專利名稱：：減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種等離子蝕刻方法，尤其涉及一種減少微塵產(chǎn)生并適于制作淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)(ShallowTrenchIsolation，STI)的等離子蝕刻方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體工藝中，蝕刻主要是用以進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)印(patterntransfer)的應(yīng)用。一般的作法是和光刻工藝(lithography)相互配合。首先在襯底上涂布一層光致抗蝕劑，再以一曝光程序?qū)⒀谀Ｉ系膱D案在光致抗蝕劑上圖案化，接著再以顯影液去除未曝光的光致抗蝕劑，圖案化的光致抗蝕劑接著再作為蝕刻掩模，并選擇適當(dāng)?shù)臐袷交蚋墒轿g刻技術(shù)將部分襯底移除，最后再將圖案化的光致抗蝕劑移除，即可將掩模上的圖案轉(zhuǎn)印到襯底上。在半導(dǎo)體工藝中的蝕刻工藝主要采取濕式蝕刻與干式蝕刻二種形式，以干式蝕刻來說，其是將反應(yīng)室內(nèi)反應(yīng)氣體離子化或解離以產(chǎn)生等離子，并使具有反應(yīng)性的離子向晶片加速，通過離子與晶片表面的欲蝕刻材料間的化學(xué)反應(yīng)以驅(qū)使蝕刻反應(yīng)進(jìn)行，如此可以選擇性地移除晶片上欲蝕刻材料而于晶片上形成各種蝕刻圖案。干式蝕刻的優(yōu)點(diǎn)在于其所進(jìn)行的蝕刻為非等向蝕刻，所以不會(huì)產(chǎn)生如濕式蝕刻的底切現(xiàn)象，所以對于一些在蝕刻之后必須維持良好輪廓的需求(例如深溝渠)，干式蝕刻是最佳的選擇。在淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)(STI)工藝中，通常是使用干式蝕刻技術(shù)于襯底中蝕刻出溝渠?，F(xiàn)有的淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)的溝渠蝕刻步驟，首先會(huì)在襯底(substrate)上依序形成墊氧化層(padoxide)和氮化硅掩模層(Si3N4mask)。然后進(jìn)行光刻步驟，定義出欲形成溝渠的區(qū)域，再依序以等離子蝕刻法來蝕刻氮化硅掩模層、墊氧化層和襯底，以在襯底中形成溝渠。在上述于襯底中形成溝渠的過程中，至少以不同的蝕刻參數(shù)進(jìn)行兩個(gè)以上蝕刻步驟，在兩個(gè)蝕刻步驟之間，為了調(diào)整蝕刻條件，因此加入一穩(wěn)定步驟(stablestep)，現(xiàn)有的穩(wěn)定步驟會(huì)直接將等離子關(guān)閉，因此造成反應(yīng)環(huán)境的變化太大，而使得微塵容易產(chǎn)生。換言之，當(dāng)?shù)入x子開啟時(shí)，反應(yīng)腔室的溫度較高，而在等離子關(guān)閉時(shí)，反應(yīng)腔室的溫度將會(huì)冷卻，因此在穩(wěn)定步驟中(關(guān)閉等離子)，會(huì)使得先前在等離子蝕刻步驟中所產(chǎn)生的揮發(fā)性氣體，有可能因?yàn)槔鋮s而再次沉降下來而形成微塵。圖1A到圖1B所示的為一現(xiàn)有的等離子蝕刻方法中，產(chǎn)生的元件缺陷的示意圖。如圖1A所示，由于反應(yīng)室溫度降低，所以微塵110掉落在溝渠120中，而影響線路130的傳導(dǎo)性質(zhì)并造成電性失效。而且，在蝕刻步驟完成后，通常會(huì)再使用氧等離子清潔步驟，通常氧等離子可以去除來自反應(yīng)腔室本身、工作人員以及前一等離子蝕刻步驟的殘留物等污染源，以避免影響下一個(gè)等離子蝕刻步驟。但是，如圖1B所示，在制作出的溝渠120上仍會(huì)發(fā)現(xiàn)球型缺陷(balltypedefect)140，進(jìn)而影響線路130的傳導(dǎo)性質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，適于在襯底中形成溝渠，并可在多個(gè)蝕刻步驟間的轉(zhuǎn)換步驟中，不必關(guān)閉等離子，可單純通過調(diào)整反應(yīng)室壓力、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)，并使環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，以提供一穩(wěn)定的反應(yīng)環(huán)境，進(jìn)而避免微塵的產(chǎn)生。