專利名稱：半導(dǎo)體封裝及切割槽的形成方法及其去閃光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝的去閃光(deflash)技術(shù)，用于在半導(dǎo)體封裝的制作工序中，通過樹脂成型進(jìn)行密封的工序之后，在進(jìn)行電鍍工序之前，對要電鍍的部位預(yù)先除去閃光(flash)，尤其涉及為了除去作為難以進(jìn)行去閃光處理的部位的引線框側(cè)面形成的側(cè)向閃光(side flash)，在側(cè)向閃光中形成切割槽的半導(dǎo)體封裝及其切割槽的形成方法，以及具有切割槽的半導(dǎo)體封裝的去閃光方法。
背景技術(shù)：
通常，在現(xiàn)有半導(dǎo)體制作工序中，已知用于從半導(dǎo)體封裝中除去閃光的去閃光方式有利用高壓水流或介質(zhì)等的去閃光方式和利用照射激光束的去閃光方式。
如圖1至圖3所示，在半導(dǎo)體封裝1的通過樹脂成型進(jìn)行的密封工序中，在密封部12周邊的引線框10中一部分附著了異物的閃光3，當(dāng)沒有除去這些閃光時，不能進(jìn)行下一個工序即電鍍工序，因此，一般通過高壓噴射的水流或其他介質(zhì)等進(jìn)行去閃光工序。圖2示出了進(jìn)行去閃光工序前的狀態(tài)，圖3示出了去閃光工序后的狀態(tài)。
但是，如圖3所示，即使通過高壓噴射的水流或介質(zhì)等進(jìn)行去閃光工序，從密封部12的一側(cè)到引線部14的一側(cè)附著的側(cè)向閃光30仍會殘留在角落部而不會干凈地落下，這是去閃光工序中的難題。
當(dāng)然，也有的方法是進(jìn)一步提高水流或介質(zhì)等噴射壓力來完全除去側(cè)向閃光3，但當(dāng)以過大的超高壓噴射水流或介質(zhì)時，總是擔(dān)心由于過大的噴射壓力而對密封部12和引線部14造成損傷。而且，在進(jìn)一步提高了壓力的超高壓狀態(tài)下，為了提高水流的噴射壓力，需要根據(jù)噴射壓力的樣式擴(kuò)充泵等附帶設(shè)備，這又在技術(shù)上帶來了要克服的諸多問題，因此，實現(xiàn)起來非常困難。
通過照射激光束進(jìn)行去閃光的方式的主要目的通常是在制作位于金屬制成的防熱板表面的半導(dǎo)體封裝過程中，除去在密封工序中附著在防熱板表面上的閃光，但這種方式下，防熱板的面積比較大，必須向整個防熱板均勻照射激光束，所以復(fù)雜且效果差。而且，如果稍有失敗，向防熱板以外的密封部照射激光束，就會擔(dān)心給密封部本身帶來損傷，因此，在不適于直接除去側(cè)向閃光。
附著在防熱板表面的異物的形態(tài)多種多樣，每次都對應(yīng)這些形態(tài)調(diào)節(jié)激光束的照射強度是不容易的，因此，在實用性方面有局限性。因此，目前實際上，利用高壓噴射的水流或介質(zhì)等去閃光的方式幾乎不實用。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明者的目的是提供一種去閃光工序，在半導(dǎo)體封裝中，為了和現(xiàn)有技術(shù)相比，能更容易地完全除去密封工序中產(chǎn)生的閃光中同時附著在密封部和引線部上的、位于難除去的角落部的引線部的側(cè)向閃光，一次切割從密封部到引線部的上述閃光并形成切割槽，從而使除切割槽之外的其他部位上殘留的閃光部與密封部分離，當(dāng)變成只附著在引線部上的狀態(tài)時，和未形成切割槽的情況相比，可以容易地除去側(cè)向閃光。
本發(fā)明的目的是通過提供在同時附著在密封部和引線部上的、位于難除去的角落部的側(cè)向閃光中，在鄰接密封部的側(cè)向閃光中形成切割槽的半導(dǎo)體封裝和形成切割槽的方法，更有效地進(jìn)行去閃光工序，并且，進(jìn)一步提高產(chǎn)品質(zhì)量。
