專利名稱：縫隙天線及其參數(shù)調(diào)節(jié)方法和終端的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及天線領(lǐng)域，特別涉及一種縫隙天線及其參數(shù)調(diào)節(jié)方法和終端。
背景技術(shù)：
無線終端，特別是固定放置的WLAN(Wireless Local Area Network,無線局域網(wǎng))
AP(Access Point,接入點)、WIMAX(Worldwide Interoperability forMicrowave Access,
微波存取全球互通)終端、無線固定臺等，需要一種全向輻射、小體積天線。
目前有一種在地板中部開縫形成的天線，稱為縫隙天線。參見圖l，典型的縫隙形
狀是長條形的，長度約為半個波長，并且縫隙一般位于地板中部，其周圍均為地板?？p隙上
激勵有射頻電磁場，并且向空間輻射電磁波，經(jīng)過測量其水平面方向圖大致如圖1虛線所示。 在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題目前縫隙天線 輻射的全向特性較差，并且縫隙天線尺寸較大，占用基板的面積較大。

發(fā)明內(nèi)容
為了提高天線的全向輻射特性，減小天線尺寸，本發(fā)明實施例提供了一種縫隙天
線及其參數(shù)調(diào)節(jié)方法和終端。所述技術(shù)方案如下 —種縫隙天線，所述縫隙天線包括地板、耦合片和饋電點； 所述地板的一側(cè)形成一個半封閉開槽區(qū)域； 所述耦合片位于所述半封閉開槽區(qū)域內(nèi)，并且與所述半封閉開槽區(qū)域的底壁和側(cè) 壁之間形成縫隙； 所述饋電點位于所述耦合片與所述側(cè)壁之間形成的縫隙中。
—種終端，所述終端包括縫隙天線，所述縫隙天線包括地板、耦合片和饋電點；
所述地板的一側(cè)形成一個半封閉開槽區(qū)域； 所述耦合片位于所述半封閉開槽區(qū)域內(nèi)，并且與所述半封閉開槽區(qū)域的底壁和側(cè) 壁之間形成縫隙； 所述饋電點位于所述耦合片與所述側(cè)壁之間形成的縫隙中。
—種縫隙天線的參數(shù)調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述方法包括
獲取所述縫隙天線的參數(shù)，所述參數(shù)包括諧振頻率和/或帶寬； 根據(jù)所述諧振頻率，調(diào)節(jié)所述縫隙的大小、所述半封閉開槽區(qū)域的大小、所述耦合 片的大小和所述耦合片的層數(shù)中的至少一個； 根據(jù)所述帶寬，調(diào)節(jié)所述縫隙的大小、所述耦合片的層數(shù)中的至少一個。
本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是 通過在地板開一個半封閉開槽區(qū)域，其中置一耦合片，該耦合片周圍邊緣與地板 之間形成縫隙，能夠使電流均勻分布在地板上，具有更好的全向輻射特性；并且半封閉開槽 區(qū)域位于地板邊緣，因此天線尺寸較??；另外，現(xiàn)有的縫隙天線在獲得較低諧振頻率時，只能通過增大縫隙即增加天線尺寸實現(xiàn)，本實施例可以在半封閉開槽區(qū)域大小不變或變小的 情況下，通過增大耦合片、增加耦合片層數(shù)、和/或減小縫隙方法降低諧振頻率，既能獲得 較低的諧振頻率，也能減小天線尺寸，因而占用基板的面積也較小，可以留出更多區(qū)域布置 其他組件。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的縫隙天線的結(jié)構(gòu)示意圖和方向圖；
圖2是本發(fā)明實施例提供的縫隙天線的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明實施例提供的多層耦合片的縫隙天線的分體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是本發(fā)明實施例提供的縫隙天線的方向圖； 圖5是本發(fā)明實施例提供的縫隙天線的參數(shù)調(diào)節(jié)方法流程圖。
附圖中，各標(biāo)號所代表的組件列表如下 101地板； 102耦合片、1021第一層耦合片、1022第二層耦合片；
