專利名稱：：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別涉及從制造時所使用的襯底分離包括半導(dǎo)體元件的元件形成層的技術(shù)。在本發(fā)明中，作為制造對象的半導(dǎo)體裝置包括通過利用半導(dǎo)體的特性而工作的半導(dǎo)體元件、以及使用多個半導(dǎo)體元件而工作的所有裝置。作為半導(dǎo)體元件，例如可以舉出如MOS型晶體管、薄膜晶體管等晶體管、二極管、以及MOS型電容器等。此外，半導(dǎo)體裝置包括具有多個半導(dǎo)體元件的集成電路、具有多個集成電路的裝置、以及具有集成電路和其他要素的裝置。集成電路例如包括CPU、如ROM、RAM等的存儲電路等。具有多個集成電路的裝置、以及具有集成電路和其他要素的裝置例如包括液晶模塊用襯底；使用了該模塊用襯底的液晶模塊及液晶顯示裝置；EL(電場發(fā)光)模塊用襯底；使用了該模塊用襯底的EL模塊及EL顯示裝置；將液晶模塊或EL模塊用作其顯示單元的電子器具；具備天線且能夠無線通信的IC芯片；以及安裝有這種IC芯片的電子標簽及IC卡等。
背景技術(shù)：
：正在對如下技術(shù)進行開發(fā)在基材如玻璃襯底或石英襯底等上使用薄膜晶體管(TFT)等的半導(dǎo)體元件制造集成電路，然后將該集成電路從用于制造的基材轉(zhuǎn)移到塑料薄膜基材上。要將集成電路轉(zhuǎn)移到其他基材，首先需要從用于制造的襯底分離集成電路的工序。因此，正在對從襯底剝離集成電路的技術(shù)進行開發(fā)。例如，在專利文獻l中記載有如下那樣的利用激光蝕燒的剝離技術(shù)在襯底上設(shè)置由非晶硅等構(gòu)成的分離層，在該分離層上設(shè)置由薄膜元件構(gòu)成的被剝離層，通過粘合層將被剝離層粘合到轉(zhuǎn)移體，并且通過照射激光來使分離層蝕燒，以使在分離層上產(chǎn)生剝離。此外，在專利文獻2中記載有通過人手等的物理性外力進行剝離的技術(shù)。在專利文獻2中，在襯底和氧化物層之間形成金屬層，通過利用氧化物層和金屬層的界面結(jié)合的脆弱性，使在氧化物層和金屬層的界面產(chǎn)生剝離，來分離被剝離層和襯底。一般而言，當(dāng)產(chǎn)生剝離時，在分成兩個的層表面上發(fā)生電荷而容易帶電。這種現(xiàn)象被稱為剝離帶電。由于在產(chǎn)生剝離的瞬時兩個層的表面接近，因此電容形成在這些表面之間。隨著剝離的進展，雖然隨著兩個層之間的距離增大電容降低，但是由于因剝離帶電而產(chǎn)生的電荷量不變，從而層表面的電位與電容成反比例地增大。當(dāng)被剝離的層表面的電位變高時，有可能帶在層表面的電荷向?qū)觾?nèi)部放電。因此，在剝離對象是集成電路的情況下，有可能半導(dǎo)體膜、絕緣膜、導(dǎo)電膜等因放電而產(chǎn)生的熱被熔化而被破壞，而使得半導(dǎo)體元件不工作。此外，有可能即使半導(dǎo)體元件不受到從外部看得見的損傷并且能夠工作，半導(dǎo)體或絕緣體也由于;f皮施加高電位的影響而退化，導(dǎo)致半導(dǎo)體元件不呈現(xiàn)所期待的特性。因此，當(dāng)產(chǎn)生因靜電的放電時，使用了該半導(dǎo)體元件的集成電路本身有可能由于受到半導(dǎo)體元件破壞或其特性退化的影響而不正常工作。半導(dǎo)體元件等受到靜電放電(ElectroStaticDischarge,以下稱為"ESD")的影響而被破壞的現(xiàn)象被稱為靜電破壞。靜電破壞是使成品率大幅度地降低的原因之一。作為避免靜電破壞的方法，向來有如下方法使因靜電的放電不產(chǎn)生的方法；以及即使產(chǎn)生因靜電的放電，也抑制半導(dǎo)體元件因放電而損傷的方法。作為前者，一般知道通過在半導(dǎo)體制造裝置設(shè)置除電器來去除產(chǎn)生了的靜電的方法。后者的典型例子是與半導(dǎo)體元件一起制造保護電路的方法，該保護電路防止因放電而產(chǎn)生的高電位施加到半導(dǎo)體元件。即使產(chǎn)生靜電，如果不放電，則不產(chǎn)生靜電破壞。當(dāng)在兩個物體之間的電位差別大時，很容易產(chǎn)生放電。從而，除電器是以如下為目的的儀器通過將正離子及負離子供應(yīng)到作為放電的路徑的空氣中，來抑制造成放電的很大的電位差產(chǎn)生在物體之間。但是，由于剝離帶電引起的放電在兩個層分離的一瞬產(chǎn)生，因此有時通過除電器的除電來不及。另夕卜，在設(shè)置保護電路的情況下，由于如果放電的電荷經(jīng)過保護電路，保護電路則工作，因此可以避免半導(dǎo)體元件的破壞。然而，在剝離帶電中，由于被分離的兩個層的表面帶電，因此放電的電荷不一定經(jīng)過保護電路。從而，就剝離帶電而言，通過保護電路來防止靜電破壞是不例如，在專利文獻3中記載有防止剝離帶電造成的放電的方法(參照權(quán)利要求的范圍、笫9頁第42行至第48行)。在襯底上形成導(dǎo)電膜，在其上形成包括半導(dǎo)體元件等的疊層體。通過使在襯底和導(dǎo)電膜的界面產(chǎn)生剝離，并且將剝離時所產(chǎn)生的電荷擴散到導(dǎo)電膜，來避免帶電引起的半導(dǎo)體元件的破壞及特性退化。然而，在專利文獻3的剝離方法中，導(dǎo)電膜留在疊層體下部。隨著疊層體的使用目的不同，有可能導(dǎo)電膜成為障礙，并且由于導(dǎo)電膜的存在而不能實現(xiàn)所期待的使用目的。在這種情況下，在專利文獻3的剝離方法中必須要去除導(dǎo)電膜。[專利文獻l]專利公開Hei10-125931號公報[專利文獻2]專利公開2003-174153號公報[專利文獻3]專利公開2005-79395號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于避免隨著剝離而產(chǎn)生的電荷造成的半導(dǎo)體元件的破壞及特性退化。此外，專利文獻3限于剝離后的半導(dǎo)體元件的下表面是導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明以可以選擇電阻高的絕緣材料作為剝離后的半導(dǎo)體元件一側(cè)的表面為另一目的。為了解決上述課題，本發(fā)明使隨著剝離而帶電的電荷不放電到被分離了的兩個層中的任何層的內(nèi)部。具體而言，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征之一在于當(dāng)從村底分離包括半導(dǎo)體元件的元件形成層時，使用液體濡濕因分離元件形成層而露出的表面。此外，在本發(fā)明中，為了通過向元件形成層等施加外力來進行襯底和元件形成層的分離，優(yōu)選設(shè)置剝離層，以便通過施加外力來容易產(chǎn)生剝離。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的其他制造方法的要點包括如下工序在襯底上形成剝離層；在剝離層上形成包括半導(dǎo)體元件的元件形成層；通過施加外力來使在剝離層和元件形成層的界面產(chǎn)生剝離；在使用液體濡濕或潮濕隨著剝離而露出的表面的同時，從襯底分離元件形成層。產(chǎn)生剝離的部分不局限于剝離層和元件形成層的界面，還可以為剝離層和村底的界面或剝離層內(nèi)部。使用液體濡濕(包括潮濕)隨著剝離而露出的表面是向隨著剝離而逐步露出的表面供應(yīng)液體，即可液體供應(yīng)方法之一是滴下或注入液體的方法。其他方法之一是將液體變?yōu)殪F狀或蒸汽而噴涂的方法。其他方法之一是在浸于液體中的狀態(tài)下，從襯底分離元件形成層的方法。其他方法之一是將液體保持工具如含有液體的海綿或布等放在隨著剝離而形成的空隙，在分離元件形成層的同時使液體從液體保持工具放出的方法。用來濡濕元件形成層等的液體優(yōu)選為不改變構(gòu)成元件形成層、剝離層、以及襯底的材料的性質(zhì)的液體、或者不與這些材料反應(yīng)而產(chǎn)生生成物的液體。這是因為反應(yīng)生成物有可能污染半導(dǎo)體裝置，并且需要清洗反應(yīng)生成物的工序。作為液體，優(yōu)選不用作元件形成層、剝離層、以及坤于底的蝕刻劑的液體。作為用于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的液體，可以使用純水。此外，作為液體可以使用比電阻比純水低的水溶液。就是說，可以使用以水為媒質(zhì)的物質(zhì)溶于其中的水溶液。水溶液的性質(zhì)可以為酸性、堿性、以及中性中的任何一種。例如，可以使用酸或堿溶于其中的水溶液或鹽(鹽可以是酸性鹽、堿性鹽、以及正鹽中的任一種)溶于其中的水溶液等。溶于水的物質(zhì)優(yōu)選為在常溫(25'C)、大氣壓下變?yōu)闅怏w的分子。這種物質(zhì)例如為二氧化碳、氯化氫等。此外，在物質(zhì)為鹽的情況下，優(yōu)選為能夠用作界面活性劑的鹽。這是因為通過在水中溶解界面活性劑來可以容易濡濕表面。此外，用于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的液體是水和揮發(fā)性液體的混合溶液，并且優(yōu)選以至少0.1%的濃度包含水。作為揮發(fā)性液體，可以使用有機溶劑如乙醇或丙酮等。此外，本發(fā)明的技術(shù)不局限于半導(dǎo)體裝置的制造方法，還可以適用于包括從襯底分離層疊一個或多個層的結(jié)構(gòu)體的工序的結(jié)構(gòu)物的制造方法。就是說，本發(fā)明涉及從襯底分離包括一個或多個層的結(jié)構(gòu)層的結(jié)構(gòu)物的制造方法，并且其要點在于使用液體濡濕隨著從襯底分離結(jié)構(gòu)層而露出的表面。當(dāng)制造結(jié)構(gòu)體時，與根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置同樣，優(yōu)選在襯底和結(jié)構(gòu)層之間設(shè)置剝離層。