專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體裝置領(lǐng)域中的細(xì)微化正在急速發(fā)展。當(dāng)要縮小(shrink) 標(biāo)準(zhǔn)單元等的高度時，在現(xiàn)有的設(shè)計中，比較重視在N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的分界部所產(chǎn)生的相互擴(kuò)散(例 如，參照專利文獻(xiàn)l)的問題。
但卻沒有充分注意到由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散，對晶體管與基 板接觸部之間的分界部，采用與上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管與P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的分界部一樣的規(guī)則進(jìn)行了設(shè)計。
圖20(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖20(b)為圖 20(a)中的XX—XX線的剖面圖。
如圖20(a)及圖20(b)所示，在半導(dǎo)體基板1上設(shè)置有夾著元件隔離區(qū) 域2相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域la及P型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域lb。在半導(dǎo)體基板1上的從N型金屬絕 緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域la來看位于P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的活性區(qū)域lb的相反一側(cè)設(shè)置有N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接 觸部7，并且，在半導(dǎo)體基板1上的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活 性區(qū)域lb來看位于N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域la的相反 一側(cè)設(shè)置有P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部6。另外，在N型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域la與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部7之間、及P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域lb與 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部6之間分別設(shè)置有元件隔離區(qū) 域2。
并且，如圖20(a)及圖20(b)所示，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域la上形成有被注人了 N型雜質(zhì)的N型柵極電極3，且在P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域lb上形成有被注入了 P型雜質(zhì)的P型 柵極電極4。N型柵極電極3和P型柵極電極4在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的活性區(qū)域la與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域lb之間 的元件隔離區(qū)域2上連接著。在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸 部6及N型柵極電極3各自的表面部形成有N型雜質(zhì)層(N型基板接觸區(qū) 域)6a及N型雜質(zhì)層3a。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部7 及P型柵極電極4各自的表面部形成有P型雜質(zhì)層(P型基板接觸區(qū)域)7a 及P型雜質(zhì)層4a。并且，如圖20(a)及圖20(b)所示，在N型柵極電極3及P型柵極電 極4各自的側(cè)壁形成有絕緣性側(cè)壁隔離(sidewa11 spacer)5。在N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域la、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性 區(qū)域lb、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部6及N型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部7的各自上設(shè)置有與上層布線等連接的接觸 區(qū)域8。在圖20(a)及圖20(b)所述的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置中，將N型柵極電極3 中的、從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域la朝著N型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部7方向突出的突出量Ml,設(shè)定為與P型柵 極電極4中的、從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域lb朝著P型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部6方向突出的突出量Nl相等。并且，在制造圖20(a)及圖20(b)所示的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置時，將指定向 N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部7注入P型雜質(zhì)用的區(qū)域的P 型基板接觸注人區(qū)域(掩膜開口區(qū)域)M3的寬度M2，設(shè)定為與指定向P型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部6注人N型雜質(zhì)用的區(qū)域的N型 基板接觸注入?yún)^(qū)域(掩膜開口區(qū)域)N3的寬度N2相等。并且，在制造圖20(a)及圖20(b)所示的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置時，將N型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域la到P型基板接觸注入?yún)^(qū)域M3的距 離M4，設(shè)定為與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域lb到N型基 板接觸注人區(qū)域N3的距離N4相等。換句話說，將N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域la到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部7 的距離M5，設(shè)定為與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域lb到P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部6的距離N5相等。在如上所述的圖20(a)及圖20(b)所示的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置中，使用了可 充分確保上述各種尺寸(M1、 M2、 M4、 M5、 Nl、 N2、 N4、 N5)的大小 的規(guī)則。專利文獻(xiàn)1特開平8 —17934號公報但是，使用上述現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，存在如下問題例如，在越來越細(xì)微化的 邏輯單元中，基板接觸部相對于單元高度所占的比例變大，造成不能充分 確保晶體管的活性區(qū)域。并且，還存在這樣的問題當(dāng)在不考慮由基板接觸部所引起的相互擴(kuò) 散的情況下，縮小各種尺寸時，該相互擴(kuò)散會導(dǎo)致晶體管能力的劣化。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述內(nèi)容，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在邏輯單元等中， 防止產(chǎn)生由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散，充分縮小基板接觸部的設(shè)計， 最大限度地確保晶體管的活性區(qū)域的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體裝置，為具有雙柵極 結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，包括N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域 及P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域，夾著元件隔離區(qū)域相互 鄰接地形成在半導(dǎo)體基板上;上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基 板接觸部，形成在上述半導(dǎo)體基板上的從上述第一 活性區(qū)域來看位于上述 第二活性區(qū)域的相反一側(cè)；上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板 接觸部，形成在上述半導(dǎo)體基板上的從上述第二活性區(qū)域來看位于上述第 一活性區(qū)域的相反一側(cè)；N型柵極電極，形成在上述第一活性區(qū)域上，被 注人了N型雜質(zhì)；P型雜質(zhì)層，形成在上述第一基板接觸部，被注人了P 型雜質(zhì)；P型柵極電極，形成在上述第二活性區(qū)域上，被注人了P型雜質(zhì)； 以及N型雜質(zhì)層，形成在上述第二基板接觸部，被注入了N型雜質(zhì)。上 述第二基板接觸部與上述第二活性區(qū)域之間的距離大于上述第一基板接觸部與上述第一活性區(qū)域之間的距離。
根據(jù)本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置，P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的N型雜質(zhì)層與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域之間的距 離，大于N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的P型雜質(zhì)層與N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域之間的距離。因此，能夠在形成P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的N型雜質(zhì)層時，減少對P型柵極電極中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域向P型金屬絕緣體 半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部方向突出的部分(以下，稱為P型柵極電極的突出部分)注入的N型雜質(zhì)量。從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 中消除由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散的影響。另一方面，由于能夠在N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中縮小基板接觸部的P型雜質(zhì)層與活性區(qū)域之 間的距離，換句話說，由于能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮 小基板接觸部，因此即使為例如在邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制的情 況，也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，也可以將上述N型柵極電極中的從上 述第一活性區(qū)域朝著上述第一基板接觸部方向突出的長度，設(shè)定為與上述 P型柵極電極中的從上述第二活性區(qū)域朝著上述第二基板接觸部突出的長 度相等。本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括步驟a，在半導(dǎo) 體基板上形成夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域、從上 述第一活性區(qū)域來看位于上述第二活性區(qū)域的相反一側(cè)的上述N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部及從上述第二活性區(qū)域來看位于上 述第一活性區(qū)域的相反一側(cè)的上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基 板接觸部；步驟b，在上述第一活性區(qū)域上形成N型柵極電極，且在上述 第二活性區(qū)域上形成P型柵極電極；步驟c，在上述步驟b之后，將P型 雜質(zhì)注入上述第二活性區(qū)域及上述第一基板接觸部，在上述第二活性區(qū)域 形成上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的P型源極/漏極區(qū)域，且在上述 第一基板接觸部形成P型雜質(zhì)層；以及步驟d，在上述步驟b之后，將N 型雜質(zhì)注入上述第一活性區(qū)域及上述第二基板接觸部，在上述第一活性區(qū) 域形成上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的N型源極/漏極區(qū)域，且在
上述第二基板接觸部形成N型雜質(zhì)層。將在上述步驟d中向上述第二基板接觸部注入N型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域與上述第二活性區(qū)域之間的距離， 設(shè)定為大于在上述步驟c中向上述第一基板接觸部注入P型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域與上述第一活性區(qū)域之間的距離。艮p，本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法為制造上述本發(fā)明的第一半 導(dǎo)體裝置用的方法。根據(jù)本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法，將向p型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部注入N型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域 與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域之間的距離，設(shè)定為大于向N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部注入P型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域 與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域之間的距離。因此，能夠在對 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部注人N型雜質(zhì)時，減少注人P 型柵極電極的突出部分的N型雜質(zhì)量。從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管中消除由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散的影響。另一方面，由于 能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中縮小注人P型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū) 域與活性區(qū)域之間的距離，換句話說，由于能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管中充分縮小基板接觸部，因此即使是例如在邏輯單元中對單元高度 進(jìn)行了限制時，也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，為了確實(shí)地獲得上述效果， 最好在上述步驟a中，使上述第二基板接觸部與上述第二活性區(qū)域之間的 距離大于上述第一基板接觸部與上述第一活性區(qū)域之間的距離。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，最好將在上述步驟d中向 上述第二基板接觸部注入N型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域的寬度，設(shè)定為小于 在上述步驟c中向上述第一基板接觸部注入P型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域的 寬度。這樣一來，能夠在對P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部注 入N型雜質(zhì)時，更確實(shí)地減少注入P型柵極電極的突出部分的N型雜質(zhì) 量，從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中確實(shí)地消除由基板接觸 部所引起的相互擴(kuò)散的影響。并且，能夠在不將P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的基板接觸部的N型雜質(zhì)層與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū) 域之間的距離，設(shè)定為大于N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的 P型雜質(zhì)層與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域之間的距離的情況 下，獲得上述效果。即，由于不僅能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中 充分縮小基板接觸部，而且能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮 小基板接觸部，因此即使是例如在邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時， 也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域。