專利名稱：利用傳送模塊上的單獨(dú)一個(gè)面的交錯(cuò)式雙處理室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種被配置為用于附接到群集工具(cluster tool)的傳送模塊的交錯(cuò)式雙處理室。
背景技術(shù)：
通常在能夠在受控環(huán)境下處理多個(gè)基板的多室處理系統(tǒng)或者群集工具中處理多 個(gè)基板。典型的群集工具包括具有容納基板傳送機(jī)械手的傳送模塊的系統(tǒng)，該基板傳送機(jī) 械手被配置為在負(fù)載鎖定室和多個(gè)真空處理室之間傳輸基板。例如，傳送模塊可以連接到 一個(gè)或多個(gè)物理氣相沉積(PVD)室和/或化學(xué)氣相沉積(CVD)室，這些室被配置為用于將 多個(gè)層沉積在基板上。然而，基板和沉積在其上的層會吸收濕氣和雜質(zhì)，在進(jìn)一步處理之前必須要除去 濕氣和雜質(zhì)，或者必須對濕氣和雜質(zhì)除氣。除氣工序在附接到群集工具的附加處理室或除 氣室中實(shí)施。因此，除氣工序通過占用傳送模塊周圍的可用空間而顯著地增加了處理系統(tǒng) 的成本。另外，尤其因?yàn)樵赑VD處理之前，除氣所需要的延長的時(shí)間周期，除氣步驟可能顯 著地減小整個(gè)工序的生產(chǎn)量。一種考慮解決生產(chǎn)量問題的現(xiàn)有技術(shù)方法是提供并行除氣 室。這種方法為每個(gè)PVD處理室在基板處理裝置中提供兩個(gè)除氣室。然而，這種解決方案 需要額外的傳送模塊附接端口，顯著地增加了群集工具所需要的空間。嘗試解決該問題的另一現(xiàn)有技術(shù)方案是多槽、連續(xù)運(yùn)行的除氣室。然而，這種方法 導(dǎo)致了多個(gè)基板因?yàn)樾滤腿氲幕宓某龤庾饔枚a(chǎn)生交叉污染的問題。因此，需要一種除氣室結(jié)構(gòu)，其能夠增加處理系統(tǒng)的生產(chǎn)量，同時(shí)最小化其使用所 需要的空間并消除交叉污染的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，基板處理室包括第一處理區(qū)間以及垂直地疊置在第 一處理區(qū)間的上面并且在中心上偏離第一處理區(qū)間的第二處理區(qū)間。第一處理區(qū)間和第二 處理區(qū)間彼此隔離開，以便在同時(shí)處理期間不產(chǎn)生交叉污染。在另一實(shí)施方式中，基板處理室包括整體式主室體，其被配置為形成上部處理區(qū) 域和下部處理區(qū)域，其中上部處理區(qū)域與下部處理區(qū)域交疊；可拆卸的室蓋，其被配置為與 上部處理區(qū)域上面的整體式主室體氣密地連接；以及室底構(gòu)件，其被配置為與下部處理區(qū) 域下面的整體式主室體氣密地連接，其中，室底構(gòu)件被配置成樞轉(zhuǎn)地嚙合整體式主室體。在再一實(shí)施方式中，一種基板處理系統(tǒng)包括負(fù)載鎖定室、傳送模塊以及處理室，其 中處理室包括端口區(qū)以及主室體。主室體形成與下部處理區(qū)域交疊的上部處理區(qū)域，以及 上部處理區(qū)域和下部處理區(qū)域彼此隔離開并在中心上相偏離。在又一實(shí)施方式中，一種在群集工具中對多個(gè)基板除氣的方法包括利用傳送機(jī)械手將第一基板從負(fù)載鎖定室傳送到除氣室的上部處理區(qū)域；對除氣室的上部處理區(qū)域中 的基板進(jìn)行處理；在對第一基板進(jìn)行處理的同時(shí)，利用傳送機(jī)械手將第二基板從負(fù)載鎖定 室傳送到除氣室的下部處理區(qū)域；以及在完成第一基板的處理之前，啟動下部處理區(qū)域中 的第二基板的處理。上部處理區(qū)域與下部處理區(qū)域交疊，并且在中心上偏離下部處理區(qū)域。


