專利名稱：一種超薄的功率型互感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種功率型互感器，尤其涉及一種超薄的功率型互感 器，屬于功率型互感器的生產(chǎn)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在電子產(chǎn)業(yè)中，互感器的應(yīng)用非常廣泛，特別是交流變直流的互感器， 幾乎所有的電子產(chǎn)品都會應(yīng)用到。這是因?yàn)槲覀兯苡玫倪B續(xù)式不間斷電源
均為交流電源(如包括中國在內(nèi)的世界上很多國家所用的220V交流電源以 及部分國家所用的IIOV交流電源等)，其它直流電源如干電池為易耗、需經(jīng) 常更換的電源(部分可充電的干電池也需用交流電源充電)，所以使用成本 高；蓄電池為可以反復(fù)充電、重復(fù)使用的直流電源，但也需要用交流電源充 電。由于絕大部分電子產(chǎn)品需用直流電源作為供電電源，而且各電路部分所 需的直流電壓也不盡相同，所以，在電子產(chǎn)品中，用互感器將交流電源轉(zhuǎn)變 為直流電源以及將直流電源轉(zhuǎn)換為多個不同不同電壓的直流電源成為不可 或缺的一部分。
由于人們對電子產(chǎn)品的易攜帶性及美觀性提出了更高的要求，所以近年 電子產(chǎn)業(yè)對電子產(chǎn)品的小型化提出更高的要求，如手機(jī)、電腦等產(chǎn)品，人們 都在追求以更小的高度和體積實(shí)現(xiàn)更多的功能。作為電子產(chǎn)品的部件之一， 互感器往往會占據(jù)整個電子產(chǎn)品的較大比例的體積(因?yàn)殡娐凡糠蛛S著芯片 技術(shù)的不斷微型化而不斷減小)，所以，電子產(chǎn)業(yè)對互感器的高度和體積小 型化的要求越來越強(qiáng)烈。近年的平板狀的功率型互感器就是為了使互感器的 高度和體積更小的一種新型互感器，其改變了傳統(tǒng)互感器的電線繞組+磁芯的結(jié)構(gòu)，采用(或部分采用)銅片作為繞組作為低電壓、大電流的繞組，使 繞組的排列更加緊密，尤其能有效地降低互感器的高度，適應(yīng)更多薄型電子 產(chǎn)品的要求。
在目前的功率型互感器中，由于其骨架上與磁芯接觸的表面部分設(shè)置有
擋墻，所以組合后磁芯的高度始終無法降至最低，比如在滿足6A的取樣電 流的前提下，傳統(tǒng)功率型互感器的最小高度是3.4mm，還未能使功率型互感 器的高度及體積達(dá)到最小化，相應(yīng)地，不能很好地適應(yīng)現(xiàn)代社會對電子產(chǎn)品 的薄型及小型化需求。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種超薄的功率型 互感器，以更好地適應(yīng)現(xiàn)代社會對電子產(chǎn)品的薄型及小型化需求。
為了達(dá)到這個目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)-本實(shí)用新型由骨架、磁芯、線圈繞組及其它附件構(gòu)成，其中磁芯由磁芯
上蓋和磁芯下蓋組成，其創(chuàng)新之處在于，以磁芯上蓋與磁芯下蓋之間的垂直
連接線的方向?yàn)樯舷路较颍羌苌吓c磁芯上蓋接觸的上部外表面、骨架上與
磁芯下蓋接觸的下部外表面均為全平面，沒有擋墻。
取消擋墻后，骨架的上部外表面和下部外表面與磁芯之間接觸更加緊
密，使本實(shí)用新型的高度更小，在滿足6A的取樣電流的前提下，其封裝高
度可以達(dá)到2.4mm (傳統(tǒng)產(chǎn)品則需要3.4mm)，其高度和體積都得以顯著地減小。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，以磁芯上蓋與磁芯下蓋之間的垂直連接 線的方向?yàn)樯舷路较?，以磁芯開口的兩端之間的垂直連接線的方向?yàn)榍昂蠓?向，骨架上與磁芯接觸的左部外表面和右部外表面均為全平面，沒有擋墻。這樣，使本實(shí)用新型在整個體積上進(jìn)一步縮小，更能滿足小型化的要求。
另外，本實(shí)用新型中所采用的銅片繞組，在初、次級繞組相鄰處采用斜 切的邊緣形狀，使銅片能在不改變占用面積的情況下實(shí)現(xiàn)允許通過電流的最 大化。
本實(shí)用新型的有益效果在于-