本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體裝置，為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，包括N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域，夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接地形成在半導(dǎo)體 基板上；上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的上述第一基板接觸部，形成 在上述半導(dǎo)體基板上的從上述第一活性區(qū)域來看位于上述第二活性區(qū)域的 相反一側(cè)；上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，形成在 上述半導(dǎo)體基板上的從上述第二活性區(qū)域來看位于上述第一活性區(qū)域的相 反一側(cè)；N型柵極電極，形成在上述第一活性區(qū)域上，被注入了 N型雜質(zhì)； P型雜質(zhì)層，形成在上述第一基板接觸部，被注人了P型雜質(zhì)；P型柵極 電極，形成在上述第二活性區(qū)域上，被注入了 P型雜質(zhì)；以及N型雜質(zhì)層， 形成在上述第二基板接觸部，被注人了 N型雜質(zhì)。上述P型柵極電極中的 從上述第二活性區(qū)域向上述第二基板接觸部方向突出的長度，短于上述N 型柵極電極中的從上述第一活性區(qū)域向上述第一基板接觸部方向突出的長 度。根據(jù)本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置，P型柵極電極的突出部分的長度短于 N型柵極電極的突出部分的長度。因此，能夠使P型柵極電極的突出部分 與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的N型雜質(zhì)層之間的距離大 于N型柵極電極的突出部分與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸 部的P型雜質(zhì)層之間的距離。從而，能夠在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的基板接觸部的N型雜質(zhì)層時，減少向P型柵極電極的突出部分注入 的N型雜質(zhì)量。從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板 接觸部所引起的相互擴(kuò)散的影響。并且，能夠在不將P型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的基板接觸部的N型雜質(zhì)層與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活 性區(qū)域之間的距離，設(shè)定為大于N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸 部的P型雜質(zhì)層與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域之間的距離的 情況下，獲得上述效果。即，由于不僅能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體
管中充分縮小基板接觸部，而且能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充 分縮小基板接觸部，因此即使是例如在邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制 時，也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域。在本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置中，也可以將上述第二基板接觸部與上述第二活性區(qū)域之間的距離，設(shè)定為與上述第一基板接觸部與上述第一活性 區(qū)域之間的距離相等。本發(fā)明所涉及的第三半導(dǎo)體裝置，為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，包括N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域，夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接地形成在半導(dǎo)體 基板上；上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部，形成在上 述半導(dǎo)體基板上的從上述第一活性區(qū)域來看位于上述第二活性區(qū)域的相反一側(cè)；上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，形成在上述 半導(dǎo)體基板上的從上述第二活性區(qū)域來看位于上述第一活性區(qū)域的相反一 側(cè)；N型柵極電極，形成在上述第一活性區(qū)域上，被注入了N型雜質(zhì)；P 型雜質(zhì)層，形成在上述第一基板接觸部，被注人了P型雜質(zhì)；P型柵極電 極，形成在上述第二活性區(qū)域上，被注入了P型雜質(zhì)；以及N型雜質(zhì)層， 形成在上述第二基板接觸部，被注入了N型雜質(zhì)。上述第二基板接觸部中 的與上述P型柵極電極對著的部分的雜質(zhì)濃度低于其它部分的雜質(zhì)濃度。 根據(jù)本發(fā)明的第三半導(dǎo)體裝置，P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板 接觸部中的與P型柵極電極對著的部分的雜質(zhì)濃度低于其它部分的雜質(zhì)濃 度。即，在本發(fā)明的第三半導(dǎo)體裝置中，也可以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部中與P型柵極電極對著的部分注入N型雜質(zhì)。這樣一 來，能夠在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的N型雜質(zhì)層 時，防止向P型柵極電極的突出部分注入N型雜質(zhì)。從而，能夠在P型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散的影響。 并且，由于沒有N型雜質(zhì)被注人P型柵極電極的突出部分的現(xiàn)象，因此 不僅能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮小基板接觸部，而且能 夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮小基板接觸部，即使是例如在 邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時，也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū) 域。
在制造本發(fā)明的第三半導(dǎo)體裝置時，也可以在將N型雜質(zhì)注入上述第二基板接觸部的步驟中，使用覆蓋上述第二基板接觸部中的與上述p型柵 極電極對著的部分的掩膜。在本發(fā)明的第三半導(dǎo)體裝置中，也可以使上述第一基板接觸部中的與上述N型柵極電極對著的部分的雜質(zhì)濃度低于其它部分的雜質(zhì)濃度。此 時，也可以在向上述第二基板接觸部注人N型雜質(zhì)的步驟中，使用覆蓋上 述第二基板接觸部中的與上述P型柵極電極對著的部分的掩膜，在向上述 第一基板接觸部注入P型雜質(zhì)的步驟中，使用覆蓋上述第一基板接觸部中 的與上述N型柵極電極對著的部分的掩膜。本發(fā)明所涉及的第四半導(dǎo)體裝置，具有雙柵極結(jié)構(gòu)，包括N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第 二活性區(qū)域，夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接地形成在半導(dǎo)體基板上；上述N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部，形成在上述半導(dǎo)體基板上 的從上述第一活性區(qū)域來看位于上述第二活性區(qū)域的相反一側(cè)；上述P型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，形成在上述半導(dǎo)體基板上的 從上述第二活性區(qū)域來看位于上述第一活性區(qū)域的相反一側(cè)；N型柵極電 極，形成在上述第一活性區(qū)域上，被注人了N型雜質(zhì)；P型雜質(zhì)層，形成 在上述第一基板接觸部，被注入了P型雜質(zhì)；P型柵極電極，形成在上述 第二活性區(qū)域上，被注人了P型雜質(zhì)；以及N型雜質(zhì)層，形成在上述第二 基板接觸部，被注入了 N型雜質(zhì)。在上述P型柵極電極中的從上述第二活 性區(qū)域向上述第二基板接觸部方向突出的部分上形成有保護(hù)膜，在上述P 型柵極電極中的位于上述第二活性區(qū)域上的部分上沒有形成上述保護(hù)膜。根據(jù)本發(fā)明的第四半導(dǎo)體裝置，在P型柵極電極的突出部分上形成有 保護(hù)膜。這樣一來，在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的 N型雜質(zhì)層時，N型雜質(zhì)不被注入P型柵極電極的突出部分。因此，能夠 在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散的 影響。并且，由于N型雜質(zhì)不被注入P型柵極電極的突出部分，因此不 僅能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮小基板接觸部，而且能夠 在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮小基板接觸部，即使是例如在邏 輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時，也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域。2說明書第9/38頁在本發(fā)明的第四半導(dǎo)體裝置中，也可以在上述N型柵極電極中的從上述第 一 活性區(qū)域向上述第 一 基板接觸部方向突出的部分上也形成有上述保護(hù)膜。此時，也可以在上述P型柵極電極及上述N型柵極電極各自的側(cè)壁 形成有側(cè)壁隔離，該側(cè)壁隔離與上述保護(hù)膜由同一絕緣膜構(gòu)成。本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括步驟a，在半導(dǎo) 體基板上形成夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域、從上 述第一活性區(qū)域來看位于上述第二活性區(qū)域的相反一側(cè)的上述N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部及從上述第二活性區(qū)域來看位于上 述第一活性區(qū)域的相反一側(cè)的上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基 板接觸部；步驟b，在上述第一活性區(qū)域上形成N型柵極電極，且在上述 第二活性區(qū)域上形成P型柵極電極；步驟c，在上述P型柵極電極中的從 上述第二活性區(qū)域向上述第二基板接觸部方向突出的部分上形成保護(hù)膜； 步驟d，在上述步驟c之后，將P型雜質(zhì)注入上述第二活性區(qū)域及上述第 一基板接觸部，在上述第二活性區(qū)域形成上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的P型源極/漏極區(qū)域，且在上述第一基板接觸部形成P型雜質(zhì)層；以 及步驟e，在上述步驟c之后，將N型雜質(zhì)注入上述第一活性區(qū)域及上述 第二基板接觸部，在上述第一活性區(qū)域形成上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的N型源極/漏極區(qū)域，且在上述第二基板接觸部形成N型雜質(zhì)層。艮P，本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置的制造方法為制造上述本發(fā)明的第四半 導(dǎo)體裝置用的方法。根據(jù)本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置的制造方法，在向P型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部注入N型雜質(zhì)之前，在上述P型柵 極電極的突出部分上形成保護(hù)膜。這樣一來，在向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部注人N型雜質(zhì)時，N型雜質(zhì)不會被注人P型柵極電 極的突出部分。因此，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板 接觸部所引起的相互擴(kuò)散的影響。并且，由于N型雜質(zhì)不會被注入P型 柵極電極的突出部分，因此不僅能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充 分縮小基板接觸部，而且能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮小 基板接觸部，即使是例如在邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時，也能夠 充分確保各晶體管的活性區(qū)域。
在本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述步驟C也可以包括在 上述N型柵極電極中的從上述第一活性區(qū)域向上述第一基板接觸部方向 突出的部分上也形成上述保護(hù)膜的步驟。此時，上述工序C也可以包括 在包含上述N型柵極電極上及上述P型柵極電極上的上述半導(dǎo)體基板上形 成絕緣膜的步驟;使用覆蓋位于上述N型柵極電極及上述P型柵極電極各 自的上述突出部分上的上述絕緣膜的掩膜，對上述絕緣膜進(jìn)行回蝕，來在上述N型柵極電極及上述P型柵極電極各自的側(cè)壁形成側(cè)壁隔離，且在上 述N型柵極電極及上述P型柵極電極各自的上述突出部分上形成上述保護(hù) 膜的步驟；以及除去上述掩膜的步驟。(發(fā)明的效果)如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在考慮到由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散的情況下，來分別設(shè)定N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的設(shè)計規(guī)則和p型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部的設(shè)計規(guī)則，形成各基板 接觸部。這樣一來，由于能夠在標(biāo)準(zhǔn)單元等中防止由基板接觸部所引起的 相互擴(kuò)散，充分地縮小基板接觸部的設(shè)計，因此能夠最大限度地確保各晶 體管的活性區(qū)域。附圖的簡單說明圖l(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置 的平面圖，圖l(b)為圖l(a)中的I一I線的剖面圖。圖2(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置 的制造方法的一工序的平面圖，圖2(b)為圖2(a)的ll一ll線的剖面圖。圖3(a) 圖3(c)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及 的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖4(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體 裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖4(b)為圖4(a)的1V—1V線的剖面 圖。圖5(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體 裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖5(b)為圖5(a)的V—V線的剖面圖。 圖6(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體
裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖6(b)為圖6(a)的V1—V1線的剖面 圖。圖7(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體 裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖7(b)為圖7(a)的V11—V11線的剖面 圖。圖8(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面 圖，圖8(b)為圖8(a)中的Vlll—Vlll線的剖面圖。圖9(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面 圖，圖9(b)為圖9(a)中的lX—lX線的剖面圖。圖lO(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平 面圖，