放電是指在本來電流不會流過的部分如絕緣體、半導(dǎo)體等中因高電位差而電流瞬間地流過的現(xiàn)象。通過濡濕或潮濕隨著剝離而露出的表面，可以降低該表面的電阻。電阻降低的結(jié)果，因剝離帶電而產(chǎn)生的電荷擴散到濡濕的表面上，因此可以避免隨著剝離而露出的表面的電位升高到產(chǎn)生放電。換言之，根據(jù)本發(fā)明可以消除因剝離帶電而導(dǎo)致的放電。在根據(jù)本發(fā)明的包括分離襯底和元件形成層的工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，由于不產(chǎn)生因剝離帶電的放電，因此可以提高成品率。此外，本發(fā)明由于可以消除因靜電破壞而導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的特性退化，因此可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。此外，根據(jù)本發(fā)明的方法，可以使隨著剝離而產(chǎn)生的電荷不放電到#1分離了的兩個層中的任何層的內(nèi)部，所以即使元件形成層的下表面是絕緣材料，也可以避免包括在元件形成層中的半導(dǎo)體元件因剝離帶電造成的靜電而被破壞，并且遊免半導(dǎo)體元件的特性退化。圖1是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明在襯底10上形成元件形成層11的圖；圖2是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明在元件形成層11的上表面固定支撐基材13的圖；圖3是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明在元件形成層11和剝離層12的界面產(chǎn)生剝離的截面圖；圖4是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明與圖3相比，在元件形成層11和剝離層12的界面剝離進一步進展的圖；圖5是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明元件形成層11從襯底IO分離的圖；圖6是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明在元件形成層11的下表面固定第一撓性襯底18,并且去除支撐基材13的圖；圖7是通過本發(fā)明的制造方法來制造的半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖8是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明使用液體保持工具供應(yīng)液體的圖；圖9是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明使用液體保持工具供應(yīng)液體的圖；圖IO是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是在襯底100上形成的由剝離層101及元件形成層102構(gòu)成的疊層物的截面圖；圖ll是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明在元件形成層102中形成溝槽110的圖；圖12是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明從加熱剝離薄膜111去除分離薄膜112的一部分的圖；圖13是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明將加熱剝離薄膜111固定到元件形成層102的方法的圖；圖14是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明擴大元件形成層102和剝離層101之間的空隙115的方法的圖；圖15是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明向元件形成層102和剝離層101之間的空隙U5供應(yīng)液體116的方法的圖；圖16是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明在供應(yīng)液體116的同時從襯底100分離元件形成層102的方法的圖；圖17是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明元件形成層102從襯底IOO分離了的圖；圖18是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是由加熱剝離薄膜111保持且被分割的元件形成層102的截面圖；圖19是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖20是說明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖21是說明實施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明向元件形成層102和剝離層101之間的空隙115供應(yīng)液體116的方法的圖；圖22是說明實施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明在剝離元件形成層102的同時向元件形成層102和剝離層101之間的空隙115供應(yīng)液體U6的方法的圖；圖23是說明實施例3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明向元件形成層102和剝離層101之間的空隙供應(yīng)液體116的方法的圖；圖24是說明實施例3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖，并且是說明在剝離元件形成層102的同時向元件形成層102和剝離層101之間的空隙供應(yīng)液體U6的方法的圖；圖25是說明實施例1的形成剝離層的方法的截面圖；圖26是說明實施例1的形成元件形成層的方法的截面圖；并且是說明在剝離層101上形成元件形成層的絕緣膜103的圖；圖27是說明實施例1的形成元件形成層的方法的截面圖；并且是說明在絕緣膜103上形成包括薄膜晶體管的集成電路的圖；圖28是說明實施例1的形成元件形成層的方法的截面圖；并且是元件形成層102的截面圖；圖29A至29D是表示包括天線及能夠無線地通信的集成電路的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)例子的圖；圖30A和30B是表示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)例子的圖，其中30A是液晶模塊的俯視圖，而30B是液晶模塊的截面圖；圖31A和31B是表示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)例子的圖，其中31A是EL模塊的俯視圖，而31B是EL模塊的截面圖；圖32A和32B是表示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)例子的圖，其中32A和32B是電視裝置的外觀圖，而32C是電子書籍的外觀圖；圖33是表示進行剝離試驗的試樣的疊層結(jié)構(gòu)的截面圖；圖34是進行剝離試驗的試樣的平面圖；圖35是表示剝離試驗的結(jié)果的曲線圖。具體實施方式下面，參照本發(fā)明的實施方式以及實施例。對相同對象附上相同附圖標記，并且省略重復(fù)說明。此外，本發(fā)明可以通過多種不同的方式來實施，所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍內(nèi)可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在以下的實施方式以及實施例所記載的內(nèi)容中。當(dāng)在由高電阻的物質(zhì)如絕緣物構(gòu)成的層(也包括襯底)的表面產(chǎn)生靜電時，若沒有電荷擴散的路徑，電荷則留在產(chǎn)生的地方。如果在該狀態(tài)下進行剝離，并且因產(chǎn)生的電荷而使電位增大時，向電氣容易通過的路徑例如元件形成層內(nèi)部》文電。因此，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于不使因剝離而產(chǎn)生的電荷帶電。具體而言，當(dāng)從襯底分離元件形成層時，向被分離了的兩個層(有時層的一方是襯底)之間供應(yīng)液體，來濡濕或潮濕隨著分離元件形成層而露出的表面。參照圖1至圖7說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法。如圖1所示，在襯底IO上形成元件形成層11。為了容易地從襯底lO分離元件形成層ll，在襯底IO上形成剝離層12,在剝離層12上形成元件形成層11。在元件形成層11內(nèi)形成有至少一個半導(dǎo)體元件。例如，使用薄膜晶體管、二極管、電阻、電容元件等在元件形成層11內(nèi)形成集成電路。元件形成層11是半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)要素之一。剝離層12例如可以使用金屬或合金形成。金屬是鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釘(Ru)、銠(Rh)、把(Pd)、鋨(Os)、或者銥(Ir)等。合金是選自這些金屬元素的多個金屬元素的合金如鎢和鉬的合金等。這種金屬膜和合金膜可以通過濺射法形成。此外，成為剝離層12的金屬膜或合金膜的厚度優(yōu)選在20nm以上且100nm以下的范圍內(nèi)。