專利名稱：多層膜的干濕結(jié)合蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多層膜的蝕刻方法(本件申請文件中將干法刻蝕和濕法腐蝕統(tǒng)稱為蝕刻)，特別是各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)傳感器制造中所使用的以坡莫合金(NiFe)與鉭(Ta)形成的多層膜的蝕刻方法。
背景技術(shù)：
由于各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜能夠制備高集成度器件，因此基于該效應(yīng)的傳感器具有非常廣泛的用途，如硬盤高密度磁頭、磁編碼器、電子羅盤、動態(tài)汽車目標(biāo)捕獲及電流傳感器等。各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜結(jié)構(gòu)簡單、制作相對容易、價廉、穩(wěn)定性好，在體積、質(zhì)量及成本上有很大優(yōu)勢，即使在發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應(yīng)(GMR)并且其產(chǎn)品已經(jīng)出現(xiàn)的今天，用傳統(tǒng)(AMR)薄膜做的硬盤磁頭和傳感器在市場上仍占主流。
用于制備各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)傳感器的薄膜一般是由過渡層/坡莫合金層/保護(hù)層構(gòu)成的三明治結(jié)構(gòu)，整個薄膜一般沉積在硅或玻璃基片上。通常過渡層和保護(hù)層材料采用的是鉭(Ta)，因為它具有比較大的電阻率，而且在薄膜生長的過程中能使NiFe形成很好的FCC(111)結(jié)構(gòu)。
圖1是各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條的芯片剖面圖。如圖1所示，在表面覆蓋絕緣膜的硅片或玻璃基板a上面，形成鉭(Ta)過渡層b，在其上面為坡莫合金(NiFe)層c，最上層為鉭(Ta)保護(hù)層d。
一般利用干法刻蝕或者濕法腐蝕的辦法實現(xiàn)各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條的成形，其工藝過程如圖2所示。
首先，如圖2.1所示，在過渡層/坡莫合金/保護(hù)層多層膜上涂敷光刻膠e，利用光刻技術(shù)得到具有與各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條圖形對應(yīng)的光刻膠圖形(圖2.2)。接著，將光刻膠圖形作為掩膜，利用離子束刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)等干法刻蝕Ta/NiFe/Ta多層膜，或者利用能與鉭、坡莫合金(NiFe)發(fā)生反應(yīng)的溶液(例如一種Ta腐蝕液為K2CrO7+NaOH+C4H4O6KNa+H2O，一種NiFe合金的腐蝕液為HNO3+HCl+CH3COOH+H2O)濕法腐蝕Ta/NiFe/Ta多層膜(圖2.3)，最后除去光刻膠e，以得到各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條(圖2.4)。
上述蝕刻方法都存在一些缺陷。
離子束刻蝕(IBE)制備出的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條圖形質(zhì)量比較好，但大面積刻蝕速率均勻的離子束源制作困難，而且IBE對不同材料刻蝕速的選擇性不高，采用離子束刻蝕(IBE)制備各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條時必然過刻，對基片造成損傷(如圖3所示)，此問題在刻蝕大面積基片時更為突出。
反應(yīng)離子刻蝕(RIE)對不同材料的選擇性比離子束刻蝕(IBE)高，但很難找到合適的反應(yīng)氣體來刻蝕坡莫合金。
濕法腐蝕對不同材料的選擇性很高，但由于光刻膠抗蝕能力不強(qiáng)以及濕法腐蝕固有的橫向鉆蝕效應(yīng)，腐蝕出的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條邊緣很容易出現(xiàn)鋸齒狀缺陷，如圖4所示，降低了電阻條的各向異性磁電阻效應(yīng)，嚴(yán)重影響器件性能。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述各種蝕刻方法的缺陷，本發(fā)明的主要目的在于提供一種多層膜的干濕結(jié)合蝕刻方法，特別是針對各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)多層膜的蝕刻方法，該方法易于實現(xiàn)、而且對基片損傷小，制備出的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條邊緣整齊，圖形質(zhì)量高。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)解決方案是提供一種多層膜的干濕結(jié)合蝕刻方法，其包括干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的保護(hù)層；濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的坡莫合金層；干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的過渡層。
所述的方法，其包括以下步驟(a)根據(jù)需要，準(zhǔn)備各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜；
(b)首先，在各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜上形成光刻膠掩膜層；(c)接著，以所述光刻膠掩膜層作為掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的保護(hù)層；(d)然后，以上述干法刻蝕后的保護(hù)層作為掩膜，利用化學(xué)方法濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的坡莫合金層；(e)再后，重新在各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜上形成光刻膠掩膜層，并以此為掩膜利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的過渡層；(f)得成品。
所述的方法，其包括以下步驟(a)根據(jù)需要，準(zhǔn)備各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜；(b)首先，在各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜上形成光刻膠掩膜層；(c)接著，以所述光刻膠掩膜層作為掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的保護(hù)層；(d)然后，以上述干法腐蝕后的保護(hù)層作為掩膜，利用化學(xué)方法濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的坡莫合金層；(e)最后，不使用任何掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的過渡層，同時減薄保留下的各向異性磁電阻效應(yīng)電阻條上的保護(hù)層；(f)得成品。
