專利名稱：浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微影制程，應(yīng)用在半導(dǎo)體集成電路的制作中，以在光阻上制作集成電路圖案，特別是涉及一種百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備及方法，其中浸潤(rùn)液體受到音波震蕩，以在微影曝光步驟期間消掉液體中的氣泡。
背景技術(shù)：
一般而言，在半導(dǎo)體晶圓上制作集成電路是應(yīng)用了各種處理步驟。這些步驟包括在硅晶圓積材上沉積導(dǎo)電層；利用標(biāo)準(zhǔn)微影或光學(xué)微影技術(shù)形成具有所需金屬內(nèi)連線圖案的光阻或其他罩幕，例如氧化鈦或氧化硅；對(duì)晶圓基材進(jìn)行干式蝕刻制程，以從未受到罩幕覆蓋的區(qū)域移除導(dǎo)電層，因而在基材上以罩幕圖案的形狀蝕刻出導(dǎo)電層；一般利用反應(yīng)性電漿或氯氣從基材上移除或剝除罩幕層，因而暴露出導(dǎo)電內(nèi)連線層的上表面；以及對(duì)晶圓基材施加水與氮?dú)?，以冷卻與干燥晶圓基材。
在已知雙重金屬鑲嵌技術(shù)的一般集成電路制造技術(shù)中，依序在基材上沉積較低與較高的介電層。圖案化并蝕刻較低的介電層以形成介層窗開口于其中，且圖案化并蝕刻較高的介電層以形成溝渠開口于其中。在蝕刻步驟中，利用經(jīng)圖案化的光阻層在對(duì)應(yīng)的介電層中蝕刻溝渠與介層窗開口。接著，通常利用電化學(xué)電鍍(Electrochemical Plating；ECP)技術(shù)形成導(dǎo)電銅線于溝渠與介層窗開口中，藉以在基材上形成水平與垂直的集成電路內(nèi)連線。
晶圓在固定碗(Stationary Bowl)或涂覆杯(Coater Cup)中高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，一般利用灑布光阻流體于晶圓的中央的方式，將光阻材料涂覆至晶圓的表面上，或者晶圓上的介電層或?qū)щ妼由?。涂覆杯在光阻形成期間接住從旋轉(zhuǎn)的晶圓射出的過量流體與微粒。灑布在晶圓的中央的光阻流體受到旋轉(zhuǎn)晶圓的離心力所引發(fā)的表面張力，而朝晶圓的邊緣向外散布。如此一來(lái)，有利于將液體光阻均勻地形成在晶圓的整個(gè)表面上。
在半導(dǎo)體生產(chǎn)的微影步驟期間，光能量透過圖罩(Reticle)或光罩(Mask)而施加在已先沉積在晶圓上的光阻材料上，藉以定義出電路圖案，其中定義在光阻材料上的電路圖案將在后續(xù)處理步驟中受到蝕刻，藉以在晶圓上定義出電路。圖罩是一種透明板，其上經(jīng)圖案化有欲形成于晶圓上的光阻覆蓋層中的電路影像。該圖罩僅包含有晶圓上的一些晶粒的電路圖案影像，例如四個(gè)晶粒，因此必須以步進(jìn)且重復(fù)的方式橫跨于晶圓的整個(gè)表面。相較之下，光罩包括晶圓上的所有晶粒的電路圖案影像，且僅需一道曝光，即可將所有晶粒的電路圖案影像轉(zhuǎn)移至晶圓。
在應(yīng)用晶圓處理設(shè)備的自動(dòng)化圖覆機(jī)/顯影機(jī)軌道系統(tǒng)中進(jìn)行晶圓上的光阻的旋轉(zhuǎn)涂布步驟，以及微影制程中的其他步驟，其中，晶圓處理設(shè)備可以在各個(gè)微影操作站，例如初始?xì)庀喙庾栊D(zhuǎn)涂布、顯影、烘烤與冷卻站，之間傳送晶圓。晶圓的自動(dòng)化處理可將微粒的生成與晶圓的損傷減到最小。自動(dòng)化晶圓軌道可使各種處理操作同時(shí)進(jìn)行。目前廣泛的應(yīng)用在此產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化軌道系統(tǒng)有二種，其一為東京威力科創(chuàng)股份有限公司(Tokyo Electron Limited；TEL)的軌道，其二為硅谷集團(tuán)(Silicon ValleyGroup；SVG)的軌道。
在晶圓上制作電路圖案的一種典型方法，包括將晶圓導(dǎo)入自動(dòng)化軌道系統(tǒng)中，再將光阻層旋轉(zhuǎn)涂布于晶圓上。接下來(lái)，進(jìn)行軟烤制程來(lái)處理光阻。待冷卻之后，將晶圓放入曝光設(shè)備中，例如步進(jìn)機(jī)，以對(duì)準(zhǔn)蝕刻在通常由鉻所覆蓋的石英圖罩上的一個(gè)陣列的晶粒圖案的方式來(lái)對(duì)準(zhǔn)晶圓。在適當(dāng)對(duì)準(zhǔn)與聚焦后，步進(jìn)機(jī)曝光晶圓的一小部分的區(qū)域，接著移動(dòng)或“步進(jìn)”至下一區(qū)域，并重復(fù)這樣的程序直至整個(gè)晶圓表面已經(jīng)在圖罩上的晶粒圖案下受到曝光。光透過圖罩對(duì)光阻進(jìn)行曝光而形成電路影像圖案。受到此影像圖案的曝光的光阻部分產(chǎn)生交連并硬化而形成電路圖案。在對(duì)準(zhǔn)與曝光步驟后，對(duì)晶圓進(jìn)行曝光后烘烤處理，再經(jīng)顯影與硬烤，以顯影出光阻圖案。
接下來(lái)，利用蝕刻制程將由顯影與硬化后的光阻所定義出的電路圖案轉(zhuǎn)移至下方的金屬層，其中從晶圓上將在金屬層中未受到交連的光阻所覆蓋的金屬予以蝕刻移除，在定義出元件特征的交連光阻下方的金屬則受到保護(hù)而不會(huì)受到蝕刻劑的移除。另外，遭蝕刻的材料亦可為介電層，例如在雙重金屬鑲嵌技術(shù)中，依照電路圖案而在此介電層中蝕刻出介層窗開口與溝渠開口。接著，以導(dǎo)電金屬，例如銅，來(lái)填充介層窗開口與溝渠開口，以定義出金屬導(dǎo)線。如此一來(lái)，在晶圓上形成具有妥當(dāng)定義的圖案的金屬化微電子電路，其中該金屬化微電子電路的圖案相當(dāng)近似于交連的光阻電路圖案。
一種應(yīng)用在半導(dǎo)體制程工業(yè)的微影類型為浸潤(rùn)式微影，在浸潤(rùn)式微影技術(shù)中所使用的一種曝光設(shè)備包括光罩以及數(shù)個(gè)透鏡，這些光罩與透鏡設(shè)置于光學(xué)轉(zhuǎn)移室上。通過此光學(xué)轉(zhuǎn)移室，散布含水的曝光液體。在操作期間，光學(xué)轉(zhuǎn)移室位于光阻覆蓋的晶圓上的曝光領(lǐng)域上方。通過光學(xué)轉(zhuǎn)移室散布曝光液體時(shí)，光分別透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室中的光罩、透鏡、以及曝光液體而傳送至曝光領(lǐng)域的光阻上。因此，藉由通過曝光液體的光傳送，可將光罩中的電路圖案影像轉(zhuǎn)移至光阻中。在光學(xué)轉(zhuǎn)移室中的曝光液體可以提高傳送的電路圖案影像在光阻上的解析度。