此外，使作為剝離層12形成的金屬膜或合金膜的表面氧化，以使在元件形成層11和剝離層12之間優(yōu)先地產(chǎn)生剝離。作為氧化方法，有熱氧化方法、使用氧氣或N20等離子體處理表面的方法、以及使用氧化力強的溶液如臭氧水等處理表面的方法等。另外，作為其他方法，有如下方法當(dāng)形成元件形成層11時，在元件形成層11和剝離層12的界面形成氧化物。例如，通過濺射法形成硅氧化物，可以當(dāng)在金屬膜或合金膜表面淀積硅氧化物時，使其表面氧化。注意，也可以通過等離子體處理或熱處理來實現(xiàn)氮化，而代替使金屬膜或合金膜氧化。此外，剝離層12也可以由單層或多層形成。例如，剝離層12也可以為由無機材料如硅氧化物、硅氧氮化物構(gòu)成的絕緣膜和金屬膜(或合金膜)的多層膜，以免在襯底IO和剝離層12的界面產(chǎn)生剝離。襯底IO是用于形成元件形成層11及剝離層12的襯底，并且優(yōu)選是剛體。襯底10例如是玻璃襯底、石英襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、其表面形成有絕緣層的硅片等。在形成元件形成層11之后，如圖2所示，在元件形成層ll上固定支撐基材13。支撐基材13是用來從襯底10分離元件形成層11之后使該元件形成層11容易^皮處理的部件。此外，支撐基材13也是用來從襯底IO分離元件形成層11時使改變元件形成層11的形狀的工作容易被執(zhí)行的部件。在支撐基材13不是半導(dǎo)體裝置的部件而是在半導(dǎo)體裝置的制造過程中要去除的部件的情況下，作為支撐基材13使用可以分離元件形成層ll但卻不損傷到其的基材。此外，支撐基材13優(yōu)選具有撓性，以使元件形成層11可以改變其形狀。因此，作為支撐基材13，優(yōu)選使用能夠通過弱小的力量就剝離的剝離薄膜。注意，在將支撐基材13用作半導(dǎo)體裝置的部件的情況下，可以使用由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜等構(gòu)成的塑料村底等。此外，當(dāng)使用撓性薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等構(gòu)成)形成支撐基材13時，在圖2的結(jié)構(gòu)中，將此通過粘合劑如環(huán)氧樹脂等粘合到元件形成層11。如圖3所示，使在元件形成層11和剝離層12的界面產(chǎn)生剝離。為了產(chǎn)生剝離，向該界面施加機械性外力(根據(jù)所謂的經(jīng)典力學(xué)定律的力量)。例如，如圖3所示，可以通過彎曲支撐基材13來改變元件形成層11的形狀，以在元件形成層11和剝離層12的界面的端部產(chǎn)生剝離。注意，雖然這里由于襯底IO是剛體很難彎曲剝離層12，所以才因此改變元件形成層ll的形狀，但是如果^f艮容易改變剝離層12的形狀，則可以改變剝離層12的形狀，或者也可以改變元件形成層11和剝離層12的雙方的形狀。施加改變元件形成層11的形狀的機械性外力可以通過人手或使用夾持工具如鑷子夾持支撐基材13來實現(xiàn)。此外，如下所述，也可以通過滾筒等巻起支撐基材13來改變元件形成層11的形狀。如圖3所示，當(dāng)在元件形成層11和剝離層12的界面的端部產(chǎn)生剝離時，向隨著剝離而形成的空隙供應(yīng)液體15,來濡濕隨著剝離而露出的元件形成層11的下表面和剝離層12的上表面。注意，當(dāng)在下一側(cè)設(shè)置襯底IO且在上一側(cè)設(shè)置支撐基材13的情況下，下表面是指層的襯底10一側(cè)的表面，而上表面是指層的支撐基材13—側(cè)的表面。在本發(fā)明中，如圖4所示，在剝離元件形成層11的同時，向剝離的先端部分(在圖4中由虛線圍繞的部分17)供應(yīng)液體15,以便用液體15濡濕隨著剝離而逐步露出的元件形成層11的下表面及剝離層12的上表面。在本發(fā)明中，可以使用純水作為液體15。雖然純水的比電阻非常高為lMQ.cm以上，但是純水通過接觸到元件形成層11和剝離層12而混合雜質(zhì)，從而使電阻降低。因此，通過使用純水濡濕隨著剝離而露出的元件形成層11的下表面和剝離層12的上表面，來將由剝離產(chǎn)生的電荷擴散到元件形成層11的下表面和剝離層12的上表面。從而，即使元件形成層11和剝離層12的表面是電阻高的材料，也可以避免向元件形成層11以及剝離層12的內(nèi)部》文電。換言之，在本發(fā)明中，通過向?qū)⒁a(chǎn)生剝離的部分供應(yīng)液體15,可以在產(chǎn)生剝離的同時，用液體濡濕隨著剝離而露出的表面，以降低該表面的電阻。因此，在本發(fā)明中，由于可以在產(chǎn)生剝離的瞬間，擴散由剝離帶電產(chǎn)生的電荷，所以可以消除靜電導(dǎo)致的放電。此外，作為液體15,可以使用比電阻比純水低的水溶液。水溶液的性質(zhì)可以為酸性、堿性、以及中性中的4壬4可一種。例如，可以《吏用酸、堿、或者鹽(鹽可以是酸性鹽、堿性鹽、正鹽中的任一種)溶于其中的水溶液。作為可用作液體15的水溶液，可以具體地舉出二氧化碳(C02)的水溶液、氯化氫(HC1)的水溶液(鹽酸)、四甲基氫氧化銨的水溶液、氯化銨(NH4C1)的水溶液等。作為液體15，優(yōu)選使用在常溫(25°C)、大氣壓下變?yōu)闅怏w的分子溶于水中的水溶液如二氧化碳的水溶液、氯化氫的水溶液等。這是因為當(dāng)對液體15進行干燥時，溶化的分子與水一起變?yōu)闅怏w而不殘留的緣故。此外，在使用鹽溶于其中的水溶液的情況下，優(yōu)選使用用作界面活性劑的鹽。通過使界面活性劑溶化，可以使液體15的濡濕變得容易。此外，水和揮發(fā)性液體的混合溶液也可以用作液體15。通過對液體15混合揮發(fā)性液體，可以省略干燥處理。如果在揮發(fā)性液體中以至少0.1%左右的濃度含有水，則可以由液體15擴散電荷，即獲得防止帶電的效果。在市場上流通的高純度乙醇和丙酮等的有機溶劑中就有以0.1%以上的濃度將水作為雜質(zhì)而含有的商品。這種有機溶劑不需要調(diào)節(jié)其濃度就可以直接用作本發(fā)明的水和揮發(fā)性液體的混合溶液。此外，為了發(fā)揮揮發(fā)性液體的長處，揮發(fā)性液體的濃度優(yōu)選為30%以上。因此，純度低的有機溶劑如作為有機溶劑已經(jīng)普及的變性乙醇等也不需要調(diào)節(jié)其濃度而可以直接用作本發(fā)明的水和揮發(fā)性液體的混合溶液。如圖5所示，在完成元件形成層11和剝離層12的剝離時，襯底10與剝離層12—起從元件形成層11分離。如圖6所示，使用粘合劑在元件形成層11的下表面固定第一撓性襯底18。接下來，從元件形成層ll的上表面剝離支撐基材13。在當(dāng)剝離支撐基材13時有可能因剝離帶電而使元件形成層11遭到破壞的情況下，優(yōu)選與向元件形成層11和剝離層12之間供應(yīng)液體15同樣，向元件形成層11和支撐基材13之間供應(yīng)液體15。接下來，如圖7所示，在元件形成層11的上表面固定第二撓性襯底19。第二撓性襯底19根據(jù)需要設(shè)置即可。通過以上的制造方法，可以形成圖7所示的具有元件形成層11的撓性半導(dǎo)體裝置。第一撓性村底18及第二撓性襯底19是能夠彎曲的柔性基材。作為這些撓性襯底18、19,例如可以使用由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜等構(gòu)成的塑料襯底。此外，可以使用由有機化合物如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等構(gòu)成的薄膜。為了將第一撓性襯底18及第二撓性襯底19固定到元件形成層11,而使用通過加熱或照射可見光、紫外光等來呈現(xiàn)粘合性，并且冷卻后會固化以粘合物體的粘合劑。例如，可以將樹脂如熱可塑性樹脂、光聚合性樹脂等用作粘合劑。在本發(fā)明中，向圖4中由虛線圍繞的剝離的先端部分(圖4中由虛線圍繞的部分17)逐步供應(yīng)液體15。換言之，向隨著剝離而逐漸露出的表面供應(yīng)液體即可。作為供應(yīng)液體的方法之一，有如下方法通過注入工具如噴嘴或滴管等向隨著剝離而形成的空隙滴下或注入液體15。在此情況下，液體15的供應(yīng)既可從剝離的開始到結(jié)束一直進行，又可間歇地進行。此外，也可以僅在如圖3所示的剝離初期階l殳注入或滴下液體15，然后隨著剝離的進展，利用毛細現(xiàn)象將所供應(yīng)的液體15普及到剝離的先端部分(圖4中由虛線圍繞的部分17)。作為供應(yīng)液體15的其他方法，有如下方法通過噴霧工具如噴霧嘴或噴霧器等將液體15變?yōu)殪F狀而噴涂。在該方法中，液體15的噴霧可以在剝離的進展期間一直進行，間歇地進行，或者僅在剝離初期階段進行。注意，在使用純水作為液體15的情況下，可以將純水變?yōu)樗魵舛鴩娡?。作為供?yīng)液體15的其他方法，有使用能夠吸收液體并且通過施加外力來放出液體的液體保持媒體如海綿或布等的方法。此外，作為供應(yīng)液體15的其他方法，有如下方法在將液體15放在容器中，并且襯底10浸在該液體15中的狀態(tài)下，從襯底10分離元件形成層11。在此情況下，通過使剝離進展的部分浸在液體15,可以向剝離的先端部分(圖4中由虛線圍繞的部分17)普及液體15。這里，參照圖1至圖4、圖8、以及圖9所示的截面圖說明使用液體保持媒體供應(yīng)液體15的方法。注意，其它供應(yīng)方法在下面的實施例中詳細;兌明。進行圖1、圖2所示的工序，即在襯底10上形成剝離層12、元件形成層ll,并且在元件形成層11上固定支撐基材13。如圖3所示，通過彎曲支撐基材13來使在元件形成層11和剝離層12之間產(chǎn)生剝離。接下來，如圖8所示，向隨著剝離而形成的空隙插入含有液體15的液體保持工具21。