所述的方法，其所述各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜是由過渡層/坡莫合金/保護(hù)層組成的多層膜，為鉭(Ta)/坡莫合金(NiFe)/鉭(Ta)。
所述的方法，其所述化學(xué)方法濕法腐蝕，是使用硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、水(H2O)的混合液，或使用硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)、水(H2O)的混合液，在一定溫度下腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的坡莫合金(NiFe)層；其混合液的體積比為HNO3/H3PO4/H2O＝1/3/20或HNO3/CH3COOH/H2O＝1/3/20。
所述的方法，其所述干法刻蝕方法，包括各種離子束刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)以及等離子刻蝕(PE)。
所述的方法，其所述干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的保護(hù)層，是利用磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕(MERIE)機(jī)刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的鉭保護(hù)層，反應(yīng)氣體SF6，流量為29~31sccm，RF功率為48~52W，刻蝕時間為79~81Sec。
所述的方法，其在蝕刻各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的保護(hù)層和坡莫合金層后，不再蝕刻各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的過渡層，而在后續(xù)工藝中采取其它措施消除或降低未被腐蝕的各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜過渡層對器件性能的影響。
所述的方法，其所述的其它措施，是在蝕刻各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的保護(hù)層和坡莫合金層后，在后續(xù)工藝中，以磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕(MERIE)機(jī)，用氧離子處理各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中未去除的鉭過渡層。
所述的方法，其所述的磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕(MERIE)，反應(yīng)氣體O2，流量為29~31sccm，RF功率為48~52W，處理時間為190~210Sec。
本發(fā)明的方法有以下優(yōu)點(diǎn)首先，本發(fā)明方法在干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的保護(hù)層和過渡層之間利用濕法腐蝕坡莫合金層。由于濕法腐蝕的選擇性極佳，在腐蝕坡莫合金層時對各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的鉭(Ta)保護(hù)層和過渡層影響很小，干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜保護(hù)層的不均勻不會影響對(AMR)薄膜鉭(Ta)過渡層的蝕刻。而需要進(jìn)行干法刻蝕的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜保護(hù)層和過渡層都比較薄，可以比較容易地將過刻控制在能夠容忍的范圍內(nèi)。與傳統(tǒng)的干法刻蝕相比本發(fā)明方法降低了對干法刻蝕設(shè)備大面積刻蝕速率均勻性的要求。
其次，干法刻蝕坡莫合金大多只能一片一片地進(jìn)行，速率比較慢，效率比較低，而且干法刻蝕對基片的最大尺寸有一定限制，而濕法腐蝕坡莫合金從理論上講對基片尺寸沒有任何限制，并且可以成批加工。與傳統(tǒng)干法刻蝕相比本發(fā)明方法只需對比較薄的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜保護(hù)層和過渡層進(jìn)行干法刻蝕，縮短了干法刻蝕的時間，提高了刻蝕工藝的效率。
此外，本發(fā)明在進(jìn)行濕法化學(xué)腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的坡莫合金(NiFe)層時利用干法刻蝕后的保護(hù)層作為掩膜，替代傳統(tǒng)濕法腐蝕工藝中的光刻膠掩膜。各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜保護(hù)層(常見的一種是鉭(Ta))對坡莫合金(NiFe)腐蝕液的抗蝕能力很強(qiáng)，而且保護(hù)層上的圖形是由干法刻蝕制備的，圖形邊緣很整齊，這保證了腐蝕后的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條邊緣整齊，圖形質(zhì)量比較高。


圖1是形成各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的芯片剖面圖；圖2是利用干法或者濕法蝕刻的辦法實現(xiàn)各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條成形的工藝過程；圖3是干法刻蝕形成各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條時對基片造成損傷的剖面示意圖；圖4是濕法腐蝕形成各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條邊緣出現(xiàn)鋸齒裝缺陷的剖面及正面示意圖；圖5是本發(fā)明方法一種方案的工藝過程示意圖；圖6是本發(fā)明方法另一種方案的工藝過程示意圖；圖7是本發(fā)明具體實現(xiàn)方法中所使用的磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(MERIE)結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明方法具體實現(xiàn)的工藝過程示意圖。
具體實施例方式
在說明具體實現(xiàn)方法之前，先簡單介紹本發(fā)明具體實現(xiàn)方式中使用的儀器裝置。本發(fā)明具體實現(xiàn)方式中使用一臺磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(MERIE)進(jìn)行干法刻蝕，其結(jié)構(gòu)見圖7所示；使用恒溫水浴鍋控制濕法腐蝕時的溫度。
