專利名稱：顯示裝置及其制造方法、電子裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置的制造方法、一種顯示裝置、一種電子裝置的制造方法和一種電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來，通過將用于功能材料(member)的制作圖案的方法應(yīng)用在墨水噴射方法中，即將例如有機(jī)熒光材料這樣的功能材料液化，從而將它注射在一個(gè)基礎(chǔ)材料上，使得具有將一功能材料形成的功能層夾在一對電極之間的彩色顯示裝置，特別是使用例如有機(jī)發(fā)光材料這樣的功能材料的有機(jī)電致發(fā)光(下文稱為EL)顯示裝置不斷發(fā)展。
在上述的功能材料的圖案形成方法中，在一個(gè)像素電極的周圍形成一個(gè)梯形部分，該像素電極是由，例如形成在基體上的ITO制成的，然后對該像素電極和鄰近該像素電極的梯形部分(bank section)的一部分進(jìn)行親液(lyophilically)處理，并對梯形部分的其余部分進(jìn)行處理使其變得易揮發(fā)，隨后，將包括功能層中含有的材料的化合物注入像素電極的近似中心，然后干燥；這樣就在像素電極上形成功能層。
在該傳統(tǒng)方法中，如果注入的化合物從梯形部分中溢出，則注入的化合物不會在被處理為防水的梯形部分中的區(qū)域處擴(kuò)散開，并流到相鄰的像素電極處；因此可以很精確的執(zhí)行制作圖案操作。
但是，在傳統(tǒng)方法中，注入的化合物將從像素電極的中心均勻的向其附近的周圍擴(kuò)散；因此注入的化合物很難擴(kuò)散到梯形部分的一個(gè)被處理為親液的部分。因此，存在當(dāng)像素電極中功能層中的均勻性不能實(shí)現(xiàn)的情況。考慮到該梯形部分中被處理為親液的一部分是像素電極周圍很小的區(qū)域；因此該化合物不會由于表面張力等原因擴(kuò)散。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮到上述情況而提出的。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種顯示裝置和制造它的方法，從而可以在不會造成每個(gè)像素電極的功能層中的非均勻性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)更好的顯示質(zhì)量。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明使用了下面的結(jié)構(gòu)。
用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法特征在于該顯示裝置的制造方法在功能層之間具有一個(gè)梯形部分，這些功能層通過在形成在一個(gè)基礎(chǔ)本體上的多個(gè)電極周圍形成一個(gè)梯形部分而形成在電極上，該方法通過從多個(gè)噴嘴噴射化合物而實(shí)現(xiàn)在每個(gè)電極上形成功能層，具有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列以對角線方式在主掃描方向上掃描該基礎(chǔ)本體，并對各功能層噴射初始噴射的化合物液滴，從而使其至少接觸該梯形部分的一部分。
根據(jù)這種顯示裝置的制造方法，對各功能層初始噴射的化合物液滴至少接觸梯形部分的一部分，這些液滴從梯形部分運(yùn)動(dòng)到電極的表面；從而使化合物液滴優(yōu)先均勻的提供到電極的周圍。因此，可以形成基本具有均勻厚度的功能層。
而且，本發(fā)明用于顯示裝置的制造方法特征在于在梯形部分中形成一被處理為親液的區(qū)域和一被處理為防水的區(qū)域，化合物的液滴接觸該防水區(qū)域。
通過這種顯示裝置的制造方法，化合物的液滴接觸梯形部分中被處理為親液的區(qū)域；然后該液滴可從該梯形部分快速運(yùn)動(dòng)到電極的表面；從而可實(shí)現(xiàn)化合物的液滴優(yōu)先在電極周圍擴(kuò)散。
而且，本發(fā)明用于顯示裝置的制造方法的特征在于該梯形部分是由一被處理為親液的第一梯形層和一被處理為防水的第二梯形層形成的，該第一梯形層覆蓋電極的一部分。
根據(jù)顯示裝置的這樣的制造方法，被處理為親液的第一梯形層覆蓋電極的一部分；化合物在該第一梯形層上擴(kuò)散的速度大于在電極上擴(kuò)散的速度。因此，可以實(shí)現(xiàn)均勻的提供化合物。
一種用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，其中在形成在一個(gè)基本本體上的多個(gè)電極中的每一個(gè)上都形成有功能層，在功能層之間具有梯形部分，該方法的特征在于包括以下步驟梯形部分形成步驟，用于形成梯形部分從而覆蓋電極的一部分；親液步驟，用于將電極的至少一部分處理為親液的；防水步驟，用于將梯形部分的一部分處理為防水；功能層形成步驟，用于通過從多個(gè)噴嘴中噴射化合物，在每個(gè)電極上形成至少一個(gè)功能層；和面對電極形成步驟，用于在功能層上形成面對電極。在功能層形成步驟中，當(dāng)具有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列以對角方式在主掃描方向上掃描基礎(chǔ)本體時(shí)，噴射向各功能層初始噴射的化合物液滴，從而至少接觸梯形部分的一部分。
根據(jù)顯示裝置的這種制造方法，向各功能層噴射的初始化合物液滴至少接觸該梯形部分的一部分，該液滴從梯形部分運(yùn)動(dòng)到電極表面。因此，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)先均勻的向電極周圍提供化合物液滴。因此，可以形成具有均勻厚度的功能層。