以能夠具體地理解本發(fā)明的上述特征的方式，將參照實(shí)施方式對以上簡要概括的 本發(fā)明進(jìn)行更具體的描述，實(shí)施方式中的一些在附圖中示出。然而應(yīng)當(dāng)注意到，附圖僅示出 了本發(fā)明的典型實(shí)施方式，因此并不能視為對本發(fā)明范圍的限制，本發(fā)明還允許其它等同 效果的實(shí)施方式。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的群集工具的示意性平面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的除氣室的實(shí)施方式的示意性截面?zhèn)纫晥D。圖3是根據(jù)本發(fā)明的除氣室的實(shí)施方式的示意性等比例局部分解圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明總體提供一種增加基板處理系統(tǒng)的生產(chǎn)量的設(shè)備和方法。本發(fā)明的實(shí)施 方式包括交錯(cuò)式雙除氣室，其被配置為同時(shí)或者在重疊的時(shí)間周期內(nèi)對兩個(gè)基板分開地除 氣，其中彼此隔離的處理區(qū)間(process volume)中對每個(gè)基板除氣。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的群集工具100的示意性平面圖。通常，群集 工具100包括連接到單個(gè)傳送模塊的多個(gè)處理室。群集工具100包括與負(fù)載鎖定室104選擇性通信的生產(chǎn)接口 102。一個(gè)或多個(gè)艙 101被配置為存儲和傳輸基板。生產(chǎn)接口機(jī)械手103設(shè)置在生產(chǎn)接口 102中。生產(chǎn)接口機(jī) 械手103被配置為在艙101和負(fù)載鎖定室104之間傳送基板。負(fù)載鎖定室104提供生產(chǎn)接口 102和傳送模塊110之間的真空接口。傳送模塊110 的內(nèi)部區(qū)域典型地保持在真空條件下，并提供中間區(qū)域以使基板在負(fù)載鎖定室104和處理 室111、112、113之間以及在處理室111、112、113之間來回移動。在一個(gè)實(shí)施方式中，將傳送模塊110分為兩個(gè)部分，以使群集工具100占用的空間 最小化。在一個(gè)實(shí)施方式中，傳送模塊Iio包括傳送室108和真空延伸室107。傳送室108 和真空延伸室107連接在一起，彼此流體連通以在傳送模塊110內(nèi)形成內(nèi)部區(qū)間。傳送模 塊110的內(nèi)部區(qū)間可以在處理期間保持在低壓力或真空條件下。負(fù)載鎖定室104可以通過 狹口閥105和106分別連接到生產(chǎn)接口 102和真空延伸室107。傳送室108被配置為容納傳送機(jī)械手109，并給多個(gè)處理室提供接口。另外，傳送 室108可以給連接到附加傳送模塊的貫通室(pass through chamber)提供接口來延伸群 集工具100。在一個(gè)實(shí)施方式中，傳送室108可以是具有多個(gè)側(cè)壁、一個(gè)底和一個(gè)蓋的多邊 形結(jié)構(gòu)。多個(gè)側(cè)壁中可以形成有多個(gè)開口，并且多個(gè)側(cè)壁可被配置為與處理室、真空延伸室 或貫通室連接。如圖1中所示的傳送室108具有正方形水平輪廓，并且連接到處理室111、 112、113和真空延伸室107。在一個(gè)實(shí)施方式中，傳送室108可以通過狹口閥116、117和 118分別與處理室111、112、113選擇性地連通。在另一實(shí)施方式中，傳送機(jī)械手109可以在 傳送室108的底上形成的機(jī)械手端口處安裝在傳送室108中。
傳送機(jī)械手109設(shè)置在傳送室108的內(nèi)部區(qū)間中，并被配置為使基板在基本水平 的方向上在處理室111、112、113之間來回移動，并通過真空延伸室107進(jìn)、出負(fù)載鎖定室 104。在一個(gè)實(shí)施方式中，傳送機(jī)械手109可以包括用于固定基板的兩個(gè)翼，每個(gè)翼安裝在 與同一機(jī)械手基座連接的獨(dú)立可控的機(jī)械手的臂部上。在另一實(shí)施方式中，傳送機(jī)械手109 被配置為控制翼的垂直上升。真空延伸室107可被配置為提供真空系統(tǒng)和傳送室108之間的接口。在一個(gè)實(shí)施 方式中，真空延伸室107包括底、蓋和側(cè)壁。壓力修改端口 115可以形成在真空延伸室107 的底上，并且可被配置為適用于諸如低溫泵等的真空泵系統(tǒng)，可能需要該真空泵系統(tǒng)來保 持傳送室108中的高真空度。