本發(fā)明方法的一種方案，如圖5所示，為首先，在各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜上形成光刻膠掩膜層。所述各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜是由過渡層/坡莫合金/保護(hù)層組成的多層膜，一種常用的多層膜為鉭(Ta)/坡莫合金(NiFe)/鉭(Ta)。
接著，以所述光刻膠掩膜層作為掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜中的保護(hù)層。所述干法刻蝕方法包括各種離子束刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)以及等離子刻蝕(PE)等，其中一種方法是利用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)作為保護(hù)層的鉭(Ta)膜。
然后，以上述干法刻蝕后的保護(hù)層作為掩膜，利用化學(xué)方法濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜中的坡莫合金層。
最后，重新在各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜上形成光刻膠掩膜層，并以此為掩膜利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜中的過渡層。
本發(fā)明方法的另一種方案，如圖6所示，為首先，在各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜上形成光刻膠掩膜層。
接著，以所述光刻膠掩膜層作為掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜中的保護(hù)層。
然后，以上述干法腐蝕后的保護(hù)層作為掩膜，利用化學(xué)方法濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜中的坡莫合金層。
最后，不使用任何掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的過渡層，同時減薄保留下的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條上的保護(hù)層。所述干法刻蝕方法同樣包括各種離子束刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)以及等離子刻蝕(PE)等，其中一種方法是利用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)作為保護(hù)層的鉭(Ta)膜。
需要指出的是，刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜中過渡層的工藝在一些情況下可以省略，只需在后續(xù)工藝中消除或減小未被腐蝕的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜過渡層對器件性能的影響(如以反應(yīng)離子刻蝕(RIE)用氧氣處理本來需被蝕刻掉的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜過渡層，使其氧化以增大電阻率，減小未被蝕刻的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜過渡層對器件性能的影響)。
本發(fā)明的具體實現(xiàn)方式省略了蝕刻各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜過渡層(Ta)的工藝，改為在后續(xù)工藝中用氧離子處理各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的過渡層。為了更清楚地說明本發(fā)明的實現(xiàn)方法，圖8包含了各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條蝕刻工藝后續(xù)的部分工藝。
結(jié)合圖8對本發(fā)明的具體實現(xiàn)方式說明如下(1)在鉭(Ta)/坡莫合金(NiFe)/鉭(Ta)組成的各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜上涂敷一層厚度為1μm的正性光刻膠膜(e)。
其中鉭過渡層(b)、坡莫合金(c)、鉭保護(hù)層(d)的厚度分別為3nm、20nm、3nm。(圖8.1)(2)采用曝光技術(shù)，在光刻膠膜(e)上形成與所設(shè)計各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)電阻條圖形對應(yīng)的圖形。(圖8.2)(3)以上述光刻膠膜(e)作為掩膜，利用磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕(MERIE)機(jī)刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的鉭保護(hù)層(d)。反應(yīng)氣體SF6流量為30sccm，RF功率為50W，刻蝕時間為80Sec。由于MERIE的選擇性，坡莫合金(NiFe)層(c)幾乎不被刻蝕。(圖8.3)(4)利用有機(jī)溶劑丙酮、乙醇等除去干法刻蝕后殘余的光刻膠膜(e)。(圖8.4)(5)以各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的鉭保護(hù)層(d)作為掩膜，利用濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜中的坡莫合金(NiFe)層(c)。腐蝕液為硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、水(H2O)的混合液，其體積比為HNO3/H3PO4/H2O＝1/3/20，腐蝕溫度為40℃，時間為100Sec。另外一種腐蝕液為硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)、水(H2O)的混合液，其體積比為HNO3/CH3COOH/H2O＝1/3/20，腐蝕溫度為40℃，時間為100Sec。(圖8.5)(6)在各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜表面利用剝離(lift-off)技術(shù)沉積銅/金(Cu/Au)雙層膜形成所需電極(如barber電極、壓焊塊等)(f)。(圖8.6)(7)以磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕(MERIE)機(jī)，用氧離子處理各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜中未去除的鉭過渡層。反應(yīng)氣體O2流量為30sccm，RF功率為50W，處理時間為200Sec。(圖8.7)經(jīng)過氧離子處理，鉭過渡層部分氧化，電阻率急劇升高，未去除的鉭過渡層對各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)器件的影響可以忽略。同時，氧離子處理也清潔了銅/金(Cu/Au)電極表面，利于后工序的壓焊、封裝等。