注意，也可以在將液體保持工具21插入到空隙之后，通過滴管或噴嘴等供應(yīng)液體15，來使液體保持工具21含有液體15。作為液體保持工具21，可以使用具有吸收液體的功能的材料如海綿或布等。在圖8中，液體保持工具21的尺寸優(yōu)選為如下垂直于紙面的方向的長度比該方向的襯底10的一邊的長度長，并且使液體保持工具21的端部不在襯底10上。并且，通過支撐基材13向元件形成層11和剝離層12的界面施加機械性外力，來使剝離進展。作為施加機械性外力的方法的例子，說明使用滾筒22巻起元件形成層11的方法。如圖9所示，可以在支撐基材13上旋轉(zhuǎn)滾筒22來將元件形成層11與支撐基材13—起巻起，以從襯底IO分離元件形成層11。當(dāng)滾筒22經(jīng)過液體保持工具21上時，含于液體保持工具21中的液體15被滾筒22自身的重量擠出，該液體15接觸到將要剝離的部分。就是說，可以用液體15逐步濡濕隨著滾筒22的旋轉(zhuǎn)而露出的剝離層12的上表面及元件形成層11的下表面。因此，可以在產(chǎn)生剝離的瞬間通過液體15擴散隨著剝離而產(chǎn)生的電荷，以防止帶電。以剝離層12是金屬膜或合金膜的情況為例說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，但是本發(fā)明不局限于該例子。剝離層只要是通過施加機械性外力來可剝離元件形成層的材料即可。以在元件形成層n和剝離層12的界面產(chǎn)生剝離的情況為例說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，但是產(chǎn)生剝離的部分不局限于此。例如，通過以硅烷氣體為原料的等離子體CVD法在襯底10上形成含有氫的非晶硅膜作為剝離層12。從襯底IO—側(cè)照射紫外光區(qū)的激光如受激準分子激光等來從非晶硅膜放出氫。由此，非晶硅膜和襯底10的緊密性降低，或者非晶硅自身變?yōu)榇嗳?，從而可以使在剝離層12和襯底10的界面或剝離層12內(nèi)部產(chǎn)生剝離。此外，也可以使用不同材料的多個層設(shè)置剝離層12，并且使在構(gòu)成剝離層的層的界面產(chǎn)生剝離。例如，作為剝離層12，通過濺射法形成鵠膜，并且通過濺射法在該鵠膜上形成二氧化硅膜。當(dāng)?shù)矸e二氧化硅膜時，鵠的氧化物形成于鴒膜和二氧化硅膜的界面。由此，由于鴒膜和二氧化硅膜的界面的接合較弱，從而可以通過向剝離層12施加外力，來使在鎢膜和二氧化硅膜之間產(chǎn)生剝離。實施例1在本實施例中，說明適用了本發(fā)明的能夠無接觸地輸出/輸入數(shù)椐的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在本實施例中，在元件形成層中形成以13.56MHz的信號進行無線通信且用作IC標簽的集成電路。以下參照圖10至圖20、以及圖25至圖28說明本實施例。如圖10所示，在襯底IOO上形成剝離層101，并且在該剝離層IOI上形成集成電路。以下，參照圖25至圖28說明剝離層101及元件形成層102的制造方法。作為襯底100,使用將旭玻璃公司制造的玻璃襯底(厚度為0.7mm，商品名為AN100)切斷為5平方英寸而形成的4十底。如圖25所示，形成氧氮化硅(SiOxNy,x<y)層101a和鵠層101b的多層結(jié)構(gòu)作為剝離層101。氧氮化硅層101a通過平行平板型等離子體CVD裝置使用SiH4、>120作為原料氣體形成為200nm的厚度。鵠層101b通過濺射裝置使用鎢靶形成為50nm厚。通過產(chǎn)生N20的等離子體，對鎢層101b的表面進行等離子體處理來使該表面氧化，以形成鎢氧化物。通過該等離子體處理，在作為剝離層IOI和元件形成層102的界面的鎢氧化物產(chǎn)生剝離。此外，在剝離層101的下層的氧氮化硅層101a是一種阻擋層，該阻擋層用來當(dāng)通過濺射法形成鵠層101b時，避免雜質(zhì)從襯底100(例如玻璃村底)擴散。作為阻擋層，可以使用由其他無機材料如氧化硅、氮化硅等構(gòu)成的絕緣膜。如圖26所示，在剝離層101上形成成為元件形成層102的TFT等半導(dǎo)體元件的基底絕緣層的絕緣膜103。作為絕緣膜103形成氧氮化硅(SiOxNy,x<y)層103a和氧氮化硅(SiOxNy,x>y)層103b的疊層結(jié)構(gòu)。第一層的氧氮化硅層103a通過平行平板型等離子體CVD裝置使用SiH4、N20、NH3、H2作為原料氣體形成。第二層的氧氮化硅層103b通過平行平板型等離子體CVD裝置使用SiH4、N20作為原料氣體形成。如圖27所示，在絕緣膜103上使用TFT、電容器等半導(dǎo)體元件形成集成電路。在圖27中的集成電路的截面圖僅示出了由n溝道型TFT104和p溝道型TFT105構(gòu)成的CMOS電路。注意，在一片襯底100上同時形成排列為行列形的48個(8行x6列)集成電路。為了進行無線通信，形成連接到集成電路(TFT104、105)的天線106。首先，在形成天線106之前，覆蓋集成電路(TFT104、105)地形城絕緣膜107。在本實施例中，使用感光性聚酰亞胺形成絕緣膜107，并且在絕緣膜107中形成用來連接天線106的開口部。通過印刷法在絕緣膜107上將銀(Ag)膏形成為所希望的形狀，來形成天線106。注意，形成在同一襯底IOO上的48個集成電路中，一半設(shè)置有天線106來形成集成電路和天線的疊層體。此外，另一半使用銀膏形成用來連接外部安裝的天線的凸塊而代替設(shè)置天線106。注意，通過濺射法形成如鋁等的導(dǎo)電膜，并且通過蝕刻法將該導(dǎo)電膜加工為所希望的形狀，以可以形成天線106或凸塊。最后，如圖28所示，覆蓋天線106地形成密封用的樹脂層108。作為樹脂層108，形成厚度為3(Him的環(huán)氧樹脂層。通過以上工序，在襯底IOO上形成由剝離層101及元件形成層102構(gòu)成的結(jié)構(gòu)物。在襯底100上的元件形成層102中形成有多個集成電路。如圖11所示，預(yù)先在元件形成層12中形成溝槽110,以便當(dāng)從襯底100分離元件形成層102時，可以將集成電路一個一個地分開。溝槽110形成為圍繞元件形成層102中的每個集成電路的周圍。在本實施例中，通過照射波長為266nm、輸出為2W的UV激光來形成溝槽110。通過在元件形成層102中形成溝槽110,在由溝槽110露出的元件形成層102和剝離層101的界面稍微產(chǎn)生剝離，使元件形成層102處于沿溝槽IIO浮出的狀態(tài)。準備當(dāng)剝離時成為支撐基材的加熱剝離薄膜。加熱剝離薄膜111是厚度為100nm的由聚對苯二甲酸乙二醇酯構(gòu)成的薄膜，并且在該薄膜的一個表面上設(shè)置有厚度為50ji的熱固化性的樹脂層。熱固化性的樹脂層在因熱而被固化之前用作粘合層，并且其表面由分離薄膜U2保護。為了通過熱固化性的樹脂層將加熱剝離薄膜111固定到元件形成層102，而如圖12所示，去除分離薄膜112的一部分。因此，將UV激光照射到分離薄膜112，來形成與形成在元件形成層102中的溝槽110同樣的切口，然后剝離切口內(nèi)側(cè)的分離薄膜112。在元件形成層102的上表面貼附加熱剝離薄膜111。如圖13所示，通過使用具備一對滾筒114的市場上流通的層壓裝置將加熱剝離薄膜111貼附到元件形成層102。在元件形成層102中最終構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的部分(剝離對象的部分)上通過熱固化性的樹脂層(粘合層)粘合加熱剝離薄膜lll。另一方面，在不構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的部分(不是剝離對象的部分)上由于殘留分離薄膜112,因此不粘合加熱剝離薄膜111。在溝槽110的周圍產(chǎn)生剝離，從而使元件形成層102處于從剝離層101稍微浮出的狀態(tài)。當(dāng)元件形成層102和剝離層101之間的要滴下液體的空隙小時，擴大該空隙。在本實施例中，向剝離了的元件形成層102的下表面插入塑料的銷子，如圖14所示，來使在剝離層101的上表面和元件形成層102的下表面之間形成空隙115。如圖15所示，向剝離層101和元件形成層102之間的空隙115滴下液體116。在本實施例中，4吏用滴管117滴下液體116。當(dāng)注入液體116時，注入充分普及空隙115的量。在以下工序中，不供應(yīng)液體116。此外，作為液體116，使用純水、C02溶于其中的純水(以下稱為C027JC)、氯化氬溶于其中的純水(以下稱為HC1水)、以及乙醇。注意，作為C02水使用比電阻為0.2MQ.cm的水溶液。作為HC1水使用氯化氫濃度為180ppm的水溶液。作為乙醇，不調(diào)節(jié)濃度地使用乙醇濃度為99.5%、水濃度為0.5%的市場上流通的乙醇。如圖16所示，在加熱剝離薄膜111上旋轉(zhuǎn)非導(dǎo)電性的滾筒118,由滾筒118將元件形成層102與加熱剝離薄膜111一起巻起，以從襯底100分離元件形成層102。通過旋轉(zhuǎn)滾筒118，元件形成層102逐步從剝離層101剝離，并且在圖15的狀態(tài)下供應(yīng)了的液體116#4§毛細現(xiàn)象移動到元件形成層102的將要剝離的部分119(剝離的先端部分)。因此，可以在產(chǎn)生剝離的瞬間由液體116濡濕隨著剝離而露出的元件形成層102的下表面和剝離層101的上表面。接下來，如圖17所示，剝離粘合到滾筒118的加熱剝離薄膜111及元件形成層102。如圖18所示，可以獲得從襯底IOO分離的附有加熱剝離薄膜111的元件形成層102。在作為液體U6使用純水、C02水、HC1水的情況下，通過吹風(fēng)裝置干燥加熱剝離薄膜111及元件形成層102。當(dāng)從滾筒118剝離加熱剝離薄膜111時(參照圖17)，也可以向滾筒118和加熱剝離薄膜111之間供應(yīng)液體116。在本實施例中，確認到可以以不注入液體116的方式從滾筒118剝離元件形成層102而不石皮壞元件形成層102。