當(dāng)僅需要較小真空泵時(shí)，可以封鎖壓力修改端口 115。較小真 空泵可以通過在傳送室108中形成的較小端口連接到傳送室108。多個(gè)開口可以形成在真空延伸室107的側(cè)壁上，以使真空延伸室107與傳送室108 流體連通，并與連接到這些開口的室(例如，負(fù)載鎖定室、貫通室和處理室)選擇性地連通。在一個(gè)實(shí)施方式中，群集工具100被配置為利用物理氣相沉積(PVD)工藝將膜沉 積在基板上?？梢栽诰哂械鬃拿芊馐抑袑?shí)施PVD，底座用于支撐在其上設(shè)置的基板。底座典型 地包括基板支撐件，基板支撐件中設(shè)置有多個(gè)電極以在處理期間使基板相對于基板支撐件 靜電固定。通常由待沉積在基板上的金屬組成的靶支撐在基板上方，典型地，緊固到室的頂 部。在基板和靶之間供應(yīng)由諸如氬氣等的氣體形成的等離子體。對靶施加偏壓，使等離子 體中的離子朝向靶加速。沖擊靶的離子使材料從靶中分離出。分離的材料被引向基板，并 且該材料的膜沉積在基板上。在一個(gè)實(shí)施方式中，群集工具100可以包括分別在用于處理室111、112和113的 位置處連接到傳送室108的除氣室、預(yù)清洗室以及PVD室。在這樣的系統(tǒng)中，對基板充分除 氣所需要的時(shí)間可能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于預(yù)清洗基板或者在基板上沉積膜所需要的時(shí)間。因此，在本 發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，可以使用交錯(cuò)式雙除氣室。圖2是根據(jù)本發(fā)明的除氣室200的實(shí)施方式的示意性截面?zhèn)纫晥D，而圖3是根據(jù) 本發(fā)明的除氣室200的實(shí)施方式的示意性等比例局部分解圖。除氣室200可以包括附接到 端口區(qū)(port block) 204的主室體202。端口區(qū)204可以包括傳送模塊接口 206和室接口 208。傳送模塊接口 206可以附接到傳送模塊，例如圖1中的傳送模塊110，以使基板可以利 用諸如圖1中的傳送機(jī)械手109等的傳送機(jī)械手經(jīng)由端口區(qū)204傳送進(jìn)或傳送出室體202。主室體202可以包括上部室區(qū)間210和下部室區(qū)間212，這兩個(gè)區(qū)間可以彼此隔離 開，并且可以如圖2中所示的交疊方式分開地包含在主室體中。主室體202可以進(jìn)一步被 配置為同時(shí)起到上部室底216、下部室頂218、上部室壁220和下部室壁222的作用。在一 個(gè)實(shí)施方式中，主室體202可以由單塊鋁或者其他適當(dāng)材料構(gòu)成。上部室區(qū)間210可以由上部室底216、上部室壁220和上部室蓋224圍起。上部室 蓋224可以通過諸如螺釘或其他適當(dāng)?shù)木o固件等的緊固構(gòu)件226可拆卸地附接。因此，可 以去除上部室蓋224以進(jìn)入上部室區(qū)間210的內(nèi)部來進(jìn)行維護(hù)和維修。下部室區(qū)間212可以由下部室頂218、下部室壁222和下部室底228圍起。下部室 底228可以通過銷構(gòu)件230和諸如螺釘或其他適當(dāng)緊固件等的緊固構(gòu)件232樞轉(zhuǎn)地附接。 因此，下部室底228可以樞轉(zhuǎn)到開口位置，以進(jìn)入下部室區(qū)間212的內(nèi)部來進(jìn)行維護(hù)和維修。另外，室200可以包括設(shè)置在上部室區(qū)間210中的基板支撐加熱器234和設(shè)置在 下部室區(qū)間212中的另一基板支撐加熱器234。每個(gè)基板支撐加熱器234包括臺板部分236 和底座部分238。臺板部分236可以由金屬或陶瓷材料組成。底座部分238可以包括貫通 其中設(shè)置的管道，用于進(jìn)行電布線等。每個(gè)底座部分238可以由加熱器支撐套管240支撐， 加熱器支撐套管240通過緊固構(gòu)件242可拆卸地附接到室體202。室200還可以包括設(shè)置在上部室區(qū)間210中的基板升降裝置244和設(shè)置在下部室 區(qū)間212中的另一基板升降裝置244。