專利名稱：有機發(fā)光二極管觸控面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器，尤其涉及一種有機發(fā)光二極管觸控面 板及其制作方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管(organic light emitting diode， OLED)本身為一種電流 驅(qū)動元件，其發(fā)光亮度根據(jù)通過電流的大小來決定，目前將OLED應(yīng)用在陣 列式顯示面板上即是借由控制OLED的驅(qū)動電流的大小，來達到顯示不同亮 度(又稱為灰階值)的效果。由于OLED具有省電、較無視角限制、制造成本 較低、應(yīng)答速度快、可操作的溫度范圍大、以及可隨硬件設(shè)備而小型化及薄 型化等優(yōu)點。因此，OLED在平面顯示器的系統(tǒng)中，具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種OLED觸控面板及其制作方法，以將觸 控面板的觸控功能有效整合至OLED面板中。
為達上述目的，本發(fā)明的實施例提供一種OLED觸控面板的制作方法。 根據(jù)前述制作方法，首先，提供基板，基板上定義有至少一像素區(qū)域，且像 素區(qū)域中定義有顯示區(qū)域與感測區(qū)域。之后，于基板上形成第一薄膜晶體管 與第二薄膜晶體管，分別位于顯示區(qū)域與感測區(qū)域中。接著，于第一薄膜晶 體管與第二薄膜晶體管上方形成第一導(dǎo)電膜，再圖案化第一導(dǎo)電膜而形成發(fā)
光下電極部與感光下電極部。發(fā)光下電極部與感光下電極部分別位于顯示區(qū) 域與感測區(qū)域中，且分別電連接至第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管。然后， 于發(fā)光下電極部上形成圖案化有機發(fā)光層，并于感光下電極部上形成圖案化 感光介電層。其后，于圖案化有機發(fā)光層與圖案化感光介電層上形成第二導(dǎo) 電膜。隨后，圖案化第二導(dǎo)電膜而形成發(fā)光上電極部與感光上電極部。發(fā)光 上電極部與感光上電極部分別位于圖案化有機發(fā)光層與圖案化感光介電層上。
為達上述目的，本發(fā)明的實施例還提供一種OLED觸控面板，包括基板、 OLED元件，以及光學感測元件?；迳隙x有至少一像素區(qū)域，且像素區(qū) 域中定義有顯示區(qū)域與感測區(qū)域。OLED元件設(shè)置于顯示區(qū)域中的基板上， 包括第一薄膜晶體管、發(fā)光下電極部、圖案化有機發(fā)光層，以及發(fā)光上電極 部。發(fā)光下電極部設(shè)置于發(fā)光下電極部上，且電連接至第一薄膜晶體管。圖 案化有機發(fā)光層設(shè)置于發(fā)光下電極部上。發(fā)光上電極部設(shè)置于圖案化有機發(fā) 光層上。光學感測元件設(shè)置于感測區(qū)域中的基板上，包括第二薄膜晶體管、 感光下電極部、圖案化感光介電層，以及感光上電極部。感光下電極部設(shè)置 于第二薄膜晶體管上，且電連接至第二薄膜晶體管。圖案化感光介電層設(shè)置 于感光下電極部上。感光上電極部設(shè)置于圖案化感光介電層上。
本發(fā)明的光電特性可以超越一般p-i-n感光二極管、可以具有較大的感 光面積、可易于調(diào)整吸收光譜范圍，并且易于與顯示面板的工藝整合。
以下為有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖。然而所附附圖僅供參考與輔助說 明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例制作OLED觸控面板的流程示意圖。 圖2至圖4示出的是根據(jù)本發(fā)明第一實施例制作OLED觸控面板的方法 示意圖。
圖5示出的是根據(jù)本發(fā)明第二實施例制作OLED觸控面板的方法示意圖。