本發(fā)明的另一目的是提供一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，適于減少微塵產(chǎn)生并在襯底中形成溝渠，最后還進(jìn)行氧等離子清潔步驟，并在此步驟中調(diào)整反應(yīng)室壓力條件為40mTorr至80mTorr，進(jìn)而避免缺陷的產(chǎn)生。本發(fā)明提出一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其適于減少微塵掉落，此方法例如是先于設(shè)定多個(gè)環(huán)境參數(shù)的一第一環(huán)境下，對一襯底進(jìn)行一第一蝕刻步驟。接著，于設(shè)定上述環(huán)境參數(shù)的一第二環(huán)境下進(jìn)行一轉(zhuǎn)換步驟，其中第二環(huán)境的環(huán)境參數(shù)與第一環(huán)境的環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％。然后，于設(shè)定上述環(huán)境參數(shù)的一第三環(huán)境下，對襯底進(jìn)行一第二蝕刻步驟，其中第三環(huán)境的環(huán)境參數(shù)與第二環(huán)境的環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％。本發(fā)明還提出一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其適于減少微塵掉落并在一襯底中形成一溝渠，襯底上已形成一掩模層與一圖案化光致抗蝕劑層，此圖案化光致抗蝕劑層具有一開口暴露掩模層，此方法例如是先以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進(jìn)行一第一蝕刻步驟以移除部分掩模層。接著，以掩模層為掩模，進(jìn)行一第二蝕刻步驟以移除部分襯底，以于襯底中形成溝渠。其中在第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟之間例如進(jìn)行一第一轉(zhuǎn)換步驟，在第一轉(zhuǎn)換步驟中調(diào)整多個(gè)環(huán)境參數(shù)，使環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，以避免微塵產(chǎn)生。之后，進(jìn)行一氧等離子清潔步驟，在氧等離子清潔步驟中調(diào)整一反應(yīng)室壓力條件為40mTorr至80mTorr。依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，上述的環(huán)境參數(shù)例如為反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度。依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中在第二蝕刻步驟之后，還包括例如進(jìn)行一氧等離子清潔步驟，此氧等離子清潔步驟中調(diào)整反應(yīng)室壓力條件為40mTorr至80mTorr，以避免缺陷的產(chǎn)生。依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中以掩模層為掩模，進(jìn)行第二蝕刻步驟，移除部分襯底，以于襯底中形成溝渠的步驟例如是先進(jìn)行一第三蝕刻工藝，使溝渠頂部圓化，接著進(jìn)行一第四蝕刻工藝，以加深溝渠深度，之后進(jìn)行一第五蝕刻工藝，使溝渠底部圓化。其中在第三蝕刻步驟與第四蝕刻步驟之間例如進(jìn)行一第二轉(zhuǎn)換步驟，在第四蝕刻步驟與第五蝕刻步驟之間例如進(jìn)行一第三轉(zhuǎn)換步驟，在第二轉(zhuǎn)換步驟與第三轉(zhuǎn)換步驟中調(diào)整多個(gè)環(huán)境參數(shù)，使環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，以避免微塵產(chǎn)生。另外，上述的環(huán)境參數(shù)例如為反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度。本發(fā)明因采用一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，在等離子蝕刻步驟之間加入轉(zhuǎn)換步驟，以取代現(xiàn)有將等離子關(guān)閉的穩(wěn)定步驟。