在通過光學(xué)轉(zhuǎn)移室散布曝光液體前，通常將水般的液體中的氣體予以排除，以從液體中移除大多數(shù)的微氣泡。然而，在液體通過光學(xué)轉(zhuǎn)移室散布期間，一些微氣泡仍舊會(huì)留存在液體中。這些殘留的微氣泡趨向于附著在典型為恐水的光阻表面，因而使投射至光阻的電路圖案影像失真。因此，亟需一種設(shè)備與方法，可在浸潤(rùn)式微影制程中實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡，以防止投射至曝光領(lǐng)域中的光阻上的電路圖案影像失真。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的微影曝光設(shè)備及方法存在的缺陷，而提供一種新穎設(shè)備，所要解決的技術(shù)問題是使其可在浸潤(rùn)式微影之前或期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波曝光設(shè)備，所要解決的技術(shù)問題是使其可在浸潤(rùn)式微影制程進(jìn)行之前或期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體的微氣泡。
本發(fā)明的又一目的在于，提供一種新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波曝光設(shè)備，所要解決的技術(shù)問題是使其可以提升在浸潤(rùn)式微影期間投射至光阻上的電路圖案影像的品質(zhì)。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波曝光設(shè)備，所要解決的技術(shù)問題是使其是使用音波，以在浸潤(rùn)式微影之前或期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體的微氣泡。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光方法，所要解決的技術(shù)問題是使其是使用音波，以在浸潤(rùn)式微影之前或期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體的微氣泡。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光方法，所要解決的技術(shù)問題是使其是使用音波，以在浸潤(rùn)式微影之前或期間實(shí)質(zhì)消除在曝光透鏡上的微氣泡與微粒。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其至少包括一光學(xué)轉(zhuǎn)移室，用以裝載一曝光液體；一超音波板，可操作地與該光學(xué)轉(zhuǎn)移室接合，以傳播復(fù)數(shù)個(gè)音波通過該曝光液體；以及一光學(xué)系統(tǒng)，鄰近于該光學(xué)轉(zhuǎn)移室，可將一光源導(dǎo)入該曝光液體。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其更至少包括一入口導(dǎo)管，該入口導(dǎo)管與該光學(xué)轉(zhuǎn)移室流通，以將該曝光液體散布至該光學(xué)轉(zhuǎn)移室中，其中該入口導(dǎo)管支撐該超音波板。
前述的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其更至少包括一出口導(dǎo)管，該出口導(dǎo)管與該光學(xué)轉(zhuǎn)移室流通，以從該光學(xué)轉(zhuǎn)移室散布該曝光液體。
前述的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其中所述光學(xué)系統(tǒng)至少包括一激光，以發(fā)射一激光光束穿過該光罩與一透鏡，藉以從該光罩接收一電路圖案影像，并使該電路圖案影像通過該曝光液體而傳送至一晶圓上。
前述的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其中所述的超音波板至少包括一大致環(huán)狀的百萬(wàn)赫級(jí)超音波板，環(huán)繞住該光學(xué)轉(zhuǎn)移室。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其至少包括以下步驟提供一光罩，該光罩具有一電路圖案；提供一曝光液體；經(jīng)由該曝光液體傳播復(fù)數(shù)個(gè)音波；以及利用將一光束分別通過該光罩與該曝光液體而傳送至光阻覆蓋的一晶圓上的方式，來(lái)曝光該晶圓。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其中所述的經(jīng)由該曝光液體傳播該些音波的步驟至少包括在曝光光阻覆蓋的該晶圓前或期間傳播該些音波通過該曝光液體。
前述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其中所述的曝光液體至少包括銨、過氧化氫以水的一混合物。
前述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其中所述的曝光液體至少包括去離子水或臭氧水。
前述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其更至少包括提供一界面活性劑于該曝光液體中。
前述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其中所述的經(jīng)由該曝光液體傳播該些音波的步驟至少包括在一百萬(wàn)赫級(jí)超音波的功率介于實(shí)質(zhì)10kHz至實(shí)質(zhì)1000kHz時(shí)，經(jīng)由該曝光液體傳播該些音波。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種浸潤(rùn)式微影制程，至少包括以下步驟提供一百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，該百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備至少包括一光學(xué)系統(tǒng)、一光學(xué)轉(zhuǎn)移室介于該光學(xué)系統(tǒng)的一最近的物鏡與光阻覆蓋的一晶圓之間，以及至少一百萬(wàn)赫級(jí)超音波板與該光學(xué)轉(zhuǎn)移室接合；提供一光罩，其中該光罩具有一電路圖案；提供一第一液體于該光學(xué)轉(zhuǎn)移室中；傳播復(fù)數(shù)個(gè)音波通過該第一液體；提供一第二液體于該光學(xué)轉(zhuǎn)移室中；以及藉由傳送一激光光束分別通過該光學(xué)系統(tǒng)與該第二液體而至該晶圓上的方式，來(lái)曝光該晶圓。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的浸潤(rùn)式微影制程，其中所述的第一液體至少包括銨、過氧化氫以水的一混合物。
