專利名稱：：通過高壓高溫燒結提高半導體的賽貝克系數(shù)的制作方法通過高壓高溫燒結提高半導體的賽貝克系數(shù)相關申請的交叉引用本專利申請要求2006年6月26日遞交的、題目為"IncreasingtheSeebeckCoefficientofSemiconductorbyHP/HTSintering(通過高壓/高溫燒結提高半導體的賽貝克系數(shù))"的美國臨時專利申請?zhí)?0/805,805的優(yōu)先權，并且通過引用將所述美國申請的披露內容的全部包括在本文中。關于聯(lián)邦贊助研究或開發(fā)的聲明:不適用。聯(lián)合研究協(xié)議方名稱:不適用。以磁盤遞交的材料的引入:不適用。背景賽貝克效應，或者熱電效應，是指當材料兩點之間建立溫度梯度(gradient)時在這兩點之間存在的電壓差。呈現(xiàn)該現(xiàn)象的材料(通常是半導體或導體)被稱為熱電學或熱電材料(thermoelectrics或者thermoelectricmaterial)。由熱電材料制成的器件利用賽貝克效應來將熱轉換為電。例如，賽貝克效應是在溫度測量中常用的熱電偶的物理基礎。賽貝克效應的度量被計為以/AZ/K(微伏每開)為單位的賽貝克系數(shù)。該賽貝克系數(shù)可以被定義為，當導體兩點之間存在溫差時，開路電壓與導體兩點間溫差之比。賽貝克系數(shù)可以取正值或負值，取決于載荷子是空穴還是電子。賽貝克系數(shù)通常被稱為熱電動勢率(thermoelectricpower)或熱電勢率(thermopower)。良好的熱電材料應當具備大絕對值的賽貝克系數(shù)、高導電性(a，以Qcm為單位)以及低導熱性a，以W/cmK為單位)。高導電性導致熱電材料中的焦耳熱(Jouleheating)最小化，而低導熱性幫助維持材料中大的溫度梯度。因此，熱電材料的效率由熱電品質因數(shù)(Z，以K—1為單位)來描述，該熱電品質因數(shù)由關系式Z=^二計算。有用的無量綱品質因數(shù)被定義為ZT，其中T是溫度(以;i開計)，并且zr:^^。在熱電應用的早期發(fā)展中，金屬和金屬合金引起過較多興趣，但是這些材料具有高導熱性。此外，大多數(shù)金屬的賽貝克系數(shù)在10AV/K的數(shù)量級，或更低。發(fā)現(xiàn)了半導體具有大于10(^V/K的賽貝克系數(shù)。一般來說，半導體還具備高導電性和低導熱性，這進一步提高Z，并由此提高熱電材料的效率。例如，碲化鉍(Bi2Te3)和碲化鉛(PbTe)是兩種普遍使用的半導體熱電材料，具有大于的優(yōu)化的賽貝克系數(shù)。對材料的賽貝克系數(shù)的優(yōu)化一般包括合成方法，通過所述合成方法，起始材料的化學定量關系(stoichiometry)被摻雜材料略微改變。通常，這產(chǎn)生具有完全不同組成的材料。此外，不存在容易的方法來預測具體材料組成的賽貝克系數(shù)。因此，還存在對具有大絕對值賽貝克系數(shù)的材料的需求。此外，還存在對提高材料的賽貝克系數(shù)的方法的需求，該方法不是必需包括向材料添加摻雜物。本文的實施方案解決這些和其他需求
發(fā)明內容—種提高半導體的賽貝克系數(shù)的方法，包括將半導體暴露于提高的壓力和提高的溫度下足夠長的時間，以提高所述半導體在使用的壓力下測得的賽貝克系數(shù)；以及回收所述半導體。在實施方案中，所述提高的壓力可以在約lGPa到20GPa的范圍，并且所述提高的溫度可以在約為所述半導體的燒結溫度到在工藝壓力(processpressure)下所述半導體的熔點之上約500°C的范圍，例如在約500°C到約2500°C的范圍。在其他實施方案中，所述壓力可以在約2GPa到約10GPa的范圍。