每個(gè)基板升降裝置244可以包括升降環(huán)246和多個(gè) 升降銷248。升降銷248可以與基板支撐加熱器234的臺板部分236中的孔對準(zhǔn)，以使升降 銷248可以貫通其中延伸以與基板嚙合。在一個(gè)實(shí)施方式中，上部室壁220中的至少一個(gè)可以具有貫通其中形成的孔250， 孔250具有透明覆蓋構(gòu)件252以用作上部基板觀察端口。此外，室200可以包括由下部室頂218、上部室壁220和入口蓋256圍起的上部基 板進(jìn)入?yún)^(qū)間254。入口蓋256可以通過緊固構(gòu)件258可拆卸地附接。另外，入口蓋256可以 具有貫通其中形成的孔，以與上部狹口閥260接合。因此，上部狹口閥260可以選擇性地允 許將基板從諸如圖1中的傳送模塊110等的傳送模塊經(jīng)由端口區(qū)204和進(jìn)入?yún)^(qū)間254傳送 到上部室區(qū)間210。端口區(qū)204可以具有貫通其中形成的孔，以接合下部狹口閥262。因此，下部狹口 閥262可以選擇性地允許將基板從諸如圖1中所示的傳送模塊110等的傳送模塊經(jīng)由端口 區(qū)204傳送到下部室區(qū)間212。在一個(gè)實(shí)施方式中，室200可以包括與上部室區(qū)間210流體連通的上部擴(kuò)散器端 口 264。室200還可以包括與下部室區(qū)間212流體連通的下部擴(kuò)散器端口 266。上部擴(kuò)散 器端口 264和下部擴(kuò)散器端口 266每個(gè)都可以單獨(dú)地連接到閥268，閥268與諸如惰性氣體 源等的氣體源連接。如果需要，閥268可以選擇性地允許氣體流進(jìn)上部室區(qū)間210和/或 下部室區(qū)間212。另外，室200可以包括與上部室區(qū)間210流體連通的上部真空端口 270。室200還 可以包括與下部室區(qū)間212流體連通的下部真空端口 272。上部真空端口 270和下部真空 端口 272每個(gè)都可以單獨(dú)地連接到閥268，接著，連接到真空源，例如，低真空泵、渦輪分子 泵或低溫泵。在一個(gè)實(shí)施方式中，室200可以包括室冷卻通道274，室冷卻通道274可以連接到 諸如水冷卻源等的流體冷卻源，以對室體202進(jìn)行選擇性的熱管理。在一個(gè)實(shí)施方式中，室200可以包括在上部壁220的一個(gè)中的上部度量端口 276 和在下部壁222的一個(gè)中的下部度量端口 278。上部度量端口 276和下部度量端口 278可 以與用于監(jiān)測上部室區(qū)間210和下部室區(qū)間212的多種度量儀器中的任何一種(例如殘余 氣體分析器)流體連通。在處理過程中，除氣室200的實(shí)施方式可以用來與群集工具結(jié)合，例如圖1中的群 集工具100，以選擇性地、單獨(dú)地、動態(tài)地對兩個(gè)基板同時(shí)除氣或者在重疊時(shí)間周期內(nèi)除氣， 其中每個(gè)基板都處于其自身的隔離環(huán)境中。例如，傳送機(jī)械手109可以取回基板進(jìn)行處理。傳送機(jī)械手109接著可以把基板通過上部狹口閥260傳送到上部室區(qū)間210中的升降銷248上來動態(tài)除氣。當(dāng)經(jīng)由加熱器 234對基板加熱時(shí)，諸如氬氣的氣體通過閥268經(jīng)上部擴(kuò)散器端口 264傳遞。氣體流過基板 的表面，并與濕氣和其他污染物一起通過上部真空端口 270移除。相應(yīng)地，在上部室處理期間的指定點(diǎn)，傳送機(jī)械手109可以取回另一基板進(jìn)行處 理。傳送機(jī)械手109接著可以把基板通過下部狹口閥262傳送到下部室區(qū)間212中的升降 銷248上來動態(tài)除氣。當(dāng)經(jīng)由加熱器234對該基板加熱時(shí)，諸如氬氣的氣體通過閥268經(jīng) 下部擴(kuò)散器端口 266傳遞。氣體流過基板的表面，并與濕氣或其他污染物一起通過下部真 空端口 272移除。因此，可以按照需要將兩個(gè)分離基板隔離開，并將每一個(gè)分離基板同時(shí)或者在重 疊時(shí)間周期內(nèi)除氣，從而使基板處理系統(tǒng)的生產(chǎn)量最大化。