元件形成層102沒有祐:石皮壞的理由之一可以認為是如下在元件形成層102中的集成電路和加熱剝離薄膜111之間存在有厚度為30pm的由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的絕緣膜107。通過光學(xué)顯微鏡觀察附有加熱剝離薄膜111的狀態(tài)(圖18的狀態(tài))的元件形成層102,來確認是否產(chǎn)生因放電而導(dǎo)致的電力破壞(因為放電而產(chǎn)生的熱，半導(dǎo)體層、絕緣膜、導(dǎo)電膜等熔化的破壞)。通過光學(xué)顯微鏡的觀察的目的在于確認在半導(dǎo)體元件中是否產(chǎn)生看得見的破壞。在本實施例中，通過光學(xué)顯微鏡觀察形成在一個襯底100上的48個所有的集成電路。作為液體116使用了純水、C02水、HC1水、以及乙醇。通過光學(xué)顯微鏡的觀察的結(jié)果是，在使用上述任何液體116的情況下，都沒有產(chǎn)生集成電路的電力破壞。另一方面，在從襯底IOO分離元件形成層102而不供應(yīng)液體116的情況下，有產(chǎn)生了電力破壞的集成電路。[表1〗光學(xué)顯微鏡的觀察結(jié)果液<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>表l示出了通過光學(xué)顯微鏡的觀察結(jié)果。具體地說，表l示出了供應(yīng)有液體116的襯底(樣品)和沒有供應(yīng)液體116的襯底(樣品)的觀察結(jié)果。作為液體116使用了純水、C02水、以及HC1水。如表l所示，在沒有供應(yīng)液體116的情況下，在30%以上的集成電路中觀察到了看得見的破壞如斷線或膜的熔融等。此外，產(chǎn)生了破壞的集成電路的在襯底上的分布(在襯底上形成的位置)沒有規(guī)律。因此，對于沒有供應(yīng)液體的襯底，即使進行抽樣檢查，也有可能漏掉不良品。但是，進行全數(shù)檢查在成本方面和節(jié)拍時間方面負擔(dān)過重。通過執(zhí)行本發(fā)明，可以消除因剝離放電而導(dǎo)致的電力破壞，從而減輕檢查的負擔(dān)。在獲得了圖18的狀態(tài)之后，在元件形成層102的下表面粘合作為撓性襯底的層壓薄膜121。通過加熱加熱剝離薄膜111而使樹脂層固化，以消除樹脂層的粘合性，然后從元件形成層102的上表面剝離加熱剝離薄膜111。將元件形成層102與層壓薄膜121—起以集成電路為單位進行分割。在分開了的元件形成層102的上表面粘合另一層壓薄膜122。通過在加壓的同時加熱，如圖19所示，可以制造具有由兩個層壓薄膜121、122密封的元件形成層102的半導(dǎo)體裝置。注意，在包括集成電路中沒有連接到天線的電路的元件形成層102上如圖20所示地固定形成有天線的薄膜123而代替層壓薄膜122，來制造半導(dǎo)體裝置。使用各向異性導(dǎo)電性粘合劑來粘合薄膜123和元件形成層102,以便集成電路的凸塊和薄膜123上的天線的端子電連接。圖19及圖20所示的半導(dǎo)體裝置可以用作內(nèi)藏在無接觸型IC標簽等的嵌體(inlay)。注意，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置除了中間產(chǎn)品如嵌體以外，還包括如圖19及圖20所示的最終產(chǎn)品如將嵌體內(nèi)藏在塑料卡中、附到密封簽條、或者埋入紙中而形成的IC卡、ID簽條、以及IC標簽等。向通過本實施例的制造方法而完成的圖19及圖20所示的半導(dǎo)體裝置以無線的方式輸入信號，來檢查其是否進行預(yù)定的工作。結(jié)果，確認到通過光學(xué)顯微鏡觀察的所有半導(dǎo)體裝置(光學(xué)顯微鏡的觀察對象的包括集成電路的半導(dǎo)體裝置)都工作。根據(jù)表1的光學(xué)顯微鏡的觀察結(jié)果，可以認為通過在供應(yīng)液體的同時從襯底分離元件形成層，可以防止因剝離而造成的靜電的放電。換言之，通過進行本發(fā)明，可以防止因由剝離產(chǎn)生的電荷而破壞包括在半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件，并且防止其特性的退化。注意，在本實施例的結(jié)構(gòu)中，雖然隨著剝離而露出的元件形成層102的下表面由電阻高的材料如鴒的氧化物、氧氮化硅構(gòu)成，但是通過適用本實施例，可以防止集成電路因剝離放電而被破壞。從而，通過使用本發(fā)明，形成元件形成層102的下表面的材料不局限于導(dǎo)電材料，而可以使用絕緣材料形成。如上所述那樣，由于根據(jù)本發(fā)明可以使隨著剝離而產(chǎn)生的電荷不向分離了的兩個層中4壬4可一側(cè)的內(nèi)部^文電，因此即4吏元件形成層的下表面是絕緣材料，也可以防止包括在元件形成層的半導(dǎo)體元件因由剝離產(chǎn)生的靜電而被破壞，并且防止半導(dǎo)體元件的特性退化。此外，通過彎曲元件形成層102，從村底分離元件形成層102。通過彎曲元件形成層102,以將外力施加到元件形成層102，其結(jié)果有時會使元件形成層102破碎或產(chǎn)生裂縫。通過如本發(fā)明地在供應(yīng)液體的同時從襯底IOO分離元件形成層102,幾乎都沒有產(chǎn)生因為改變元件形成層102的形狀而導(dǎo)致的破壞(裂縫或破碎)。光學(xué)顯微鏡的觀察結(jié)果液體的觀察的觀察的元件被觀察到破碎產(chǎn)生破碎等的種類襯底數(shù)量形成層的總數(shù)等的元件形成元件形成層的層的總數(shù)比率C02水29644.2%無2965355.2%表2示出了在圖18的狀態(tài)下通過光學(xué)顯微鏡觀察的元件形成層102是否有裂縫或破碎的結(jié)果。具體地說，表2示出了使用C02水作為液體116的襯底(樣品)和沒有供應(yīng)液體116的襯底(樣品)的通過光學(xué)顯微鏡的觀察結(jié)果。在沒有供應(yīng)液體的情況下剝離的元件形成層中有一半左右產(chǎn)生破碎或裂縫，而通過注入co2水可以將破碎或裂縫的產(chǎn)生降低到4%左右。因此，通過在供應(yīng)液體的同時從襯底分離元件形成層，不但可以防止因由剝離產(chǎn)生的靜電而導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的破壞和特性退化，并且可以抑制因變形而造成的元件形成層的破壞(破碎或裂縫)。實施例2在本實施例中，說明使用與實施例1不同的方法供應(yīng)液體116的方法。在本實施例中，說明將液體116變?yōu)殪F狀而噴射的方法，并且省略與實施例1相同的部分的i兌明。與實施例1同樣地進行參照圖10至圖13說明的工序。接下來，在實施例l中，向元件形成層102的剝離了的下表面插入了塑料銷子，以如圖14所示那樣使在剝離層101的上表面和元件形成層102的下表面之間形成空隙U5。而在本實施例中，不需要該工序。接下來，與實施例1同樣，在加熱剝離薄膜111上使?jié)L筒118旋轉(zhuǎn)，以將元件形成層102與加熱剝離薄膜Ul—起從剝離層101剝離。當(dāng)滾筒U8旋轉(zhuǎn)時，如圖21所示，從滾筒118旋轉(zhuǎn)的一側(cè)向元件形成層102和剝離層101的空隙通過噴霧工具130將液體116變?yōu)殪F狀而噴涂。通過旋轉(zhuǎn)滾筒118而將液體116噴涂到產(chǎn)生剝離的部分來濡濕該部分。如圖22所示，在使?jié)L筒118旋轉(zhuǎn)的同時，由噴霧工具130噴射液體116，以便濡濕產(chǎn)生剝離的部分。由滾筒118將元件形成層102與加熱剝離薄膜111一起從村底IOO分離。接下來，從滾筒118剝離加熱剝離薄膜lll和元件形成層102的疊層體，如圖18所示，獲得固定到加熱剝離薄膜111且以每個半導(dǎo)體裝置為單位地被分割了的元件形成層102。通過本實施例的方法^使用與實施例1相同的濃度的co2水作為液體116進行直到圖18的工序。與實施例l相比，除了液體的供應(yīng)方法不同以外，使用相同的方法進行相同的工序。注意，在本實施例中，通過噴霧器噴涂C02水。在本實施例中，也與實施例1同樣，在圖18的狀態(tài)下，通過光學(xué)顯微鏡觀察元件形成層102來檢查是否有因放電的電力破壞。對使用同一襯底IOO來形成的所有集成電路進行通過光學(xué)顯微鏡的觀察。在本實施例中，也同樣地不存在產(chǎn)生電力石皮壞的集成電路。與實施例1同樣，使用通過光學(xué)顯微鏡觀察過的元件形成層102制造圖19或圖20的半導(dǎo)體裝置，并以無線的方式輸入信號來檢查該半導(dǎo)體裝置是否進行預(yù)定的工作。結(jié)果，確認到所有半導(dǎo)體裝置進行預(yù)定的工作。因此，確認到本實施例的方法也與實施例1同樣，通過在供應(yīng)液體的同時從襯底分離元件形成層，可以防止由剝離產(chǎn)生的靜電;^文電。在本實施例中，由于不需要圖14所示的擴大剝離層101的上表面和元件形成層102的下表面之間的空隙的工序，所以比實施例1的方法更容易實現(xiàn)剝離工序的自動化。實施例3在本實施例中，說明使用與實施例1及實施例2不同的方法供應(yīng)液體116的方法。省略與實施例1相同的部分的說明。在本實施例中，說明在浸在液體116中的狀態(tài)下從襯底分離元件形成層102的供應(yīng)液體的方法。與實施例1同樣地進行參照圖10至圖14說明的工序。接下來，如圖23所示，準備容納液體116的容器140。在容器140內(nèi)將襯底100、剝離層101、以及元件形成層102浸入于液體116中。以加熱剝離薄膜111一側(cè)成為上表面的方式在容器140中放入襯底100。在這種狀態(tài)下，如圖24所示，在加熱剝離薄膜111上旋轉(zhuǎn)滾筒118,將元件形成層102與加熱剝離薄膜111一起從剝離層101剝離。