在再其他的實施方案中，所述壓力可以在約4GPa到約8GPa的范圍，并且優(yōu)選為約5GPa。在示例性實施方案中，所述溫度可以在約為所述半導體的燒結溫度到在工藝壓力下所述半導體的熔點之上約500°C的范風在其他實施方案中，所述溫度可以在約900°C到約為在工藝壓力下所述半導體的熔點的范圍?？商鎿Q地，所述溫度可以在所述半導體的燒結溫度到約為在工藝壓力下所述半導體的熔點的范圍。半導體是這樣的固體材料，其具有介于導體和絕緣體之間的導電性，并且通過半導體的傳導通常藉由空穴和電子發(fā)生。半導體的性質一般隨溫度而改變，從而它們的傳導性隨溫度降低而升高。在示例性實施方案中，半導體可以為硒化物、銻化物、碲化物、硫化物、鍺化合物及其混合物?？梢蕴砑討K雜物，并且摻雜物可以包括例如Br、Cl、I、Ga、In、Na、K、Ag或其他故意的雜質，以改變基體材料的導電性或導熱性。在再其他實施方案中，半導體可以為硒化鉛、硫化鉛、碲化鉛、硫化錫、碲化錫及其混合物。在示例性實施方案中，半導體可以為碲化鉛。在實施方案中，足夠長以提高半導體的賽貝克系數(shù)的時間可以在從約30秒到約24小時的范圍。在其他實施方案中，所述時間可以從約5分鐘到約30分鐘。在再其他實施方案中，所述時間可以從約5分鐘到約15分鐘。在示例性實施方案中，所述半導體可以包括半導體起始粉末，其中所述半導體起始粉末具有約5(Him到約400(^m的平均顆粒尺寸。在其他實施方案中，半導體可以是多晶料或者一種或更多種分離的(discrete)單晶體。另一示例性方法可以包括提高碲化鉛的賽貝克系數(shù)。所述方法可以包括將碲化鉛暴露于從約4GPa到約8GPa范圍的壓力和從約600°C到約1300°C范圍的溫度下足夠長的時間，以提高所述碲化鉛在使用的壓力下測得的賽貝克系數(shù)；以及回收所述碲化鉛。在實施方案中，足夠長以提高碲化鉛的賽貝克系數(shù)的時間可以是約5分鐘到約24小時。另一實施方案可以包括高壓高溫("HPHT")處理的高純度半導體材料，所述高壓高溫處理的高純度半導體材料具有比非高壓高溫處理的相同組成的半導體材料高的賽貝克系數(shù)。在實施方案中，所述具有比非高壓高溫處理的相同組成的半導體材料高的賽貝克系數(shù)的半導體材料可以是硒化物、銻化物、碲化物、硫化物、鍺化合物及其混合物。在其他實施方案中，所述材料可以是硒化鉛、硫化鉛、碲化鉛、硫化錫、碲化錫及其混合物。在再其他實施方案中，所述半導體材料可以是碲化鉛。附圖簡要說明圖1是示例性HPHT裝置的橫截面視圖，該HPHT裝置可以被用來提高半導體中的賽貝克系數(shù)。圖2是針對未處理的和HPHT處理的碲化鉛的賽貝克系數(shù)對溫度的圖。具體實施例方式在描述本方法、系統(tǒng)和材料之前，要理解本公開不限于所描述的特定方法、系統(tǒng)和材料，因為這些可以改變。還要理解，在本描述中使用的術語僅用于描述特定版本或實施方案的目的，而不打算限制范圍。還必須注意，如在這里和所附權利要求書中使用的，除非上下文以其他方式明確指出，否則單數(shù)形式"一(an,an)"和"所述"包括復數(shù)指代。除非以其他方式限定，否則在這里使用的所有技術和科技術語具有如本領域普通技術人員所普遍理解的相同含義。使用在這里，詞匯"包括"意指"包括但不限于"。盡管在實踐和測試實施方案時可以使用任何與本文中描述的實施方案類似或等同的方法、材料和設備，但是現(xiàn)在描述優(yōu)選的方法、材料和設備。本文中所提及的所有公開內容均通過引用被包括。因此本文中的任何內容均不被解讀為承認本文所描述的實施方案不具有由于在先發(fā)明而比這些公開內容要早的日期。