圖10(b)為圖10(a)中的XA—XA線的剖面圖，圖lO(c)為圖10(a) 中的XB—XB線的剖面圖。圖ll(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平 面圖，圖ll(b)為圖ll(a)中的X!A-X1A線的剖面圖，圖ll(c)為圖ll(a) 中的X1B—X1B線的剖面圖，圖ll(d)為圖ll(a)中的X1C—X1C線的剖面 圖。圖12(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第六實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平 面圖，圖12(b)為圖12(a)中的Xll—Xll線的剖面圖。圖13(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo) 體裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖13(b)為圖13(a)的X111—Xlll線 的剖面圖。圖14(a) 圖14(c)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉 及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖15(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo) 體裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖15(b)為圖15(a)的XV—XV線 的剖面圖。圖16(a) 圖16(c)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉 及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖17(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo) 體裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖17(b)為圖17(a)的XV11—XVU 線的剖面圖。圖18(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo) 體裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖18(b)為圖18(a)的XV111—XV111 線的剖面圖。圖19(a)為表示具有雙柵極結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo) 體裝置的制造方法的一工序的平面圖，圖19(b)為圖19(a)的XlX—X1X線 的剖面圖。圖20(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖20(b)為圖 20(a)中的XX—XX線的剖面圖。圖21(a)表示本案發(fā)明者針對導(dǎo)通電流相對于N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管中的P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域與活性區(qū)域之間的距離的依存性進(jìn)行了調(diào)查 的結(jié)果，圖21(b)表示本案發(fā)明者針對導(dǎo)通電流相對于P型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管中的N型雜質(zhì)注人區(qū)域與活性區(qū)域之間的距離的依存性進(jìn)行 了調(diào)査的結(jié)果。(符號的說明)20、 90—柵極電極形成用導(dǎo)電膜；20A、 90A—N型柵極電極層；20B、 90B—P型柵極電極層；83、 93—保護(hù)膜；92—掩膜；93A—絕緣膜；101、 201、 301、 401、 601、 701、 801、 901 —半導(dǎo)體基板；101a、 201a、 301a、 401a、 601a、 701a、 801a、 901a_N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性 區(qū)域；101b、 201b、 301b、 401b、 601b、 701b、 801b、 901b—P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域；102、 202、 302、 402、 602、 702、 802、 902—元件隔離區(qū)域；103、 203、 303、 403、 603、 703、 803、 903 —N型柵極電極；103a、 203a、 303a、 403a、 603a、 703a、 803a、 903a —N型雜質(zhì)層；103b、 203b、 303b、 403b、 603b、 703b—P型雜質(zhì)層； 104、 204、 304、 404、 604、 704、 804、 904—P型柵極電極；104a、 204a、 304a、楊a、 604a、 704a、 804a、 904a—P型雜質(zhì)層；104b、 204b、 304b、 404b、 604b—N型雜質(zhì)層；105、 205、 305、 405、 605、 705、 805、 905 —側(cè)壁隔離；106、 206、 306、 406、 606、 706、 806、 906—P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部；106a、 206a、 306a、 406a、 606a、 706a、 806a、 906a—N型基板接角蟲區(qū)域；107、 207、 307、 407、 607、 707、 807、 907—N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部； 107a、 207a、 307a、 407a、 607a、 707a、 807a、 907a—P型基板接觸 區(qū)域；108、 208、 308、 408、 608、 708、 808、 908—接觸區(qū)域；210、 211、 910、 911—抗蝕劑圖案；Al、 Cl、 El、 Gl、 II、 K1一P型雜質(zhì)注 入掩膜開口區(qū)域與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域之間的距離； A2、 C2、 E2、 G2、 12、 K2—P型雜質(zhì)注入掩膜寬度；A3、 C3、 E3、 G3、 13、 K3 —P型雜質(zhì)注入掩膜開口區(qū)域；A4、 C4、 E4、 G4、 14、 K4 — N 型柵極電極的突出量；A5、 C5、 E5、 G6、 16、 K5 —從N型金屬絕緣體 半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域到基板接觸部的距離；Bl、 Dl、 Fl、 Hl、 Jl、 L1一N型雜質(zhì)注入掩膜開口區(qū)域與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性 區(qū)域之間的距離；B2、 D2、 F2、 H2、 J2、 L2 —N型雜質(zhì)注人掩膜寬度； B3、 D3、 F3、 H3、 J3、 L3 —N型雜質(zhì)注入掩膜開口區(qū)域；B4、 D4、 F4、 H4、 J4、 L4 —P型柵極電極的突出量；B5、 D5、 F5、 H6、 J6、 L5 —從 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域到基板接觸部的距離；H5、 J5 一P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部中的與P型柵極電極對著的 部分；15 — N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部中的與N型柵極電極對著的部分。
具體實(shí)施方式
(第一實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說明。圖l(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖Kb) 為圖1(a)中的I—I線的剖面圖。如圖l(a)及圖l(b)所示，在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板101上設(shè)置有夾著 元件隔離區(qū)域102相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 101a和P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b。并且，在半導(dǎo)體 基板101上的、從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101a來看與 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b相反的一側(cè)設(shè)置有N型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部107，在半導(dǎo)體基板101上的、從P
型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b來看與N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域101a相反的一側(cè)設(shè)置有P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部106。另外，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 101a與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部107之間、及P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部106之間分別設(shè)置有元件隔離區(qū)域102。如圖l(a)及圖l(b)所示，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 101a上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注入了 N型雜質(zhì)的N型柵 極電極103，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b上，隔著 柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注入了 P型雜質(zhì)的P型柵極電極104。 N 型柵極電極103與P型柵極電極104在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域101a與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b之間的 元件隔離區(qū)域102上連接著。在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸 部106及N型柵極電極103各自的表面部形成有N型雜質(zhì)層(N型基板接 觸區(qū)域)106a及N型雜質(zhì)層103a。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基 板接觸部107及P型柵極電極104各自的表面部形成有P型雜質(zhì)層(P型 基板接觸區(qū)域)107a及P型雜質(zhì)層104a。如圖l(a)及圖l(b)所示，在N型柵極電極103及P型柵極電極104 各自的側(cè)壁形成有絕緣性側(cè)壁隔離105。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的活性區(qū)域101a、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b、 P型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部106及N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部107各自上設(shè)置有與上層布線等連接的接觸區(qū)域(接觸柱 塞(contact plug)) 108。在圖l(a)及圖l(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，將N型柵極電極 103中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101a向N型金屬絕 緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部107方向突出的突出量A4，設(shè)定為與P 型柵極電極104中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b向 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部106方向突出的突出量B4相 等。并且，在制造圖l(a)及圖l(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，將用
以將P型雜質(zhì)注入到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部107中 的掩膜開口區(qū)域A3的寬度(P型雜質(zhì)注入掩膜寬度)A2，設(shè)定為與用以將 N型雜質(zhì)注人到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部106中的掩膜 開口區(qū)域B3的寬度(N型雜質(zhì)注入掩膜寬度)B2相等。而且，在制造圖l(a)及圖l(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，與用 以向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部107注人P型雜質(zhì)的掩 膜開口區(qū)域A3與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101a之間的 距離Al相比，將用以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部106 注人N型雜質(zhì)的掩膜開口區(qū)域B3與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性 區(qū)域101b之間的距離Bl設(shè)定得較大。換句話說，與N型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101a到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸 部107(P型雜質(zhì)層107a)的距離A5相比，將P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的活性區(qū)域101b到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部106(N 型雜質(zhì)層106a)的距離B5設(shè)定得較大。根據(jù)上述本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，能夠在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部106的N型雜質(zhì)層106a時，減少向P型柵極電極104中 的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域101b朝著P型金屬絕緣體 半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部106方向突出的部分(以下，稱為P型柵極電 極104的突出部分)注人的N型雜質(zhì)量。即，能夠使在形成P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部106的N型雜質(zhì)層106a時在P型柵極電極 104的突出部分的表面部形成的N型雜質(zhì)層104b的寬度，小于在形成N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部107的P型雜質(zhì)層107a時在N 型柵極電極103的突出部分的表面部形成的P型雜質(zhì)層103b的寬度。從 而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板接觸部106所引起 的相互擴(kuò)散的影響。另一方面，由于能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 中縮小基板接觸部107的P型雜質(zhì)層107a與活性區(qū)域101a之間的距離 (A5)，換句話說，由于能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮小基 板接觸部107，因此即使是例如在邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時， 也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域10la及101b。圖21(a)表示導(dǎo)通電流對于N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管(MOS(meta1—oxide semiconductor)型)中的掩膜開口區(qū)域(P型雜質(zhì)注入 區(qū)域)A3與活性區(qū)域101a之間的距離Al的依存性，圖21(b)表示導(dǎo)通電 流對于P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管(MOS型)中的掩膜開口區(qū)域(N型雜 質(zhì)注入?yún)^(qū)域)B3與活性區(qū)域101b之間的距離Bl的依存性。如圖21(a)所示，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中，幾乎看不到由 基板接觸部106所引起的相互擴(kuò)散的影響。另一方面，如圖21(b)所示， 在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中，由基板接觸部107所引起的相互擴(kuò)散 的影響，在N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域B3接近于活性區(qū)域101b即P型柵極電極 104時變大，在N型雜質(zhì)注人區(qū)域B3與活性區(qū)域101b之間的距離Bl 為35nm左右時導(dǎo)通電流劣化了 2%左右。由該基板接觸部所引起的相互 擴(kuò)散而造成晶體管能力劣化的現(xiàn)象是隨著細(xì)微化發(fā)展而出現(xiàn)的新問題，如 上所述，根據(jù)本實(shí)施例，由于能夠?qū)型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域B3與活性區(qū)域101b 之間的距離B1設(shè)定得較大，因此能夠克服該問題。以下，對本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法加以說 明。圖2(a)、圖4(a)、圖5(a)、圖6(a)及圖7(a)為表示本實(shí)施例的半導(dǎo)體 裝置的制造方法的各工序的平面圖，圖2(b)、圖3(a) 圖3(c)、圖4(b)、 圖5(b)、圖6(b)及圖7(b)為表示本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工 序的剖面圖。另夕卜，圖2(b)為圖2(a)的11—ll線的剖面圖，圖4(b)為圖4(a) 的1V—1V線的剖面圖，圖5(b)為圖5(a)的V—V線的剖面圖，圖6(b)為 圖6(a)的VI—Vl線的剖面圖，圖7(b)為圖7(a)的V11—V11線的剖面圖。首先，如圖2(a)及圖2(b)所示，在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板201上，夾 著元件隔離區(qū)域202相互鄰接地形成N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性 區(qū)域201a和P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b。并且，在半 導(dǎo)體基板201上的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a來看 位于P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b的相反一側(cè)形成N型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部207，在半導(dǎo)體基板201上的從P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b來看位于N型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a的相反一側(cè)形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部206。這里，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 201a與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部207之間、以及P型