而且，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的特征在于該梯形部分是由在親液步驟中被處理為親液的一第一梯形層和在防水步驟中被處理為防水的一第二梯形層形成的，該第一梯形層覆蓋電極的一部分。
根據(jù)該顯示裝置的制造方法，被處理為親液的第一梯形層覆蓋電極的一部分；因此化合物在該第一梯形層上擴(kuò)散的速度大于在電極上擴(kuò)散的速度。因此可以均勻的提供化合物。
而且，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的特征在于功能層至少包括一空穴注入/傳輸層。
而且，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的特征在于該功能層至少包括一發(fā)光層。
根據(jù)該顯示裝置的制造方法，該功能層包括一空穴注入/傳輸層或一發(fā)光層；因此可以形成具有基本均勻厚度的空穴注入/傳輸層或發(fā)光層。
而且，在上述功能層形成步驟中，可通過多次噴射化合物液滴來形成各功能層，滴落該液滴的間隔應(yīng)當(dāng)小于液滴的直徑。在這種情況下，上述噴嘴陣列對各功能層的掃描操作可以只發(fā)生一次。
而且，在功能層形成步驟中，可通過多次噴射化合物液滴來形成各功能層，滴落該液滴的間隔應(yīng)當(dāng)大于液滴的直徑。在這種情況下，上述噴嘴陣列對各功能層的掃描操作應(yīng)當(dāng)為一次或兩次以上。在執(zhí)行多次掃描操作的情況中，噴嘴陣列對各功能層的每次掃描操作最好使用不同的噴嘴。
這里，對于使用不同噴嘴的方法，在噴嘴陣列對各功能層的各掃描操作中，噴嘴陣列能夠在子掃描方向上位移。
根據(jù)該顯示裝置的制造方法，每次掃描操作應(yīng)當(dāng)使用噴嘴陣列中的不同噴嘴。這樣，可以減小每個(gè)噴嘴的化合物噴射量的不均勻；這樣，可以降低功能層厚度的不均勻。因此，可以制造出具有更好的顯示質(zhì)量的顯示裝置。
另外，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于它是按照根據(jù)本發(fā)明任何一個(gè)方面的顯示裝置的制造方法來制造的。
該顯示裝置是根據(jù)上述顯示裝置的制造方法來制造的；因此可以降低功能層的厚度中的不均勻并形成均勻的功能層。因此，可以提高顯示裝置的顯示質(zhì)量。
本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的特征在于在功能層之間具有一梯形部分；通過從多個(gè)噴嘴噴射化合物實(shí)現(xiàn)在各電極上形成功能層；以及一個(gè)具有用于驅(qū)動(dòng)顯視裝置的驅(qū)動(dòng)電路的電子裝置，其中通過在多個(gè)電極周圍形成一梯形部分而在電極上形成功能層，該多個(gè)電極形成在一個(gè)基礎(chǔ)本體上。具有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列以對角方式在主掃描方向上對該基礎(chǔ)本體進(jìn)行掃描，對各功能層噴射初始的化合物液滴，使其至少接觸梯形部分的一部分。
根據(jù)一電子裝置的制造方法，向各功能層初始噴射的液滴至少接觸梯形部分的一部分。這樣，液滴將從梯形部分運(yùn)動(dòng)到電極表面，從而可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)先均勻的在電極周圍提供化合物的液滴。因此，可能形成具有均勻厚度的功能層。
而且，根據(jù)本發(fā)明的電子裝置的制造方法的特征在于在梯形部分中形成一被處理為親液的區(qū)域和一被處理為防水的區(qū)域，化合物液滴接觸該防水區(qū)域。
根據(jù)一電子裝置的制造方法，該化合物液滴接觸被處理為防水的梯形部分的區(qū)域。因此，液滴可以快速從梯形部分運(yùn)動(dòng)到電極的表面。而且，可能實(shí)現(xiàn)使化合物液滴在電極周圍優(yōu)先快速的擴(kuò)散。
而且，根據(jù)本發(fā)明的電子裝置的制造方法，特征在于梯形部分是由一被處理為親液的第一梯形層和一被處理為防水的第二梯形層形成，該第一梯形層覆蓋電極的一部分。
根據(jù)該電子裝置的制造方法，被處理為親液的第一梯形部分覆蓋電極的一部分，因此化合物在第一梯形層上擴(kuò)散的速度大于在電極上的速度，因此可以均勻的提供化合物。
而且，一種顯示裝置的制造方法，其中功能層在形成在一個(gè)基礎(chǔ)本體上的多個(gè)電極中的每一個(gè)上形成，在功能層之間設(shè)有梯形部分，和一具有用于驅(qū)動(dòng)顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路的電子裝置，該方法的特征在于包括以下步驟梯形部分形成步驟，用于形成梯形部分從而覆蓋電極的一部分；親液步驟，用于將電極的至少一部分處理為親液的；防水步驟，用于將梯形部分的一部分處理為防水；功能層形成步驟，用于通過從多個(gè)噴嘴中噴射化合物，在每個(gè)電極上形成至少一個(gè)功能層；和面對電極(facingelectrodes)形成步驟，用于在功能層上形成面對電極。在功能層形成步驟中，當(dāng)具有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列以對角方式在主掃描方向上掃描基礎(chǔ)本體時(shí)，向各功能層噴射初始的化合物液滴，從而使其至少接觸梯形部分的一部分。
根據(jù)電子裝置的這種制造方法，向各功能層噴射的初始化合物液滴至少接觸該梯形部分的一部分，這樣該液滴從梯形部分運(yùn)動(dòng)到電極表面。因此，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)先均勻的向電極周圍提供化合物液滴。因此，可以形成具有均勻厚度的功能層。
