專利名稱：使用納米顆粒的頂柵薄膜晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造使用納米顆粒的薄膜晶體管的方法以及通過(guò)該方法制造的薄膜晶體管。更具體而言，本發(fā)明涉及在柔性襯底上使用納米顆粒形成的頂柵薄膜晶體管及其制造方法，其中在襯底上沉積親水性緩沖層，以促進(jìn)納米顆粒膜的形成，并且利用燒結(jié)的納米顆粒作為薄膜晶體管的溝道層，還利用高介電常數(shù)的介電材料作為柵極層，以在柵極介電層上形成頂柵電極(top gate electrode)，由此能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓運(yùn)行和低溫制造。
背景技術(shù)：
通常，目前用于包括液晶顯示器(LCD)的平板顯示器中的場(chǎng)效應(yīng)薄膜晶體管是通過(guò)利用非晶硅(a-Si:H)或多晶硅作為溝道層以及利用氧化硅或氮化硅作為柵極介電層來(lái)制造的。
近年來(lái)，已經(jīng)對(duì)使用有機(jī)材料例如并五苯或六噻吩制造薄膜晶體管進(jìn)行了大量的研究，以期能夠?qū)崿F(xiàn)低溫處理和低成本制造。但是，這種有機(jī)薄膜晶體管在遷移率、物理和化學(xué)穩(wěn)定性等方面具有內(nèi)在的缺陷。此外，難于將有機(jī)薄膜晶體管直接應(yīng)用于目前為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體所研究的工藝中。
為了克服這些困難，B.A.Ridley，B.Nivi和J.M.Jacobson在MIT于1999年使用CdSe納米顆粒來(lái)制造薄膜晶體管(參見(jiàn)Science，vol.286，p.746)。
在該研究中，已經(jīng)制造了具有約1cm2/Vsec的場(chǎng)效應(yīng)遷移率和104或更大的開(kāi)/關(guān)電流比的代表性晶體管，從而提出具有由納米顆粒組成的溝道的薄膜晶體管的可能性。在2005年，D.V.Talapin和C.B.Murray在IBM也制造出具有由PbSe納米顆粒組成的溝道的薄膜晶體管(參見(jiàn)Science，vol.310，p.86)。
在該研究中，在納米顆粒膜上對(duì)肼進(jìn)行化學(xué)處理，以改善膜的導(dǎo)電性。此外，通過(guò)熱處理制造n-或p-溝道晶體管。當(dāng)以這種方式使用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米顆粒時(shí)，可以獲得如有機(jī)薄膜晶體管中的溶液態(tài)的工藝優(yōu)點(diǎn)，并且還可以解決與有機(jī)材料有關(guān)的基本問(wèn)題。
但是，迄今為止使用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米顆粒研制的晶體管，包括大多數(shù)有機(jī)薄膜晶體管，是背柵晶體管，其使用SiO2即氧化硅襯底作為柵極介電層。因此，需要幾十伏或更高的柵極電壓來(lái)使晶體管運(yùn)行。

發(fā)明內(nèi)容
構(gòu)思本發(fā)明以解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問(wèn)題。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供具有在柔性襯底上形成的由納米顆粒膜組成的溝道的頂柵薄膜晶體管及其制造方法，其中在柔性襯底上沉積親水性緩沖層，以促進(jìn)納米顆粒膜的形成，使用燒結(jié)的納米顆粒作為溝道層并在納米顆粒膜上形成柵極介電層，由此能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓運(yùn)行和低溫制造。