圖6示出的是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的頂發(fā)光型OLED觸控面板的示意圖。
圖7示出的是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的底發(fā)光型OLED觸控面板的示意圖。
圖8示出的是根據(jù)本發(fā)明第五實施例制作OLED觸控面板的方法示意圖。
圖9示出的是本發(fā)明的OLED觸控面板的等效電路示意圖。 其中，附圖標記說明如下10 36步驟100OLED觸控面板
102基板104緩沖層
106圖案化多晶硅層110a源極/漏極區(qū)域
110b源極/漏極區(qū)域111電容下電極
112柵極絕緣層114源極/漏極輕摻雜區(qū)域
116珊極117電容上電極
118層間絕緣層120第一介層洞
122圖案化源極/漏極導(dǎo)電層124第一保護層
126第二介層洞128第二保護層
130a發(fā)光下電極部130b感光下電極部
132有機發(fā)光層132a圖案化有機發(fā)光層
134感光介電層134a圖案化感光介電層
138a發(fā)光上電極部138b感光上電極部
150OLED元件152光學感測元件
180底發(fā)光型OLED觸控面板182光線
184觸控物190頂發(fā)光型OLED觸控面板
186背景光源200OLED觸控面板
216a珊極216b下電極
230基板234柵極絕緣層
236圖案化非晶硅層238源極/漏極區(qū)域
248保護層244a圖案化源極/漏極導(dǎo)電層
244b上電極C電容元件
DL數(shù)據(jù)線GL柵極線
P像素區(qū)域PD顯示區(qū)域
PL內(nèi)部電源線PS感測區(qū)域
RL感測信號線Tl第一薄膜晶體管
T2第二薄膜晶體管T3第三薄膜晶體管
Vss電壓
具體實施例方式
7圖1為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例制作OLED觸控面板100的流程示意圖， 圖2至圖4示出的是根據(jù)本發(fā)明第一實施例制作OLED觸控面板100的方法 示意圖。附圖中相同的元件或部位沿用相同的符號來表示。需注意的是附圖 僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。
如圖1的步驟10至步驟26與圖2所示，首先提供一個基板102當作下 基板，例如一個透明玻璃基板，再于基板102上形成緩沖層104?；?02 上可定義有多個呈陣列排列的像素區(qū)域P，且像素區(qū)域P中定義有顯示區(qū)域 PD與感測區(qū)域PS，附圖僅示出單一像素區(qū)域P為例進行說明。此外，于形 成緩沖層104之前或形成緩沖層104之后也可于基板102上形成黑色矩陣層 (blackmatrix,圖未示)。之后，先在緩沖層104上沉積一層非晶硅(amorphous silicon, a-Si)薄膜(未顯示)，并可借由準分子激光等退火工藝，使此非晶 硅薄膜再結(jié)晶而成為多晶硅層。然后利用第一光掩模來對此多晶硅層進行圖 案化工藝，例如先于基板102上形成一層光致抗蝕劑層，對此光致抗蝕劑層 進行光刻工藝而形成圖案化光致抗蝕劑，再利用圖案化光致抗蝕劑作為蝕刻 掩模來蝕刻多晶硅層，之后去除圖案化光致抗蝕劑即可得到所需的圖案化多 晶硅層106的圖案，可作為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層與電容元件C的半導(dǎo)體層。