金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部206之間也分別形成元件隔離區(qū)域202。其次，如圖3(a)所示，在半導(dǎo)體基板201上隔著柵極絕緣膜(省略圖 示)形成柵極電極形成用導(dǎo)電膜20。接著，如圖3(b)所示，以加速能量為 6KeV、摻雜質(zhì)量為6.0X10is個/cm2、 TILT角度為0度的條件，向柵 極電極形成用導(dǎo)電膜20中的位于N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管區(qū)域的部 分注人N型雜質(zhì)，例如注入磷離子，來形成N型柵極電極層20A。然后， 如圖3(c)所示，以加速能量為2KeV、摻雜質(zhì)量為2.0X 10"個/ cm2、TILT 角度為0度的條件，向柵極電極形成用導(dǎo)電膜20中的位于P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管區(qū)域的部分注人p型雜質(zhì)，例如注人硼離子，來形成P型柵極電極層20B。其次，如圖4(a)及圖4(b)所示，利用蝕刻分別將N型柵極電極層20A 及P型柵極電極層20B圖案化，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性 區(qū)域20la上形成被注入了 N型雜質(zhì)的N型柵極電極203，在P型金屬絕 緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b上形成被注入了 P型雜質(zhì)的P型柵極 電極204。此時，N型柵極電極203和P型柵極電極204是在N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域201b之間的元件隔離區(qū)域202上連接而成的。并且，將N型柵 極電極203中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a朝著N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部207方向突出的突出量A4，設(shè) 定為與P型柵極電極204中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 201b朝著P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部206方向突出的突 出量B4相等。其次，以加速能量為3KeV、摻雜質(zhì)量為1.5X10is個/cm2、 TILT 角度為0度的條件，向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a及 基板接觸部207注入例如砷離子，形成N型延伸區(qū)域(省略圖示)。其次， 以加速能量為10KeV、摻雜質(zhì)量為8.0X10"個/cm2、 TILT角度為25 度的條件，利用4旋轉(zhuǎn)法(從相互正交的4個方向依次進(jìn)行注人，以下相同) 向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a及基板接觸部207注入 例如硼離子，形成P型袋(pocket)區(qū)域(省略圖示)。 其次，以加速能量為0.5KeV、摻雜質(zhì)量為3.0X10i4個/cm2、 TILT 角度為0度的條件，向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b及 基板接觸部206注入例如硼離子，形成P型延伸區(qū)域(省略圖示)。接著， 以加速能量為30KeV、摻雜質(zhì)量為7.0X10^個/cm2、 TILT角度為25 度的條件，利用4旋轉(zhuǎn)法向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b 及基板接觸部206注人例如磷離子，形成N型袋區(qū)域(省略圖示)。然后，如圖5(b)所示，通過低壓化學(xué)汽相沉積(LPCVD: Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法在整個半導(dǎo)體基板201上形成氮化硅膜之 后，例如，利用回蝕法對該氮化硅膜進(jìn)行蝕刻，在各柵極電極203及204 各自的側(cè)壁形成側(cè)壁隔離205。接著，如圖5(a)及圖5(b)所示，以在P型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b上及N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的基板接觸部207上具有開口區(qū)域(P型雜質(zhì)注人區(qū)域)A3的抗蝕劑圖 案210為掩膜，以加速能量為2KeV、摻雜質(zhì)量為4.0X 10is個/ cm2、TILT 角度為7度的條件向半導(dǎo)體基板201注入例如硼離子。來在P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b形成P型源極/漏極區(qū)域(省略圖示)， 在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部207形成P型雜質(zhì)層(P型 基板接觸區(qū)域)207a。那時，在被注入了P型雜質(zhì)的P型柵極電極204的 表面部形成P型雜質(zhì)層204a,在被注入了 N型雜質(zhì)的N型柵極電極203 的突出部分的表面部形成P型雜質(zhì)層203b。并且，在本實(shí)施例中，將N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部207上的P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域A3 的寬度設(shè)為A2，將N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a與該P(yáng) 型雜質(zhì)注人區(qū)域A3之間的距離設(shè)為A1。其次，在除去抗蝕劑圖案210之后，如圖6(a)及圖6(b)所示，以在N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a上及P型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部206上具有開口區(qū)域(N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域)B3的抗蝕劑 圖案211為掩膜，以加速能量為20KeV、摻雜質(zhì)量為4.0X10is個/cm2、 TILT角度為0度的條件向半導(dǎo)體基板201注入例如砷離子，接著，以加 速能量為10KeV、摻雜質(zhì)量為1.0X10is個/cm2、 TILT角度為7度的條 件向半導(dǎo)體基板201注人例如磷離子。來在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的活性區(qū)域201a形成N型源極/漏極區(qū)域(省略圖示)，在P型金屬絕緣
體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部206形成N型雜質(zhì)層(N型基板接觸區(qū) 域)206a。那時，在被注人了 N型雜質(zhì)的N型柵極電極203的表面部形成 N型雜質(zhì)層203a，在被注人了 P型雜質(zhì)的P型柵極電極204的突出部分 的表面部形成N型雜質(zhì)層204b。并且，在本實(shí)施例中，將P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部206上的N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域B3的寬度設(shè)為 B2，將P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b與該N型雜質(zhì)注入 區(qū)域B3之間的距離設(shè)為B1。而且，在本實(shí)施例中，將P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域 A3的寬度A2與N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域B3的寬度B2設(shè)為相等，將N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a與P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域A3之間的距 離Al(參照圖5)設(shè)為小于P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b 與N型雜質(zhì)注人區(qū)域B3之間的距離B1。換句話說，與N型金屬絕緣體 半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接 觸部207(P型雜質(zhì)層207a)的距離A5(兩者之間的元件隔離區(qū)域202的寬 度)相比，將P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b到P型金屬絕 緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部206(N型雜質(zhì)層206a)的距離B5(兩者之 間的元件隔離區(qū)域202的寬度)設(shè)定得較大(參照圖7(a))。其次，在除去抗蝕劑圖案211之后，如圖7(a)及圖7(b)所示，在N型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的活性區(qū)域201b、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部206及N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部207各自上形成與上層布線等連 接的接觸區(qū)域(接觸柱塞)208。根據(jù)上述本實(shí)施例的方法，將向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板 接觸部206注入N型雜質(zhì)用的N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域B3、與P型金屬絕緣體 半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201b之間的距離Bl,設(shè)定得大于向N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部207注入P型雜質(zhì)用的P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū) 域A3、與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域201a之間的距離Al。 這樣一來，在向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部206注入N 型雜質(zhì)時，能夠減少被注人P型柵極電極204的突出部分的N型雜質(zhì)量。 即，能夠使在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部206的N 型雜質(zhì)層206a時形成在P型柵極電極204的突出部分的表面部的N型雜
質(zhì)層204b,小于在形成N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部207 的P型雜質(zhì)層207a時形成在N型柵極電極203的突出部分的表面部的P 型雜質(zhì)層203b。從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基 板接觸部206所引起的相互擴(kuò)散的影響。另一方面，由于能夠在N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管中縮小P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域A3與活性區(qū)域201a之間 的距離Al,換句話說，由于能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分 縮小基板接觸部207，因此即使是在例如邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限 制時，也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域201a及201b。 (第二實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說明。圖8(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖8(b) 為圖8(a)中的Vlll—Vm線的剖面圖。如圖8(a)及圖8(b)所示，在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板301上設(shè)置有夾著 元件隔離區(qū)域302相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 301a和P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b。并且，在半導(dǎo)體 基板301上的、從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301a來看與 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b相反的一側(cè)設(shè)置有N型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部307,在半導(dǎo)體基板301上的、從P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b來看與N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域301a相反的一側(cè)設(shè)置有P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部306。另外，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 301a與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部307之間、及P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部306之間分別設(shè)置有元件隔離區(qū)域302。并且，如圖8(a)及圖8(b)所示，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活 性區(qū)域301a上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注人了 N型雜質(zhì)的 N型柵極電極303，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b上， 隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注人了 P型雜質(zhì)的P型柵極電極304。 N型柵極電極303和P型柵極電極304在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的活性區(qū)域301a與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b之間 的元件隔離區(qū)域302上連接著。在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接 觸部306及N型柵極電極303各自的表面部形成有N型雜質(zhì)層(N型基板 接觸區(qū)域)306a及N型雜質(zhì)層303a。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 基板接觸部307及P型柵極電極304各自的表面部形成有P型雜質(zhì)層(P 型基板接觸區(qū)域)307a及P型雜質(zhì)層304a。而且，如圖8(a)及圖8(b)所示，在N型柵極電極303及P型柵極電 極304各自的側(cè)壁形成有絕緣性側(cè)壁隔離305。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的活性區(qū)域301a、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部306及N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部307各自上設(shè)置有與上層布線等連接的接觸區(qū)域 308。在圖8(a)及圖8(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，將N型柵極電極 303中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301a向N型金屬絕 緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部307方向突出的突出量C4，設(shè)定為與P 型柵極電極304中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b向 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部306方向突出的突出量D4相 等。并且，在制造圖8(a)及圖8(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，與用 以將P型雜質(zhì)注入到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部307中 的掩膜開口區(qū)域C3的寬度(P型雜質(zhì)注入掩膜寬度)C2相比，將用以將N 型雜質(zhì)注入到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部306中的掩膜開 口區(qū)域D3的寬度(N型雜質(zhì)注人掩膜寬度)D2設(shè)定得較小。而且，在制造圖8(a)及圖8(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，與用 以向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部307注入P型雜質(zhì)的掩 膜開口區(qū)域C3、與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301a之間 的距離CI相比，將用以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部306 注入N型雜質(zhì)的掩膜開口區(qū)域D3、與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活 性區(qū)域301b之間的距離Dl設(shè)定得較大。另外，在本實(shí)施例中，由于將N 型雜質(zhì)注人掩膜寬度D2設(shè)定得小于P型雜質(zhì)注入掩膜寬度C2，因此與N