由于在液體116中從剝離層101剝離元件形成層102,因此可以將產(chǎn)生剝離的表面一直浸在液體U6。優(yōu)選調(diào)節(jié)容器140中的液體114的量，以免加熱剝離薄膜111浸在液體116。這是因為如果加熱剝離薄膜111接觸到液體116，加熱剝離薄膜111就不容易貼合到滾筒118。接下來，從滾筒118剝離加熱剝離薄膜111和元件形成層102的疊層體，如圖18所示，獲得固定到加熱剝離薄膜111且被分割了的元件形成層102。通過本實施例的方法使用與實施例1相同的濃度的C02水作為液體116進行直到圖18的工序。與實施例l相比，除了液體的供應(yīng)方法不同以外，4吏用相同的方法進4亍相同的工序。在本實施例中，也與實施例1同樣，在圖18的狀態(tài)下，通過光學(xué)顯微鏡觀察元件形成層102來檢查是否有由放電的電力破壞。對使用同一襯底100來形成的所有集成電路進行通過光學(xué)顯微鏡的觀察。在本實施例中，也同樣不存在產(chǎn)生電力破壞的集成電路。與實施例1同樣，使用通過光學(xué)顯微鏡觀察過的元件形成層102制造圖19或圖20的半導(dǎo)體裝置，并以無線的方式輸入信號來檢查半導(dǎo)體裝置是否工作。結(jié)果，確認到所有半導(dǎo)體裝置都工作。因此，確認到本實施例的方法也與實施例1同樣，通過在供應(yīng)液體的同時從襯底分離元件形成層，可以防止由剝離產(chǎn)生的靜電放電。注意，在本實施例中，需要注意容器140中的液體116的深度。液體116的深度優(yōu)選為與襯底100的厚度大致相同的高度。當(dāng)液體116太深時，加熱剝離薄膜111的上表面被濡濕，從而有可能滾筒118不粘附加熱剝離薄膜1U。與此相反，當(dāng)液體116太淺時，有可能液體116進入不到剝離層101和元件形成層102的空隙。在圖23的狀態(tài)下，將襯底100》文在容器140中，此時可以通過眼睛看來確i人液體116進入剝離層101和元件形成層102的空隙的狀態(tài)。通過確認液體116是否進入，來調(diào)節(jié)液體116的量。因此，如實施例1至3所詳細說明的那樣，通過在供應(yīng)液體的同時從襯底分離元件形成層，可以防止因由剝離產(chǎn)生的靜電而導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的破壞和特性退化。并且也可以減少因施加機械性外力而產(chǎn)生元件形成層的破碎或裂縫等破壞。實施例4在本實施例中，參照圖29說明具有天線和能夠進行無線通信的集成電路的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)例子。圖29A是表示作為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的ID簽條的結(jié)構(gòu)例子的圖。簽條襯紙(分離紙)160上形成有多個ID簽條161。每個ID簽條161包括具有能夠進行無線通信的天線和集成電路的嵌體162。ID簽條161收納在容器163內(nèi)。ID簽條161上記有與商品或服務(wù)有關(guān)的信息(商品名、牌子、商標、商標權(quán)人、銷售人、制造人等)。另一方面，內(nèi)置于ID簽條的嵌體162的集成電路存儲有該商品(或商品的種類)特定的ID號碼。嵌體162的集成電路中存儲有在ID簽條161上記不完的龐大信息，例如，商品的產(chǎn)地、銷售地、品質(zhì)、原材料、效能、用途、數(shù)量、形狀、價格、生產(chǎn)方法、使用方法、生產(chǎn)時期、使用時期、食品保質(zhì)期限、使用說明、有關(guān)商品的知識產(chǎn)權(quán)信息等。圖29B是表示ID標簽165的結(jié)構(gòu)例子的圖。ID標簽165是通過在紙張或塑料標簽中內(nèi)置嵌體162而制成的。在商品上附加能夠進行無線通信的ID標簽165,使得商品管理更容易。例如，在商品被偷盜的情況下，可以通過跟蹤商品的去處而迅速找出犯人。如上所述，通過附加ID標簽可以實現(xiàn)所謂的跟蹤能力高的商品的流通。圖29C是表示ID卡166的結(jié)構(gòu)例子的圖。ID卡166是在兩片塑料卡之間夾有嵌體162(未圖示)而構(gòu)成的。作為這種ID卡166，包括各種各樣的卡片類，例如，現(xiàn)金卡、信用卡、預(yù)付卡、電子車票、電子貨幣、電話卡、會員卡等。圖29D是表示在紙中包括集成電路的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)例子的圖，并且表示將本發(fā)明應(yīng)用于無記名債券167的例子。無記名債券167中嵌入有嵌體162。作為所述無記名債券167,包括郵票、車票、入場券等的票、商品票、購書券、文具券、啤酒券、米券、各種禮券、各種服務(wù)券等，但是，當(dāng)然不局限于此。實施例5在本實施例中，參照圖30A和30B說明作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的有源矩陣型液晶模塊的結(jié)構(gòu)例子。圖30A是液晶模塊的俯視圖，而圖30B是沿圖30A中的A-A，線切斷的截面圖。附圖標記200是第一撓性襯底，由虛線表示的201是信號線驅(qū)動電路，202是像素部，并且203是掃描線驅(qū)動電路。在第一撓性襯底200上的元件形成層中形成有由薄膜晶體管等構(gòu)成的像素部202、信號線驅(qū)動電路201、以及掃描線驅(qū)動電路203。通過使用粘合劑將元件形成層190固定到第一撓性襯底200，以構(gòu)成液晶模塊用襯底。液晶模塊用襯底通過上述實施方式、實施例1至4所il明的方法來制造。接下來，參照圖30B說明元件形成層190的截面結(jié)構(gòu)。在元件形成層190中，半導(dǎo)體元件形成在由絕緣膜構(gòu)成的基底膜209上。信號線驅(qū)動電路201具有組合n溝道型薄膜晶體管211和p溝道型薄膜晶體管212而構(gòu)成的CMOS電路。像素部202具有開關(guān)用薄膜晶體管213和電容元件214。開關(guān)用薄膜晶體管213由層間絕緣膜221覆蓋。在層間絕緣膜221上形成有像素電極222。像素電極222電連接到開關(guān)用薄膜晶體管213。覆蓋開關(guān)用薄膜晶體管213的布線、像素電極222、以及n溝道型薄膜晶體管211及p溝道型薄膜晶體管212的布線地形成有保護膜223。保護膜223可以防止雜質(zhì)侵入到薄膜晶體管的激活層、層間絕緣膜221等。在保護膜223上形成有取向膜224。注意，取向膜224根據(jù)需要而形成。元件形成層190內(nèi)的布線210是用來傳送輸入到信號線驅(qū)動電路201及掃描線驅(qū)動電路203的信號等的布線，并且連接作為外部輸入端子的FPC(柔性印刷電路)208。注意，本發(fā)明的液晶模塊包括只安裝有FPC208的方式和安裝有FPC208及PWB(印刷線路板)的雙方的方式。本實施例的液晶才莫塊包括具有第一撓性襯底200和元件形成層190的液晶模塊用村底、以第二撓性襯底230為基材的相對襯底、密封劑205、液晶240、以及FPC(柔性印刷電路)208，并且可以彎曲。關(guān)于相對襯底，在第二撓性襯底230上形成有濾色器231、黑矩陣(BM)232、相對電極233、以及取向膜234。濾色器231也可以設(shè)置在第一撓性襯底200—側(cè)。此外，可以將相對電極233設(shè)置在第一撓性襯底200的元件形成層190,來構(gòu)成IPS方式的液晶才莫塊。第二撓性襯底230由密封劑205固定為相對于第一撓性襯底200，并且液晶240由密封劑205密封在第一撓性襯底200和第二撓性襯底230之間。雖然在本實施例中示出了在元件形成層190中形成信號線驅(qū)動電路201及掃描線驅(qū)動電路203的例子，但是也可采用如下結(jié)構(gòu)在元件形成層190中只形成像素部202，并且信號線驅(qū)動電路201及掃描線驅(qū)動電路203由使用硅片的IC芯片構(gòu)成并通過COG法或TAB法電連接到第一撓性襯底200上的像素部202。實施例6在本實施例中，參照圖31A和31B說明作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的有源矩陣型EL模塊的結(jié)構(gòu)例子。圖31A是EL模塊的俯視圖，而圖31B是沿圖31A中的A-A，線切斷的截面圖。圖31所示的EL模塊可以彎曲，并且具有如下結(jié)構(gòu)形成在元件形成層內(nèi)的晶體管及發(fā)光元件通過在第一撓性村底301和第二撓性襯底306之間形成的密封劑305來密封。在第一撓性襯底301上通過粘合劑固定包括像素部302、信號線驅(qū)動電路303、以及掃描線驅(qū)動電路304的元件形成層300,來構(gòu)成EL才莫塊用襯底。EL模塊用襯底通過上述實施方式、實施例1至4所說明的方法來制造。通過使用密封劑305和第二撓性襯底306密封EL模塊用襯底，來構(gòu)成EL模塊。在本實施例的EL模塊中，由EL模塊用襯底、密封劑305、以及第二撓性襯底306封閉的空間中填充有填充劑307。作為填充劑307,除了惰性氣體如氮和氬等以外，還可以使用紫外線固化樹脂或熱固化樹脂，并且可以使用聚氯乙烯、丙烯、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、乙烯-醋酸乙烯酯。以下說明元件形成層300的結(jié)構(gòu)。像素部302、信號線驅(qū)動電路303、以及掃描線驅(qū)動電路304分別具有多個薄膜晶體管。在圖31B中僅僅示出了包括在信號線驅(qū)動電路303中的薄膜晶體管308和包括在像素部302中的薄膜晶體管310。像素部302具有發(fā)光元件311,并且該發(fā)光元件311與薄膜晶體管310電連接。引繞布線314是用來從外部給元件形成層300內(nèi)的電路供應(yīng)信號或電源的布線。