連同常規(guī)的高壓高溫("HPHT")裝置圖示說明了本實施方案，所述常規(guī)的高壓高溫裝置可以是例如在美國專利2,947,611;2,941,241;2,941,248;3,609,818;3,767,371;4,289,503;4,673,414和4,954,139中所描述的帶式(belt-type)或模式(die-type)的，每一篇上述美國專利均被整體包括在本文中。然而，將意識到，本發(fā)明的方法可應用于任何能夠同時提供所要求的高壓和高溫條件的HPHT裝置。因此，這樣的其他HPHT設備打算落入本文所描述的發(fā)明的范圍內。之后看圖1和圖2，一般地在IO處的圖示說明性HPHT裝置被示出為包括一般為圓柱形的反應室(reactioncell)組件(assembly)12，該反應室組件12介于一對沖頭(punch)14a和14b之間，并且被一般為環(huán)形的帶狀構件(beltmember)或模構件(diemember)16圍繞。優(yōu)選地，兩個沖頭14和帶狀構件由相對比硬的材料(比如燒結碳化鴇)構成。在沖頭14和壓帶件16之間是一對絕緣組件18a和18b，每個絕緣組件由一對熱絕緣和電絕緣的構件20a-b和22a-b形成，并且具有居間的金屬或其他襯墊24a和24b設置于其間，在一些實施方案中，所述熱絕緣和電絕緣的構件20a-b和22a-b由葉臘石等構成。如示出的，反應室組件12包括空心的圓筒26，所述圓筒26可以由在HPHT期間通過相變或壓縮轉換到更強更硬的狀態(tài)的材料(諸如鹽等)構成，或者可替換地，由不這樣轉換的滑石材料等構成。在任一種情況下，圓筒26的材料被選擇為在HPHT下基本上無如葉臘石或氧化鋁材料可能發(fā)生的體積不連續(xù)(volumediscontinuity)或類似情況。滿足這些準則的材料在美國專利No.3,030,662中被描述，該美國專利被整體包括在本文中。置于鹽圓筒26內的是一個或更多個相鄰的圓筒，所述相鄰圓筒中的每一個均被提供為石墨電阻加熱管(heatertube)28。與加熱管28的電連接是通過相鄰的一對傳導性金屬端盤(enddisc)30a和30b實現(xiàn)的，所述金屬端盤30a和30b相對于加熱管28軸向設置。相鄰的每個盤30被提供有一端帽組件(一般在32a和32b處示出)，每個所述端帽組件包括被導電環(huán)36a和36b圍繞的絕緣塞34a和34b。應該意識到，加熱器28內部，連同端盤30、鹽圓筒26以及端帽組件32限定一一般為圓柱形的內腔(在38處示出)，該內腔具有限定的軸向和徑向范圍，并且包含傳壓介質46。傳壓介質46被選擇為具有相對低的內摩擦系數(shù)以使得其在HPHT條件下為半流動性的，并且所述傳壓介質46可以被提供作為圓柱形鹽內襯(liner)42或者在所述圓柱形鹽內襯42內，所述圓柱形鹽內襯42限定徑向傳壓介質層43a和43b，并且與軸向的一對鹽塞44a和44b相配合，所述鹽塞44a和44b中的每一個限定軸向傳壓介質層。在一些實施方案中，傳壓介質46、鹽內襯42和/或鹽塞44可以由石墨材料或者氯化鈉構成，但是它們還可以由任何鈉、鉀、或鈣的氯化物、碘化物或溴化物或其混合物構成?？商鎿Q地，傳壓介質46可以被提供為粉末或顆粒形式。在任一情況下，介質46限定一腔空間，該腔空間被配置為容納半導體材料40來以足以提高從HPHT處理回收后的賽貝克系數(shù)的條件進行HPHT處理。在實施方案中，用于提高半導體的賽貝克系數(shù)的方法包括創(chuàng)建具有半導體的反應室，所述半導體被暴露于提高的壓力和提高的溫度下足夠長的時間，以提高所述半導體的賽貝克系數(shù)。隨后從反應室回收所述具有提高的賽貝克系數(shù)的半導體。在實施方案中，半導體51在被放入反應室之前被成形為小球。在用于提高半導體的賽貝克系數(shù)的實施方案中，所述壓力在從約lGPa到20GPa的范圍，而所述溫度在從約燒結溫度到在工藝壓力下所述半導體的熔點之上約500。C的范圍。在另一個實施方案中，所述壓力在從約2GPa到約10GPa的范圍。