103饋電點； 104半封閉開槽區(qū)域、104a底壁、104b側(cè)壁。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方 式作進一步地詳細描述。 參見圖2，本實施例提供了一種縫隙天線，該縫隙天線包括地板101、耦合片102 和饋電點103 ; 地板101的一側(cè)形成一個半封閉開槽區(qū)域104 ; 耦合片102位于半封閉開槽區(qū)域104內(nèi)，并且與半封閉開槽區(qū)域的底壁104a和側(cè) 壁104b之間形成縫隙； 其中，將半封閉開槽區(qū)域104的開口相對的半封閉開槽區(qū)域104的邊緣稱為底壁 104a，底壁104a向兩側(cè)翼延伸的半封閉開槽區(qū)域104的邊緣稱為側(cè)壁104b ;
饋電點103位于耦合片102與側(cè)壁104b之間形成的縫隙中。 本實施例提供的縫隙天線，通過在地板開一個半封閉開槽區(qū)域，其中置一耦合片， 該耦合片周圍邊緣與地板之間形成縫隙，能夠使電流均勻分布在地板上，具有更好的全向 輻射特性；并且半封閉開槽區(qū)域位于地板邊緣，因此天線尺寸較小，因而占用基板的面積也 較小，可以留出更多區(qū)域布置其他組件。 其中，耦合片102的形狀可以包括矩形、六邊形等，還可以是其他形狀，本實施例 并不限定；耦合片102可以為一層或多層，當(dāng)為多層時，各層耦合片的形狀可以相同或不 同。圖3所示為多層結(jié)構(gòu)的耦合片分體結(jié)構(gòu)示意圖，組合時，第一層耦合片1021和第二層 耦合片1022重疊，垂直方向有一定間隙。當(dāng)耦合片形狀不同時，縫隙天線的輻射特性更好。
其中，饋電點103到半封閉開槽區(qū)域104的開口邊沿的距離小于耦合片102從開 口邊沿向底壁104a延伸方向一側(cè)長度的3/5，此結(jié)構(gòu)有利于增強天線的輻射特性。另外，縫 隙天線通過饋電點103進行饋電的方式包括但不限于饋電點103分別與耦合片102和饋線連接，或者在饋電點103處用跨在縫隙上的傳輸線饋電。 其中，半封閉開槽區(qū)域104的形狀可以包括矩形、半圓形、U型、V型等，還可以是其 他形狀，本實施例并不限定。 作為另一實施例，縫隙天線還可以包括匹配元件，匹配元件可以分別與饋電點 103和饋線連接，和/或，分別與耦合片102和地板101連接。 作為另一實施例，縫隙天線可以設(shè)置于一基板上，該基板具體可以是PCB (Printed Circuit Board,印刷電路板)。 本實施例提供的縫隙天線，通過在地板開一個半封閉開槽區(qū)域，其中置一耦合片， 該耦合片周圍邊緣與地板之間形成縫隙，能夠使電流均勻分布在地板上，圖4所示為測量 或仿真的方向圖，相對于圖1所示現(xiàn)有技術(shù)，具有更好的全向輻射特性；現(xiàn)有的縫隙天線在 獲得較低諧振頻率時，只能通過增大縫隙即增加天線尺寸實現(xiàn)，本實施例可以在半封閉開 槽區(qū)域大小不變或變小的情況下，通過增大耦合片、增加耦合片層數(shù)、和/或減小縫隙方法 降低諧振頻率，既能獲得較低的諧振頻率，也能減小天線尺寸，同時，本實施例將縫隙被置 于地板的邊緣處，天線尺寸被減小，則天線占用基板的面積更小，可以留出更多區(qū)域布置其 他組件。另外，本實施例提供的縫隙天線，可以將縫隙設(shè)置的很寬，通過縫隙耦合形成多種 諧振模式，有超寬帶特性，因此對于地板的加工精度、厚度等要求也相應(yīng)較低，一致性較好， 便于調(diào)試。 作為另一實施例，本實施例還提供了一種終端，包括本實施例提供的縫隙天線，關(guān) 于縫隙天線及其技術(shù)效果，前面已經(jīng)詳細描述，這里不再贅述。另外，該終端可以包括無線 網(wǎng)關(guān)、固定臺或網(wǎng)卡等。 參見圖5，基于本實施例提供的縫隙天線，本實施例還提供了一種縫隙天線的參數(shù) 調(diào)節(jié)方法，包括 201 :獲取縫隙天線的參數(shù)，參數(shù)包括諧振頻率和/或帶寬； 202:根據(jù)諧振頻率，調(diào)節(jié)縫隙的大小、半封閉開槽區(qū)域的大小、耦合片的大小和耦 合片的層數(shù)中的至少一個；根據(jù)帶寬，調(diào)節(jié)縫隙的大小、耦合片的層數(shù)中的至少一個。
其中，如果要求縫隙天線的諧振頻率越低，則可以將半封閉開槽區(qū)域104的面積 設(shè)置的越大，此時，如果保持耦合片大小不變的情況下，縫隙變大，會使諧振頻率相對較高， 但由于半封閉開槽區(qū)域的面積對天線的諧振頻率影響更大，因此，整體諧振頻率仍是降低 的，相應(yīng)的，如果要求縫隙天線的諧振頻率越高，可以將半封閉開槽區(qū)域104的面積設(shè)置的 越小。 其中，如果要求縫隙天線的諧振頻率越低，則可以將耦合片102的面積設(shè)置的越 大，相應(yīng)的，如果要求縫隙天線的諧振頻率越高，則可以將耦合片102的面積設(shè)置的越?。?
