zhuǎn)，而在對像素電極上的電壓進行反轉(zhuǎn)時，由于需要中和掉反轉(zhuǎn)前像素電極上的電荷，因此，TFT-LCD上的共享電壓驅(qū)動和源極驅(qū)動器的電流消耗將會較大， 使得TFT-IXD的耗電較大。綜上可以看出，現(xiàn)有陣列基板工作時，在對陣列基板上的像素電極上的電壓反轉(zhuǎn)時，中和像素電極上的電壓時需要消耗大量的電能，使得TFT-LCD具有較大的能耗
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、液晶面板，可有效克服現(xiàn)有TFT-IXDエ 作時能耗較大的問題，減少TFT-LCD工作時的能耗。本發(fā)明提供一種陣列基板，包括交叉形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù) 線限定的像素単元內(nèi)設(shè)置有像素電極和作為像素電極開關(guān)的第一薄膜晶體管；控制位于同 行的多個像素電極工作的第一柵線之前的第二柵線連接有第二薄膜晶體管，所述第二薄膜 晶體管的第二柵極與所述第二柵線連接，所述第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極分別 與所述位于同行的多個像素電極中相鄰的兩個像素電極連接，且每個像素電極僅與ー個第 ニ薄膜晶體管連接。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、作為像 素電極開關(guān)的第一薄膜晶體管和像素電極的步驟，其中在形成所述第一薄膜晶體管的同吋，對應(yīng)形成作為電荷分享開關(guān)的第二薄膜晶體 管，所述第二薄膜晶體管與控制位于同行的多個像素電極工作的第一柵線之前的第二柵線 連接，所述第二薄膜晶體管的第二柵極與所述第二柵線連接，所述第二薄膜晶體管的第二 源極和第二漏極分別與所述位于同行的多個像素電極中相鄰的兩個像素電極連接，且每個 像素電極僅與ー個第二薄膜晶體管連接。本發(fā)明提供ー種液晶面板，包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板和彩膜 基板之間的液晶層，其中，所述陣列基板為采用上述的陣列基板。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法、液晶面板，通過設(shè)置作為共享電荷開關(guān)的 第二薄膜晶體管，使得TFT-LCD工作時，采用點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)驅(qū)動對陣列基板上的像素電 極進行電壓反轉(zhuǎn)時，可通過該電荷共享開關(guān)使同一行上電壓極性相反的相鄰兩個像素電極 上的電荷進行中和，從而實現(xiàn)對像素電極的預(yù)充電，避免了像素電極上電壓反轉(zhuǎn)時電能消 耗較大的問題，降低了 TFT-LCD工作時的電能消耗，具有較好的節(jié)能效果。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板對應(yīng)的電路示意圖；圖3為TFT-IXD采用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式驅(qū)動吋，陣列基板上像素電極的電荷極性示 意圖；圖4為TFT-IXD采用列反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式驅(qū)動吋，陣列基板上像素電極的電荷極性示 意圖圖5為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5中陣列基板對應(yīng)的電路示意圖；圖7為本發(fā)明實施例ニ提供的陣列基板的制造方法流程示意圖；圖8為本發(fā)明實施例四提供的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記11-數(shù)據(jù)線；12-柵線；13-像素単元；14-像素電極；15-像素電極開關(guān)；21-基板；22-柵線；23-數(shù)據(jù)線；24-像素電極；25-第一薄膜晶體管；26-第二薄膜晶體管；Ml-第一像素電極；