本發(fā)明的另一個目的是對形成切割槽的上述半導(dǎo)體封裝進(jìn)行去閃光工序，變成預(yù)先形成切割槽的側(cè)向閃光和密封部分離的狀態(tài)，僅具有只附著在引線部上來支撐的支持力，因此，和現(xiàn)有技術(shù)相比，即使通過由低壓水流或其他介質(zhì)進(jìn)行的去閃光工序，也能容易地除去閃光，結(jié)果，使去閃光的效率提高，并且，有效地區(qū)分在去閃光過程中形成切割槽的前處理工序和實際上進(jìn)行去閃光工序的后處理工序的任務(wù)分工，可更經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行使用。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝，在半導(dǎo)體封裝的制作工序中，通過樹脂成型進(jìn)行密封工序之后，在進(jìn)行電鍍工序之前，預(yù)先對電鍍部位除去閃光(flash)，其中，上述密封工序之后，在同時附著在半導(dǎo)體封裝的密封部和引線部上的、位于難除去的角落部的側(cè)向閃光中，在位于鄰接密封部的部位形成切割槽。
本發(fā)明提供一種方法，在半導(dǎo)體封裝的制作工序中，通過樹脂成型進(jìn)行密封工序之后，在進(jìn)行電鍍工序之前，預(yù)先對電鍍部位除去閃光(flash)，其中，上述密封工序之后，在同時附著在半導(dǎo)體封裝的密封部和引線部上的、位于難除去部位的側(cè)向閃光中，在位于鄰接密封部的部位通過激光束等照射介質(zhì)形成切割槽，在輸送半導(dǎo)體封裝的狀態(tài)下從固定上述照射介質(zhì)的位置照射，或者，在半導(dǎo)體封裝位置固定的狀態(tài)下使上述照射介質(zhì)移動，形成上述切割槽。
本發(fā)明提供一種方法，上述照射介質(zhì)的照射方向為半導(dǎo)體封裝的一側(cè)方向，形成切割槽，或者，從半導(dǎo)體封裝的兩側(cè)方向上的彼此不正對而是相互錯開的位置分別照射。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝的去閃光方法，在位于難除去的部位的側(cè)向閃光中形成切割槽后，通過由此預(yù)先形成的切割槽，向保持比較容易除去的狀態(tài)的殘留閃光照射水流或其他介質(zhì)后將它們完全除去。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的去閃光方法，可以提供一種在同時附著在密封部和引線部上的、位于難除去的角落部的側(cè)向閃光中形成切割槽的半導(dǎo)體封裝和形成切割槽的方法，因此，能更有效地進(jìn)行去閃光過程，并且，可以進(jìn)一步提高產(chǎn)品質(zhì)量。
對形成切割槽的本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝進(jìn)行去閃光工序時，預(yù)先形成切割槽的側(cè)向閃光變成和密封部分離的狀態(tài)，僅保持只附著在引線部上來支撐的支持力，因此，和現(xiàn)有技術(shù)相比，即使通過由低壓水流或其他介質(zhì)進(jìn)行的去閃光工序，也能容易地除去閃光，結(jié)果，使去閃光的效率提高，并且，有效地區(qū)分在去閃光過程中形成切割槽的前處理工序和實際上進(jìn)行去閃光工序的后處理工序的任務(wù)分工，可更經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行使用。


圖1是一例一般半導(dǎo)體封裝的部分省略平面圖；圖2和圖3是現(xiàn)有去閃光方式中，為了說明通過水流或介質(zhì)等實現(xiàn)的去閃光方式，放大示出了圖1所示的半導(dǎo)體封裝的主要部分，圖2是執(zhí)行去閃光工序前的狀態(tài)，示出了附著閃光時的放大平面圖，圖3是在執(zhí)行去閃光工序后也不能完全除去側(cè)向閃光時，用于說明產(chǎn)品保持不良狀態(tài)的例子的主要部分放大平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個最佳實施例說明去閃光過程的主要部分工序圖；圖5示出了通過照射介質(zhì)形成切割槽的方式中僅從一側(cè)進(jìn)行照射的例子的側(cè)面圖；圖6和圖7示出了通過照射介質(zhì)形成切割槽的方式中從兩側(cè)進(jìn)行照射時從彼此錯開的位置照射的例子，圖6是部分省略側(cè)面圖，圖7是部分省略正面圖。
符號說明1半導(dǎo)體封裝3閃光10引線框12密封部14引線部20切割槽30側(cè)向閃光具體實施方式
以下，參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。