此轉(zhuǎn)換步驟并未將等離子關(guān)閉，并可通過控制反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)，使環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，以提供穩(wěn)定的反應(yīng)環(huán)境，進(jìn)而避免微塵的產(chǎn)生。此外，還進(jìn)行一氧等離子清潔步驟，在此氧等離子清潔步驟中調(diào)整氧氣流量，使反應(yīng)室壓力提升為40mTorr至80mTorr，此方法可有效取代現(xiàn)有的氧等離子清潔步驟(反應(yīng)室壓力為15mTorr)，因此可有效清除等離子蝕刻過程中產(chǎn)生的殘留物，進(jìn)而避免缺陷的產(chǎn)生。為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。圖1A和圖1B所繪示的是一現(xiàn)有的等離子蝕刻方法中，產(chǎn)生的元件缺陷示意圖；圖2所繪示的為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法的流程示意圖；圖3所繪示的為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種制作溝渠的組成步驟；圖4A至圖4G所繪示的為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種制作溝渠的流程剖面示意圖。具體實(shí)施例方式圖2所繪示的為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法的流程示意圖。請參照圖2，本發(fā)明的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法至少包括蝕刻步驟210、轉(zhuǎn)換步驟220、蝕刻步驟230以及氧等離子清潔步驟240。首先，利用一適當(dāng)?shù)奈g刻條件進(jìn)行蝕刻步驟210，以對于襯底進(jìn)行蝕刻。接著在進(jìn)入到下一個(gè)蝕刻步驟230之前，會(huì)先進(jìn)行一個(gè)轉(zhuǎn)換步驟220，在此轉(zhuǎn)換步驟220中不須關(guān)閉等離子，因此反應(yīng)室溫度不會(huì)冷卻。然后，在蝕刻步驟230之后，再進(jìn)行氧等離子清潔步驟240，以去除等離子蝕刻的殘留物。如圖2所示，蝕刻步驟210與蝕刻步驟230均使用等離子離子化氣體，在不同的蝕刻條件下對于襯底進(jìn)行蝕刻的動(dòng)作，且在蝕刻步驟210與蝕刻步驟230之間，會(huì)加入一轉(zhuǎn)換步驟220，值得注意的是，在轉(zhuǎn)換步驟220時(shí)，等離子仍維持在開啟狀態(tài)，工藝中僅調(diào)整反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)等，并控制蝕刻步驟210、230與轉(zhuǎn)換步驟220之間的反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，如此環(huán)境變化不至于太大，因而可避免微塵的產(chǎn)生。如圖2所示，在一實(shí)施例中，上述轉(zhuǎn)換步驟220中的可調(diào)整的環(huán)境參數(shù)，例如包括反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等，調(diào)整環(huán)境參數(shù)時(shí)，必須注意使環(huán)境參數(shù)在蝕刻步驟與轉(zhuǎn)換步驟之間的變化量小于15％。反應(yīng)室壓力條件直接關(guān)系到等離子蝕刻的效率，因?yàn)榈入x子蝕刻乃是以一等離子離子化氣體，對于未受掩模層保護(hù)的待蝕刻材料進(jìn)行離子轟擊(ionbombardment)與化學(xué)反應(yīng)的過程。當(dāng)反應(yīng)室內(nèi)的壓力高，代表反應(yīng)室內(nèi)氣體分子較多的狀況下，離子氣體在進(jìn)行離子轟擊的過程當(dāng)中，有可能會(huì)受到氣體分子的干擾，進(jìn)而影響蝕刻效率。氣體流量會(huì)直接影響等離子蝕刻的效率。因?yàn)闅怏w流量代表是否有一足夠的氣體以形成等離子，當(dāng)有足夠量的氣體形成等離子后，此等離子才能進(jìn)一步對材料進(jìn)行蝕刻。等離子電源功率也是直接影響到等離子的形成，而影響到之后的等離子蝕刻過程。反應(yīng)室溫度為提供一穩(wěn)定反應(yīng)環(huán)境的指標(biāo)。