權(quán)利要求
1.一種多層膜的干濕結(jié)合蝕刻方法，其特征在于，包括干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的保護(hù)層；濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的坡莫合金層；干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的過渡層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步驟(a)根據(jù)需要，準(zhǔn)備各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜；(b)首先，在各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜上形成光刻膠掩膜層；(c)接著，以所述光刻膠掩膜層作為掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的保護(hù)層；(d)然后，以上述干法刻蝕后的保護(hù)層作為掩膜，利用化學(xué)方法濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的坡莫合金層；(e)再后，重新在各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜上形成光刻膠掩膜層，并以此為掩膜利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的過渡層；(f)得成品。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步驟(a)根據(jù)需要，準(zhǔn)備各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜；(b)首先，在各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜上形成光刻膠掩膜層；(c)接著，以所述光刻膠掩膜層作為掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的保護(hù)層；(d)然后，以上述干法腐蝕后的保護(hù)層作為掩膜，利用化學(xué)方法濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中的坡莫合金層；(e)最后，不使用任何掩膜，利用干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的過渡層，同時減薄保留下的各向異性磁電阻效應(yīng)電阻條上的保護(hù)層；(f)得成品。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜是由過渡層/坡莫合金/保護(hù)層組成的多層膜，為鉭(Ta)/坡莫合金(NiFe)/鉭(Ta)。
5.如權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述化學(xué)方法濕法腐蝕，是使用硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、水(H2O)的混合液，或使用硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)、水(H2O)的混合液，在一定溫度下腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的坡莫合金(NiFe)層；其混合液的體積比為HNO3/H3PO4/H2O＝1/3/20或HNO3/CH3COOH/H2O＝1/3/20。
6.如權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕方法，包括各種離子束刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕以及等離子刻蝕。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的保護(hù)層，是利用磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的鉭保護(hù)層，反應(yīng)氣體SF6，流量為29~31sccm，RF功率為48~52W，刻蝕時間為79~81Sec。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在蝕刻各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的保護(hù)層和坡莫合金層后，不再蝕刻各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的過渡層，而在后續(xù)工藝中采取其它措施消除或降低未被腐蝕的各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜過渡層對器件性能的影響。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述的其它措施，是在蝕刻各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的保護(hù)層和坡莫合金層后，在后續(xù)工藝中，以磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，用氧離子處理各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜中未去除的鉭過渡層。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述的磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕，反應(yīng)氣體O2，流量為29~31sccm，RF功率為48~52W，處理時間為190~210Sec。
全文摘要
本發(fā)明涉及多層膜的蝕刻方法，特別是各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)傳感器制造中所使用的多層膜的蝕刻方法。一種多層膜的干濕結(jié)合蝕刻方法，包括干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜的保護(hù)層；濕法腐蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的坡莫合金層；干法刻蝕各向異性磁電阻效應(yīng)薄膜的過渡層。各向異性磁電阻效應(yīng)(AMR)薄膜為鉭(Ta)/坡莫合金(NiFe)/鉭(Ta)組成的多層膜。本發(fā)明與傳統(tǒng)的方法相比，縮短了刻蝕的時間，提高了刻蝕工藝的效率，電阻條邊緣整齊，圖形質(zhì)量高。
文檔編號H01L43/00GK1617229SQ20031011389
公開日2005年5月18日 申請日期2003年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月11日
發(fā)明者高曉光, 李建平, 何秀麗 申請人:中國科學(xué)院電子學(xué)研究所