首先，為了說明本發(fā)明中用于除去閃光的去閃光工序的獨特技術(shù)，說明一例適用的半導(dǎo)體封裝。即，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝的特征在于，如圖4第一幅圖所示，在不規(guī)則地附著在作為密封部12的周邊的引線框9、10上的異物的閃光3中，如第二幅圖所示，在對應(yīng)同時附著在密封部12和引線部14上的部位的側(cè)向閃光30中形成切割槽20。
即，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝是這樣完成的在半導(dǎo)體封裝的制作工序中，通過樹脂成型進(jìn)行密封工序之后，在進(jìn)行電鍍工序之前，為了預(yù)先對電鍍部位除去閃光，在密封工序之后，在同時附著在半導(dǎo)體封裝1的密封部12和引線部14上的、位于難除去的部位的側(cè)向閃光30中，在位于鄰接密封部12的部位形成切割槽20。
上述切割槽20的形成是這樣完成的在密封工序之后，在同時附著在半導(dǎo)體封裝1的密封部12和引線部14上的、位于難除去的部位的側(cè)向閃光30中，通過位于鄰接密封部12的部位上的激光束等照射介質(zhì)來形成，在輸送半導(dǎo)體封裝1的狀態(tài)下在固定上述照射介質(zhì)的恒定位置照射，或者，相反，在半導(dǎo)體封裝1位置固定的狀態(tài)下使上述照射介質(zhì)一邊移動一邊照射，形成上述切割槽。
具體地說，在輸送半導(dǎo)體封裝1的狀態(tài)下從固定上述照射介質(zhì)的恒定位置照射時，如圖5所示，上述照射介質(zhì)的照射是從半導(dǎo)體封裝1的一側(cè)方向進(jìn)行的，或者，如圖6和圖7所示，從半導(dǎo)體封裝1的兩側(cè)方向進(jìn)行，從彼此不正對而是互相錯開的位置分別照射，形成切割槽20。
在位于這種難以除去的部位的側(cè)向閃光30中形成切割槽之后，通過上述切割槽20對保持比較容易除去的狀態(tài)的側(cè)向閃光30執(zhí)行去閃光工序。
即，在本發(fā)明的去閃光工序中，通過上述激光束等照射介質(zhì)形成切割槽20的工序接著除去位于上述難以除去的部位的側(cè)向閃光30之后，位于其他剩余部位的比較容易除去的殘留閃光32再次執(zhí)行去閃光工序，這時，如圖四第三個圖所示，為了完全去閃光，可以通過水流或其他介質(zhì)等執(zhí)行去閃光工序。
這時，如圖5所示，以半導(dǎo)體封裝1為中心，僅從一側(cè)方向照射激光束等照射介質(zhì)的情況下，也能形成切割槽20，但如圖6和圖7所示，優(yōu)點在于以半導(dǎo)體封裝1為中心，當(dāng)從互相錯開的兩側(cè)方向照射激光束等照射介質(zhì)時，先從一側(cè)形成切割槽20，因此，照射后仍殘留部分照射介質(zhì)，或者，位于上述切割槽20以外的引線部14前面或背面的殘余閃光也能被除去。
當(dāng)然，使用激光束等照射介質(zhì)時，如果從不是上述相互錯開的位置而是相對的位置同時照射，則有照射介質(zhì)相互沖突且相互損傷的危險性，因此，最好不這樣。
根據(jù)本發(fā)明的一個最佳實施例，通過激光束除去實際上同時附著在半導(dǎo)體封裝1的密封部12和引線部14上且位于難以除去的部位上的側(cè)向閃光30，在以5m/min的速度輸送半導(dǎo)體封裝1的狀態(tài)下，通過從固定位置照射的激光束將從激光束照射部到側(cè)向閃光30的相隔距離維持在20mm以下的狀態(tài)下，僅從半導(dǎo)體封裝1的一側(cè)照射激光束，由此形成切割槽20的結(jié)果是，能確認(rèn)實際上確實形成了切割槽20。
通過激光束除去實際上同時附著在半導(dǎo)體封裝1的密封部12和引線部14上且位于難以除去的部位上的側(cè)向閃光30，在以5m/min的速度輸送半導(dǎo)體封裝1的狀態(tài)下，通過從固定位置照射的激光束將從激光束照射部到側(cè)向閃光30的相隔距離維持在20mm以下的狀態(tài)下，從半導(dǎo)體封裝1的兩側(cè)彼此錯開地順次照射激光束，由此除去閃光的結(jié)果是，除了切割槽20以外，能確認(rèn)確實除去了位于和該切割槽20鄰接的前后面上的閃光。