因?yàn)樵诘入x子蝕刻過程中，等離子與待蝕刻物質(zhì)反應(yīng)所產(chǎn)生的揮發(fā)性氣體，可能會(huì)再次沉積于冷卻的反應(yīng)室內(nèi)，而此沉積可能會(huì)形成污染源，因而影響到之后的等離子蝕刻工藝。因此，調(diào)整反應(yīng)室溫度可防止揮發(fā)性氣體再次沉積于反應(yīng)室，以利于保持反應(yīng)室的潔凈度。如圖2所示，在蝕刻步驟230之后，還包括進(jìn)行一氧等離子清潔步驟240以去除在等離子蝕刻過程中產(chǎn)生的殘留物。在一實(shí)施例中，在此氧等離子清潔步驟240中提高氧氣流量，使反應(yīng)室壓力提升為40mTorr至80mTorr，因此可讓氧等離子與來自反應(yīng)腔室本身、工作人員以及等離子蝕刻過程中產(chǎn)生的殘留物等污染源充分反應(yīng)以消除這些污染。由于此氧等離子清潔步驟240提高了反應(yīng)室壓力，所以可有效清除等離子蝕刻過程中產(chǎn)生的殘留物，進(jìn)而避免上述的污染源再次沉降在元件上而形成球型缺陷。圖3所繪示的為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種制作溝渠的步驟流程圖，包括光刻工藝200、蝕刻步驟210、轉(zhuǎn)換步驟220以及溝渠頂部圓化步驟231、轉(zhuǎn)換步驟232、溝渠加深步驟233、轉(zhuǎn)換步驟234與溝渠底部圓化步驟235等步驟。圖4A至圖4G所繪示的為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種制作溝渠的流程剖面示意圖，請共同參照圖3及圖4A至圖4G。如圖3及圖4A所繪示，首先提供一襯底310，在此襯底310上已依序形成有墊氧化層320、氮化硅掩模層330與光致抗蝕劑層340。接著，如圖3及圖4B所示，利用光刻工藝200將光致抗蝕劑層340圖案化，以形成一圖案化光致抗蝕劑層350，此圖案化光致抗蝕劑層350具有一開口352以暴露氮化硅掩模層330。接著便要進(jìn)行蝕刻溝渠的步驟，以下請共同參照圖3與圖4C到圖4G。如圖3及圖4C所示，在步驟210中，以此圖案化光致抗蝕劑層350為掩模，先以等離子360進(jìn)行蝕刻以移除部分氮化硅掩模層330與墊氧化層320，并在氮化硅掩模層330上制作一開口332。如圖3及圖4D所示，在步驟210中移除圖案化光致抗蝕劑層350，接著就要以氮化硅掩模層330作為硬掩模，透過硬掩模的開口332并利用等離子對于襯底310進(jìn)行蝕刻溝渠的步驟231到步驟235。在一實(shí)施例中，如圖3所示，在蝕刻步驟210與溝渠頂部圓化步驟231之間，會(huì)再進(jìn)行轉(zhuǎn)換步驟220，于此轉(zhuǎn)換步驟220中可調(diào)整反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)，并控制環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，所以環(huán)境的變化不至于太大，因此能夠避免微塵的產(chǎn)生。如圖3及圖4E所示，在一實(shí)施例中，以氮化硅掩模層330為掩模，利用等離子370在襯底310上進(jìn)行溝渠315的蝕刻，首先會(huì)進(jìn)行溝渠頂部圓化步驟231，在一實(shí)施例中，可改變等離子370離子轟擊的角度，或是改變等離子反應(yīng)氣體的選擇，進(jìn)一步使溝渠315頂部的蝕刻速率大于其他部分，而造成溝渠頂部圓化316。在一實(shí)施例中，如圖3所示，于溝渠頂部圓化步驟231與溝渠加深步驟233之間，會(huì)再進(jìn)行一轉(zhuǎn)換步驟232，于此轉(zhuǎn)換步驟232中可調(diào)整反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)，并使環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，所以環(huán)境的變化不至于太大，因此能夠避免微塵的產(chǎn)生。如圖3及圖4F所示，在一實(shí)施例中，接著使用等離子380進(jìn)行溝渠加深步驟233以加深溝渠315的深度。經(jīng)由溝渠加深步驟233，溝渠315的深度可由圖4E的d1加深至圖4F的d2，由于此步驟是針對于襯底310進(jìn)行蝕刻，所以可調(diào)整等離子反應(yīng)氣體的組成，以加速對硅襯底310的蝕刻。另外，等離子的角度也可以調(diào)整為垂直正向于襯底310進(jìn)行離子轟擊，以加速等離子對于溝渠315下挖的速度。