為了實(shí)現(xiàn)該目的，根據(jù)本發(fā)明，提供一種制造使用納米顆粒的薄膜晶體管的方法，包括以下步驟在襯底上形成納米顆粒膜并燒結(jié)該膜；在納米顆粒膜上形成源和漏電極；在其上形成有源和漏電極的納米顆粒膜上沉積介電材料以形成柵極介電層；和在柵極介電層上形成頂柵電極。
本發(fā)明的方法還包括使用親水性材料在襯底和納米顆粒膜之間沉積緩沖層的步驟。
優(yōu)選的是，襯底選自硅襯底、玻璃襯底和柔性襯底。
優(yōu)選的是，柔性襯底是塑料襯底，并且塑料襯底是PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二酸乙二醇酯Polyethyle Napthalate)、PC(聚碳酸酯)和PES(聚醚砜)中的一種。
緩沖層可以由親水性無(wú)機(jī)材料或親水性有機(jī)材料形成。優(yōu)選的是，親水性無(wú)機(jī)材料選自Al2O3、HfO2、Ta2O5、La2O3和SiO2。
親水性無(wú)機(jī)材料可以利用原子層沉積(ALD)法或?yàn)R射法或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法來(lái)形成。
優(yōu)選的是，有機(jī)材料選自AIDCN、聚苯胺、Cd-AA(花生酸鹽)、PVP、PVA和PEDOT。此外，可以通過(guò)使用O3作為反應(yīng)氣體的紫外處理或使用O2作為反應(yīng)氣體的等離子體處理來(lái)使有機(jī)材料的表面親水化。
有機(jī)材料可以通過(guò)旋涂法、噴涂法、Langmuir-Blodgett法和印刷法中的任意一種來(lái)沉積。
優(yōu)選的是，緩沖層具有2～20nm的厚度。
優(yōu)選的是，緩沖層在100～150℃的溫度下沉積在襯底上。
形成納米顆粒膜的步驟包括以下步驟通過(guò)將納米顆粒分散在溶劑中來(lái)制備納米顆粒溶液；將沉淀劑和納米顆粒溶液混合；和將含有沉淀劑的納米顆粒溶液沉積在襯底上。
優(yōu)選的是，納米顆粒選自HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、PbTe、PbSe、PbS和ZnO。含有沉淀劑的納米顆粒溶液可以通過(guò)旋涂法、深涂(deep coating)法、沖壓法、噴涂法、Langmuir-Blodgett法以及印刷法中的任意一種來(lái)沉積在襯底上。
優(yōu)選的是，燒結(jié)步驟在100～185℃的溫度下進(jìn)行10～200分鐘。
優(yōu)選的是，通過(guò)在納米顆粒膜上沉積高介電常數(shù)的介電材料來(lái)形成柵極介電層，并且介電材料是無(wú)機(jī)材料例如Al2O3、HfO2、Ta2O5、La2O3、SiO2中的任意一種，或者是有機(jī)材料例如AIDCN、聚苯胺、花生酸鹽、PVP、PVA、PEDOT中的任意一種。
優(yōu)選的是，當(dāng)高介電常數(shù)的介電材料沉積在納米顆粒膜上時(shí)，襯底具有100～185℃的溫度并且柵極介電層具有10～500nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供具有由納米顆粒組成的溝道的頂柵薄膜晶體管，其包含通過(guò)在柔性襯底上沉積親水性材料而形成的緩沖層；在緩沖層上沉積并燒結(jié)的納米顆粒膜；形成在納米顆粒膜上的源和漏電極；通過(guò)在其上形成有源和漏電極的納米顆粒膜上沉積介電材料而形成的柵極介電層；和形成在柵極介電層上的頂柵電極。


通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施方案的下列描述，本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)，其中圖1～4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，使用納米顆粒在柔性襯底上制造頂柵薄膜晶體管的方法的截面圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案，在150℃下燒結(