接下來，利用第二光掩模注入而形成N型重摻雜區(qū)域(N^ region)，例 如先于基板102上形成一層光致抗蝕劑層，對此光致抗蝕劑層進行光刻工藝 而形成圖案化光致抗蝕劑，再利用圖案化光致抗蝕劑作為注入掩模來進行注 入，之后去除圖案化光致抗蝕劑，以于預(yù)定的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 (NMOS)與電容元件C的圖案化多晶硅層106中分別形成源極/漏極區(qū)域 llOa與電容下電極lll，例如于第一薄膜晶體管T1中形成N型的源極/漏極 區(qū)域110a。其后形成柵極絕緣層112而覆蓋圖案化多晶硅層106與基板102 上，再利用第三光掩模注入而形成N型輕摻雜區(qū)域(N'region)，以于第一 薄膜晶體管T1中形成源極/漏極輕摻雜區(qū)域114。接著，利用第四光掩模注 入而形成P型重摻雜區(qū)域(P+region)，以于預(yù)定的P型金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管(PMOS)的圖案化多晶硅層106中形成源極/漏極區(qū)域110b，例如于 第二薄膜晶體管T2與第三薄膜晶體管T3中一并形成P型的源極/漏極區(qū)域 llOb。
然后于柵極絕緣層112表面形成一層導(dǎo)電層，例如金屬層，并利用第五
8化工藝，以得到柵極116與電容上電極117。 之后，沉積層間絕緣層(inter layer dielectric, ILD) 118而覆蓋柵極116和 柵極絕緣層112，再利用第六光掩模來進行圖案化工藝，用以蝕刻層間絕緣 層與柵極絕緣層112而形成多個第一介層洞120，直至源極/漏極區(qū)域llOa、 110b表面。接著進行金屬沉積工藝，并利用第七光掩模來進行圖案化工藝， 以形成圖案化源極/漏極導(dǎo)電層122。部分的圖案化源極/漏極導(dǎo)電層122可填 入第一介層洞120中，以電連接源極/漏極區(qū)域110a、 110b。之后，于圖案 化源極/漏極導(dǎo)電層122和層間絕緣層118之上形成第一保護層124，并利用 第八光掩模來進行圖案化工藝，以蝕刻第一保護層124，而于圖案化源極/漏 極導(dǎo)電層122上形成多個第二介層洞126。
如此一來，可于基板102上一并形成電容元件C、第一薄膜晶體管T1、 第二薄膜晶體管T2與第三薄膜晶體管T3，其中第一薄膜晶體管Tl與第二 薄膜晶體管T2位于顯示區(qū)域PD中，可分別作為開關(guān)薄膜晶體管(switch TFT)與驅(qū)動薄膜晶體管(drive TFT),而第三薄膜晶體管T3位于感測區(qū) 域PS中，可作為讀取薄膜晶體管(readout TFT)。本實施例的第一、第二 與第三薄膜晶體管T1、 T2、 T3為低溫多晶硅(low temperature polycrystalline silicon, LTPS)薄膜晶體管，但本發(fā)明不限于此。
然后，如圖1的步驟28至步驟32與圖3所示，于保護層124上形成第 一導(dǎo)電膜，再利用第九光掩模來對第一導(dǎo)電膜進行圖案化工藝，以一并形成 發(fā)光下電極部130a與感光下電極部130b。發(fā)光下電極部130a可作為OLED 的陽極電極。其中，發(fā)光下電極部130a位于顯示區(qū)域PD中，且通過圖案化 源極/漏極導(dǎo)電層122而電連接至第二薄膜晶體管T2的源極/漏極區(qū)域110b， 而感光下電極部130b位于感測區(qū)域PS中，且通過圖案化源極/漏極導(dǎo)電層 122而電連接至第三薄膜晶體管T3的源極/漏極區(qū)域110b。之后，于基板102 上全面形成第二保護層128，并利用第十光掩模來對第二保護層128進行圖 案化工藝，以暴露出發(fā)光下電極部130a與感光下電極部130b。接著，本實 施例可先形成沉積一層感光介電層，并利用第十一光掩模來進行圖案化工 藝，以于感光下電極部130b上形成屈案化感光介電層134a，其后再全面沉 積一層有機發(fā)光層132。
然后，如圖1的步驟28至步驟32與圖4所示，利用第十二光掩模來對