此外，因?yàn)槊繅K基板在被處理時(shí) 被隔離開，所以在另一塊基板的傳送或處理期間不會產(chǎn)生交叉污染。此外，室200可以通過 使上部室區(qū)間210和下部室區(qū)間212交錯(cuò)而以最小的總占用空間完成這種任務(wù)。因此，除 氣室200可以在不顯著增加基板處理系統(tǒng)的空間和成本需要的情況下顯著地提高生產(chǎn)量。盡管前文旨在描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況 下，可以設(shè)計(jì)出本發(fā)明的其它或進(jìn)一步的實(shí)施方式，本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求書來 確定。
權(quán)利要求
一種基板處理室，包括第一處理區(qū)間；以及第二處理區(qū)間，其垂直地疊置在所述第一處理區(qū)間的上面并且在中心上偏離所述第一處理區(qū)間，其中，所述第一處理區(qū)間和所述第二處理區(qū)間彼此隔離開，以在同時(shí)處理期間不產(chǎn)生交叉污染。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理室，還包括 被配置在所述第一處理區(qū)間中的基板支撐加熱器；以及 被配置在所述第二處理區(qū)間中的基板支撐加熱器， 其中，每個(gè)基板支撐加熱器包括底座部分和臺板部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理室，還包括覆蓋所述第二處理區(qū)間的室蓋，其中所 述室蓋是可拆卸的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理室，還包括位于所述第一處理區(qū)間下面的室底，其 中所述室底樞轉(zhuǎn)以允許進(jìn)入所述第二處理區(qū)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理室，還包括 被配置在所述第一處理區(qū)間中的基板升降裝置；以及 被配置在所述第二處理區(qū)間中的基板升降裝置，其中，每個(gè)基板升降裝置包括多個(gè)升降銷，所述升降銷被配置為延伸通過多個(gè)孔，所述 多個(gè)孔被配置在每個(gè)基板支撐加熱器的臺板部分中。
6.一種基板處理室，包括整體式主室體，其被配置為形成上部處理區(qū)域和下部處理區(qū)域，其中所述上部處理區(qū) 域與所述下部處理區(qū)域交疊；可拆卸的室蓋，其被配置為與所述上部處理區(qū)域上面的整體式主室體氣密地連接；以及室底構(gòu)件，其被配置為與所述下部處理區(qū)域下面的整體式主室體氣密地連接，其中，所 述室底構(gòu)件被配置成樞轉(zhuǎn)地嚙合所述整體式主室體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理室，還包括被配置為選擇性地允許將基板傳送到所 述上部處理區(qū)域中的上部狹口閥。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理室，還包括端口區(qū)，其中所述端口區(qū)被配置為允許與所述上部處理區(qū)域和所述下部處理區(qū)域進(jìn)行 流體連通；以及下部狹口閥，其中所述下部狹口閥被配置為選擇性地允許將基板傳送到所述下部處理 區(qū)域中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理室，其中，所述基板處理室是除氣室。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理室，其中，所述上部處理區(qū)域和所述下部處理區(qū)域 在中心上相偏離。