jié)180分鐘的HgTe納米顆粒膜的電流的測(cè)量圖；圖6是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的頂柵薄膜晶體管的光學(xué)顯微圖；圖7是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案，使用塑料襯底制造的頂柵晶體管的光學(xué)顯微圖；圖8是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案，使用塑料襯底制造的頂柵晶體管的彎曲狀態(tài)的光學(xué)顯微圖；和圖9和10是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案形成在塑料襯底上的頂柵晶體管的特性圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，將參考附圖詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明制造使用納米顆粒的薄膜晶體管的方法的優(yōu)選實(shí)施方案。
根據(jù)本發(fā)明的制造使用納米顆粒的薄膜晶體管的方法基本包括以下步驟在襯底上形成納米顆粒膜并燒結(jié)該納米顆粒膜，在納米顆粒膜上形成源和漏電極，通過(guò)在形成有源和漏電極的納米顆粒膜上沉積介電材料來(lái)形成柵極介電層，和在柵極介電層上形成頂柵電極。
根據(jù)本發(fā)明的制造使用納米顆粒的薄膜晶體管的方法還包括使用親水性材料在襯底和納米顆粒膜之間沉積緩沖層的步驟。此時(shí)，襯底可以是硅襯底、玻璃襯底和柔性襯底中的任意一種。
下文中，將僅描述根據(jù)本發(fā)明制造使用納米顆粒的薄膜晶體管的方法，其包括在襯底和納米顆粒膜之間使用親水性材料形成的緩沖層。但是，下面的說(shuō)明同樣適用于制造使用納米顆粒但不包括緩沖層的薄膜晶體管的方法。
圖1～4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明制造使用納米顆粒的頂柵薄膜晶體管的方法的截面圖。
如圖1所示，使用親水性材料在柔性襯底10上形成緩沖層15。多種襯底可用作柔性襯底10，只要它們僅僅為柔性即可。例如，可以使用柔性塑料襯底。
由于本發(fā)明的薄膜晶體管可以在低溫過(guò)程中制造，因此可以使用塑料襯底。在使用柔性塑料襯底作為柔性襯底10的情況下，可以使用諸如PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)和PES(聚醚砜)的任意一種塑料襯底。
形成在塑料襯底10上的緩沖層15由親水性無(wú)機(jī)材料和親水性有機(jī)材料形成。亦即，緩沖層15可以由無(wú)機(jī)或有機(jī)材料形成。優(yōu)選的是，緩沖層由親水性材料形成。
在緩沖層15由親水性無(wú)機(jī)材料形成的情況下，可以使用諸如Al2O3、HfO2、Ta2O5、La2O3和SiO2的任意一種無(wú)機(jī)材料。可以通過(guò)多種方法來(lái)沉積親水性無(wú)機(jī)材料，Al2O3。在本發(fā)明中，可使用ALD、MOCVD和濺射在塑料襯底10上沉積諸如Al2O3、HfO2、Ta2O5、La2O3和SiO2的任意一種無(wú)機(jī)材料，使得可形成緩沖層15。
一方面，在緩沖層15由親水性有機(jī)材料形成的情況下，其選自諸如AIDCN、聚苯胺、Cd-AA(花生酸鹽)、PVP、PVA和PEDOT的任意一種有機(jī)材料。應(yīng)該處理有機(jī)材料以表現(xiàn)出親水性能。因此，通過(guò)使用O3作為反應(yīng)氣體的紫外處理或使用O2作為反應(yīng)氣體的等離子體處理來(lái)處理有機(jī)材料，以使其具有親水表面。
親水性有機(jī)材料可以通過(guò)多種方法來(lái)沉積。本發(fā)明可以采用旋涂法、噴涂法、Langmuir-Blodgett法和印刷法中的任意一種。
