專利名稱：一種特高壓電容式電壓互感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及特高壓(1000kV)測量領(lǐng)域，特別涉及一種特高壓電容式
電壓互感器。
背景技術(shù)：
電容式電壓互感器(CVT)中，電容分壓器由多節(jié)耦合電容器組成，其外 部采用外形尺寸相同的瓷質(zhì)套管絕緣，電容器元件之間的電氣連接采用鋁箔 或銅箔壓接。用于電容式電壓互感器的液體介質(zhì)溫度補償?shù)慕饘倥蛎浧饔袃?nèi) 置式或外置式，但都置于瓷質(zhì)套管上部。這樣造成瓷套內(nèi)部和外部在高度方 向場強分配不一致。
在無線電干擾和噪聲問題方面，對220kV及以下電壓等級的電容式電壓互 感器中，無線電干擾及噪音很小，無需采取措施；330kV 500kV電壓等級的 設(shè)備，在頂部加裝一個均壓環(huán)；800kV電壓等級的設(shè)備一般在頂部加裝一個或 兩個均壓環(huán)，即可滿足要求；但是對于1000kV電壓等級的設(shè)備，電暈放電更 加強烈，無線電干擾和噪聲顯著增加，影響周圍的生態(tài)環(huán)境，通過在頂部增 加均壓環(huán)，也無法滿足要求。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于一種特高壓電容式電壓互感器，它能夠解決1000kV
電壓等級時的電暈放電、噪聲和無線電干擾電壓問題，改良環(huán)境相容性。
為了達到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案予以實現(xiàn) 一種特高壓電容
式電壓互感器，包括多節(jié)電容器，所述多節(jié)電容器之間通過法蘭連接，其上端設(shè)置有頂部均壓裝置，其特征在于，所述法蘭徑向設(shè)置有節(jié)間均壓環(huán)，該 節(jié)間均壓環(huán)半徑大于所述法蘭半徑。
本實用新型的進一步特點在于所述頂部均壓裝置為通過筋連接的相互 平行的3 5個頂部均壓環(huán)，中間的頂部均壓環(huán)半徑大于兩邊的頂部均壓環(huán)； 其更進一步特點在于，所述3 5個頂部均壓環(huán)的空間位置共接同一球面。
本實用新型的頂部均壓裝置為相互平行3 5個頂部均壓環(huán)，能夠解決高 壓端子處的屏蔽和電暈問題；通過在法蘭徑向設(shè)置節(jié)間均壓環(huán)，能夠解決多 個電容器的屏蔽和電暈問題。


圖l是1000kV電容式電壓互感器的電容分壓部分的結(jié)構(gòu)圖。
圖2為圖1在法蘭處A-A放大剖視圖
具體實施方式
參照圖1，1000kV電容式電壓互感器的電容分壓部分由4節(jié)電容器1組成。 在4節(jié)電容器1中的上部電容器的上端設(shè)置有頂部均壓裝置3，頂部均壓裝置 3為通過筋連接的相互平行的4個頂部均壓環(huán)，其中間兩個頂部均壓環(huán)外徑大、 上下兩個頂部均壓環(huán)外徑小，其空間位置共接同一球面，將上部電容器的上 端法蘭、裝配螺栓、接線端子等屏蔽在其中。在每兩節(jié)電容器之間通過法蘭 用高強度螺栓連接，在法蘭的外部徑向設(shè)置有節(jié)間均壓環(huán)2，正好將法蘭及連 接標準件屏蔽在兩個節(jié)間均壓環(huán)2之中。
參照圖2，電容器的法蘭具有凸耳5，節(jié)間均壓環(huán)徑向設(shè)置有連接筋4，連 接筋4與凸耳5通過螺栓固定。
相類似地，上部電容器的上端法蘭也具有凸耳，頂部均壓裝置的一個中間 環(huán)上徑向設(shè)置有連接筋，該連接筋與凸耳通過螺栓固定。
權(quán)利要求1、一種特高壓電容式電壓互感器，包括多節(jié)電容器，所述多節(jié)電容器之間通過法蘭連接，其上端設(shè)置有頂部均壓裝置，其特征在于，所述法蘭徑向設(shè)置有節(jié)間均壓環(huán)，該節(jié)間均壓環(huán)半徑大于所述法蘭半徑。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特高壓電容式電壓互感器，其特征在于， 所述頂部均壓裝置為通過筋連接的相互平行的3 5個頂部均壓環(huán)，中間的頂 部均壓環(huán)半徑大于兩邊的頂部均壓環(huán)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種特高壓電容式電壓互感器，其特征在于， 所述3 5個頂部均壓環(huán)的空間位置共接同一球面。
專利摘要本實用新型涉及特高壓(1000kV)測量領(lǐng)域，公開了一種特高壓電容式電壓互感，它包括多節(jié)電容器，所述多節(jié)電容器之間通過法蘭連接，其上端設(shè)置有頂部均壓裝置，其特征在于，所述法蘭徑向設(shè)置有節(jié)間均壓環(huán)，該節(jié)間均壓環(huán)半徑大于所述法蘭半徑。
文檔編號H01F38/24GK201282018SQ20082003026
公開日2009年7月29日 申請日期2008年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月12日
發(fā)明者任春陽, 房金蘭, 王香芳 申請人:中國西電電氣股份有限公司