在再另一個實施方案中，所述壓力在從約4GPa到約8GPa的范圍。在又另一個實施方案中，所述壓力為約5GPa?！獙嵤┓桨傅臏囟确秶梢詮乃霭雽w材料燒結在一起的溫度到約為在工藝壓力下所述半導體的熔點，或者可替換地，從所述燒結溫度到在工藝壓力下所述半導體的熔點之上約500。C。這可以是約600。C到約D00。C。在另一個實施方案中，該溫度在從約700°C到約900°C的范圍。可替換地，該溫度在從約900°C到約為在工藝壓力下所述半導體的熔點。在一些實施方案中，優(yōu)選的溫度范圍可以是在提高的壓力下所述半導體的熔點+/陽400。<:。對于用于提高半導體的賽貝克系數(shù)并維持一段時間的方法的實施方案，所述半導體可以包括硒化鉛、硫化鉛、碲化鉛(PbTe)、硫化錫、碲化錫、鉛錫碲化物、鉈錫碲化物、鉈鍺碲化物和/或其混合物。任何在經(jīng)受本文所描述并要求保護的HPHT處理或HPHT燒結條件時導致提高的賽貝克系數(shù)的凈的(neat)、純的或者摻雜的半導體材料或者化合物，包括其混合物，均落入當前權利要求書的范圍。例如，可以添加摻雜物，并且摻雜物可以包括例如Br、Cl、I、Ga、In、Na、K、Ag或其他故意的雜質，以改變基體材料的導電性或導熱性。本文描述的與PbTe相關的實施方案考慮了在可能己經(jīng)產(chǎn)生了PbTe的HPHT條件已經(jīng)被移除并且還未繼續(xù)處理元素Pb和Te之后，改進該己產(chǎn)生的PbTe的賽貝克系數(shù)。要改進的PbTe可以通過非HPHT方法或者HPHT方法制成。合成用在本文描述的實施方案中的PbTe的示例性方法包括在處理設備中混合或組合元素Pb和元素Te，并且在非提高的壓力(即與上述HPHT條件相比基本上未從大氣壓變化的壓力)下將該混合物加熱至大致900°C到約1000°C，從而該混合物熔融并反應以形成PbTe。其他形成PbTe的方法是可能的。所形成的PbTe隨后可以被冷卻，并且然后經(jīng)受本文所描述的HPHT條件，以便提高其賽貝克系數(shù)。在提高半導體的賽貝克系數(shù)的方法的一個實施方案中，半導體材料被暴露給本文所描述的HPHT處理約30秒或更久，直至約24小時。在另一實施方案中，所述半導體材料可以被暴露給HPHT處理約30秒到約15分鐘。在再另一實施方案中，所述半導體材料可以被暴露給HPHT處理約5分鐘到約30分鐘，優(yōu)選為15分鐘。在又另一個實施方案中，用于提高半導體碲化鉛的賽貝克系數(shù)的方法包括創(chuàng)建具有碲化鉛的反應室，將所述反應室暴露于范圍從約4GPa到約6GPa的壓力和范圍從約700。C到約900。C的溫度下足夠長的時間，以提高所述碲化鉛的賽貝克系數(shù)，以及回收所述具有提高的賽貝克系數(shù)的碲化鉛。在一個實施方案中，碲化鉛被暴露給HPHT處理條件約30秒或更久。在另一實施方案中，碲化鉛被暴露給HPHT處理條件約5分鐘到約15分鐘。另一實施方案包括這樣的HPHT處理的高純度半導體材料，所述高純度半導體材料具有比非高壓高溫處理的相同組成的半導體材料高的賽貝克系數(shù)。在實施方案中，高純度材料為大于或等于99.9%(w/w)純。在另一實施方案中，高純度材料為大于或等于99.99%(w/w)純。在再另一實施方案中，高純度材料為大于或等于99.999%(w/w)純。在實施方案中，起始半導體可以為粉末、多晶料、一種或更多種分離的單晶體或其任何組合。所述半導體起始粉末的平均顆粒尺寸在從約50nm到約4000pm的范圍。在實施方案中，所述高純度半導體可以包括一種或更多種硒化物、銻化物、碲化物、硫化物、鍺化合物和/或其混合物。在另一個實施方案中，所述高純度半導體可以是硒化鉛、硫化鉛、碲化鉛、碲化鉍、硫化錫、碲化錫、鉛錫碲化物、鉈錫碲化物、碲化鉈或碲化鍺和/或其混合物。