可以形成具有多種厚度的緩沖層15。優(yōu)選沉積具有2～20nm厚度的緩沖層15。當(dāng)形成具有上述厚度的緩沖層15時(shí)，其在100～150℃的相對(duì)低的沉積溫度下沉積在襯底上。
通過(guò)在塑料襯底10上形成緩沖層15，可以實(shí)現(xiàn)下面的有益效果。即，可以克服將在下文中說(shuō)明的納米顆粒溶液由于其疏水性而不能適當(dāng)沉積在塑料襯底10上的問(wèn)題。
以這種方法在塑料襯底10上形成緩沖層15之后，在緩沖層15上形成納米顆粒膜20，如圖2所示。
下文中將詳細(xì)說(shuō)明在緩沖層15上形成納米顆粒膜的方法。
首先，將所需納米顆粒分散在溶劑中，以制備納米顆粒溶液。此時(shí)，納米顆粒的濃度優(yōu)選為0.01～1mg/μl。然后，使沉淀劑例如2-丙醇與納米顆粒溶液混合。
此時(shí)，混合物的體積比為1∶100～1∶1。然后，將含有沉淀劑的納米顆粒溶液沉積在緩沖層15上，以在緩沖層15上形成納米顆粒膜20。
在上述方法中，可以使用多種納米顆粒。在本發(fā)明中，可以使用包括HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、PbTe、PbSe、PbS、ZnO等的半導(dǎo)體納米顆粒中的任意一種。
另外，可以通過(guò)利用旋涂法、深涂法、沖壓法、噴涂法、印刷法和其它各種溶液處理技術(shù)，通過(guò)使含有沉淀劑的納米顆粒溶液沉積在緩沖層15上，可以在緩沖層15上形成納米顆粒膜20。
以上述相同的方法在緩沖層15上形成納米顆粒膜20之后，在預(yù)定溫度下熱處理和燒結(jié)納米顆粒膜20。根據(jù)納米顆粒的種類，該燒結(jié)過(guò)程在100～185℃的溫度下進(jìn)行10～200分鐘。由于目前可用的柔性PES塑料襯底具有185℃的熔化溫度，因此納米顆粒膜可以在如上所述的較低溫下燒結(jié)。
該燒結(jié)過(guò)程不僅僅用于改善納米顆粒膜的結(jié)晶度并因此提高遷移率，而且還改善納米顆粒膜和襯底之間的粘附力，即防止可能在光刻過(guò)程中發(fā)生的由于粘附力下降而導(dǎo)致的納米顆粒層和襯底相互分離。
圖5是表示在150℃下燒結(jié)180分鐘的HgTe納米顆粒膜的電流的測(cè)量圖。如圖5所示，當(dāng)將燒結(jié)膜(曲線‘b’)與制成態(tài)的(as-prepared)膜(曲線‘a(chǎn)’)比較時(shí)，可以看出，燒結(jié)膜的電流增加105倍或更大。燒結(jié)納米顆粒膜20可用作溝道層。
以這種方式燒結(jié)納米顆粒膜之后，利用電子束或光刻法或金屬掩模在納米顆粒膜20上形成源和漏電極31和32，如圖3所示。
以這種方式在納米顆粒膜20上形成源和漏電極31和32之后，在其上形成有源和漏電極31和32的納米顆粒膜20上沉積高介電常數(shù)的介電材料，由此形成柵極介電層40。然后，利用電子束或光刻法或金屬掩模在柵極介電層40上形成柵電極50。
通過(guò)在納米顆粒膜20上沉積高介電常數(shù)的介電材料來(lái)形成柵極介電層40。優(yōu)選的是，這種介電材料是包括Al2O3、HfO2、Ta2O5、La2O3、SiO2等的無(wú)機(jī)材料中的任意一種，或者是包括AIDCN、聚苯胺、花生酸鹽、PVP、PVA、PEDOT等的有機(jī)材料中的任意一種。
當(dāng)介電材料沉積在納米顆粒膜上時(shí)，優(yōu)選襯底溫度為100～185℃并且柵極介電層的厚度為10～500nm。
圖6是表示利用如此構(gòu)建的塑料襯底來(lái)制造的頂柵薄膜晶體管的光學(xué)顯微圖。圖7表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案在透明塑料襯底上制造的頂柵晶體管的照片，以及圖8是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案在透明塑料襯底上制造的頂柵晶體管的彎曲狀態(tài)的照片。如圖7和8所示，在利用透明塑料襯底來(lái)制造頂柵薄膜晶體管的情況下，頂柵薄膜晶體管可具有透明性和柔性。