型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301a到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的基板接觸部307(P型雜質(zhì)層307a)的距離C5相比，不必將P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部306(N型雜質(zhì)層306a)的距離D5設(shè)定得較大。根據(jù)本實(shí)施例，將用以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 306注入N型雜質(zhì)的N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域D3、與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的活性區(qū)域301b之間的距離Dl，設(shè)定為大于用以向N型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部307注入P型雜質(zhì)的P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域C3、 與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301a之間的距離Cl。這樣 一來，在向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部306注入N型雜 質(zhì)時，能夠減少被注人P型柵極電極304的突出部分的N型雜質(zhì)量。艮口， 能夠使在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部306的N型雜 質(zhì)層306a時形成在P型柵極電極304的突出部分的表面部的N型雜質(zhì)層 304b的寬度，小于在形成N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部307 的P型雜質(zhì)層307a時形成在N型柵極電極303的突出部分的表面部的P 型雜質(zhì)層303b的寬度。從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消 除由基板接觸部306所引起的相互擴(kuò)散的影響。另一方面，根據(jù)本實(shí)施例，能夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中縮 小P型雜質(zhì)注人區(qū)域C3與活性區(qū)域301a之間的距離Cl。換句話說，能 夠在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中充分縮小基板接觸部307。并且，在 本實(shí)施例中，由于將N型雜質(zhì)注人掩膜寬度D2設(shè)定為小于P型雜質(zhì)注入 掩膜寬度C2，因此不必使P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 306(N型雜質(zhì)層306a)與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域301b 之間的距離(兩者之間的元件隔離區(qū)域302的寬度)，大于N型金屬絕緣體 半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部307(P型雜質(zhì)層307a)與N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域301a之間的距離倆者之間的元件隔離區(qū)域302的寬 度)。這樣一來，由于不僅能夠充分縮小N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 基板接觸部307，還能夠充分縮小P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接 觸部306，因此即使是在例如邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時，也能 夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域301a及301b。(第三實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說明。圖9(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖9(b) 為圖9(a)中的lX—lX線的剖面圖。如圖9(a)及圖9(b)所示，在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板401上設(shè)置有夾著 元件隔離區(qū)域402相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 401a和P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b。并且，在半導(dǎo)體 基板401上的、從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401a來看與 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b相反的一側(cè)設(shè)置有N型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部407，在半導(dǎo)體基板401上的、從P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b來看與N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域401a相反的一側(cè)設(shè)置有P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部406。另外，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 401a與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部407之間、及P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部406之間分別設(shè)置有元件隔離區(qū)域402。并且，如圖9(a)及圖9(b)所示，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活 性區(qū)域401a上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注人了 N型雜質(zhì)的 N型柵極電極403，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b上， 隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注人了 P型雜質(zhì)的P型柵極電極404。 N型柵極電極403和P型柵極電極404在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的活性區(qū)域401a與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b之間 的元件隔離區(qū)域402上連接著。在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接 觸部406及N型柵極電極403各自的表面部形成有N型雜質(zhì)層(N型基板 接觸區(qū)域)406a及N型雜質(zhì)層403a。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 基板接觸部407及P型柵極電極404各自的表面部形成有P型雜質(zhì)層(P 型基板接觸區(qū)域)407a及P型雜質(zhì)層404a。而且，如圖9(a)及圖9(b)所示，在N型柵極電極403及P型柵極電 極404各自的側(cè)壁形成有絕緣性側(cè)壁隔離405。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的活性區(qū)域401a、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406及N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部407各自上設(shè)置有與上層布線等連接的接觸區(qū)域(接 觸柱塞)408。在圖9(a)及圖9(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，與N型柵極電極 403中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401a朝著N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部407方向突出的突出量E4相比，將P 型柵極電極404中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b朝 著P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406方向突出的突出量F4 設(shè)定得較短。并且，在制造圖9(a)及圖9(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，將用 以將P型雜質(zhì)注入到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部407中 的掩膜開口區(qū)域E3的寬度(P型雜質(zhì)注入掩膜寬度)E2，設(shè)定為與用以將 N型雜質(zhì)注入到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406中的掩膜 開口區(qū)域F3的寬度(N型雜質(zhì)注人掩膜寬度)F2相等。但也可以將N型雜 質(zhì)注入掩膜寬度F2設(shè)定為小于P型雜質(zhì)注入掩膜寬度E2。而且，在制造圖9(a)及圖9(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，將用 以向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部407注入P型雜質(zhì)的掩 膜開口區(qū)域E3與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401a之間的 距離El ，設(shè)定為和用以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 406注入N型雜質(zhì)的掩膜開口區(qū)域F3與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域401b之間的距離Fl相等。換句話說，將N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域401a到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 407(P型雜質(zhì)層407a)的距離E5，設(shè)定為與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的活性區(qū)域401b到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406(N型 雜質(zhì)層406a)的距離F5相等。但也可以將距離Fl即距離F5設(shè)定得大于 距離El即距離E5。根據(jù)本實(shí)施例，P型柵極電極404的突出部分的長度短于N型柵極電 極403的突出部分的長度。這樣一來，能夠使P型柵極電極404的突出 部分與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406(N型雜質(zhì)層406a)
之間的距離，大于N型柵極電極403的突出部分與N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的基板接觸部407(P型雜質(zhì)層407a)之間的距離。從而，在形成 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406的N型雜質(zhì)層406a時， 能夠減少被注人P型柵極電極404的突出部分的N型雜質(zhì)量。即，能夠 使在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406的N型雜質(zhì)層 406a時形成在P型柵極電極404的突出部分的表面部的N型雜質(zhì)層 404b，小于在形成N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部407的P 型雜質(zhì)層407a時形成在N型柵極電極403的突出部分的表面部的P型雜 質(zhì)層403b。因此，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板接 觸部406所引起的相互擴(kuò)散的影響。并且，根據(jù)本實(shí)施例，由于使P型柵極電極404的突出部分的長度短 于N型柵極電極403的突出部分的長度，因此能夠在不使P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406(N型雜質(zhì)層406a)與P型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域401b之間的距離F5，大于N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的基板接觸部407(P型雜質(zhì)層407a)與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的活性區(qū)域401a之間的距離E5的情況下,獲得上述效果。這樣一來， 由于不僅能夠充分縮小N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部407， 還能夠充分縮小P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部406,因此即 使是在例如邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時，也能夠充分確保各晶體 管的活性區(qū)域401a及401b。(第四實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說明。圖10(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖 10(b)為圖10(a)中的XA—XA線的剖面圖，圖10(c)為圖10(a)中的XB — XB線的剖面圖。另外，在圖10(c)中，省略了接觸區(qū)域的圖示。如圖10(a) 圖10(c)所示，在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板601上設(shè)置有夾 著元件隔離區(qū)域602相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 601a和P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601b。并且，在半導(dǎo)體 基板601上的、從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601a來看與 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601b相反的一側(cè)設(shè)置有N型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部607，在半導(dǎo)體基板601上的、從P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601b來看與N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域601a相反的一側(cè)設(shè)置有P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部606。另外，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 601a與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部607之間、及P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601b與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部606之間分別設(shè)置有元件隔離區(qū)域602。并且，如圖10(a) 圖10(c)所示，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域601a上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注人了 N型雜質(zhì) 的N型柵極電極603，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601b 上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注人了 P型雜質(zhì)的P型柵極電極 604。 N型柵極電極603與P型柵極電極604在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的活性區(qū)域601a與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601b 之間的元件隔離區(qū)域602上連接著。在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基 板接觸部606及N型柵極電極603各自的表面部形成有N型雜質(zhì)層(N型 基板接觸區(qū)域)606a及N型雜質(zhì)層603a。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部607及P型柵極電極604各自的表面部形成有P型雜質(zhì) 層(P型基板接觸區(qū)域)607a及P型雜質(zhì)層604a。另外，在本實(shí)施例中，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 606中的與P型柵極電極604對著的部分(圖10(a)的區(qū)域H5)，或者沒有 形成N型基板接觸區(qū)域606a，或者形成有比在基板接觸部606的其它部 分形成的N型基板接觸區(qū)域606a濃度低的N型雜質(zhì)層。而且，如圖10(a) 圖10(c)所示，在N型柵極電極603及P型柵極 電極604各自的側(cè)壁形成有絕緣性側(cè)壁隔離605。在N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域601a、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 601b、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部606及N型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部607各自上設(shè)置有與上層布線等連接的接觸 區(qū)域(接觸柱塞)608。在圖10(a) 圖lO(c)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，將N型柵極電