9有機發(fā)光層132進行圖案化工藝，以于發(fā)光下電極部130a上形成圖案化有 機發(fā)光層132a。其后，于圖案化有機發(fā)光層132a與圖案化感光介電層134a 上形成第二導(dǎo)電膜。隨后，利用第十三光掩模來對第二導(dǎo)電膜進行圖案化工 藝，以形成發(fā)光上電極部138a與感光上電極部138b，即完成本實施例的 OLED觸控面板IOO。更進一步地，為了避免水氣侵蝕元件，可再形成保護 層(圖未示)覆蓋于發(fā)光上電極部138a與感光上電極部138b，保護層例如 是由沉積法或旋涂法所形成的氧化硅及/或氮化硅層。
發(fā)光上電極部138a與感光上電極部138b分別位于圖案化有機發(fā)光層 132a與圖案化感光介電層134a上，而發(fā)光上電極部138a可作為OLED的陰 極電極。其中，發(fā)光下電極部130a、圖案化有機發(fā)光層132a與發(fā)光上電極 部138a可形成OLED元件150，而感光下電極部130b、圖案化感光介電層 134a與感光上電極部138b可形成光學感測元件152。
其中，圖案化感光介電層134a較佳是富硅介電層，例如富硅氧化硅層 (SiOx)、富硅氮化硅層(SiNy)或富硅氮氧化硅層(SiOxNy)等富硅的氧化物或氮 化物介電層，或是富硅碳化硅層(SiCz)、富硅碳氧化硅(SiOxCz)，其中0<x<2， 0<y<1.33， 0<z<l，可以有較佳的感測效果與穩(wěn)定性，也可以是微米硅 (micro-Si)層、納米硅(nano-Si)層、多晶硅層或非晶硅層，或是上述的單層 或是疊層。圖案化有機發(fā)光層132a可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，例如依序 將空穴注入層、空穴傳輸層與有機電致發(fā)光層、電子傳輸層。空穴注入層與 空穴傳輸層例如可由真空蒸鍍法所形成，空穴注入層的材質(zhì)例如是 m-MTDATA (兀-共軛分子-4,4，，4"-三偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺)，而空 穴傳輸層例如是NPB (含氮元素的有機分子材料)層。有機電致發(fā)光層例如 可由真空蒸鍍法所形成，其材質(zhì)為添加有摻雜物(dopant)的有機材料。電 子傳輸層例如是由真空蒸鍍法所形成，其材質(zhì)例如是鋁錯合物。
具有富硅介電層的光學感測元件152可以成功結(jié)合于LTPS薄膜晶體管 與a-Si薄膜晶體管技術(shù)，以使用等離子體增強式化學氣相沉積(PECVD)將 含有富硅元素的介電層薄膜(silicon-rich dielectrics)沉積于透明電極或金屬 電極上。此富硅介電層中的硅原子受到入射光激發(fā)之后會產(chǎn)生電子空穴對， 在有外加偏壓或外加電場的情況下，這些受光激發(fā)而產(chǎn)生電子空穴會被分離 而形成光電流，作為感測信號。富硅介電層的光學感測元件152的光電特性可由介電層薄膜中硅元素的含量與介電層薄膜的厚度等因素來調(diào)變與控制，
進而提供最佳化的光電效應(yīng)。此外，由于嵌入式的光學感測元件152可設(shè)置 于透明電極或金屬電極之間，因此可以呈現(xiàn)一個金屬-介電層-金屬(MIM) 堆疊結(jié)構(gòu)而整合在像素讀取電路(in pixel readout TFT)上，繼而增加光學感 測元件152的感光面積(fill factor)。
此外，本發(fā)明也可先形成圖案化有機發(fā)光層132a之后，再形成圖案化 感光介電層134a。圖5示出的是根據(jù)本發(fā)明第二實施例制作OLED觸控面板 的方法示意圖。如圖5所示，本實施例可先形成沉積一層有機發(fā)光層，并利 用第十一光掩模來進行圖案化工藝，以于發(fā)光下電極部130a上形成圖案化 有機發(fā)光層132a，其后再全面沉積一層感光介電層134。之后，再利用第十 二光掩模來對感光介電層134進行圖案化工藝，以于感光下電極部130b上 形成圖4所示的圖案化感光介電層134a。