而且，根據(jù)本發(fā)明的電子裝置的制造方法的特征在于該梯形部分是由在親液步驟中被處理為親液的一第一梯形層和在防水步驟中被處理為防水的一第二梯形層形成的，該第一梯形層覆蓋電極的一部分。
根據(jù)該電子裝置的制造方法，被處理為親液的第一梯形層覆蓋電極的一部分；因此化合物在該第一梯形層上擴(kuò)散的速度大于在電極上擴(kuò)散的速度。因此可以均勻的提供化合物。
而且，根據(jù)本發(fā)明的電子裝置的制造方法的特征在于功能層至少包括一空穴注入/傳輸層。
而且，根據(jù)本發(fā)明的電子裝置的制造方法的特征在于該功能層至少包括一發(fā)光層。
根據(jù)該電子裝置的制造方法，該功能層包括一空穴注入/傳輸層或一發(fā)光層；因此可以形成具有基本均勻厚度的空穴注入/傳輸層或發(fā)光層。
而且，在上述功能層形成步驟中，可通過多次噴射化合物液滴來形成各功能層，滴落該液滴的間隔應(yīng)當(dāng)小于液滴的直徑。在這種情況下，上述噴嘴陣列對各功能層的掃描操作可以只執(zhí)行一次。
而且，在功能層形成步驟中，可通過多次噴射化合物液滴來形成各功能層，滴落該液滴的間隔最好大于液滴的直徑。在這種情況下，上述噴嘴陣列對各功能層的掃描操作應(yīng)當(dāng)為一次或兩次或更多。在執(zhí)行多次掃描操作的情況中，噴嘴陣列對各功能層的每次掃描操作最好使用不同的噴嘴。
這里，對于使用不同噴嘴的方法，在噴嘴陣列對各功能層的各掃描操作中，噴嘴陣列能在子掃描方向上位移。
根據(jù)該電子裝置的制造方法，每次掃描操作能使用噴嘴陣列中的不同噴嘴。這樣，可以減小每個(gè)噴嘴的化合物噴射量的不均勻；這樣，可以降低功能層厚度的不均勻。因此，可以制造出具有更好的顯示質(zhì)量的顯示裝置。
另外，本發(fā)明的電子裝置的特征在于它是按照根據(jù)本發(fā)明任何一個(gè)方面的電子裝置的制造方法來制造的。
根據(jù)這種電子裝置，可以降低各功能層的厚度的非均勻性，并形成均勻的功能層。因此，可以提高顯示裝置的顯示質(zhì)量。


圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的布線結(jié)構(gòu)的平面圖；
圖2A和2B示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置。圖2A為一平面圖，圖2B為圖2A中的線AB的截面圖。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的重要部分。
圖4示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖5示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖6示出用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的等離子處理裝置的平面圖。
圖7示出圖6所示的等離子處理裝置中的第一等離子處理腔的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
圖8示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖9示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖10示出用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的等離子處理裝置的其他例子的平面圖。
圖11示出用于制造本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的頭部(head)的平面圖。
圖12示出用于制造本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的墨水噴射裝置的平面圖。
圖13示出用于制造本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的墨水噴射頭的一個(gè)例子的透視圖。
圖14A和14B示出圖13所示的墨水噴射頭的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖14A為一透視圖，圖14B為圖14A中線J-J的截面圖。
圖15示出面對基礎(chǔ)本體的墨水噴射頭的位置情況的平面圖。
圖16示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面17A-17C示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的視圖。圖17A為示出噴射初始液滴的情況的截面圖。圖17B為說明在噴射初始液滴后噴射的液滴的情況的其他例子的截面圖。圖17C為示出在第二次以后噴射液滴的情況的其他例子的截面圖。
圖18示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖19示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖20示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖21示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖22示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖23示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖24示出說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖25A-25C示出本發(fā)明第二實(shí)施例中的電子裝置的透視圖。