極603中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601a朝著N型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部607方向突出的突出量G4,設(shè)定 為與P型柵極電極604中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 601b朝著P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部606方向突出的突 出量H4相等。并且，在制造圖10(a) 圖10(c)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時， 將用以將P型雜質(zhì)注入到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部607 中的掩膜開口區(qū)域G3的寬度(P型雜質(zhì)注入掩膜寬度)G2，設(shè)定為與用以 將N型雜質(zhì)注人到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部606中的 掩膜開口區(qū)域H3的寬度(N型雜質(zhì)注入掩膜寬度)H2相等。但能夠任意設(shè) 定P型雜質(zhì)注人掩膜寬度G2與N型雜質(zhì)注入掩膜寬度H2的大小關(guān)系。而且，在本實(shí)施例中，在P型柵極電極604的突出部分、及基板接觸 部606中的與P型柵極電極604對著的部分(圖10(a)的區(qū)域H5)沒有設(shè)置 用以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部606中注人N型雜質(zhì) 的掩膜開口區(qū)域H3。換句話說，在向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基 板接觸部606注人N型雜質(zhì)的工序中使用覆蓋上述各部分的掩膜。另外， 掩膜開口區(qū)域H3可以是在該各部分上具有凹陷的形狀(參照圖10(a))，或 者也可以是在該各部分上被分割開。這樣一來，能夠防止N型雜質(zhì)被注入 P型柵極電極604的突出部分。并且，向基板接觸部606中的與P型柵極 電極604對著的部分以外的其它部分注入的N型雜質(zhì)可以通過雜質(zhì)注人之 后的熱處理而擴(kuò)散到基板接觸部606中的與P型柵極電極604對著的部 分中。在制造圖10(a) 圖10(c)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，將用以向 N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部607注人P型雜質(zhì)的掩膜開口 區(qū)域G3與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域601a之間的距離 Gl ，設(shè)定為和用以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部606注 入N型雜質(zhì)的掩膜開口區(qū)域H3與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū) 域601b之間的距離Hl相等。換句話說，將N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的活性區(qū)域601a到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部607(P 型雜質(zhì)層607a)的距離G6，設(shè)定為與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活
性區(qū)域601b到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部606(N型雜質(zhì) 層606a)的距離H6相等。但能夠任意設(shè)定距離Gl(即，距離G6)與距離 Hl(即，距離H6)的大小關(guān)系。根據(jù)本實(shí)施例，P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部606中的 與P型柵極電極604對著的部分的雜質(zhì)濃度低于其它部分的雜質(zhì)濃度。即， 在本實(shí)施例中，也可以不向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 606中的與P型柵極電極604對著的部分中注入N型雜質(zhì)。這樣一來， 能夠在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部606的N型雜質(zhì) 層606a時，防止N型雜質(zhì)被注人P型柵極電極604的突出部分的現(xiàn)象。 從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板接觸部606所引 起的相互擴(kuò)散的影響。并且，由于沒有向P型柵極電極604的突出部分注 入相反極性的雜質(zhì)的現(xiàn)象，因此不僅能夠充分縮小N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部607，而且能夠充分縮小P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部606，即使是在例如邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時， 也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域。(第五實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第五實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說明。圖ll(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖 ll(b)為圖ll(a)中的X1A—X1A線的剖面圖，圖ll(c)為圖ll(a)中的X1B —X1B線的剖面圖，圖ll(d)為圖U(a)中的XlC—X1C線的剖面圖。另夕卜， 在圖ll(c)及圖ll(d)中，省略了接觸區(qū)域的圖示。如圖11(a) 圖ll(d)所示，在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板701上設(shè)置有夾 著元件隔離區(qū)域702相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 701a和P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701b。并且，在半導(dǎo)體 基板701上的、從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701a來看與 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701b相反的一側(cè)設(shè)置有N型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707，在半導(dǎo)體基板701上的、從P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701b來看與N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域701a相反的一側(cè)設(shè)置有P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體
管的基板接觸部706。另外，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 701a與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707之間、及P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701b與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部706之間分別設(shè)置有元件隔離區(qū)域702。并且，如圖11(a) 圖ll(d)所示，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域701a上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注入了 N型雜質(zhì) 的N型柵極電極703，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701b 上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注人了 P型雜質(zhì)的P型柵極電極 704。 N型柵極電極703和P型柵極電極704在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的活性區(qū)域701a與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701b 之間的元件隔離區(qū)域702上連接著。在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基 板接觸部706及N型柵極電極703各自的表面部形成有N型雜質(zhì)層(N型 基板接觸區(qū)域)706a及N型雜質(zhì)層703a。在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部707及P型柵極電極704各自的表面部形成有P型雜質(zhì) 層(P型基板接觸區(qū)域)707a及P型雜質(zhì)層704a。另外，在本實(shí)施例中，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 706中的與P型柵極電極704對著的部分(圖ll(a)的區(qū)域J5)，或者沒有 形成N型基板接觸區(qū)域706a，或者形成有比在基板接觸部706的其它部 分形成的N型基板接觸區(qū)域706a的濃度低的N型雜質(zhì)層。并且，在本實(shí)施例中，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 707中的與N型柵極電極703對著的部分(圖ll(a)的區(qū)域15)，或者沒有 形成P型基板接觸區(qū)域707a，或者形成有比在基板接觸部707的其它部 分形成的P型基板接觸區(qū)域707a的濃度低的P型雜質(zhì)層。而且，如圖11(a) 圖ll(d)所示，在N型柵極電極703及P型柵極 電極704各自的側(cè)壁形成有絕緣性側(cè)壁隔離705。在N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域701a、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 701b、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部706及N型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707各自上設(shè)置有與上層布線等連接的接觸 區(qū)域708。在圖11(a) 圖ll(d)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，將N型柵極電
極703中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701a朝著N型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707方向突出的突出量14，設(shè)定為 與P型柵極電極704中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 701b朝著P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部706方向突出的突 出量J4相等。并且，在制造圖11(a) 圖ll(d)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時， 將用以將P型雜質(zhì)注入到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707 中的掩膜開口區(qū)域I3的寬度(P型雜質(zhì)注人掩膜寬度)12，設(shè)定為與用以將 N型雜質(zhì)注入到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部706中的掩膜 開口區(qū)域J3的寬度(N型雜質(zhì)注人掩膜寬度)J2相等。但能夠任意設(shè)定P 型雜質(zhì)注入掩膜寬度12與N型雜質(zhì)注入掩膜寬度J2的大小關(guān)系。而且，在本實(shí)施例中，在N型柵極電極703的突出部分、以及基板接 觸部707中的與N型柵極電極703對著的部分(圖ll(a)的區(qū)域15)沒有設(shè) 置用以向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707中注人P型雜 質(zhì)的掩膜開口區(qū)域13。換句話說，在向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 基板接觸部707注入P型雜質(zhì)的工序中使用覆蓋上述各部分的掩膜。另外， 掩膜開口區(qū)域I3可以是在該各部分上具有凹陷的形狀(參照圖ll(a))，或 者也可以是在該各部分上被分割開。這樣一來，能夠防止P型雜質(zhì)被注入 N型柵極電極703的突出部分中的現(xiàn)象。并且，向基板接觸部707中的與 N型柵極電極703對著的部分以外的其它部分注人的P型雜質(zhì)可以通過雜 質(zhì)注入之后的熱處理而擴(kuò)散到基板接觸部707中的與N型柵極電極703 對著的部分中。并且，在本實(shí)施例中，在P型柵極電極704的突出部分、以及基板接 觸部706中的與P型柵極電極704對著的部分(圖ll(a)的區(qū)域J5)沒有設(shè) 置用以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部706中注入N型雜 質(zhì)的掩膜開口區(qū)域J3。換句話說，在向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 基板接觸部706注人N型雜質(zhì)的工序中使用覆蓋上述各部分的掩膜。另外， 掩膜開口區(qū)域J3可以是在該各部分上具有凹陷的形狀(參照圖ll(a))，或 者也可以是在該各部分上被分割開。這樣一來，能夠防止N型雜質(zhì)被注入 P型柵極電極704的突出部分中的現(xiàn)象。并且，向基板接觸部706中的與 P型柵極電極704對著的部分以外的其它部分注入的N型雜質(zhì)可以通過雜 質(zhì)注人之后的熱處理而擴(kuò)散到基板接觸部706的與P型柵極電極704對 著的部分中。在制造圖11(a) 圖ll(d)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，將用以向 N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707注入P型雜質(zhì)的掩膜開口 區(qū)域13與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域701a之間的距離II ， 設(shè)定為和用以向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部706注入N 型雜質(zhì)的掩膜開口區(qū)域J3與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 701b之間的距離Jl相等。換句話說，將N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域701a到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707(P型雜 質(zhì)層707a)的距離16，設(shè)定為與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 701b到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部706(N型雜質(zhì)層706a) 的距離J6相等。但能夠任意設(shè)定距離I1(即，距離I6)與距離Jl(即，距離 J6)的大小關(guān)系。根據(jù)本實(shí)施例，P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部706中的 與P型柵極電極704對著的部分的雜質(zhì)濃度低于其它部分的雜質(zhì)濃度。即， 在本實(shí)施例中，也可以不向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 706中的與P型柵極電極704對著的部分注人N型雜質(zhì)。這樣一來，能 夠在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部706的N型雜質(zhì)層 706a時，防止N型雜質(zhì)被注人P型柵極電極704的突出部分的現(xiàn)象。從 而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板接觸部706所引起 的相互擴(kuò)散的影響。并且，在本實(shí)施例中，也可以不向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基 板接觸部707中的與N型柵極電極703對著的部分注入P型雜質(zhì)。這樣 一來，能夠在形成N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707的P 型雜質(zhì)層707a時，防止P型雜質(zhì)被注入N型柵極電極703的突出部分的 現(xiàn)象。即，在本實(shí)施例中，沒有向N型柵極電極703及P型柵極電極704 中注入相反極性的雜質(zhì)的現(xiàn)象。因此，不僅能夠充分縮小N型金屬絕緣體 半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部707，而且能夠充分縮小P型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的基板接觸部706,因此即使是在例如邏輯單元中對單元高度進(jìn)