前述的浸潤(rùn)式微影制程，其中所述的第一液體至少包括去離子水或臭氧水。
前述的浸潤(rùn)式微影制程，其中所述的第二液體至少包括去離子水或界面活性劑。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下根據(jù)上述這些與其他目的及優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明一般是直指一種新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，用以在浸潤(rùn)式微影之前、期間、或同時(shí)在之前與期間實(shí)質(zhì)從曝光液體中消除微氣泡。在一實(shí)施例中，該設(shè)備包括光學(xué)轉(zhuǎn)移室，位于由光阻所覆蓋的晶圓的上方、光學(xué)箱裝設(shè)有光罩與透鏡，且位于光學(xué)轉(zhuǎn)移室上方、以及入口導(dǎo)管，用以將浸潤(rùn)液體散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移室中。至少一百萬(wàn)赫級(jí)超音波板可操作地與入口導(dǎo)管接合，以在浸潤(rùn)液體通過入口導(dǎo)管并散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移室中的時(shí)候使音波不間斷地通過浸潤(rùn)液體。音波實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡，如此可使液體以實(shí)質(zhì)無(wú)氣泡的狀態(tài)進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移室中，以利于曝光步驟的進(jìn)行。在另一實(shí)施例中，該曝光設(shè)備具有環(huán)狀百萬(wàn)赫級(jí)超音波板環(huán)繞在光學(xué)轉(zhuǎn)移室外。
本發(fā)明亦直指一種實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡的方法，其中該曝光液體是應(yīng)用在浸潤(rùn)式微影制程中，以將電路圖案影像從光罩或圖罩轉(zhuǎn)移至光阻所覆蓋的晶圓上。該方法包括在曝光液體散布通過浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備的光學(xué)轉(zhuǎn)移室之前、期間、或之前與期間，透過曝光液體傳播音波。這些音波實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡，并從光阻表面上移除微氣泡，因而可以防止微氣泡附著在晶圓表面上的光阻，并防止從設(shè)備通過曝光液體而傳送至光阻上的電路圖案影像失真。
本發(fā)明更直指一種實(shí)質(zhì)消除曝光透鏡上的微氣泡與微粒的方法，其中該曝光透鏡是應(yīng)用在浸潤(rùn)式微影制程中，以將電路圖案影像從光罩或圖罩上轉(zhuǎn)移至光阻覆蓋的晶圓上。該方法包括在曝光液體散布通過浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備的光學(xué)轉(zhuǎn)移室之前、期間、或之前與期間，透過曝光液體傳播音波。該方法亦包括在曝光制程之前、期間、或者之前與期間，更換曝光液體。這些音波實(shí)質(zhì)消除透鏡表面上的微氣泡與微粒，因而可以防止微氣泡與微粒附著在露出的透鏡的表面上，并可防止從設(shè)備通過曝光液體而傳送至光阻上的電路圖案影像失真。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備及方法至少具有下列的優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的新穎設(shè)備，可在浸潤(rùn)式微影之前或期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡。
本發(fā)明新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波曝光設(shè)備，可在浸潤(rùn)式微影制程進(jìn)行之前或期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體的微氣泡。
本發(fā)明新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波曝光設(shè)備，可以提升在浸潤(rùn)式微影期間投射至光阻上的電路圖案影像的品質(zhì)。
本發(fā)明新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波曝光設(shè)備，其是使用音波，而可以在浸潤(rùn)式微影之前或期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體的微氣泡。
本發(fā)明新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光方法，其是使用音波，而可以在浸潤(rùn)式微影之前或期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體的微氣泡。
本發(fā)明新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光方法，其是使用音波，而可以在浸潤(rùn)式微影之前或期間實(shí)質(zhì)消除在曝光透鏡上的微氣泡與微粒。
綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備及方法，其適用于在浸潤(rùn)式微影期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡。該設(shè)備包括光學(xué)系統(tǒng)，可以透過光罩而將光投射至晶圓上。光學(xué)轉(zhuǎn)移室鄰近于上述的光學(xué)系統(tǒng)，以裝載曝光液體。至少一百萬(wàn)赫級(jí)超音波板可動(dòng)地接合在光學(xué)轉(zhuǎn)移室，以在曝光液體中產(chǎn)生音波，并可以消除曝光液體中的微氣泡。其具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品及方法中未見有類似結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法或功能上皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有較大進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的微影曝光設(shè)備及方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的一種百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影設(shè)備的示意圖。