圖9和10是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案在塑料襯底上形成的頂柵晶體管的特性圖。在此，HgTe納米顆粒膜被用作溝道層，并且通過(guò)ALD法沉積的60nm厚的Al2O3柵極介電層被用作頂柵極。源極-漏極距離為10μm并且寬度為1000μm。
圖9表示相對(duì)于不連續(xù)柵極電壓(VG)，漏極電流(ID)對(duì)施加到漏和源電極的電壓(VDS)的依賴性。當(dāng)柵極電壓下降時(shí)，漏極電流增加。因此，它是指p-溝道晶體管。
圖10表示柵極電壓對(duì)漏極電流的圖。在固定的VDS＝10V時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)遷移率為0.88cm2/Vs，它由 對(duì)VG曲線的斜率來(lái)計(jì)算。此外，使用納米顆粒溶液在塑料襯底上制造頂柵薄膜晶體管的實(shí)例還沒(méi)有報(bào)道。因此，在本發(fā)明中首次進(jìn)行嘗試。
根據(jù)使用納米顆粒的頂柵薄膜晶體管及其制造方法，在襯底上沉積親水性緩沖層，以促進(jìn)納米顆粒膜的形成。此外，納米顆粒膜用作塑料襯底上的溝道層，高介電常數(shù)的介電材料用作頂柵介電層，由此形成能夠進(jìn)行低電壓工作的頂柵薄膜晶體管。因此，由于可以在低溫下實(shí)施制作過(guò)程，因此本發(fā)明可應(yīng)用于柔性塑料襯底或透明襯底。另外，由于可以在溶液狀態(tài)下實(shí)施該過(guò)程，因此薄膜晶體管的制造成本可以降低。
此外，由于可以使用塑料襯底，因此可獲得透明和柔性的薄膜晶體管。具體而言，由于可獲得大尺寸晶體管并且可以在室溫下沉積納米顆粒層，因此不需要昂貴的真空設(shè)備。因此，實(shí)現(xiàn)降低的制造成本和高的工業(yè)實(shí)用性。
此外，由于使用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米顆粒來(lái)制造半導(dǎo)體薄膜晶體管，因此制造的晶體管可表現(xiàn)出高電荷遷移率、高化學(xué)穩(wěn)定性、高耐熱性和強(qiáng)的耐高壓性。
另外，形成在塑料襯底上的傳統(tǒng)半導(dǎo)體薄膜晶體管的溝道是非晶體或多晶體。但是，根據(jù)本發(fā)明，使用納米顆粒在塑料襯底上形成的半導(dǎo)體薄膜晶體管的溝道幾乎由單晶材料形成，產(chǎn)生更高的電荷遷移率。
雖然已經(jīng)結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案闡述和說(shuō)明了使用納米顆粒的頂柵薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行以及該晶體管的制造方法，但這僅是用于示例性說(shuō)明的目的。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯而易見(jiàn)的是，可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變化，而不偏離由所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造使用納米顆粒的薄膜晶體管的方法，包括以下步驟在襯底上形成納米顆粒膜并燒結(jié)所述襯底上的納米顆粒膜；在納米顆粒膜上形成源和漏電極；通過(guò)在其上形成有源和漏電極的納米顆粒膜上沉積介電材料來(lái)形成柵極介電膜；和在柵極介電膜上形成頂柵電極。
2.權(quán)利要求1的方法，還包括使用親水性材料在襯底和納米顆粒膜之間沉積緩沖層的步驟。
3.權(quán)利要求1或2的方法，其中襯底選自硅襯底、玻璃襯底和柔性襯底。
4.權(quán)利要求3的方法，其中柔性襯底包括塑料襯底。