M2-第二像素電極；221-柵線；222-柵線；10-陣列基板；20-彩膜基板；30-液晶層。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。圖5為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5中陣列基板對應(yīng)的電路示意圖。如圖5和圖6所示，本實施例陣列基板包括基板21，以及在基板21上形成有橫縱交叉的柵線22和數(shù)據(jù)線23，柵線22和數(shù)據(jù)線23限定的像素單元內(nèi)設(shè)置有像素電極對和第一薄膜晶體管25，該第一薄膜晶體管25用于作為像素電極開關(guān)，控制各像素電極工作，即控制像素電極充放電，其中，控制位于同行的多個像素電極工作的第一柵線之前的第二柵線連接有第二薄膜晶體管26，第二薄膜晶體管沈的第二柵極與第二柵線連接，第二薄膜晶體管26的第二源極和第二漏極分別與位于同行的多個像素電極中相鄰的兩個像素電極連接，且每個像素電極僅與一個第二薄膜晶體管連接。本實施例中，第二薄膜晶體管沈可在與其連接的柵線即第二柵線的控制下打開或關(guān)閉，且當(dāng)?shù)诙∧ぞw管沈打開，即第二薄膜晶體管沈的第二柵極通有電壓時，與其連接的相鄰兩個像素電極電連通，由于TFT-LCD工作時相鄰兩個像素電極上的電壓極性相反，因此，第二薄膜晶體管沈打開時可使得相鄰兩個像素電極電壓中和，實現(xiàn)對像素電極的預(yù)充電，可有效節(jié)省對像素電極充電時的外界電源的消耗。實際應(yīng)用中，上述的第一薄膜晶體管25可包括第一柵極、第一源極、第一漏極和有源層，其中，第一柵極與柵線22連接，第一源極與數(shù)據(jù)線23連接，第一漏極與與像素電極 M連接，第一有源層形成在第一源電極、第一漏電極與第一柵電極之間；上述的第二薄膜晶體管26結(jié)構(gòu)可與第一薄膜晶體管25的結(jié)構(gòu)相同，不同的是，第二薄膜晶體管沈的第二源極和第二漏極分別與相鄰的兩個像素電極對連接，以便在第二薄膜晶體管26關(guān)閉時，可使得具有極性相反的相鄰兩個像素電極的電壓進行中和。實際應(yīng)用中，上述的第二薄膜晶體管沈的第二源極、第二柵極和第二漏極可分別與第一薄膜晶體管25的第一源極、第一柵極和第一漏極同層設(shè)置，且在陣列基板制造過程中，可采用相同的工藝制作而成，其具體制作過程將在陣列基板的制造方法實施例中進行說明。實際應(yīng)用中，上述的第二薄膜晶體管沈可位于一個像素單元內(nèi)，其具體設(shè)置位置在此不做限定，只要保證第二薄膜晶體管沈的第二源極和第二漏極可分別與相鄰的兩個像素電極連接即可，優(yōu)選地，本實施例中可將第二薄膜晶體管26設(shè)置在一個像素單元內(nèi)， 并靠近柵線設(shè)置。實際應(yīng)用中，第二柵線可為與第一柵線相鄰的柵線，具體地，如圖5和圖6所示，對于處于第η行的相鄰的第一像素電極241和第二像素電極Μ2，該兩個像素電極所在的像素單元是由柵線221和柵線222限定的區(qū)域，且位于在后的柵線222用于控制該第η行中的像素電極的充放電，位于在前的柵線221控制第η-1行的像素電極的充放電，而與第一像素電極241和第二像素電極242連接的第二薄膜晶體管沈的柵線與在前行的柵線221連接，這樣，在柵線221通電控制第n-1行的像素電極充電時，與其連接的第二薄膜晶體管沈會打開，使得第η行相鄰的第一像素電極241和第二像素電極242通過第二薄膜晶體管沈?qū)?，從而對第η行的像素電極進行預(yù)充電，且預(yù)充電的電源來自相鄰的像素電極，而不需要外界提供電源，從而在對陣列基板上的像素電極電壓進行反轉(zhuǎn)時，可以不需要或需要較少的外界電源，使得陣列基板工作時具有較少的能耗。實際應(yīng)用中，陣列基板上用于控制首行像素單元內(nèi)的像素電極的柵線之前，還可設(shè)置有一柵線，該柵線可用來控制位于首行像素單元內(nèi)的第二薄膜晶體管，以便對首行像素電極充電前，通過該柵線控制第二薄膜晶體管對首行像素單元內(nèi)的像素電極進行預(yù)充電?；蛘?，也可直接將位于首行的像素單元內(nèi)的第二薄膜晶體管的柵極與位于陣列基板尾行的柵線連接，這樣，在陣列基板尾行柵線控制最后一行像素電極工作時，可同時控制該首行的第二薄膜晶體管，以對首行像素電極進行預(yù)充電。優(yōu)選地，本實施例中采用在陣列基板的首行直接設(shè)置控制首行的第二薄膜晶體管的柵線，以便于陣列基板的生產(chǎn)和制造，陣列基板工作時，可在掃描控制陣列基板上的首行像素電極工作的柵線前，掃描該首行的柵線， 控制與首行像素電極連接的第二薄膜晶體管打開，對首行相鄰的像素電極進行預(yù)充電。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，上述的第一柵線、第二柵線可以是陣列基板上控制同行的多個像素電極工作的任一柵線，其中，所述的控制同行的多個像素電極的第一柵線，即位于同行的多個像素電極連接的第一薄膜晶體管的柵極均是與該第一柵線連接，通過該第一柵線輸入控制電壓，即可控制該同行的多個像素電極充電工作。當(dāng)陣列基板工作時，驅(qū)動電壓會從前到后依次驅(qū)動各行柵線，以通過控制與柵線連接的第一薄膜晶體管的打開來為像素電極充電，使像素電極工作。