圖2是依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的一種百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影設(shè)備的示意圖。
圖3A是依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的一種制程步驟的順序的流程圖。
圖3B是依照本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的一種制程步驟的順序的流程圖。
圖3C是依照本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的一種制程步驟的順序的流程圖。
圖3D是依照本發(fā)明第四較佳實(shí)施例的一種制程步驟的順序的流程圖。
圖3E是依照本發(fā)明第五較佳實(shí)施例的一種制程步驟的順序的流程圖。
圖3F是依照本發(fā)明第六較佳實(shí)施例的一種制程步驟的順序的流程圖。
1將光學(xué)轉(zhuǎn)移室置于曝光領(lǐng)域上方1a將光學(xué)轉(zhuǎn)移室置于曝光領(lǐng)域上方1b將光學(xué)轉(zhuǎn)移室置于曝光領(lǐng)域上方1c將光學(xué)轉(zhuǎn)移室置于曝光領(lǐng)域上方1d將光學(xué)轉(zhuǎn)移室置于曝光領(lǐng)域上方1e將光學(xué)轉(zhuǎn)移室置于曝光領(lǐng)域上方2開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板 2a開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板2b開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板 2c開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板2d開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板 2e開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板3透過供應(yīng)導(dǎo)管散布液體 3a透過供應(yīng)導(dǎo)管散布液體3b透過供應(yīng)導(dǎo)管散布液體 3c透過供應(yīng)導(dǎo)管散布液體3d透過供應(yīng)導(dǎo)管散布第一液體 3e透過供應(yīng)導(dǎo)管散布第一液體4關(guān)閉百萬(wàn)赫級(jí)超音波板4a透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室對(duì)光阻進(jìn)行曝光4b透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室對(duì)光阻進(jìn)行曝光時(shí)間歇性地操作百萬(wàn)赫級(jí)超音波板4c透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室對(duì)光阻進(jìn)行曝光4d透過供應(yīng)導(dǎo)管散布第二液體4e透過供應(yīng)導(dǎo)管散布第二液體5透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室對(duì)光阻進(jìn)行曝光5a關(guān)閉百萬(wàn)赫級(jí)超音波板5b移至下一曝光領(lǐng)域5c移至下一曝光領(lǐng)域5d關(guān)閉百萬(wàn)赫級(jí)超音波板5e透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室對(duì)光阻進(jìn)行曝光6移至下一曝光領(lǐng)域6a移至下一曝光領(lǐng)域6c透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室對(duì)光阻進(jìn)行曝光6d透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室對(duì)光阻進(jìn)行曝光6e移至下一曝光領(lǐng)域7c移至下一曝光領(lǐng)域7d移至下一曝光領(lǐng)域10曝光設(shè)備10a曝光設(shè)備 12光學(xué)箱13光學(xué)系統(tǒng)14光罩15激光15a激光光束15b電路圖案影像 16物鏡
18光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室20入口液體儲(chǔ)存槽22入口導(dǎo)管 22a排液導(dǎo)管24出口導(dǎo)管 24a收集導(dǎo)管26出口液體儲(chǔ)存槽28晶圓臺(tái)30百萬(wàn)赫級(jí)超音波板 30a百萬(wàn)赫級(jí)超音波板32曝光液體 34晶圓具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備及方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
本發(fā)明是研究一種新穎的百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，用以在浸潤(rùn)式微影之前、期間、或同時(shí)在之前與期間實(shí)質(zhì)從曝光液體中消除微氣泡。在一實(shí)施例中，此設(shè)備包括光學(xué)箱，該光學(xué)箱中安裝設(shè)有光罩與透鏡。在光學(xué)箱的透鏡下方設(shè)有光學(xué)轉(zhuǎn)移室。入口導(dǎo)管與光學(xué)轉(zhuǎn)移室流通，以將浸潤(rùn)液體散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移室中。至少一百萬(wàn)赫級(jí)超音波板可操作地與入口導(dǎo)管接合，以在浸潤(rùn)液體通過入口導(dǎo)管并散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移室中的時(shí)候使音波不間斷地通過浸潤(rùn)液體。在另一實(shí)施例中，環(huán)狀百萬(wàn)赫級(jí)超音波板環(huán)繞設(shè)備的光學(xué)轉(zhuǎn)移室。