在示例性實施方案中，高純度半導體材料的賽貝克系數(shù)可以通過在從約lGPa到約20GPa范圍的壓力以及從約500°C到約2500°C的溫度下HPHT處理約5分鐘到約30分鐘來提高。在另一實施方案中，處理時間為約5分鐘到約15分鐘。在示例性實施方案，高純度半導體材料的賽貝克系數(shù)可以通過在從約4GPa到約8GPa范圍的壓力以及從約600°C到約1300°C的溫度下HPHT處理約5分鐘到約15分鐘來提高。實施例1碲化鉛(PbTe)(99.999%(w/w)純，AlfaAesar公司)被成形為小球，并且加載到了傳壓介質內部的高壓室。樣品在大致6.5GPa在900°C或1050°C下HPHT處理了5到10分鐘。所產(chǎn)生的PbTe丸被回收了并切成了尺寸為約10mmx3mmx3mm的錠以進行賽貝克測量。該賽貝克測量值在從75K到300K范圍的溫度獲得。表1描述施加到PbTe丸的HPHT處理。壓制所述的半導體起始粉末的平均顆粒尺寸在最后一欄中給出。在(不止一個)實施方案中，半導體起始粉末的平均顆粒尺寸在從約2mm到約4mm的范圍。對于其他實施方案，半導體起始粉末的平均顆粒尺寸小于約0.1mm。在一些實施方案中，所述平均顆粒尺寸在約0.1mm到約4mm之間。所述平均顆粒尺寸可以大于4mm。原樣(asreceived)材料是從單塊PbTe切得的。表1:HPHT處理的PbTe樣品的試驗變量<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>圖2描繪在根據(jù)實施例1的HPHT處理之前(原樣)和之后PbTe樣品的賽貝克系數(shù)測量值。圖2圖示說明作為HPHT處理結果的賽貝克系數(shù)的改變。可以看到，在HPHT處理期間的某些參數(shù)變化導致賽貝克系數(shù)的變化，這在暴露給HPHT工藝之后持續(xù)。原樣樣品在300K具有約-232iTWK的賽貝克系數(shù)，而樣品B在300K呈現(xiàn)約-357i^V/K的賽貝克系數(shù)。注意到，對于樣品A和C的HPHT處理的條件不足以顯著地提高賽貝克系數(shù)。當將A和C與B進行比較時，注意到將HPHT處理的時間從約5分鐘增加到約15分鐘導致提高的賽貝克系數(shù)。因此，處理時長影響賽貝克系數(shù)。此外，對A和E的比較顯示，在所有其他條件相等時，平均顆粒尺寸為約0.1mm的起始粉末具有比平均顆粒尺寸為2-4mm的起始粉末大的賽貝克系數(shù)增量。實施例2在大氣壓下從高純度鉛和碲合成了碲化鉛樣品，并且隨后經(jīng)受了HPHT條件。壓力為從約5到約7.5GPa的范圍。溫度為1050°C或1200°C。對所有樣品使用了10分鐘的處理時間，并且起始粉末具有約0.05mm到約0.1mm的平均顆粒尺寸。在300K測量的賽貝克系數(shù)結果在表2中示出。表2增加<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>對樣品H和I的比較證明提高溫度導致賽貝克系數(shù)更大的提高。在實施方案中，所述溫度可以被提高到恰低于PbTe在提高的壓力下的熔點。碲化鉛在大氣壓下的熔點為約917°C。在本文的實施方案中，HPHT處理可以在約600°C到約1300°C的范圍內進行，取決于在處理中使用的壓力，因為熔點在較高的壓力下升高。對樣品G和H的比較表示，對提高賽貝克系數(shù)來說較低的壓力可能是有益的。對樣品F和I的比較顯示，可以存在壓力上限，在該壓力上限未觀察到賽貝克系數(shù)的提高。該數(shù)據(jù)證明存在最佳的時間、溫度和壓力來導致賽貝克系數(shù)的最大絕對值。此外，該數(shù)據(jù)還證明，顆粒尺寸對賽貝克系數(shù)提高的程度有影響。