其中，如果要求縫隙天線的諧振頻率越低，帶寬越寬，則可以將耦合片102的層數(shù) 設(shè)置的越多，如果要求縫隙天線的諧振頻率越高，帶寬越窄，則可以將耦合片102的層數(shù)設(shè) 置的越少； 其中，如果要求縫隙天線的諧振特性越高，帶寬越大，則可以將縫隙設(shè)置的越大， 相應(yīng)的，如果要求縫隙天線的諧振頻率越低，帶寬越小，則可以將縫隙設(shè)置的越小。
相對于現(xiàn)有縫隙天線在獲得較低諧振頻率時，只能通過增大縫隙即增加天線尺寸 實現(xiàn)，本實施例提供的方法，可以在半封閉開槽區(qū)域大小不變或變小的情況下，通過增大耦
5合片、增加耦合片層數(shù)、和/或減小縫隙方法降低諧振頻率，既能獲得較低的諧振頻率，也
能減小天線尺寸，則天線占用基板的面積更小，可以留出更多區(qū)域布置其他組件。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和
原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種縫隙天線，其特征在于，所述縫隙天線包括地板、耦合片和饋電點；所述地板的一側(cè)形成一個半封閉開槽區(qū)域；所述耦合片位于所述半封閉開槽區(qū)域內(nèi)，并且與所述半封閉開槽區(qū)域的底壁和側(cè)壁之間形成縫隙；所述饋電點位于所述耦合片與所述側(cè)壁之間形成的縫隙中。
2. 如權(quán)利要求1所述的縫隙天線，其特征在于，所述饋電點到所述半封閉開槽區(qū)域的 開口邊沿的距離小于所述耦合片從所述開口邊沿向所述底壁延伸方向一側(cè)長度的3/5。
3. 如權(quán)利要求l所述的縫隙天線，其特征在于，所述耦合片為一層或多層，當(dāng)為多層 時，各層耦合片的形狀相同或不同。
4. 如權(quán)利要求1所述的縫隙天線，其特征在于，所述縫隙天線還包括匹配元件； 所述匹配元件分別與所述饋電點和饋線連接，和/或，所述匹配元件分別與所述耦合片和所述地板連接。
5. —種終端，其特征在于，所述終端包括縫隙天線，所述縫隙天線包括地板、耦合片 和饋電點；所述地板的一側(cè)形成一個半封閉開槽區(qū)域；所述耦合片位于所述半封閉開槽區(qū)域內(nèi)，并且與所述半封閉開槽區(qū)域的底壁和側(cè)壁之 間形成縫隙；所述饋電點位于所述耦合片與所述側(cè)壁之間形成的縫隙中。
6. 如權(quán)利要求5所述的終端，其特征在于，所述饋電點到所述半封閉開槽區(qū)域的開口 邊沿的距離小于所述耦合片從所述開口邊沿向所述底壁延伸方向一側(cè)長度的3/5。
7. 如權(quán)利要求5所述的終端，其特征在于，所述耦合片為一層或多層，當(dāng)為多層時，各 層耦合片的形狀相同或不同。
8. 如權(quán)利要求5所述的終端，其特征在于，所述縫隙天線還包括匹配元件； 所述匹配元件分別與所述饋電點和饋線連接，和/或，所述匹配元件分別與所述耦合片和所述地板連接。
9. 如權(quán)利要求5所述的終端，其特征在于，所述終端包括無線網(wǎng)關(guān)、固定臺或網(wǎng)卡。
10. —種縫隙天線的參數(shù)調(diào)節(jié)方法，所述縫隙天線如權(quán)利要求l-9任一項所述，其特征 在于，所述方法包括獲取所述縫隙天線的參數(shù)，所述參數(shù)包括諧振頻率和/或帶寬；根據(jù)所述諧振頻率，調(diào)節(jié)所述縫隙的大小、所述半封閉開槽區(qū)域的大小、所述耦合片的 大小和所述耦合片的層數(shù)中的至少一個；根據(jù)所述帶寬，調(diào)節(jié)所述縫隙的大小、所述耦合片的層數(shù)中的至少一個。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種縫隙天線及其參數(shù)調(diào)節(jié)方法和終端，屬于天線領(lǐng)域。所述縫隙天線包括地板、耦合片和饋電點；所述地板的一側(cè)形成一個半封閉開槽區(qū)域；所述耦合片位于所述半封閉開槽區(qū)域內(nèi)，并且與所述半封閉開槽區(qū)域的底壁和側(cè)壁之間形成縫隙；所述饋電點位于所述耦合片與所述側(cè)壁之間形成的縫隙中。所述方法包括調(diào)節(jié)所述縫隙的大小、所述半封閉開槽區(qū)域的大小、所述耦合片的大小和所述耦合片的層數(shù)中的至少一個，以獲得相應(yīng)的諧振頻率和帶寬。所述終端包括所述縫隙天線。本發(fā)明能夠使電流均勻分布在地板上，具有更好的全向輻射特性，并且天線尺寸較小，占用基板的面積也較小，可以留出更多區(qū)域布置其他組件。
文檔編號H01Q13/10GK101719598SQ20101000161
公開日2010年6月2日 申請日期2010年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月7日
發(fā)明者蘭堯, 孫樹輝, 李正浩, 班永靈, 鄒炎炎, 雷平 申請人:華為終端有限公司