操作本設(shè)備時(shí)，光學(xué)轉(zhuǎn)移室設(shè)置在光阻覆蓋的晶圓上的曝光領(lǐng)域的上方。一或多個(gè)百萬(wàn)赫級(jí)超音波板所產(chǎn)生的音波實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡，因而使進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移室的液體處于實(shí)質(zhì)無(wú)氣泡的狀態(tài)。在曝光步驟期間，光分別透過光學(xué)箱的光罩與透鏡，并透過光學(xué)轉(zhuǎn)移室的曝光液體，而傳送至覆蓋在晶圓上的光阻上。實(shí)質(zhì)無(wú)氣泡的曝光液體可傳送實(shí)質(zhì)無(wú)變形的電路圖案影像于光阻上，而具有高解析度。
本發(fā)明更直指一種實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡的方法，其中此曝光液體應(yīng)用在浸潤(rùn)式微影制程的曝光步驟中，以將電路圖案影像從光罩或圖罩轉(zhuǎn)移至光阻所覆蓋的晶圓上的曝光領(lǐng)域。在第一實(shí)施例中，該方法包括透過曝光液體傳播音波，以在曝光步驟前消除液體中的微氣泡。在第二實(shí)施例中，該方法包括在曝光步驟之前與期間，透過曝光液體傳播音波。在第三實(shí)施例中，該方法包括在曝光步驟期間，間歇性地透過曝光液體傳播音波。單一個(gè)或多個(gè)百萬(wàn)赫級(jí)超音波板對(duì)曝光液體所提供的百萬(wàn)赫級(jí)超音波功率較佳是約為10kHz至1000kHz。
任何各種曝光液體均適用于本發(fā)明的百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影方法。在一實(shí)施例中，該曝光液體包括銨、過氧化氫與水，且濃度通常為體積比率介于約1∶1至1∶1000之間。在另一實(shí)施例中，該曝光液體包括銨與水，且濃度一般為介于約1∶10至1∶1000之間。在又一實(shí)施例中，該曝光液體為去離子水。在再一實(shí)施例中，該曝光液體為臭氧水(OzonatedWater)，且一般具有臭氧濃度介于約1ppm至1000ppm之間。該曝光液體可包括非離子界面活性劑、陰離子界面活性劑或陽(yáng)離子界面活性劑，且濃度通常介于約1ppm至1000ppm之間。
請(qǐng)首先參閱圖1所示，以圖號(hào)10來(lái)標(biāo)示本發(fā)明的百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，以下簡(jiǎn)稱曝光設(shè)備。該曝光設(shè)備10包括用以支撐晶圓34的晶圓臺(tái)28，其中晶圓34具有光阻層(圖中未繪示)沉積于其上。光學(xué)箱12內(nèi)含光學(xué)系統(tǒng)13，其中該光學(xué)系統(tǒng)具有激光15以及最近的物鏡(lastobjective lens)16，該物鏡16位于晶圓臺(tái)28的上方。光罩或圖罩14可動(dòng)地嵌設(shè)在物鏡16上方的光學(xué)箱12中。光罩或圖罩14包括在微影制程期間欲轉(zhuǎn)移至晶圓34上的光阻層上的電路圖案(圖中未繪示)，此微影制程將在以下予以說明。光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18位于最近的物鏡16下，并位于晶圓臺(tái)28之上。在微影制程期間，激光光束15a透過光罩或圖罩14而產(chǎn)生電路圖案影像15b，其中電路圖案影像15b分別傳送過最近的物鏡16與光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18，而投射至晶圓34上。
入口液體儲(chǔ)存槽20裝有曝光液體32的庫(kù)存，其中入口導(dǎo)管22從入口液體儲(chǔ)存槽20延伸而出。排液導(dǎo)管22a自入口導(dǎo)管22延伸而出，并設(shè)置成與光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18流通。出口液體儲(chǔ)存槽26設(shè)置成可分別通過收集導(dǎo)管24a及出口導(dǎo)管24而與光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18流通。依照本發(fā)明，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30設(shè)置在入口導(dǎo)管22上，根據(jù)熟習(xí)此技藝者的技術(shù)知識(shí)，當(dāng)曝光液體32經(jīng)由入口導(dǎo)管22散布時(shí)，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30可在曝光液體32中產(chǎn)生音波(圖中未繪示)。
操作該曝光設(shè)備10時(shí)，如同以下所作的進(jìn)一步描述，曝光液體32從入口液體儲(chǔ)存槽20散布并分別經(jīng)過入口導(dǎo)管22與排液導(dǎo)管22a，而進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18。百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30在曝光液體32中產(chǎn)生音波(圖中未繪示)，而消除曝光液體32中所有或大多數(shù)的微氣泡。由光學(xué)箱12所發(fā)出的激光光束15a產(chǎn)生電路圖案影像15b，這些電路圖案影像15b分別通過最近的物鏡16與裝在光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的曝光液體32，而投射至覆蓋在晶圓34上的光阻上。曝光液體32不斷地從光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18抽出，并分別穿過收集導(dǎo)管24a與出口導(dǎo)管24而進(jìn)入出口液體儲(chǔ)存槽26中。
接下來(lái)，請(qǐng)參閱圖3A至圖3C與圖1所示，可根據(jù)下列三種模式的其中一種操作曝光設(shè)備10。根據(jù)圖3A的流程圖，如步驟1所述，先將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18放在晶圓34上的曝光領(lǐng)域的上方。接著，開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30(步驟2)，再分別從入口液體儲(chǔ)存槽20且經(jīng)過入口導(dǎo)管22而將曝光液體32散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18(步驟3)。當(dāng)曝光液體32通過入口導(dǎo)管22時(shí)，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30在曝光液體32中產(chǎn)生音波。音波可消除曝光液體32中的微氣泡，而使曝光液體32在進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的入口處實(shí)質(zhì)無(wú)微氣泡的存在。此外，藉由音波從排液導(dǎo)管22a傳送至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18，音波亦可消除光阻表面上的微氣泡。