行了限制時，也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域。 (第六實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說明。圖12(a)為具有雙柵極結(jié)構(gòu)的第六實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖 12(b)為圖12(a)中的Xll—Xll線的剖面圖。如圖12(a)及圖12(b)所示，在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板801上設(shè)置有夾 著元件隔離區(qū)域802相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 801a和P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801b。并且，在半導(dǎo)體 基板801上的、從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801a來看與 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801b相反的一側(cè)設(shè)置有N型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部807，在半導(dǎo)體基板801上的、從P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801b來看與N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域801a相反的一側(cè)設(shè)置有P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部806。另外，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 801a與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部807之間、及P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801b與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的基板接觸部806之間分別設(shè)置有元件隔離區(qū)域802。并且，如圖12(a)及圖12(b)所示，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域801a上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注入了 N型雜質(zhì) 的N型柵極電極803，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801b 上，隔著柵極絕緣膜(省略圖示)形成有被注入了 P型雜質(zhì)的P型柵極電極 804。 N型柵極電極803與P型柵極電極804在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的活性區(qū)域801a與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801b 之間的元件隔離區(qū)域802上連接著。在本實(shí)施例中，在N型柵極電極803中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的活性區(qū)域801a朝著N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 807方向突出的部分上，形成有例如為形成側(cè)壁隔離而形成的由氮化硅膜 構(gòu)成的保護(hù)膜83。同樣，在P型柵極電極804中的從P型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801b朝著P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接
觸部806方向突出的部分上也形成有保護(hù)膜83。并且，如圖12(a)及圖12(b)所示，在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 基板接觸部806的表面部形成有N型雜質(zhì)層(N型基板接觸區(qū)域)806a，在 N型柵極電極803中的沒有被保護(hù)膜83覆蓋的部分的表面部形成有N型 雜質(zhì)層803a。并且，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部807 的表面部形成有P型雜質(zhì)層(P型基板接觸區(qū)域)807a ，在P型柵極電極804 中的沒有被保護(hù)膜83覆蓋的部分的表面部形成有P型雜質(zhì)層804a。而且，如圖12(a)及圖12(b)所示，在N型柵極電極803及P型柵極 電極804各自的側(cè)壁形成有絕緣性側(cè)壁隔離805。在N型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域801a、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 801b、 P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部806及N型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部807各自上設(shè)置有與上層布線等連接的接觸 區(qū)域808。在圖12(a)及圖12(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，將N型柵極電 極803中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801a朝著N型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部807方向突出的突出量K4，設(shè)定 為與P型柵極電極804中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域 801b朝著P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部806方向突出的突 出量L4相等。并且，在制造圖12(a)及圖12(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時， 能夠分別任意設(shè)定用以將P型雜質(zhì)注入到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 基板接觸部807中的掩膜開口區(qū)域K3的寬度(P型雜質(zhì)注入掩膜寬度)K2、 和用以將N型雜質(zhì)注人到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部806 中的掩膜開口區(qū)域L3的寬度(N型雜質(zhì)注人掩膜寬度)L2。并且，在制造圖12(a)及圖12(b)所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置時，能 夠分別任意設(shè)定用以將P型雜質(zhì)注人N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板 接觸部807的掩膜開口區(qū)域K3與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū) 域801a之間的距離Kl、和用以將N型雜質(zhì)注入P型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部806的掩膜開口區(qū)域L3與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的活性區(qū)域801b之間的距離Ll。即，能夠分別任意設(shè)定N型金屬
絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域801a到N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 基板接觸部S07(P型雜質(zhì)層807a)的距離K5、和從P型金屬絕緣體半導(dǎo) 體晶體管的活性區(qū)域801b到P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 806(N型雜質(zhì)層806a)的距離L5。根據(jù)本實(shí)施例，在P型柵極電極804的突出部分上形成有保護(hù)膜83。 這樣一來，在形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部806的N 型雜質(zhì)層806a時，N型雜質(zhì)不會被注入P型柵極電極804的突出部分。 從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板接觸部806所引 起的相互擴(kuò)散的影響。并且，在本實(shí)施例中，在N型柵極電極803的突出部分上形成有保護(hù) 膜83。這樣一來，在形成N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部807 的P型雜質(zhì)層807a時，P型雜質(zhì)不會被注入N型柵極電極803的突出部 分。即，在本實(shí)施例中，沒有向N型柵極電極803及P型柵極電極804 注入相反極性的雜質(zhì)的現(xiàn)象。從而，不僅能夠充分縮小N型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的基板接觸部807，而且能夠充分縮小P型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部806，因此即使是在例如邏輯單元中對單元高度進(jìn)行 了限制時，也能夠充分確保各晶體管的活性區(qū)域。以下，對本發(fā)明的第六實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法加以說 明。圖13(a)、圖15(a)、圖17(a)、圖18(a)及圖19(a)為表示本實(shí)施例的 半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的平面圖，圖13(b)、圖14(a) 圖14(c)、 圖15(b)、圖16(a) 圖16(c)、圖17(b)、圖18(b)及圖19(b)為表示本實(shí)施 例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。另外，圖13(b)為圖13(a) 的X111—Xlll線的剖面圖，圖15(b)為圖15(a)的XV—XV線的剖面圖，圖 17(b)為圖17(a)的XVll — XVll線的剖面圖，圖18(b)為圖18(a)的XVU1 —XV111線的剖面圖，圖19(b)為圖19(a)的XIX—X1X線的剖面圖。首先，如圖13(a)及圖13(b)所示，在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板901上， 夾著元件隔離區(qū)域902相互鄰接地形成N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活 性區(qū)域901a和P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b。并且，在 半導(dǎo)體基板901上的、從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a 來看位于P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b的相反一側(cè)形成體管的基板接觸部907，在半導(dǎo)體基板901上的、 從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b來看位于N型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a的相反一側(cè)形成P型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的基板接觸部906。這里，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性 區(qū)域901a與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部907之間、及P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶 體管的基板接觸部906之間也分別形成元件隔離區(qū)域902。其次，如圖14(a)所示，在半導(dǎo)體基板901上隔著柵極絕緣膜(省略圖 示)形成柵極電極形成用導(dǎo)電膜90。接著，如圖14(b)所示，以加速能量為 6KeV、摻雜質(zhì)量為6.0X10is個/cm2、 TILT角度為0度的條件，向柵 極電極形成用導(dǎo)電膜90中的位于N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管區(qū)域的部 分注入N型雜質(zhì)，例如注入磷離子，來形成N型柵極電極層90A。接著， 如圖14(c)所示，以加速能量為2KeV、摻雜質(zhì)量為2.0X10is個/cm2、 TILT角度為0度的條件，向柵極電極形成用導(dǎo)電膜90中的位于P型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管區(qū)域的部分注人P型雜質(zhì)，例如注入硼離子，來形成 P型柵極電極層90B。其次，如圖15(a)及圖15(b)所示，利用蝕刻分別將N型柵極電極層 90A及P型柵極電極層90B圖案化，在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域901a上形成被注入了 N型雜質(zhì)的N型柵極電極903，在P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b上形成被注入了 P型雜質(zhì)的P型 柵極電極904。此時，N型柵極電極903與P型柵極電極904是在N型 金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的活性區(qū)域901b之間的元件隔離區(qū)域902上連接形成的。并且，將N 型柵極電極903中的從N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a朝 著N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部907方向突出的突出量K4， 設(shè)定為與P型柵極電極904中的從P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū) 域901b朝著P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部906方向突出的 突出量L4相等。其次，以加速能量為3KeV、摻雜質(zhì)量為1.5X 1015個/cm2、 TILT 角度為0度的條件，向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a及
基板接觸部907注入例如砷離子，形成N型延伸區(qū)域(省略圖示)。其次， 以加速能量為10KeV、摻雜質(zhì)量為8.0X10iz個/cm2、 TILT角度為25 度的條件，利用4旋轉(zhuǎn)法向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a 及基板接觸部907注入例如硼離子，形成P型袋區(qū)域(省略圖示)。其次，以加速能量為0.5KeV、摻雜質(zhì)量為3.0X10"個/cm2、 TILT 角度為0度的條件，向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b及 基板接觸部906注人例如硼離子，形成P型延伸區(qū)域(省略圖示)。其次， 以加速能量為30KeV、摻雜質(zhì)量為7.0X10^個/cm2、 TILT角度為25 度的條件，利用4旋轉(zhuǎn)法向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b 及基板接觸部906注人例如磷離子，形成N型袋區(qū)域(省略圖示)。其次，如圖16(a)所示，在包含N型柵極電極903上及P型柵極電極 904上的半導(dǎo)體基板901上形成例如由氮化硅膜構(gòu)成的絕緣膜93A。其次， 如圖16(b)所示，形成覆蓋位于N型柵極電極903及P型柵極電極904各 自的突出部分(參照圖15(a))上的絕緣膜93A的掩膜92。其次，利用掩膜 92對絕緣膜93A進(jìn)行回蝕，如圖16(c)所示，在N型柵極電極903及P 型柵極電極904各自的側(cè)壁形成由絕緣膜93A構(gòu)成的側(cè)壁隔離905，并且， 在N型柵極電極903及P型柵極電極904各自的突出部分上形成由絕緣 膜93A構(gòu)成的保護(hù)膜93。然后，除去掩膜92。其次，如圖17(a)及圖17(b)所示，以在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管 的活性區(qū)域901b上及N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部907上 具有開口區(qū)域(P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域)K3的抗蝕劑圖案910為掩膜，以加速能 量為2KeV、摻雜質(zhì)量為4.0X10is個/cm2、 TILT角度為7度的條件， 向半導(dǎo)體基板901注入例如硼離子。來在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的 活性區(qū)域901b形成P型源極/漏極區(qū)域(省略圖示)，在N型金屬絕緣體 半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部907形成P型雜質(zhì)層(P型基板接觸區(qū) 域)907a。那時，在被注入了P型雜質(zhì)的P型柵極電極904的表面部中的 沒有被保護(hù)膜93覆蓋的部分形成P型雜質(zhì)層904a。并且，在本實(shí)施例中， 由于被注入了 N型雜質(zhì)的N型柵極電極903的突出部分的表面部被保護(hù) 膜93覆蓋，因此沒有P型雜質(zhì)被注入N型柵極電極903的突出部分的現(xiàn) 象。另外，在本實(shí)施例中，能夠分別將N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基 板接觸部907上的P型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域K3的寬度K2、以及N型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a與該P(yáng)型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域K3之間的距離 Kl(也就是，N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a到N型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部907(P型雜質(zhì)層907a)的距離K5)設(shè)定 為任意值。其次，在除去了抗蝕劑圖案910之后，如圖18(a)及圖18(b)所示，以 在N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a上及P型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的基板接觸部906上具有開口區(qū)域(N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域)L3的抗 蝕劑圖案911為掩膜，以加速能量為20KeV、摻雜質(zhì)量為4.0X10is個/ cm2、 TILT角度為0度的條件，向半導(dǎo)體基板901注入例如砷離子，接 著，以加速能量為10KeV、摻雜質(zhì)量為1.0X10is個/cm2、 TILT角度為 7度的條件，向半導(dǎo)體基板901注人例如磷離子。來在N型金屬絕緣體半 導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a形成N型源極/漏極區(qū)域(省略圖示)，在P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部906形成N型雜質(zhì)層(N型基板 接觸區(qū)域)906a。那時，在被注入了 N型雜質(zhì)的N型柵極電極903的表面 部中的沒有被保護(hù)膜93覆蓋的部分形成N型雜質(zhì)層903a。并且，在本實(shí) 施例中，由于被注人了 P型雜質(zhì)的P型柵極電極904的突出部分的表面部 被保護(hù)膜93覆蓋，因此沒有N型雜質(zhì)被注入P型柵極電極904的突出部 分的現(xiàn)象。另外，在本實(shí)施例中，能夠分別將P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的基板接觸部906上的N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域L3的寬度L2、以及P型金 屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b與該N型雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域L3之間 的距離Ll(也就是，P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901b到P 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部906(N型雜質(zhì)層906a)的距離 L5)設(shè)定為任意值。其次，在除去抗蝕劑圖案911之后，如圖19(a)及圖19(b)所示，在N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域901a、P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的活性區(qū)域901b、P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部906及N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部907各自上形成與上層布線等連 接的接觸區(qū)域(接觸柱塞)908。根據(jù)上述本實(shí)施例的方法，在P型柵極電極904的突出部分上形成保