如上所述，作為第二次的后處理工序?qū)Φ谝淮涡纬汕懈畈?0的半導(dǎo)體封裝1執(zhí)行去閃光工序，在300kg/cm2的壓力下，在兩側(cè)使用從交互且位置固定的4個噴嘴噴射的水流，在以5m/min的速度輸送半導(dǎo)體封裝1的狀態(tài)下，執(zhí)行第二次去閃光工序的結(jié)果是，可以確實除去上述切割槽20形成后殘留的閃光32。
權(quán)利要求
1.一種在側(cè)向閃光中具有切割槽的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，在半導(dǎo)體封裝的制作工序中，通過樹脂成型進(jìn)行密封工序之后，在進(jìn)行電鍍工序之前，預(yù)先對電鍍部位除去閃光的半導(dǎo)體封裝中，上述密封工序之后，在同時附著在半導(dǎo)體封裝的密封部和引線部上的、位于難除去的角落部的側(cè)向閃光中，在位于鄰接密封部的部位形成切割槽。
2.一種在側(cè)向閃光中形成切割槽的方法，其特征在于，在半導(dǎo)體封裝的制作工序中，通過樹脂成型進(jìn)行密封工序之后，在進(jìn)行電鍍工序之前，預(yù)先對電鍍部位除去閃光的半導(dǎo)體封裝中，上述密封工序之后，在同時附著在半導(dǎo)體封裝的密封部和引線部上的、位于難除去的角落部的側(cè)向閃光中，在位于鄰接密封部的部位通過激光束等照射介質(zhì)形成切割槽，在輸送半導(dǎo)體封裝的狀態(tài)下從固定上述照射介質(zhì)的位置照射并形成上述切割槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的在側(cè)向閃光中形成切割槽的方法，其特征在于，上述密封工序之后，在同時附著在半導(dǎo)體封裝的密封部和引線部上的、位于難除去的角落部的側(cè)向閃光中，在位于鄰接密封部的部位通過激光束等照射介質(zhì)形成切割槽，在半導(dǎo)體封裝位置固定的狀態(tài)下使上述照射介質(zhì)移動，形成上述切割槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的在側(cè)向閃光中形成切割槽的方法，其特征在于，上述照射介質(zhì)的照射方向為半導(dǎo)體封裝的一側(cè)方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的在側(cè)向閃光中形成切割槽的方法，其特征在于，上述照射介質(zhì)的照射方向是從半導(dǎo)體封裝的兩側(cè)方向上彼此不正對而是相互錯開的位置分別照射。
6.一種半導(dǎo)體封裝的去閃光方法，其特征在于，在半導(dǎo)體封裝的制作工序中，通過樹脂成型進(jìn)行密封工序之后，在進(jìn)行電鍍工序之前，預(yù)先對電鍍部位除去閃光的半導(dǎo)體封裝中，在位于難除去的部位的側(cè)向閃光中形成切割槽后，通過切割槽向保持比較容易除去的狀態(tài)的殘留閃光照射水流或其他介質(zhì)后將它們完全除去。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝的去閃光技術(shù)，用于在半導(dǎo)體封裝的制作工序中，通過樹脂成型進(jìn)行密封工序之后，預(yù)先對電鍍部位除去閃光，具體地說，提供一種為了除去在作為難以進(jìn)行去閃光處理的部位的引線框的側(cè)面形成的側(cè)向閃光，在側(cè)向閃光中形成切割槽的半導(dǎo)體封裝及其切割槽的形成方法以及具有切割槽的半導(dǎo)體封裝中的去閃光方法。以前，通過利用超高壓水流或介質(zhì)等的去閃光方式也不能干凈地除去閃光，而且，利用移動照射激光束的去閃光技術(shù)也難以適用的引線框的一部分側(cè)向閃光中，提供一種通過照射激光束等照射介質(zhì)將切割槽形成至引線部的半導(dǎo)體封裝及其切割槽的形成方法，以及具有切割槽的半導(dǎo)體封裝中的去閃光方法，從而提高去閃光的效率和品質(zhì)。
文檔編號H01L21/48GK1551314SQ20031011943
公開日2004年12月1日 申請日期2003年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月12日
發(fā)明者鄭載松 申請人:噴氣技術(shù)株式會社