如步驟4所述，在將電路圖案影像曝光于晶圓34上的曝光領(lǐng)域上以前，開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30，其中上述的電路圖案影像通過曝光液體32(步驟5)來(lái)進(jìn)行傳送，而曝光液體32傳送未受到微氣泡影響而變形的高解析度電路圖案影像至晶圓34上的光阻表面上。曝光步驟5完成之后，將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18移至晶圓34上的下一曝光領(lǐng)域，并重復(fù)進(jìn)行步驟1-5，如步驟6所述。
依照?qǐng)D3B的流程圖，先將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18放在晶圓34上的曝光領(lǐng)域的上方，如步驟1a所述。接著，開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30(步驟2a)，再分別從入口液體儲(chǔ)存槽20且經(jīng)過入口導(dǎo)管22而將曝光液體32散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18(步驟3a)。百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30所產(chǎn)生的音波可消除通過入口導(dǎo)管22的曝光液體32中的微氣泡，而使曝光液體32在進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的入口處實(shí)質(zhì)無(wú)微氣泡的存在，并因而可以消除附著在晶圓34上的微氣泡。
如步驟4a所述，當(dāng)百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30持續(xù)開啟下，對(duì)晶圓34上的光阻進(jìn)行曝光。因此，在曝光步驟(步驟4a)期間，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30持續(xù)消除曝光液體32中以及晶圓34上的光阻表面上的微氣泡。于是，從光學(xué)箱12傳送通過光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的電路圖案影像15b不會(huì)受到微氣泡的影響而失真，進(jìn)而可以高解析度地投射至晶圓34上的光阻表面上。曝光步驟4a完成之后，可將百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30關(guān)閉(步驟5a)。接著，將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18移至晶圓34上的下一曝光領(lǐng)域，并重復(fù)進(jìn)行步驟1a-5a，如步驟6a所述。
依照?qǐng)D3C的流程圖，先將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18放在晶圓34上的曝光領(lǐng)域的上方，如步驟1b所述。接著，開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30(步驟2b)，再分別從入口液體儲(chǔ)存槽20且經(jīng)由入口導(dǎo)管22而將曝光液體32散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18(步驟3b)。百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30所產(chǎn)生的音波可消除曝光液體32中與晶圓34上的光阻表面上的微氣泡，而使曝光液體32在進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的入口處以及晶圓34的光阻上表面上實(shí)質(zhì)無(wú)微氣泡的存在與黏附。
如步驟4b所述，在百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30間歇性地開啟與關(guān)閉下，進(jìn)行曝光步驟。因此，在晶圓的曝光期間，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30持續(xù)消除曝光液體32中的微氣泡。曝光步驟4b完成后，將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18移至晶圓34上的下一曝光領(lǐng)域，并重復(fù)進(jìn)行步驟1b-5b，如步驟5b所述。
依照?qǐng)D3D的流程圖，先將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18放在晶圓43上的曝光領(lǐng)域的上方，如步驟1c所述。接著，開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30(步驟2c)，再分別從入口液體儲(chǔ)存槽20且經(jīng)過入口導(dǎo)管22而將曝光液體32散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18(步驟3c)。百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30所產(chǎn)生的音波可以消除通過入口導(dǎo)管22的曝光液體32中的微氣泡，而使曝光液體32在進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的入口處實(shí)質(zhì)無(wú)微氣泡的存在，并因而可以消除附著在晶圓34上的微氣泡。