引繞布線314通過引繞布線315a、引繞布線315b連接到兩層結(jié)構(gòu)的連接端子316。連接端子316通過各向異性導(dǎo)電膜319電連接到柔性印刷電路(FPC)318所具有的端子。實施例7本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括在其顯示部具備實施例5所說明的液晶模塊或?qū)嵤├?的EL模塊的電子器具。以下，將液晶模塊和EL模塊綜合稱作"顯示模塊"。作為這種電子器具，可以舉出計算機用的監(jiān)視器、電視裝置(簡單地稱為電視或電視接收機)、數(shù)字照相機、數(shù)字攝像機、便攜式電話裝置(簡單地稱為便攜式電話機、手機)、便攜式信息終端如PDA(個人數(shù)碼助理)等、筆記本式計算機、汽車音響、導(dǎo)航系統(tǒng)、數(shù)字音樂播放器、便攜式DVD再現(xiàn)裝置、便攜式游戲機、以及商用游戲機等。對這些具體例子，參照圖32A至32C進行說明。圖32A和32B是電視裝置。其內(nèi)藏的顯示模塊的結(jié)構(gòu)包括只有像素部形成在元件形成層內(nèi)，而掃描線側(cè)驅(qū)動電路及信號線側(cè)驅(qū)動電路安裝在襯底上的結(jié)構(gòu)；^^素部和掃描線側(cè)驅(qū)動電路形成在元件形成層內(nèi)，而信號線側(cè)驅(qū)動電路使用另行安裝在襯底上的驅(qū)動器IC的結(jié)構(gòu)；以及像素部、信號線側(cè)驅(qū)動電路、以及掃描線側(cè)驅(qū)動電路形成在元件形成層內(nèi)的結(jié)構(gòu)等。本發(fā)明的顯示模塊可以采用上述中的任何結(jié)構(gòu)。注意，將掃描線側(cè)驅(qū)動電路及信號線側(cè)驅(qū)動電路安裝在襯底上是通過TAB方式、COG方式等安裝方式進行的。作為顯示模塊以外的外部電路，電視裝置在影像信號的輸入一側(cè)包括在由調(diào)諧器接收的信號中，放大影像信號的影像信號放大電路；將其輸出的信號變換為對應(yīng)于與紅、綠、藍的各種顏色的顏色信號的影像信號處理電路；以及將其影像信號變換為驅(qū)動器IC的輸入規(guī)格的控制電路等。控制電路向掃描線一側(cè)和信號線一側(cè)分別輸出信號。在為數(shù)字驅(qū)動的情況下，其結(jié)構(gòu)也可以是在信號線一側(cè)設(shè)置信號分割電路，將輸入數(shù)字信號分割為多個而供應(yīng)。在由調(diào)諧器接收的信號中，聲音信號被送到聲音信號放大電路，其輸出經(jīng)過聲音信號處理電路供應(yīng)到揚聲器?？刂齐娐窂妮斎氩拷邮战邮照?接收頻率)或音量的控制信息，并將信號送出到調(diào)諧器或聲音信號處理電路。如圖32A和32B所示，在電視裝置中，顯示模塊組裝在框體中。由顯示模塊形成主屏面403,作為其他附屬設(shè)備還具有揚聲器部409、操作開關(guān)等。根據(jù)上述步驟，可以制作電視裝置。如圖32A所示，在框體401中組裝液晶才莫塊402。由接收機405除了進行一般電視廣播的接收以外，還可以通過調(diào)制解調(diào)器404與有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)連接，進行單向(由發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間，或者在接收者之間)的信息通信。電視裝置的操作可以由組裝在框體中的開關(guān)或另行提供的遙控操作機406來進行。該遙控裝置也可以設(shè)置有顯示輸出信息的顯示部407。此外，電視裝置還可以附加有如下結(jié)構(gòu)^使用第二顯示用面;fr反形成主屏面403以外的副屏面408，以顯示頻道或音量等。在這種結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選采用視角優(yōu)異的EL模塊形成主屏面403,而采用能夠以低耗電量進行顯示的液晶模塊來形成副屏面408。此外，當(dāng)要優(yōu)先低耗電量時，優(yōu)選釆用如下結(jié)構(gòu)使用液晶模塊來形成主屏面403，使用EL模塊形成副屏面408，并且副屏面408能夠開關(guān)。圖32B為例如具有20至80英寸的大型顯示部的電視裝置，包括框體410、作為操作部的4建盤部412、顯示部411、以及揚聲器部413等。顯示才莫塊適用于顯示部411。圖32B的顯示部411使用了可彎曲的顯示模塊，因此制造為顯示部411彎曲了的電視裝置。像這樣，通過使用撓性顯示模塊，顯示部411的形狀不局限于平面，而可以制造各種形狀的電視裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提高顯示模塊的成品率，從而還可以降低成本。因此，采用了本發(fā)明的電視裝置即使具有較大屏面的顯示部也可以以低成本制造。當(dāng)然，本發(fā)明的模塊不局限于電視裝置，還可以適用于個人計算機的監(jiān)視器、鐵路的車站或飛機場等中的信息顯示屏、街頭的廣告顯示屏等大面積顯示媒體的各種用途。本發(fā)明的顯示模塊可以適用于手機、數(shù)字照相機等各種便攜式器具的顯示部。作為便攜式器具的一個例子，圖32C示出電子書籍的結(jié)構(gòu)例子。電子書籍包括主體421、顯示部422及423、存儲媒體424、操作開關(guān)425、以及天線426等。通過將撓性顯示才莫塊用于顯示部422,可以實現(xiàn)便攜式器具的輕量化。實施例8在本實施例中，說明通過在供應(yīng)液體的同時從襯底分離元件形成層，可以減弱為剝離而需要的外力，并且避免在元件形成層中產(chǎn)生破碎或裂縫等損傷。首先，說明進行剝離試驗的試樣的制造方法。圖33是說明進行剝離試驗的試樣的疊層結(jié)構(gòu)的圖。準備玻璃襯底500。作為玻璃襯底500使用旭玻璃公司制造的無堿玻璃(商品名為AN-100)。其厚度為0.7mm,大小為100mmxl20mm。通過等離子體CVD裝置在玻璃襯底500上將氧氮化硅(SiOxNy,x>y)膜501形成為100nm厚。作為形成氧氮化硅膜501的工藝氣體使用SiKU及N20。通過'踐射裝置在氧氮化硅膜501上將鎢膜502形成為50nm厚。作為耙使用鴒，而作為放電用氣體使用氬。鎢膜502用作剝離。在鵠膜502上形成絕緣膜和半導(dǎo)體膜的疊層膜當(dāng)作元件形成層。首先，通過等離子體CVD裝置將氧氮化硅(SiOxNy，x〉y)膜503形成為600nm厚。作為形成氧氮化硅膜503的工藝氣體使用SiH4及N20。此夕卜，在鵠膜502上淀積氧氮化硅膜503之前，向形成氧氮化硅膜503的室內(nèi)僅供應(yīng)N20氣體，激發(fā)該N20氣體來使其等離子體化，以使鎢膜502的表面氧化形成鴒氧化物。該等離子體處理是用來使在鎢膜502和氧氮化硅膜503的界面比其他界面優(yōu)先地產(chǎn)生剝離的處理。作為工藝氣體使用SiH4、H2、NH3、以及N20，通過等離子體CVD裝置在氧氮化硅膜503上形成厚度為lOOnm的氧氮化硅(SiOxNy,x<y)膜504。作為工藝氣體使用SiH4及N20，通過等離子體CVD裝置在氧氮化硅膜504上形成厚度為100nm的氧氮化硅(SiOxNy,x>y)膜505。作為工藝氣體使用SiKt及N20,通過等離子體CVD裝置在氧氮化硅膜505上形成厚度為66nm的非晶硅膜506。氧氮化硅膜504、氧氮化硅膜505、以及非晶硅膜506在等離子體CVD裝置的同一室內(nèi)形成，通過改換供應(yīng)到室內(nèi)的工藝氣體，而連續(xù)地形成這些膜。接下來，作為工藝氣體使用SiH4、H2、NH3、以及N20,通過等離子體CVD裝置在非晶硅膜506上形成厚度為lOOnm的氧氮化硅(SiOxNy,x〈y)膜507。作為工藝氣體使用SiH4及N20,通過等離子體CVD裝置在氧氮化硅膜507上形成厚度為600nm的氧氮化硅(SiOxNy，x>y)膜508。接下來，從玻璃襯底500—側(cè)照射UV激光來切斷形成有膜501至508的玻璃坤于底500，以4吏試樣的大小為20mmxl00mm的長條形。圖34示出加工為長條形的試樣的平面圖。接著，為了形成剝離的開端，照射UV激光，如圖34所示，在試樣中形成到達鎢膜502的溝槽510。通過形成溝槽510,在氧氮化硅膜503和鎢膜502之間產(chǎn)生剝離。通過以上方法，準備好了進行剝離試驗的樣品。接下來，說明剝離試驗的方法。準備幅度為20mm左右的加熱剝離膠帶。作為加熱剝離膠帶使用電氣化學(xué)工業(yè)公司制造的ElegripTape(型號為FA1250)。該加熱剝離膠帶的基材和粘合層的總和厚度為150)Lim，粘合層的厚度為50pm。加熱剝離膠帶的基材由PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)構(gòu)成。將加熱剝離膠帶貼附到形成有溝槽的試樣。加熱剝離膠帶貼附在氧氮化硅膜508—側(cè)。通過揭下加熱剝離月交帶，可以從襯底500剝離由膜508至503構(gòu)成的疊層膜。通過拉伸加熱剝離膠帶來測定將由膜508至503構(gòu)成的疊層膜從鴒膜502剝離所需要的拉伸力。在剝離試驗中，使用島津制作所制造的小型臺式試驗機(EZ-TESTEZ-S-50N)。在剝離試驗方法中，使用依照日本工業(yè)規(guī)格(JIS)的規(guī)格號碼JISZ0237的粘合膠帶/粘合薄片試驗方法。分別測定在向試樣供應(yīng)純水的同時剝離和不供應(yīng)純水的剝離的拉伸力。注意，純水的供應(yīng)是通過將試樣安裝在試驗機，然后向剝離部分使用滴管滴下純水而進行的。圖35是表示剝離試驗結(jié)果的曲線圖。在圖35中，縱軸表示施加到加熱剝離膠帶的拉伸力，而橫軸表示行程(stroke)。行程表示外力的作用點的位移，即，產(chǎn)生剝離的點的位移。由圖35的曲線圖可見，供應(yīng)純水時的拉伸力是不供應(yīng)純水時的1/2以下。