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，位于第η行的第二薄膜晶體管除了可與其相鄰的第n-1行的柵線連接外，也可與第n-2、n-3等位于其之前的柵線連接，其同樣可以達到利用相鄰像素電極的極性相反的電壓進行預(yù)充電的作用，在此并不做限制。本發(fā)明實施例陣列基板可采用點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式驅(qū)動，且當(dāng)采用點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)驅(qū)動陣列時，陣列基板上位于同一行的相鄰兩個像素電極的電荷極性是相反的，具體地，如圖6所示，在進行點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)驅(qū)動陣列基板時，位于第η行的相鄰的第一像素電極Ml和第二像素電極242上的電荷極性是相反的，因此，在對當(dāng)前時刻的第一像素電極 241和第二像素電極242上的電荷的極性進行反轉(zhuǎn)時，必然需要對它們當(dāng)前時刻上的電荷進行中和。本實施例陣列基板中，由于同一行的第一像素電極241和第二像素電極242連接有作為共享開關(guān)的第二薄膜晶體管沈，在對該第一像素電極241和第二像素電極242所在的第η行的上一行第n-1行的像素電極上的像素電極進行充電時，控制第n-1行的像素電極的柵線221上就會通有開啟電壓，而且與第一像素電極241和第二像素電極242連接的第二薄膜晶體管26的柵極也與該柵線221連接，此時，第二薄膜晶體管沈就會打開，從而使得第η行上的第一像素電極241和第二像素電極242之間導(dǎo)通，第一像素電極241和第二像素電極242上具有相反的電荷就會被中和掉，即在對上一行的像素電極的電荷進行反轉(zhuǎn)的同時，位于當(dāng)前行的電荷極性相反的兩個像素電極就會預(yù)先被充電、中和，因此，在柵線222上通上電壓對第η行的第一像素電極241和第二像素電極Μ2電荷進行反轉(zhuǎn)時，由于第一像素電極Ml和第二像素電極242電荷中和，就不會需要額外的中和電壓，可有效減少中和第一像素電極241或第二像素電極242上的電荷所需的外界電能消耗。綜上可以看出，本實施例陣列基板通過設(shè)置有作為共享電荷開關(guān)的第二薄膜晶體管，使得TFT-LCD工作時，采用點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)驅(qū)動對陣列基板上的像素電極進行電壓反轉(zhuǎn)時，可通過該電荷共享開關(guān)使同一行上電壓極性相反的相鄰兩個像素電極上的電荷進行中和，從而實現(xiàn)對像素電極的預(yù)充電，避免了像素電極上電壓反轉(zhuǎn)時電能消耗較大的問題， 降低了 TFT-LCD工作時的電能消耗，具有較好的節(jié)能效果。為制造上述圖5所示的陣列基板，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制造方法。具體地，本實施例方法可包括在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、作為像素電極開關(guān)的第一薄膜晶體管和像素電極的步驟；并且，在形成第一薄膜晶體管的同時，對應(yīng)形成作為電荷分享開關(guān)的第二薄膜晶體管。其中，第二薄膜晶體管與控制位于同行的多個像素電極工作的第一柵線之前的第二柵線連接，第二薄膜晶體管的第二柵極與第二柵線連接，第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極分別與位于同行的多個像素電極中相鄰的兩個像素電極連接，且每個像素電極僅與一個第二薄膜晶體管連接。本實施例陣列基板的制造方法可用于制造上述的陣列基板，可在基板上形成作為像素電極開關(guān)的第一薄膜晶體管時，同時在基板上相應(yīng)生成作為電荷共享開關(guān)的第二薄膜晶體管，其中第二薄膜晶體管的生成工藝可以與第一薄膜晶體管相同。且第二薄膜晶體管的第二源極、第二柵極和第二漏極可分別與第一薄膜晶體管的第一源極、第一柵極和第一漏極同層設(shè)置?？梢钥闯觯帽緦嵤├椒ㄉ傻年嚵谢迳显O(shè)置有作為共享電荷開關(guān)的第二薄膜晶體管，使得TFT-LCD工作中采用點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)對陣列基板上的像素電極進行電壓反轉(zhuǎn)時，可通過該電荷共享開關(guān)使同一行上電壓極性相反的相鄰兩個像素電極上的電荷進行中和，從而實現(xiàn)對像素電極的預(yù)充電，避免了像素電極上電壓反轉(zhuǎn)時電能消耗較大的問題，降低了 TFT-LCD工作時的電能消耗，具有較好的節(jié)能效果。為對本發(fā)明陣列基板的制造方法有更好的了解，下面以具體實例對本發(fā)明陣列基板的制造方法技術(shù)方案進行說明。