在一實(shí)施例中，如圖3所示，在溝渠加深步驟233與溝渠底部圓化步驟235之間，會(huì)再進(jìn)行轉(zhuǎn)換步驟234，于此轉(zhuǎn)換步驟234中可調(diào)整反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)，并使環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，所以環(huán)境的變化不至于太大，因此能夠避免微塵的產(chǎn)生。如圖3及圖4G所示，接著使用等離子390進(jìn)行溝渠底部圓化步驟235，利用等離子390的離子轟擊以及等離子390與襯底310反應(yīng)的揮發(fā)性物質(zhì)會(huì)再沉積的原理，圓化溝渠底部317，與此同時(shí)，溝渠315會(huì)再繼續(xù)往下蝕刻并加深其深度為d3。在完成溝渠蝕刻之后，還包括進(jìn)行一氧等離子清潔步驟以去除在等離子蝕刻過程中產(chǎn)生的殘留物。在此氧等離子清潔步驟中，通過提高氧氣流量，使反應(yīng)室壓力提升為40mTorr至80mTorr，可有效清除等離子蝕刻過程產(chǎn)生的殘留物，進(jìn)而避免上述的污染源再次沉降在元件上而形成球型缺陷。綜上所述，本發(fā)明的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，至少具有下述優(yōu)點(diǎn)(1)在轉(zhuǎn)換步驟中并未將等離子關(guān)閉，因此反應(yīng)室仍維持在一溫度，進(jìn)而可避免等離子蝕刻的揮發(fā)物因冷卻而產(chǎn)生的微塵。(2)轉(zhuǎn)換步驟可通過控制反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率與反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)，并使環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，以提供一穩(wěn)定的等離子狀態(tài)繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)的蝕刻，并避免微塵產(chǎn)生。(3)在等離子蝕刻工藝最后進(jìn)行氧等離子清潔步驟，并提高氧氣流量使反應(yīng)室壓力為40mTorr至80mTorr，可有效清除等離子蝕刻過程中產(chǎn)生的殘留物，并進(jìn)而避免球型缺陷的產(chǎn)生。雖然本發(fā)明已經(jīng)以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作各種修改與變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，包括于設(shè)定多個(gè)環(huán)境參數(shù)的一第一環(huán)境下，對一襯底進(jìn)行一第一蝕刻步驟；于設(shè)定該些環(huán)境參數(shù)的一第二環(huán)境下進(jìn)行一轉(zhuǎn)換步驟，其中該第二環(huán)境的該些環(huán)境參數(shù)與該第一環(huán)境的該些環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％；以及于設(shè)定該些環(huán)境參數(shù)的一第三環(huán)境下，對該襯底進(jìn)行一第二蝕刻步驟，其中該第三環(huán)境的該些環(huán)境參數(shù)與該第二環(huán)境的該些環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％。2.如權(quán)利要求1所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括反應(yīng)室壓力條件。3.如權(quán)利要求1所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括氣體流量。4.如權(quán)利要求1所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括等離子電源功率。5.如權(quán)利要求1所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括反應(yīng)室溫度。6.如權(quán)利要求1所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中在該第二蝕刻步驟之后，還包括進(jìn)行一氧等離子清潔步驟，在該氧等離子清潔步驟中調(diào)整該反應(yīng)室壓力條件為40mTorr至80mTorr。