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理室，還包括設(shè)置在所述上部處理區(qū)域中的上部基板支撐加熱器，其中所述上部基板支撐加熱器具 有貫通其中延伸的多個(gè)孔；設(shè)置在所述下部處理區(qū)域中的下部基板支撐加熱器，其中所述下部基板支撐加熱器具 有貫通其中延伸的多個(gè)孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理室，還包括上部基板升降裝置，其具有與所述上部基板支撐加熱器中的多個(gè)孔之一對準(zhǔn)的升降 銷，其中所述上部基板升降裝置可垂直移動；以及下部基板升降裝置，其具有與所述下部基板支撐加熱器中的多個(gè)孔之一對準(zhǔn)的升降 銷，其中所述下部基板升降裝置可垂直移動。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理室，還包括上部擴(kuò)散器，其被配置為將氣體流選擇性地施加到所述上部處理區(qū)域中；以及 下部擴(kuò)散器，其被配置為將氣體流選擇性地施加到所述下部處理區(qū)域中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理室，其中，所述上部處理區(qū)域與所述下部處理區(qū) 域隔離開。
15.一種基板處理系統(tǒng)，包括 負(fù)載鎖定室；傳送模塊；以及 處理室，其中所述處理室包括 端口區(qū)；以及主室體，其中所述主室體形成與下部處理區(qū)域交疊的上部處理區(qū)域，以及其中所述上 部處理區(qū)域和所述下部處理區(qū)域彼此隔離開并在中心上相偏離。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板處理系統(tǒng)，其中，所述傳送模塊還包括傳送室，其具有正方形水平輪廓，并且所述傳送室中包含有用于在所述負(fù)載鎖定室和 所述處理室之間傳送基板的傳送機(jī)械手；以及真空延伸室，其中所述真空延伸室被配置為在真空系統(tǒng)和所述傳送室之間進(jìn)行接口連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的基板處理系統(tǒng)，其中，所述處理室還包括 被配置為選擇性地允許進(jìn)入所述上部處理區(qū)域的上部狹口閥；被配置在所述上部處理區(qū)域中的上部基板支撐加熱器； 被配置在所述下部處理區(qū)域中的下部基板支撐加熱器；被配置為將來自惰性氣體源的氣體流引向所述上部處理區(qū)域的上部擴(kuò)散器；以及 被配置為將來自惰性氣體源的氣體流引向所述下部處理區(qū)域的下部擴(kuò)散器。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的基板處理系統(tǒng)，其中，所述處理室還包括與所述上部處理區(qū)域上方的主室體密封地嚙合的上部蓋構(gòu)件，其中所述上部蓋構(gòu)件是 可拆卸的，以允許進(jìn)入所述上部處理區(qū)域；以及與所述下部處理區(qū)域下方的主室體密封地嚙合的下部底構(gòu)件，其中所述下部底構(gòu)件樞 轉(zhuǎn)以允許進(jìn)入所述下部處理區(qū)域。
19.一種在群集工具中對多個(gè)基板除氣的方法，包括利用傳送機(jī)械手將第一基板從負(fù)載鎖定室傳送到除氣室的上部處理區(qū)域； 對所述除氣室的上部處理區(qū)域中的第一基板進(jìn)行處理；在對所述第一基板進(jìn)行處理的同時(shí)，利用所述傳送機(jī)械手將第二基板從所述負(fù)載鎖定室傳送到所述除氣室的下部處理區(qū)域；以及在完成所述第一基板的處理之前，啟動所述下部處理區(qū)域中的第二基板的處理， 其中，所述上部處理區(qū)域與所述下部處理區(qū)域交疊，并且在中心上偏離所述下部處理 區(qū)域。
全文摘要
提供了一種增加基板處理系統(tǒng)的生產(chǎn)量的方法和設(shè)備。被配置為附接到群集工具(100)的用于處理基板的處理室(200)具有交錯(cuò)式雙處理區(qū)域(210，212)。所述處理區(qū)域彼此隔離開，以便能夠同時(shí)在每個(gè)區(qū)域中處理基板。
文檔編號H01L21/67GK101897014SQ200780101877
公開日2010年11月24日 申請日期2007年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月20日
發(fā)明者卡爾·布朗, 哈里·龐內(nèi)坎蒂, 曾繼兵, 林芳, 白銀, 雷紹溫 申請人:應(yīng)用材料股份有限公司