圖7為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖。具體地，如圖 7所示，本實施例方法可包括如下步驟步驟101、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵掃描線、第一柵極和第二柵極的圖形；步驟102、在基板上繼續(xù)沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、第一有源層和第二有源層的圖形，所述第一源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第一柵極、第一源極、第一有源層和第一漏極構(gòu)成所述第一薄膜晶體管，所述第二柵極、第二源極、第二有源層和第二漏極構(gòu)成所述第二薄膜晶體管；步驟103、在基板上繼續(xù)形成鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述第一漏極、第二漏極和第二源極處形成鈍化層過孔圖形，所述鈍化層過孔包括第一漏極過孔、第二漏極過孔和第二源極過孔；步驟104、在基板上繼續(xù)沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過第一漏極過孔和第一漏極連接，且所述像素電極還通過第二漏極過孔和第二漏極連接，或者所述像素電極還通過第二源極過孔和第二源極連接。上述的步驟101中，在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵掃描線、 第一柵極和第二柵極的圖形具體可包括通過磁控濺射方法，在基板上制備厚度在1000 埃 7000埃的柵金屬薄膜，利用掩膜版通過曝光工藝和化學(xué)刻蝕工藝，在基板上形成包括柵掃描線、第一柵極和第二柵極的圖形，且柵金屬薄膜可采用鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、 鉻和銅中的任意一種材料，或者任意多種材料的混合。上述的步驟102中，在基板上繼續(xù)沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、第一有源層和第二有源層的圖形具體可包括如下步驟步驟1021、利用化學(xué)汽相沉積方法在基板上連續(xù)形成柵絕緣層薄膜和有源層薄膜，利用有源層掩膜版對有源層薄膜曝光后，通過干法刻蝕工藝，在柵線上方形成有源層圖案，所述柵絕緣層的厚度為1000埃 6000埃，所述有源層薄膜的厚度為1000埃 6000 埃；步驟1022、利用化學(xué)汽相沉積方法在基板上繼續(xù)沉積數(shù)據(jù)線金屬薄膜，通過掩膜版曝光工藝和化學(xué)刻蝕工藝形成包括數(shù)據(jù)線、第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極的圖形，并在有源層位置形成溝道。利用本實施例方法可制得如圖5所示的陣列基板，其具體結(jié)構(gòu)可參見上述本發(fā)明陣列基板實施例中的說明，在此不在贅述。圖8為本發(fā)明實施例四提供的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，如圖8所示，本實施例液晶面板包括陣列基板10、彩膜基板20以及設(shè)置在陣列基板10和彩膜基板20之間的液晶層30，且該陣列基板10可采用上述本發(fā)明實施例所述的陣列基板，或者為采用上述本發(fā)明實施例所述的陣列基板制造方法制成的陣列基板，其具體結(jié)構(gòu)可參考上述本發(fā)明陣列基板或方法實施例的說明，在此不再贅述。本實施例液晶面板工作過程中，在對陣列基板上的像素電極進行電壓反轉(zhuǎn)時，可通過陣列基板上設(shè)置的作為共享電荷開關(guān)的第二薄膜晶體管，使同一行上電壓極性相反的相鄰兩個像素電極上的電荷進行中和，從而實現(xiàn)對像素電極的預(yù)充電，避免了像素電極上電壓反轉(zhuǎn)時電能消耗較大的問題，降低了 TFT-LCD工作時的電能消耗，具有較好的節(jié)能效^ ο最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括交叉形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元內(nèi)設(shè)置有像素電極和作為像素電極開關(guān)的第一薄膜晶體管；其特征在于，控制位于同行的多個像素電極工作的第一柵線之前的第二柵線連接有第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的第二柵極與所述第二柵線連接，所述第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極分別與所述位于同行