護(hù)膜93。這樣一來，在向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部906 注入N型雜質(zhì)時，N型雜質(zhì)不會被注人P型柵極電極904的突出部分中。 從而，能夠在P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管中消除由基板接觸部906所引 起的相互擴(kuò)散的影響。并且，在N型柵極電極903的突出部分上形成保護(hù)膜93。這樣一來， 在向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部907注入P型雜質(zhì)時，P 型雜質(zhì)不會被注入N型柵極電極903的突出部分中。即，在本實(shí)施例中， 沒有相反極性的雜質(zhì)被注入N型柵極電極903及P型柵極電極904的現(xiàn) 象。從而，由于不僅能夠充分縮小N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接 觸部907，而且能夠充分縮小P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部 906，因此即使是在例如邏輯單元中對單元高度進(jìn)行了限制時，也能夠充 分確保各晶體管的活性區(qū)域。另外，在本實(shí)施例中，可以不在N型柵極電極的突出部分上設(shè)置保護(hù)膜。并且，在本實(shí)施例中，也可以在向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基 板接觸部注入N型雜質(zhì)之后，再除去P型柵極電極的突出部分上的保護(hù)膜。 并且，也可以在向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部注入P型雜 質(zhì)之后，再除去N型柵極電極的突出部分上的保護(hù)膜。并且，在本實(shí)施例中，在P型柵極電極及N型柵極電極各自的突出部 分上利用側(cè)壁隔離形成用的絕緣膜形成了保護(hù)膜，不用說對保護(hù)膜形成方 法并沒有特別限定。另外，權(quán)利要求的范圍所表示的本發(fā)明并不限定于在上述各實(shí)施例中 所述的形態(tài)。(工業(yè)上的利用可能性)本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，當(dāng)將其使用于具有雙柵極結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體裝置時，能夠獲得防止產(chǎn)生由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散，最 大限度確保各晶體管的活性區(qū)域那樣的效果，非常有用。
權(quán)利要求
1、 一種半導(dǎo)體裝置，具有雙柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于包括N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域，夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接地形成在半導(dǎo)體基板上，上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部，形成在上述半 導(dǎo)體基板上的從上述第一活性區(qū)域來看與上述第二活性區(qū)域相反的一側(cè)，上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，形成在上述半 導(dǎo)體基板上的從上述第二活性區(qū)域來看與上述第一活性區(qū)域相反的一側(cè)， N型柵極電極，形成在上述第一活性區(qū)域上，被注人了N型雜質(zhì)， P型雜質(zhì)層，形成在上述第一基板接觸部，被注入了P型雜質(zhì)， P型柵極電極，形成在上述第二活性區(qū)域上，被注人了P型雜質(zhì)，以及N型雜質(zhì)層，形成在上述第二基板接觸部，被注入了N型雜質(zhì)； 上述第二基板接觸部與上述第二活性區(qū)域之間的距離大于上述第一基 板接觸部與上述第一活性區(qū)域之間的距離。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述N型柵極電極中的從上述第一活性區(qū)域朝著上述第一基板接觸 部方向突出的長度，被設(shè)定為與上述P型柵極電極中的從上述第二活性區(qū) 域朝著上述第二基板接觸部方向突出的長度相等。
3、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括步驟a，在半導(dǎo)體基板上形成夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接的N 型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的第二活性區(qū)域、位于從上述第一活性區(qū)域來看與上述第二活性區(qū)域相 反的一側(cè)的上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部及位于 從上述第二活性區(qū)域來看與上述第一活性區(qū)域相反的一側(cè)的上述P型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，步驟b，在上述第一活性區(qū)域上形成N型柵極電極，且在上述第二活 性區(qū)域上形成P型柵極電極，步驟C，在上述步驟b之后，將P型雜質(zhì)注入上述第二活性區(qū)域及上 述第一基板接觸部，在上述第二活性區(qū)域形成上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的P型源極/漏極區(qū)域，且在上述第一基板接觸部形成P型雜質(zhì)層， 以及步驟d，在上述步驟b之后，將N型雜質(zhì)注入上述第一活性區(qū)域及上述第二基板接觸部，在上述第一活性區(qū)域形成上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的N型源極/漏極區(qū)域，且在上述第二基板接觸部形成N型雜質(zhì) 層；將在上述步驟d中向上述第二基板接觸部注入N型雜質(zhì)用的掩膜開口 區(qū)域與上述第二活性區(qū)域之間的距離，設(shè)定為大于在上述步驟c中向上述 第一基板接觸部注入P型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域與上述第一活性區(qū)域之間 的距離。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 在上述步驟a中，上述第二基板接觸部與上述第二活性區(qū)域之間的距離大于上述第一基板接觸部與上述第一活性區(qū)域之間的距離。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 將在上述步驟d中向上述第二基板接觸部注入N型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域的寬度，設(shè)定為小于在上述步驟c中向上述第一基板接觸部注入P型 雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域的寬度。
6、 一種半導(dǎo)體裝置，具有雙柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于包括N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域，夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接地形成在半導(dǎo)體基板上，上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部，形成在上述半 導(dǎo)體基板上的從上述第一活性區(qū)域來看與上述第二活性區(qū)域相反的一側(cè)，上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，形成在上述半 導(dǎo)體基板上的從上述第二活性區(qū)域來看與上述第一活性區(qū)域相反的一側(cè)，N型柵極電極，形成在上述第一活性區(qū)域上，被注入了N型雜質(zhì)，P型雜質(zhì)層，形成在上述第一基板接觸部，被注入了P型雜質(zhì)， P型柵極電極，形成在上述第二活性區(qū)域上，被注入了P型雜質(zhì)，以及N型雜質(zhì)層，形成在上述第二基板接觸部，被注入了N型雜質(zhì)； 上述P型柵極電極中的從上述第二活性區(qū)域朝著上述第二基板接觸部方向突出的長度，短于上述N型柵極電極中的從上述第一活性區(qū)域朝著上述第一基板接觸部方向突出的長度。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述第二基板接觸部與上述第二活性區(qū)域之間的距離，被設(shè)定為和上述第一基板接觸部與上述第一活性區(qū)域之間的距離相等。
8、 一種半導(dǎo)體裝置，具有雙柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于包括N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域，夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接地形成在半導(dǎo)體基板上，上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部，形成在上述半 導(dǎo)體基板上的從上述第一活性區(qū)域來看與上述第二活性區(qū)域相反的一側(cè)，上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，形成在上述半 導(dǎo)體基板上的從上述第二活性區(qū)域來看與上述第 一 活性區(qū)域相反的 一 側(cè)， N型柵極電極，形成在上述第一活性區(qū)域上，被注入了N型雜質(zhì)， P型雜質(zhì)層，形成在上述第一基板接觸部，被注入了P型雜質(zhì)， P型柵極電極，形成在上述第二活性區(qū)域上，被注入了P型雜質(zhì)，以及N型雜質(zhì)層，形成在上述第二基板接觸部，被注人了N型雜質(zhì)； 上述第二基板接觸部中的與上述P型柵極電極對著的部分的雜質(zhì)濃度 低于其它部分的雜質(zhì)濃度。
9、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，制造權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置， 其特征在于在將N型雜質(zhì)注人上述第二基板接觸部的步驟中，使用覆蓋上述第二 基板接觸部中的與上述P型柵極電極對著的部分的掩膜。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于.-上述第一基板接觸部中的與上述N型柵極電極對著的部分的雜質(zhì)濃 度低于其它部分的雜質(zhì)濃度。
11、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，制造權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝 置，其特征在于在將N型雜質(zhì)注人上述第二基板接觸部的步驟中，使用覆蓋上述第二 基板接觸部中的與上述P型柵極電極對著的部分的掩膜，在將P型雜質(zhì)注入上述第一基板接觸部的步驟中，使用覆蓋上述第一 基板接觸部中的與上述N型柵極電極對著的部分的掩膜。
12、 一種半導(dǎo)體裝置，具有雙柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于包括N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及P型金屬絕緣 體半導(dǎo)體晶體管的第二活性區(qū)域，夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接地形成在半導(dǎo)體基板上，上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部，形成在上述半 導(dǎo)體基板上的從上述第一活性區(qū)域來看與上述第二活性區(qū)域相反的一側(cè)，上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，形成在上述半 導(dǎo)體基板上的從上述第二活性區(qū)域來看與上述第一活性區(qū)域相反的一側(cè)， N型柵極電極，形成在上述第一活性區(qū)域上，被注入了N型雜質(zhì)， P型雜質(zhì)層，形成在上述第一基板接觸部，被注入了P型雜質(zhì)， P型柵極電極，形成在上述第二活性區(qū)域上，被注人了P型雜質(zhì)，以及N型雜質(zhì)層，形成在上述第二基板接觸部，被注人了N型雜質(zhì)； 在上述P型柵極電極中的從上述第二活性區(qū)域朝著上述第二基板接觸部方向突出的部分上形成有保護(hù)膜，在上述P型柵極電極中的位于上述第二活性區(qū)域上的部分中沒有形成上述保護(hù)膜。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在上述N型柵極電極中的從上述第一活性區(qū)域朝著上述第一基板接 觸部方向突出的部分上也形成有上述保護(hù)膜。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在上述P型柵極電極及上述N型柵極電極各自的側(cè)壁形成有側(cè)壁隔 離，該側(cè)壁隔離與上述保護(hù)膜由同一絕緣膜構(gòu)成。
15、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 包括步驟a，在半導(dǎo)體基板上形成夾著元件隔離區(qū)域相互鄰接的N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一活性區(qū)域及p型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體 管的第二活性區(qū)域、位于從上述第一活性區(qū)域來看與上述第二活性區(qū)域相反的一側(cè)的上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第一基板接觸部及位于 從上述第二活性區(qū)域來看與上述第一活性區(qū)域相反的一側(cè)的上述P型金屬 絕緣體半導(dǎo)體晶體管的第二基板接觸部，步驟b，在上述第一活性區(qū)域上形成N型柵極電極，且在上述第二活 性區(qū)域上形成P型柵極電極，步驟c,在上述P型柵極電極中的從上述第二活性區(qū)域朝著上述第二 基板接觸部方向突出的部分上形成保護(hù)膜，步驟d，在上述步驟c之后，將P型雜質(zhì)注入上述第二活性區(qū)域及上 述第一基板接觸部，在上述第二活性區(qū)域形成上述P型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的P型源極/漏極區(qū)域，且在上述第一基板接觸部形成P型雜質(zhì)層， 以及步驟e，在上述步驟c之后，將N型雜質(zhì)注入上述第一活性區(qū)域及上 述第二基板接觸部，在上述第一活性區(qū)域形成上述N型金屬絕緣體半導(dǎo)體 晶體管的N型源極/漏極區(qū)域，且在上述第二基板接觸部形成N型雜質(zhì) 層。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 上述步驟c包括在上述N型柵極電極中的從上述第一活性區(qū)域朝著上述第一基板接觸部方向突出的部分上也形成上述保護(hù)膜的步驟。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 上述步驟c，包括在包含上述N型柵極電極上及上述P型柵極電極上的上述半導(dǎo)體基板之上形成絕緣膜的步驟，利用覆蓋位于上述N型柵極電極及上述P型柵極電極各自的上述突出 部分之上的上述絕緣膜的掩膜，對上述絕緣膜進(jìn)行回蝕，來在上述N型柵 極電極及上述P型柵極電極各自的側(cè)壁形成側(cè)壁隔離，且在上述N型柵極 電極及上述P型柵極電極各自的上述突出部分上形成上述保護(hù)膜的步驟， 以及除去上述掩膜的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了半導(dǎo)體裝置及其制造方法。目的在于防止產(chǎn)生由基板接觸部所引起的相互擴(kuò)散，縮小基板接觸部的設(shè)計，充分確保晶體管的活性區(qū)域。將向P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部(106)注入N型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域(B3)與P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域(101b)之間的距離(B1)，設(shè)定為大于向N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的基板接觸部(107)注入P型雜質(zhì)用的掩膜開口區(qū)域(A3)與N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的活性區(qū)域(101a)之間的距離(A1)。
文檔編號H01L21/8238GK101123254SQ20071011184
公開日2008年2月13日 申請日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日
發(fā)明者粉谷直樹 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社