根據(jù)OLED本身的結(jié)構(gòu)，OLED又可分為兩種， 一種是頂發(fā)光型(top emitting) OLED結(jié)構(gòu)，另一種是底發(fā)光型(bottom emitting) OLED結(jié)構(gòu)。 圖6與圖7示出的分別是根據(jù)本發(fā)明第三與第四實施例的頂發(fā)光型OLED觸 控面板190與底發(fā)光型OLED觸控面板180的示意圖。如圖6所示，當制作 頂發(fā)光型OLED觸控面板190時，前述的第一導(dǎo)電膜例如是由蒸鍍法或濺鍍 法所形成的高反射金屬導(dǎo)電材料，其材質(zhì)例沖是鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、 金(Au)、鴇(W)、鎳(Ni)、銀(Ag)或鋁(Al)，而前述的第二導(dǎo)電 膜例如是包含氧化銦錫(indiumtinoxide， ITO)等透明導(dǎo)電材料的薄膜。如 此一來，頂發(fā)光型OLED元件150的光線182可穿過透明的發(fā)光上電極部 138a向外照射。當觸控物184接近頂發(fā)光型OLED觸控面板190的上表面時， OLED元件150所發(fā)出的光線182會受到觸控物184的反射而朝向感測區(qū)域 PS照射，進而被光學感測元件152所感測。光學感測元件152被激發(fā)出電子 空穴對而形成光電流，而第三薄膜晶體管T3 (讀取薄膜晶體管)可將形成的 光電流轉(zhuǎn)換為感測信號。另外，若于背景光源186的強度夠大的情況下，觸 控物184的接近則會遮蔽背景光源186，進而從光電流的減少而判斷出觸控 位置。其中，頂發(fā)光型OLED觸控面板190所發(fā)射的光較不易受到基板102 上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的影響，可具有較大開口率(aperture ratio)。
如圖7所示，當制作底發(fā)光型OLED觸控面板180時，前述的第一導(dǎo)電膜可包含透明導(dǎo)電材料，而前述的第二導(dǎo)電膜則包含高反射的金屬導(dǎo)電材
料。底發(fā)光型OLED元件150的光線182可穿過透明的發(fā)光下電極部130a 向外照射。當觸控物184接近底發(fā)光型OLED觸控面板180的下表面時， OLED元件150所發(fā)出的光線182會受到觸控物184的反射而朝向感測區(qū)域 PS照射，進而被光學感測元件152所感測。同理，若于背景光源186的強度 夠大的情況下，則可以從光電流的減少而判斷出觸控位置。
根據(jù)第三與第四實施例的OLED觸控面板的操作可知，顯示區(qū)內(nèi)的光學 感測元件152可作為觸控感測元件，用以感測出觸控位置。而于其他實施例 中，也可在顯示區(qū)邊緣或是顯示區(qū)外增設(shè)環(huán)境光感測元件(ambient light sensor, ALS)，其結(jié)構(gòu)可跟光學感測元件152相同。當光學感測元件152 作為環(huán)境光感測元件之用時，可在顯示裝置運作時檢測背景光源186的亮度 變化而改變OLED觸控面板100的亮度，使顯示畫面的亮度最佳化。此外， 環(huán)境光感測元件也可提供參考信號至觸控感測元件，借此觸控感測元件可根 據(jù)環(huán)境光強度作適當調(diào)整，以維持良好的觸控靈敏。
此外，前述實施例以LTPS薄膜晶體管為例進行說明，而于其他實施例 中也可將a-Si薄膜晶體管的技術(shù)結(jié)合至本發(fā)明中。圖8示出的是根據(jù)本發(fā)明 第五實施例制作OLED觸控面板200的方法示意圖，同時也是OLED觸控面 板200的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，于基板230表面上形成導(dǎo)電層，例如金 屬層，再利用第一道光掩模與圖案化工藝，將導(dǎo)電層圖案化而于顯示區(qū)域PD 與感測區(qū)域PS中形成柵極216a與電容元件C的下電極216b。然后，在柵 極216a、下電極216b與基板230的表面上依序形成柵極絕緣層234、非晶 硅層以及摻雜非晶硅層。隨后，利用第二道光掩模以圖案化工藝去除部分的 非晶硅層以及摻雜非晶硅層，以于第一、第二與第三薄膜晶體管Tl、 T2、 T3的預(yù)定區(qū)域上分別定義形成島狀結(jié)構(gòu)，包含圖案化非晶硅層236與圖案化 的摻雜非晶硅層。