5.權(quán)利要求4的方法，其中塑料襯底是PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)和PES(聚醚砜)中的一種。
6.權(quán)利要求2的方法，其中緩沖層由親水性無(wú)機(jī)材料或親水性有機(jī)材料形成。
7.權(quán)利要求6的方法，其中親水性無(wú)機(jī)材料選自Al2O3、HfO2、Ta2O5、La2O3和SiO2。
8.權(quán)利要求7的方法，其中親水性無(wú)機(jī)材料是利用原子層沉積(ALD)法或?yàn)R射法形成的。
9.權(quán)利要求6的方法，其中有機(jī)材料選自AIDCN、聚苯胺、Cd-AA(花生酸鹽)、PVP、PVA和PEDOT。
10.權(quán)利要求9的方法，其中通過(guò)使用O3作為反應(yīng)氣體的紫外處理或使用O2作為反應(yīng)氣體的等離子體處理來(lái)使有機(jī)材料的表面成為親水性的。
11.權(quán)利要求10的方法，其中通過(guò)旋涂法、噴涂法和印刷法中的任意一種來(lái)沉積有機(jī)材料。
12.權(quán)利要求2的方法，其中緩沖層具有2～20nm的厚度。
13.權(quán)利要求2的方法，其中緩沖層在100～150℃的溫度下沉積在襯底上。
14.權(quán)利要求1或2的方法，其中形成納米顆粒膜的步驟包括以下步驟通過(guò)將納米顆粒分散在溶劑中來(lái)制備納米顆粒溶液；混合沉淀劑和納米顆粒溶液；將含有沉淀劑的納米顆粒溶液沉積在襯底上。
15.權(quán)利要求14的方法，其中納米顆粒選自HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、PbTe、PbSe、PbS和ZnO。
16.權(quán)利要求14的方法，其中通過(guò)旋涂法、深涂法、沖壓法、噴涂法和印刷法中的任意一種來(lái)使含有沉淀劑的納米顆粒溶液沉積在襯底上。
17.權(quán)利要求1或2的方法，其中燒結(jié)步驟在100～185℃的溫度下進(jìn)行10～200分鐘。
18.權(quán)利要求1或2的方法，其中通過(guò)在納米顆粒膜上沉積高介電常數(shù)的介電材料來(lái)形成柵極絕緣膜，并且介電材料是無(wú)機(jī)材料例如Al2O3、HfO2、Ta2O5、La2O3、SiO2中的任意一種，或者是有機(jī)材料例如AIDCN、聚苯胺、Cd-AA(花生酸鹽)、PVP、PVA和PEDOT中的任意一種。
19.權(quán)利要求18的方法，其中當(dāng)高介電常數(shù)的介電材料沉積在納米顆粒膜上時(shí)，襯底具有100～185℃的溫度并且柵極介電膜具有10～500nm的厚度。
20.一種使用納米顆粒的頂柵薄膜晶體管，包含緩沖層，其通過(guò)在柔性襯底上沉積親水性材料而形成；納米顆粒膜，其沉積并燒結(jié)在緩沖層上；源和漏電極，其形成在納米顆粒膜上；柵極介電膜，其通過(guò)在其上形成有源和漏電極的納米顆粒膜上沉積介電材料而形成；和頂柵電極，其形成在柵極介電層上。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造使用納米顆粒的薄膜晶體管的方法以及通過(guò)該方法制造的薄膜晶體管。在襯底上沉積親水性緩沖層，以促進(jìn)納米顆粒膜的形成。將燒結(jié)的納米顆粒用作有源層，將高介電系數(shù)的介電材料用作柵極介電層，以在柵極介電層上形成頂柵電極，由此能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓運(yùn)行和低溫制造。
文檔編號(hào)H01L29/786GK101047130SQ20071000077
公開(kāi)日2007年10月3日 申請(qǐng)日期2007年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月30日
發(fā)明者金相植, 趙庚娥, 金東垣, 張?jiān)自?申請(qǐng)人:高麗大學(xué)校算學(xué)協(xié)力團(tuán)