7.一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其適于減少微塵掉落并在一襯底中形成一溝渠，該襯底上已形成一掩模層與一圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層具有一開口暴露該掩模層，該方法包括以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進(jìn)行一第一蝕刻步驟，移除部分該掩模層；以該掩模層為掩模，進(jìn)行一第二蝕刻步驟，移除部分該襯底，以于該襯底中形成該溝渠，其中在該第一蝕刻步驟與該第二蝕刻步驟之間包括進(jìn)行一第一轉(zhuǎn)換步驟，在該第一轉(zhuǎn)換步驟中調(diào)整多個(gè)環(huán)境參數(shù)，使該些環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，以避免微塵產(chǎn)生；以及進(jìn)行一氧等離子清潔步驟，在該氧等離子清潔步驟中調(diào)整一反應(yīng)室壓力條件為40mTorr至80mTorr。8.如權(quán)利要求7所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括反應(yīng)室壓力。9.如權(quán)利要求7所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括氣體流量。10.如權(quán)利要求7所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括調(diào)整等離子電源功率。11.如權(quán)利要求7所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括反應(yīng)室溫度。12.如權(quán)利要求7所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中在以該掩模層為掩模，進(jìn)行該第二蝕刻步驟，移除部分該襯底，以于該襯底中形成該溝渠的步驟包括進(jìn)行一第三蝕刻工藝，使該溝渠頂部圓化；進(jìn)行一第四蝕刻工藝，使該溝渠深度加深；以及進(jìn)行一第五蝕刻工藝，使該溝渠底部圓化；其中在該第三蝕刻步驟與該第四蝕刻步驟之間包括進(jìn)行一第二轉(zhuǎn)換步驟，在該第四蝕刻步驟與該第五蝕刻步驟之間包括進(jìn)行一第三轉(zhuǎn)換步驟，在該第二轉(zhuǎn)換步驟與該第三轉(zhuǎn)換步驟中調(diào)整多個(gè)環(huán)境參數(shù)，使該些環(huán)境參數(shù)的變化量小于15％，以避免微塵產(chǎn)生。13.如權(quán)利要求12所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括反應(yīng)室壓力條件。14.如權(quán)利要求12所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括氣體流量。15.如權(quán)利要求12所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括等離子電源功率。16.如權(quán)利要求12所述的減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，其中該些環(huán)境參數(shù)包括反應(yīng)室溫度。全文摘要一種減少微塵產(chǎn)生的等離子蝕刻方法，適于在襯底中形成溝渠，其包括以一第一蝕刻條件，對一襯底進(jìn)行一第一蝕刻步驟，以及以一第二蝕刻條件，對襯底進(jìn)行第二蝕刻步驟，其中在第一蝕刻步驟與第二蝕刻步驟之間進(jìn)行一轉(zhuǎn)換步驟，于其中調(diào)整反應(yīng)室壓力條件、氣體流量、等離子電源功率或反應(yīng)室溫度等環(huán)境參數(shù)至少其中之一，并使環(huán)境參數(shù)在蝕刻步驟與轉(zhuǎn)換步驟之間的變化量小于15％，以維持反應(yīng)環(huán)境的穩(wěn)定，并可由此避免微塵掉落。之后，在進(jìn)行氧等離子清潔步驟時(shí)，使反應(yīng)室壓力提升為40mTorr至80mTorr，進(jìn)而避免球型缺陷的產(chǎn)生。文檔編號(hào)H01L21/70GK1797716SQ20041008201公開日2006年7月5日申請日期2004年12月22日優(yōu)先權(quán)日2004年12月22日發(fā)明者簡俊賢,陳重吉申請人:聯(lián)華電子股份有限公司