如步驟4c所述，當(dāng)百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30持續(xù)開啟下，對(duì)晶圓34上的光阻進(jìn)行曝光。因此，在曝光步驟(步驟4c)期間，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30持續(xù)消除曝光液體32中以及晶圓34上的光阻表面上的微氣泡。于是，從光學(xué)箱12傳送通過光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的電路圖案影像不會(huì)受到微氣泡的影響而失真，進(jìn)而可以高解析度地投射至晶圓34上的光阻表面上。曝光步驟4c完成后，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30可維持開啟狀態(tài)。接著，將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18移至晶圓34上的下一曝光領(lǐng)域(步驟5c)，并通過光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18對(duì)晶圓34上的光阻進(jìn)行曝光(步驟6c)，并重復(fù)進(jìn)行步驟5c-6c，如步驟7c所述。
依照?qǐng)D3E的流程圖，先將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18放在晶圓34上的曝光領(lǐng)域的上方，如步驟1d所述。接著，開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30(步驟2d)，再分別從入口液體儲(chǔ)存槽20且經(jīng)過入口導(dǎo)管22而將曝光液體32散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18(步驟3d)。百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30所產(chǎn)生的音波可以消除通過入口導(dǎo)管22的曝光液體32中的微氣泡，并移除附著在最近的物鏡16的下表面上的微粒，而使曝光液體32在進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的入口處實(shí)質(zhì)無(wú)微氣泡的存在，并因而可以消除附著在最近的物鏡16的下表面上的微粒。
如步驟4d所述，當(dāng)百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30持續(xù)開啟下，從入口液體儲(chǔ)存槽20且經(jīng)過入口導(dǎo)管22而將第二道液體散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18以取代第一道液體(步驟4d)，再對(duì)晶圓34上的光阻進(jìn)行曝光。因此，在曝光步驟(步驟6d)期間，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30并未開啟(步驟5d)。于是，從光學(xué)箱12傳送通過光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的電路圖案影像15b不會(huì)受到微粒的影響而失真，進(jìn)而可高解析度地投射至晶圓34上的光阻表面上。曝光步驟6d完成后，接著將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18移至晶圓34上的下一曝光領(lǐng)域，并重復(fù)進(jìn)行步驟6d-7d，如步驟6d所述。
依照?qǐng)D3F的流程圖，先將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18放在晶圓34上的曝光領(lǐng)域的上方，如步驟1e所述。接著，開啟百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30(步驟2e)，再分別從入口液體儲(chǔ)存槽20且經(jīng)過入口導(dǎo)管22而將曝光液體32散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18(步驟3e)。百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30所產(chǎn)生的音波可消除通過入口導(dǎo)管22的曝光液體32中的微氣泡，并移除附著在最近的物鏡16的下表面上的微粒，而使曝光液體32在進(jìn)入光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的入口處實(shí)質(zhì)無(wú)微氣泡的存在，并因而可以消除附著在最近的物鏡16的下表面上的微粒。
如步驟4e所述，當(dāng)百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30持續(xù)開啟下，從入口液體儲(chǔ)存槽20且經(jīng)過入口導(dǎo)管22而將第二道液體散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18以取代第一道液體(步驟4e)，再對(duì)晶圓34上的光阻進(jìn)行曝光。因此，在曝光步驟(步驟5e)期間，百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30仍維持開啟(步驟2e)。于是，從光學(xué)箱12傳送通過光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18的電路圖案影像15b不會(huì)受到微粒的影響而失真，進(jìn)而可高解析度地投射至晶圓34上的光阻表面上。曝光步驟5e完成后，接著將光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18移至晶圓34上的下一曝光領(lǐng)域，并重復(fù)進(jìn)行步驟5e-6e，如步驟5e所述。
接下來(lái)，請(qǐng)參閱圖2所示，在曝光設(shè)備的另一替代實(shí)施例中，以圖號(hào)10a來(lái)標(biāo)示。環(huán)狀的百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30a環(huán)繞住光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18?？梢勒?qǐng)D3A的流程圖操作曝光設(shè)備10a，其中環(huán)狀的百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30a是在曝光液體32散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18后操作，并在曝光步驟前關(guān)閉；亦可依照?qǐng)D3B的流程圖，其中在曝光液體32散布至光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18期間且在整個(gè)曝光制程期間，環(huán)狀的百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30a維持開啟狀態(tài)；或者可依照?qǐng)D3C的流程圖，其中環(huán)狀的百萬(wàn)赫級(jí)超音波板30a在曝光步驟中間歇性地開啟。