根據(jù)該剝離試驗而確認到通過供應(yīng)純水，可以使用更小外力進行剝離。此外，在以不供應(yīng)純水的方式進行剝離試驗時，圖35的曲線圖顯示出鋸齒形的輪廓。鋸齒形的輪廓表示如下的剝離的進展情況當(dāng)以不供應(yīng)純水的方式進行剝離時，與一邊供應(yīng)純水一邊進行剝離的情況相比，更強大的外力施加到作用點，但是隨著剝離的進展該外力急劇地減弱。剝離通過反復(fù)重復(fù)這種施加到作用點的外力的增強和急劇的減弱而得以進展。當(dāng)觀察以不供應(yīng)純水的方式進行剝離的試樣時，可以確認到在拉伸力急劇減弱的部分產(chǎn)生裂縫。與此相比，在以供應(yīng)純水的方式進行剝離試驗的試樣中沒有產(chǎn)生裂縫。如上所述，可以得知一邊供應(yīng)純水一邊進行剝離的方式，可以避免產(chǎn)生裂縫。注意，純水是極性液體。作為比較對象，進行一邊供應(yīng)媒質(zhì)為非極性的非極性液體一邊剝離的試驗。例如，作為液體使用氫氟醚(HFE)。在一邊供應(yīng)HFE—邊進行剝離試驗時，為了進行剝離而需要比不供應(yīng)液體時更大的拉伸力。在使用苯時也與使用HFE同樣。由以上剝離試驗獲知如下結(jié)果通過在供應(yīng)極性液體如純水、水溶液、乙醇、以及丙酮等的同時進行剝離，可以消除因剝離帶電而導(dǎo)致的放電，并降低為剝離而需的外力，并且避免在被剝離的對象中產(chǎn)生損傷如裂縫等。本說明書根據(jù)2006年9月29日在日本專利局受理的日本專利申請編號2006-266543而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在襯底上形成剝離層；在所述剝離層上形成具有半導(dǎo)體元件的元件形成層；在所述元件形成層上提供支撐基材；在所述剝離層和所述元件形成層之間的界面處產(chǎn)生剝離；通過繞滾筒卷繞所述元件形成層和所述支撐基材，將所述元件形成層從所述襯底分離；以及用液體濡濕因剝離而露出的所述元件形成層的表面。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是純水。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過使用噴嘴用液體濡濕因剝離而露出的所述元件形成層的表面。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述剝離層包括金屬。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述支撐基材是撓性薄膜。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是極性液體。7.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在襯底上形成剝離層；在所述剝離層上形成包括半導(dǎo)體元件的元件形成層；在所述元件形成層上提供支撐基材；在所述剝離層和所述襯底之間的界面處產(chǎn)生剝離；通過繞滾筒巻繞所述元件形成層和所述支撐基材，將所述元件形成層從所述襯底分離；以及用液體濡濕因剝離而露出的表面。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所迷液體是純水。9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過使用噴嘴用液體濡濕因剝離而露出的表面。10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述剝離層包括金屬。11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述支撐基材是撓性薄膜。12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是極性液體。13.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在襯底上形成剝離層；在所述剝離層上形成包括半導(dǎo)體元件的元件形成層；在所述元件形成層上提供支撐基材；在所述剝離層內(nèi)產(chǎn)生剝離；通過繞滾筒巻繞所述元件形成層和所述支撐基材，將所述元件形成層從所述襯底分離；以及用液體濡濕因剝離而露出的表面。14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是純水。15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過使用噴嘴用液體濡濕因剝離而露出的表面。16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述剝離層包括金屬。17.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述支撐基材是撓性薄膜。18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是極性液體。19.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在襯底上形成剝離層；在所述剝離層上形成包括半導(dǎo)體元件的元件形成層；在所述元件形成層上提供支撐基材；在所述剝離層和所述元件形成層之間的界面處產(chǎn)生剝離；通過繞滾筒巻繞所述元件形成層和所述支撐基材，將所述元件形成層從所述襯底分離，同時用液體濡濕因剝離而露出的表面。20.如權(quán)利要求19所迷的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是純水。21.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過使用噴嘴用液體濡濕因剝離而露出的表面。22.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述剝離層包括金屬。23.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述支撐基材是撓性薄膜。24.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是極性液體。25.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在襯底上形成剝離層；在所述剝離層上形成包括半導(dǎo)體元件的元件形成層；在所述元件形成層上提供支撐基材；在所述剝離層和所述襯底之間的界面處產(chǎn)生剝離；通過繞滾筒巻繞所述元件形成層和所述支撐基材，將所述元件形成層從所述襯底分離，同時用液體濡濕因剝離而露出的表面。26.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是純水。27.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過使用噴嘴用液體濡濕因剝離而露出的表面。28.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述剝離層包括金屬。29.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述支撐基材是撓性薄膜。30.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是極性液體。31.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在襯底上形成剝離層；在所述剝離層上形成包括半導(dǎo)體元件的元件形成層；在所述元件形成層上提供支撐基材；在所述剝離層內(nèi)產(chǎn)生剝離；以及通過繞滾筒巻繞所述元件形成層和所述支撐基材，將所述元件形成層從所述襯底分離，同時用液體濡濕因剝離而露出的表面。32.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是純水。33.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過使用噴嘴用液體濡濕因剝離而露出的表面。34.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述剝離層包括金屬。35.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述支撐基材是撓性薄膜。36.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述液體是極性液體。全文摘要本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明的目的在于當(dāng)從襯底剝離包括半導(dǎo)體元件的元件形成層時，抑制隨著剝離而產(chǎn)生的靜電的放電。在襯底上形成剝離層、元件形成層。在元件形成層的上表面固定之后能夠剝離的支撐基材。通過支撐基材改變元件形成層的形狀，來使在元件形成層和剝離層的界面產(chǎn)生剝離。在進行剝離時，供應(yīng)純水等的液體，以便濡濕隨著剝離而逐步露出的元件形成層及剝離層。產(chǎn)生在元件形成層及剝離層的表面的電荷由液體擴散，從而可以消除因剝離帶電的放電。文檔編號H01L21/336GK101399177SQ20081016815公開日2009年4月1日申請日期2007年9月29日優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日發(fā)明者保坂泰靖,廣末美佐子,橋本健一,江口晉吾,谷敦弘,門馬洋平申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所