跟著，于基板230的整個表面上形成第一導(dǎo)電膜，例如透明導(dǎo)電膜或金 屬導(dǎo)電膜，再利用第三道光掩模與圖案化工藝，將第一導(dǎo)電膜定義形成發(fā)光 下電極部130a與感光下電極部130b。
接下來，于基板230的表面上全面形成另一導(dǎo)電層，再利用第四道光掩 模對此導(dǎo)電層與摻雜非晶硅層進行圖案化工藝，以使導(dǎo)電層定義形成圖案化源極/漏極導(dǎo)電層244a與電容元件C的上電極244b，并且可使摻雜非晶硅層 被區(qū)分成為源極/漏極區(qū)域238，至于暴露的圖案化非晶硅層236則是用來作 為第一、第二與第三薄膜晶體管T1、 T2、 T3的通道。其后，可于基板230 的整個表面上形成保護層248，再利用第五道光掩模將顯示區(qū)域20上的保護 層248去除，以于圖案化源極/漏極導(dǎo)電層244a上形成圖案化保護層，并完 成a-Si薄膜晶體管工藝。
后續(xù)，可利用如圖2至圖4所示各步驟，以形成發(fā)光下電極部130a、感 光下電極部130b、圖案化有機發(fā)光層132a、圖案化感光介電層134a、發(fā)光 上電極部138a、感光上電極部138b與保護層290，即完成本實施例的OLED 觸控面板200。
圖9示出的是本發(fā)明的OLED觸控面板的等效電路示意圖。如圖9所示， OLED觸控面板的各顯示區(qū)域PD中，包含有第一薄膜晶體管T1 (開關(guān)薄膜 晶體管)、電容元件C、第二薄膜晶體管T2 (驅(qū)動薄膜晶體管)與OLED 元件150。第一薄膜晶體管T1的源極連接至數(shù)據(jù)線DL，其柵極連接至柵極 線GL，而其漏極連接至電容元件C的負電極以及第二薄膜晶體管T2的柵極。 第二薄膜晶體管T2的漏極以及電容元件C的正電極連接至內(nèi)部電源線PL。 第二薄膜晶體管T2的源極連接至OLED元件150的陽極，而OLED元件150 的陰極連接至電壓Vss。感測區(qū)域PS則包括光學感測元件152及第三薄膜晶 體管T3 (讀取薄膜晶體管)。當光線照射至光學感測元件152時，光學感測 元件152會產(chǎn)生感測信號，可借由第三薄膜晶體管T3傳送至感測信號線RL， 進而對OLED觸控面板進行控制。
綜上所述，本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式OLED光學觸控面板(optical touch OLED panel integration on glass)及其制作方法。其中，感測區(qū)域的讀取薄膜 晶體管可以利用顯示區(qū)域的驅(qū)動薄膜晶體管的工藝一并形成。此外，感測區(qū) 域的光學感測元件的上、下電極可以與顯示區(qū)域的OLED的上、下電極一并 形成。因此，本發(fā)明僅需于OLED面板的工藝之外，再進行一道形成圖案化 感光介電層的工藝，即可將光學感測元件有效地整合于OLED面板的像素區(qū) 域中，形成OLED觸控面板。其中，嵌入式感光介電層感測元件可成功整合 在LTPS薄膜晶體管與a-Si薄膜晶體管上，其優(yōu)點包括光電特性可以超越 一般p-i-n感光二極管、可以具有較大的感光面積、可易于調(diào)整吸收光譜范，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變 