本實(shí)用新型在滿足6A的取樣電流的前提下，其封裝高度可以達(dá)到 2.4mm (傳統(tǒng)產(chǎn)品則至少為3.4mm)，體積可以達(dá)到60mm3 (傳統(tǒng)產(chǎn)品則至 少為90mm3)，所以本實(shí)用新型具有更優(yōu)良的性能和更廣泛的使用范圍，能 更好地適應(yīng)現(xiàn)代社會對電子產(chǎn)品的薄型及小型化需求，為目前市場上高度及 體積最小的功率型互感器。


圖1是本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖2是本實(shí)用新型的右視結(jié)構(gòu)示意圖3是本實(shí)用新型的俯視結(jié)構(gòu)示意圖4是圖1中的A-A剖視圖5是本實(shí)用新型中骨架的主視結(jié)構(gòu)示意圖6是本實(shí)用新型中骨架的右視結(jié)構(gòu)示意圖7是本實(shí)用新型中骨架的俯視結(jié)構(gòu)示意圖8是圖5中的B-B剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步具體描述
如圖1、圖2和圖3所示，本實(shí)用新型由骨架l、磁芯、線圈繞組6及 接線端子5等其它附件構(gòu)成，其中磁芯由磁芯上蓋2和磁芯下蓋3組成。如圖6所示，以磁芯上蓋2與磁芯下蓋3之間的垂直連接線的方向?yàn)樯舷路较颍?骨架1上與磁芯上蓋2接觸的上部外表面9、骨架1上與磁芯下蓋3接觸的 下部外表面10均為全平面，沒有擋墻；如圖7和圖8所示，以磁芯上蓋2 與磁芯下蓋3之間的垂直連接線的方向?yàn)樯舷路较?，以磁芯開口的兩端之間 的垂直連接線的方向?yàn)榍昂蠓较?，骨?上與磁芯接觸的左部外表面11和 右部外表面12均為全平面，沒有擋墻。
取消擋墻后，骨架的上部外表面和下部外表面與磁芯之間接觸更加緊 密，使本實(shí)用新型的高度和體積更小，在滿足6A的取樣電流的前提下，其 封裝高度可以達(dá)到2.4mm (傳統(tǒng)產(chǎn)品則需要3.4mm)，體積可以達(dá)到60 mm3 (傳統(tǒng)產(chǎn)品則至少為90 mm3)，其高度和體積都得以顯著地減小。
如圖4和圖8所示，本實(shí)用新型中所采用的銅片繞組8，在初、次級繞 組相鄰處采用斜切的邊緣形狀，使銅片繞組8能在不改變占用面積的情況下 實(shí)現(xiàn)允許通過電流的最大化。
如圖l——圖8所示，將圖1與圖5、圖2與圖6、圖3與圖7、圖4與 圖8對應(yīng)起來看，就很容易了解本實(shí)用新型中骨架的結(jié)構(gòu)。所有圖中的接線 端子5既可能為對外的總接線端子，又可能為各匝繞組之間的內(nèi)部接線端子， 根據(jù)實(shí)際情況來確定。
權(quán)利要求1、一種超薄的功率型互感器，由骨架(1)、磁芯、線圈繞組(6)及其它附件構(gòu)成，其中磁芯由磁芯上蓋(2)和磁芯下蓋(3)組成，其特征在于以磁芯上蓋(2)與磁芯下蓋(3)之間的垂直連接線的方向?yàn)樯舷路较?，骨?1)上與磁芯上蓋(2)接觸的上部外表面(9)、骨架(1)上與磁芯下蓋(3)接觸的下部外表面(10)均為全平面，沒有擋墻。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄的功率型互感器，其特征在于以磁芯上蓋(2)與磁芯下蓋(3)之間的垂直連接線的方向?yàn)樯舷路较?，以磁芯開 口的兩端之間的垂直連接線的方向?yàn)榍昂蠓较颍羌?1)上與磁芯接 觸的左部外表面(11)和右部外表面(12)均為全平面，—沒有擋墻。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種超薄的功率型互感器，由骨架、磁芯、線圈繞組及其它附件構(gòu)成，其中磁芯由磁芯上蓋和磁芯下蓋組成，其特征在于以磁芯上蓋與磁芯下蓋之間的垂直連接線的方向?yàn)樯舷路较?，骨架上與磁芯上蓋接觸的上部外表面、骨架上與磁芯下蓋接觸的下部外表面均為全平面，沒有擋墻。取消擋墻后，骨架的上部外表面和下部外表面與磁芯之間接觸更加緊密，使本實(shí)用新型的高度更小，在滿足6A的取樣電流的前提下，其封裝高度可以達(dá)到2.4mm(傳統(tǒng)產(chǎn)品則需要3.4mm)，所以本實(shí)用新型具有更優(yōu)良的性能和更廣泛的使用范圍。
文檔編號H01F17/04GK201233788SQ200820064408
公開日2009年5月6日 申請日期2008年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月23日
發(fā)明者盧本浩, 周興龍 申請人:宜賓金川電子有限責(zé)任公司成都分公司