在任一種狀態(tài)下，裝在光學(xué)轉(zhuǎn)移的水浸潤(rùn)室18中的曝光液體32實(shí)質(zhì)上無(wú)微氣泡的存在，否則在曝光步驟期間可能導(dǎo)致傳送至晶圓34上的電路圖案影像15b失真。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其特征在于其至少包括一光學(xué)轉(zhuǎn)移室，用以裝載一曝光液體；一超音波板，可操作地與該光學(xué)轉(zhuǎn)移室接合，以傳播復(fù)數(shù)個(gè)音波通過該曝光液體；以及一光學(xué)系統(tǒng)，鄰近于該光學(xué)轉(zhuǎn)移室，可將一光源導(dǎo)入該曝光液體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其特征在于其更至少包括一入口導(dǎo)管，該入口導(dǎo)管與該光學(xué)轉(zhuǎn)移室流通，以將該曝光液體散布至該光學(xué)轉(zhuǎn)移室中，其中該入口導(dǎo)管支撐該超音波板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其特征在于其更至少包括一出口導(dǎo)管，該出口導(dǎo)管與該光學(xué)轉(zhuǎn)移室流通，以從該光學(xué)轉(zhuǎn)移室散布該曝光液體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其特征在于其中所述的光學(xué)系統(tǒng)至少包括一激光，以發(fā)射一激光光束穿過該光罩與一透鏡，藉以從該光罩接收一電路圖案影像，并使該電路圖案影像通過該曝光液體而傳送至一晶圓上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，其特征在于其中所述的超音波板至少包括一大致環(huán)狀的百萬(wàn)赫級(jí)超音波板，環(huán)繞住該光學(xué)轉(zhuǎn)移室。
6.一種從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其特征在于其至少包括以下步驟提供一光罩，該光罩具有一電路圖案；提供一曝光液體；經(jīng)由該曝光液體傳播復(fù)數(shù)個(gè)音波；以及利用將一光束分別通過該光罩與該曝光液體而傳送至光阻覆蓋的一晶圓上的方式，來(lái)曝光該晶圓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其特征在于其中所述的經(jīng)由該曝光液體傳播該些音波的步驟至少包括在曝光光阻覆蓋的該晶圓前或期間傳播該些音波通過該曝光液體。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其特征在于其中所述的曝光液體至少包括銨、過氧化氫以水的一混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其特征在于其中所述的曝光液體至少包括去離子水或臭氧水。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其特征在于其更至少包括提供一界面活性劑于該曝光液體中。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的從浸潤(rùn)式微影制程的曝光液體中移除微氣泡的方法，其特征在于其中所述的經(jīng)由該曝光液體傳播該些音波的步驟至少包括在一百萬(wàn)赫級(jí)超音波的功率介于實(shí)質(zhì)10kHz至實(shí)質(zhì)1000kHz時(shí)，經(jīng)由該曝光液體傳播該些音波。
12.一種浸潤(rùn)式微影制程，其特征在于其至少包括以下步驟提供一百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備，該百萬(wàn)赫級(jí)超音波浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備至少包括一光學(xué)系統(tǒng)、一光學(xué)轉(zhuǎn)移室介于該光學(xué)系統(tǒng)的一最近的物鏡與光阻覆蓋的一晶圓之間、以及至少一百萬(wàn)赫級(jí)超音波板與該光學(xué)轉(zhuǎn)移室接合；提供一光罩，其中該光罩具有一電路圖案；提供一第一液體于該光學(xué)轉(zhuǎn)移室中；傳播復(fù)數(shù)個(gè)音波通過該第一液體；提供一第二液體于該光學(xué)轉(zhuǎn)移室中；以及藉由傳送一激光光束分別通過該光學(xué)系統(tǒng)與該第二液體而至該晶圓上的方式，來(lái)曝光該晶圓。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的浸潤(rùn)式微影制程，其特征在于其中所述的第一液體至少包括銨、過氧化氫以水的一混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的浸潤(rùn)式微影制程，其特征在于其中所述的第一液體至少包括去離子水或臭氧水。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的浸潤(rùn)式微影制程，其特征在于其中所述的第二液體至少包括去離子水或界面活性劑。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種浸潤(rùn)式微影曝光設(shè)備及方法，適用于在浸潤(rùn)式微影期間實(shí)質(zhì)消除曝光液體中的微氣泡。該設(shè)備包括光學(xué)系統(tǒng)，可透過光罩而將光投射至晶圓上。光學(xué)轉(zhuǎn)移室鄰近于上述的光學(xué)系統(tǒng)，以裝載曝光液體。至少一百萬(wàn)赫級(jí)超音波板可動(dòng)地接合在光學(xué)轉(zhuǎn)移室，以在曝光液體中產(chǎn)生音波，并可以消除曝光液體中的微氣泡。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1963673SQ200510115208
公開日2007年5月16日 申請(qǐng)日期2005年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月11日
發(fā)明者張慶裕, 林建宏, 林進(jìn)祥, 魯定中, 林本堅(jiān) 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司