化與修飾，均應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光二極管觸控面板的制作方法，包括提供一基板，該基板上定義有至少一像素區(qū)域，且該像素區(qū)域中定義有一顯示區(qū)域與一感測區(qū)域；于該基板上形成一第一薄膜晶體管與一第二薄膜晶體管，分別位于該顯示區(qū)域與該感測區(qū)域中；于該第一薄膜晶體管與該第二薄膜晶體管上方形成一第一導(dǎo)電膜；圖案化該第一導(dǎo)電膜而形成一發(fā)光下電極部與一感光下電極部，該發(fā)光下電極部與該感光下電極部分別位于該顯示區(qū)域與該感測區(qū)域中，且分別電連接至該第一薄膜晶體管與該第二薄膜晶體管；于該發(fā)光下電極部上形成一圖案化有機發(fā)光層；于該感光下電極部上形成一圖案化感光介電層；于該圖案化有機發(fā)光層與該圖案化感光介電層上形成一第二導(dǎo)電膜；以及圖案化該第二導(dǎo)電膜而形成一發(fā)光上電極部與一感光上電極部，該發(fā)光上電極部與該感光上電極部分別位于該圖案化有機發(fā)光層與該圖案化感光介電層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該圖案化感光介電層包括一富硅 氧化硅層、 一富硅氮化硅層、 一富硅氮氧化硅層、 一富硅碳化硅層或一富硅 碳氧化硅。
3. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該圖案化感光介電層包括一微米 硅層、 一納米硅層、 一多晶硅層或一非晶硅層。
4. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中形成該第一薄膜晶體管與該第二 薄膜晶體管的步驟包括于該基板上的該顯示區(qū)域與該感測區(qū)域中分別形成一圖案化多晶硅層；形成一柵極絕緣層覆蓋所述圖案化多晶硅層與該基板上；于各所述圖案化多晶硅層上方的該柵極絕緣層表面分別形成一柵極；于各所述多晶硅層中形成多個源極/漏極區(qū)域；沉積一層間絕緣層，覆蓋所述柵極和該柵極絕緣層；蝕刻該層間絕緣層與該柵極絕緣層以形成多個第一介層洞于所述多個源極/漏極區(qū)域上；于所述多個介層洞中與部分的該層間絕緣層上形成一圖案化源極/漏極 導(dǎo)電層；于該圖案化源極/漏極導(dǎo)電層和該層間絕緣層之上形成一保護層；以及 蝕刻該保護層，以于該圖案化源極/漏極導(dǎo)電層上形成多個第二介層洞。
5. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中形成該第一薄膜晶體管與該第二 薄膜晶體管的步驟包括于該基板上的該顯示區(qū)域與該感測區(qū)域中分別形成一柵極； 形成一柵極絕緣層覆蓋所述柵極與該基板上；于各所述柵極上方的該柵極絕緣層表面形成一圖案化非晶硅層與一圖 案化摻雜非晶硅層；于所述圖案化摻雜非晶硅層上形成一導(dǎo)電層；蝕刻 該導(dǎo)電層與所述圖案化摻雜非晶硅層，以形成多個圖案化源極/漏極 導(dǎo)電層與多個源極/漏極區(qū)域；以及于所述圖案化源極/漏極導(dǎo)電層上形成一 圖案化保護層。
6. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該第一導(dǎo)電膜包括一透明導(dǎo)電材 料，而該第二導(dǎo)電膜包括一金屬導(dǎo)電材料。
7. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該第一導(dǎo)電膜包括一金屬導(dǎo)電材 料，而該第二導(dǎo)電膜包括一透明導(dǎo)電材料。
8. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中于形成該圖案化有機發(fā)光層之 后，再形成該圖案化感光介電層。
9. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中于形成該圖案化感光介電層之 后，再形成該圖案化有機發(fā)光層。
10. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中形成該圖案化有機發(fā)光層的步 驟包括沉積多個圖案化有機發(fā)光膜。