的多個像素電極中相鄰的兩個像素電極連接，且每個像素電極僅與一個第二薄膜晶體管連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二柵線為與所述第一柵線相鄰的柵線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，控制首行的多個像素電極的柵線之前，設(shè)置有與位于首行像素區(qū)域內(nèi)第二薄膜晶體管的柵極連接的柵線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于首行的第二薄膜晶體管的柵極與位于尾行的柵線連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶體管的第二源極、 第二柵極和第二漏極分別與所述第一薄膜晶體管的第一源極、第一柵極和第一漏極同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板采用點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式驅(qū)動。
7.—種陣列基板的制造方法，包括在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、作為像素電極開關(guān)的第一薄膜晶體管和像素電極的步驟，其特征在于，在形成所述第一薄膜晶體管的同時，對應(yīng)形成作為電荷分享開關(guān)的第二薄膜晶體管， 所述第二薄膜晶體管與控制位于同行的多個像素電極工作的第一柵線之前的第二柵線連接，所述第二薄膜晶體管的第二柵極與所述第二柵線連接，所述第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極分別與所述位于同行的多個像素電極中相鄰的兩個像素電極連接，且每個像素電極僅與一個第二薄膜晶體管連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及像素電極的步驟包括在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵掃描線、第一柵極和第二柵極的圖形；在基板上繼續(xù)沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、第一有源層和第二有源層的圖形， 所述第一源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第一柵極、第一源極、第一有源層和第一漏極構(gòu)成所述第一薄膜晶體管，所述第二柵極、第二源極、第二有源層和第二漏極構(gòu)成所述第二薄膜晶體管；在基板上繼續(xù)形成鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述第一漏極、第二漏極和第二源極處形成鈍化層過孔圖形，所述鈍化層過孔包括第一漏極過孔、第二漏極過孔和第二源極過孔；在基板上繼續(xù)沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過第一漏極過孔和第一漏極連接，且所述像素電極還通過第二漏極過孔和第二漏極連接，或者所述像素電極還通過第二源極過孔和第二源極連接。
9. 一種液晶面板，包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，其特征在于，所述陣列基板為采用權(quán)利要求1 6任一所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了陣列基板及其制造方法、液晶面板。該陣列基板包括交叉形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元內(nèi)設(shè)置有像素電極和作為像素電極開關(guān)的第一薄膜晶體管；控制位于同行的多個像素電極工作的第一柵線之前的第二柵線連接有第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的第二柵極與所述第二柵線連接，所述第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極分別與所述位于同行的多個像素電極中相鄰的兩個像素電極連接，且每個像素電極僅與一個第二薄膜晶體管連接。本發(fā)明技術(shù)方案可通過第二薄膜晶體管將相鄰兩像素電極的電荷進行中和，對像素電極預(yù)充電，可有效降低液晶顯示器的能耗。
文檔編號H01L21/77GK102347327SQ20101024571
公開日2012年2月8日 申請日期2010年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月4日
發(fā)明者秦緯 申請人:北京京東方光電科技有限公司