這些結果不打算是限制性的。其他熱電材料、不同的處理條件、微結構改動以及在不同溫度下的測量可能顯示賽貝克系數(shù)的更大的提高。其他熱電材料、其他材料性質、其他微結構以及其他HPHT處理條件均被包括在本文的實施方案和權利要求書的范圍內。應該意識到，各種上面公開的內容以及其他特征和功能，或者它們的替換方案，可以以期望的方式組合到很多其他不同的系統(tǒng)或應用中。因此，本領域技術人員可以作出其中的各種當前未預見或未預料的替換方案、修改、變體或改進，這些替換方案、修改、變體或改進打算被所附權利要求書包括。權利要求1.一種提高半導體的賽貝克系數(shù)的方法，包括將半導體暴露于提高的壓力和提高的溫度下足夠長的時間，以提高所述半導體的賽貝克系數(shù)；以及回收具有提高的賽貝克系數(shù)的所述半導體。2.如權利要求l所述的方法，其中所述提高的壓力在約lGPa到20GPa的范圍，并且所述提高的溫度在約500°C到約2500°C的范圍。3.如權利要求2所述的方法，其中所述壓力在約2GPa到約lOGPa的范圍。4.如權利要求2所述的方法，其中所述壓力在約4GPa到約8GPa的范圍。5.如權利要求2所述的方法，其中所述溫度在約為所述半導體的燒結溫度到在工藝壓力下所述半導體的熔點之上約500°C的范圍。6.如權利要求2所述的方法，其中所述溫度在所述半導體的燒結溫度到約為在工藝壓力下所述半導體的熔點的范圍。7.如權利要求l所述的方法，其中所述半導體選自由硒化物、銻化物、碲化物、硫化物、鍺化合物及其混合物組成的組。8.如權利要求l所述的方法，其中所述半導體選自由硒化鉛、硫化鉛、碲化鉛、硫化錫、碲化錫及其混合物組成的組。9.如權利要求l所述的方法，其中所述半導體包括碲化鉛。10.如權利要求l所述的方法，其中所述時間是從約30秒到約24小時。11.如權利要求l所述的方法，其中所述半導體還包括摻雜物。12.如權利要求l所述的方法，其中所述時間是約5分鐘到約30分鐘。13.如權利要求1所述的方法，其中所述半導體還包括半導體起始粉末，其中所述半導體起始粉末具有約0.5mm到約4mm的平均顆粒尺寸。14.如權利要求1所述的方法，其中在將所述半導體暴露于提高的壓力和提高的溫度之前，所述半導體包括粉末、多晶料、一種或更多種分離的單晶體或其組合。15.—種提高碲化鉛的賽貝克系數(shù)的方法，包括將反應室暴露于從約4GPa到約8GPa范圍的壓力和從約600。C到約1300。C范圍的溫度下足夠長的時間，以提高所述碲化鉛的賽貝克系數(shù)；以及回收具有提高的賽貝克系數(shù)的所述碲化鉛。16.如權利要求15所述的方法，其中所述時間是約5分鐘到約24小時。17.如權利要求15所述的方法，其中所述碲化鉛包括碲化鉛起始粉末，所述碲化鉛起始粉末具有約0.5mm到約4mm的平均顆粒尺寸。18.—種高壓高溫處理的高純度半導體材料，所述高壓高溫處理的高純度半導體材料具有比非高壓高溫處理的相同組成的半導體材料高的賽貝克系數(shù)。19.如權利要求18所述的半導體材料，其中所述半導體選自由硒化物、銻化物、碲化物、硫化物、鍺化合物及其混合物組成的組。20.如權利要求18所述的半導體材料，其中所述材料選自由硒化鉛、硫化鉛、碲化鉛、硫化錫、碲化錫及其混合物組成的組。全文摘要一種提高半導體的賽貝克系數(shù)的方法涉及建立包含在傳壓介質中的半導體的反應室，將所述反應室暴露于提高的壓力和提高的溫度下足夠長的時間，以提高所述半導體的賽貝克系數(shù)；以及回收具有提高的賽貝克系數(shù)的所述半導體。文檔編號H01L35/16GK101479862SQ200780023564公開日2009年7月8日申請日期2007年6月26日優(yōu)先權日2006年6月26日發(fā)明者A-S·馬利克申請人:戴蒙得創(chuàng)新股份有限公司