11. 一種有機發(fā)光二極管觸控面板，包括-一基板，該基板上定義有至少一像素區(qū)域，且該像素區(qū)域中定義有一顯 示區(qū)域與一感測區(qū)域；一有機發(fā)光二極管元件，設(shè)置于該顯示區(qū)域中的該基板上，包括-一第一薄膜晶體管；一發(fā)光下電極部，設(shè)置于該發(fā)光下電極部上，且電連接至該第一薄膜晶體管；一圖案化有機發(fā)光層，設(shè)置于該發(fā)光下電極部上；以及 一發(fā)光上電極部，設(shè)置于該圖案化有機發(fā)光層上；以及 一光學感測元件，設(shè)置于該感測區(qū)域中的該基板上，包括 一第二薄膜晶體管；一感光下電極部，設(shè)置于該第二薄膜晶體管上，且電連接至該第二薄膜 晶體管；一圖案化感光介電層，設(shè)置于該感光下電極部上；以及 一感光上電極部，設(shè)置于該圖案化感光介電層上。
12. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管觸控面板，其中該圖案化感光 介電層包括一富硅氧化硅層、 一富硅氮化硅層、 一富硅氮氧化硅層、 一富硅 碳化硅層或一富硅碳氧化硅。
13. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管觸控面板，其中該圖案化感光 介電層包括一微米硅層、 一納米硅層、 一多晶硅層或一非晶硅層。
14. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管觸控面板，其中該第一薄膜晶 體管與該第二薄膜晶體管分別包括一低溫多晶硅薄膜晶體管。
15. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管觸控面板，其中該第一薄膜晶 體管與該第二薄膜晶體管分別包括一非晶硅薄膜晶體管。
16. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管觸控面板，其中該第一導(dǎo)電膜 包括一透明導(dǎo)電材料，而該第二導(dǎo)電膜包括一金屬導(dǎo)電材料。
17. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管觸控面板，其中該第一導(dǎo)電膜 包括一金屬導(dǎo)電材料，而該第二導(dǎo)電膜包括一透明導(dǎo)電材料。
18. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管觸控面板，其中該光學感測元 件包括一觸控光學感測元件。
19. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管觸控面板，其中該光學感測元 件包括一環(huán)境光感測元件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光二極管觸控面板及其制作方法。有機發(fā)光二極管觸控面板的像素區(qū)域中定義有顯示區(qū)域與感測區(qū)域。其中，感測區(qū)域的讀取薄膜晶體管可以利用顯示區(qū)域的驅(qū)動薄膜晶體管的工藝一并形成。此外，感測區(qū)域的光學感測元件的上、下電極可以與顯示區(qū)域的有機發(fā)光二極管元件的上、下電極一并形成。因此，本發(fā)明僅需于有機發(fā)光二極管面板的工藝之外，再進行一道形成圖案化感光介電層的工藝，即可將光學感測元件整合于有機發(fā)光二極管面板的像素區(qū)域中，形成有機發(fā)光二極管觸控面板。本發(fā)明的光電特性可以超越一般p-i-n感光二極管、可以具有較大的感光面積、可易于調(diào)整吸收光譜范圍，并且易于與顯示面板的工藝整合。
文檔編號H01L21/70GK101635276SQ200910170460
公開日2010年1月27日 申請日期2009年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月26日
發(fā)明者卓恩宗, 彭佳添, 陳俊雄, 黃偉明, 黃戎巖 申請人:友達光電股份有限公司