圖26示出根據(jù)本發(fā)明其它實(shí)施例的顯示裝置的截面圖。
圖27示出根據(jù)本發(fā)明其它實(shí)施例的顯示裝置的截面圖。
圖28A-28C示出發(fā)光層的布置的平面圖。圖28A示出條紋布置。圖28B示出鑲嵌布置。圖28C示出三角布置。
最佳實(shí)施例第一實(shí)施例下面參照

根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置及其制造方法。在說明本實(shí)施例的顯示裝置制造方法之前，首先說明根據(jù)本發(fā)明制造方法制造出來的顯示裝置。
在圖1中示出說明根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置中的布線結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖2A和2B中，示出一個(gè)平面圖和一個(gè)截面部分，以說明本發(fā)明的顯示裝置。
如圖1所示，在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置1中，具有多個(gè)掃描線101，多個(gè)與掃描線101正交延伸的信號線102，和多個(gè)與信號線102平行延伸的電源線103。而且，一個(gè)像素區(qū)域A位于掃描線101和信號線102的交叉點(diǎn)。一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路104與信號線102連接，該信號驅(qū)動(dòng)電路具有一個(gè)移位寄存器、一個(gè)電平移動(dòng)器、一個(gè)視頻線、和一個(gè)模擬開關(guān)。一個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)電路105與掃描線101連接，該掃描驅(qū)動(dòng)電路具有一個(gè)移位寄存器和一個(gè)電平移動(dòng)器。
另外，在各像素區(qū)域A中還提供有一個(gè)開關(guān)薄膜晶體管112，用于通過掃描線101向門電極提供掃描信號；一個(gè)保持電容cap，用于保持由信號線102通過開關(guān)薄膜晶體管112提供的像素信號；和一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123，用于將保持在保持電容cap中的像素信號提供給門電極；一個(gè)像素電極(電極)111，當(dāng)像素電極111通過電驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123與電源線103連接時(shí)，從電源線103向該像素電極111流入驅(qū)動(dòng)電流；和一個(gè)功能層110，它夾在像素電極111和陰極(面對電極)12之間。發(fā)光元件是由電極111、面對電極12和功能層110制成的。
通過這種結(jié)構(gòu)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)掃描線101并打開開關(guān)薄膜晶體管112后，信號線102中的臨時(shí)電勢被保持在保持電容cap中。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123的開/關(guān)狀態(tài)是由保持電容cap的狀態(tài)來決定的。電流從電源線103通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123的溝道流到像素電極111，另外，電流通過功能層110流入陰極12中。功能層110根據(jù)流入的電流的量發(fā)光。
然后，如圖2A和2B所示，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置1具有一玻璃制成的透明基礎(chǔ)本體2、一排列為矩陣形式的發(fā)光元件、和一密封基板。該形成在基礎(chǔ)本體2上的發(fā)光元件是由下面將說明的像素電極、一功能層和一陰極12形成的。
該基礎(chǔ)本體2是例如透明玻璃基板，它被分成為一顯示區(qū)域2a和一非顯示區(qū)域，該顯示區(qū)域位于基礎(chǔ)本體2的中央，該非顯示區(qū)域位于顯示區(qū)域的外側(cè)、圍繞基礎(chǔ)本體2的周邊。
該顯示區(qū)域2a是由發(fā)光元件形成的，該發(fā)光元件為作為有效顯示區(qū)域的矩陣的形式。非顯示區(qū)域2b形成在顯示區(qū)域的外側(cè)。在非顯示區(qū)域2b中形成緊鄰顯示區(qū)域2a的偽(dummy)顯示器2d。
而且，如圖2B所示，在發(fā)光元件部分11和基本本體2之間形成電路元件部分14，該發(fā)光元件部分11由發(fā)光元件和梯形部分形成。該電路元件部分14具有前述的掃描線、信號線、保持電容、開關(guān)薄膜晶體管、和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123。
而且，陰極12的一端與一陰極配線12a連接，該陰極配線12a形成在基本本體2上，一端部12b與一柔性基板5上的配線5a連接。而且，該配線5a與一驅(qū)動(dòng)IC(驅(qū)動(dòng)電路)6連接，該驅(qū)動(dòng)IC位于柔性基板5上。
而且，如圖2A和2B所示，電源線103(103R，103G，103B)位于電路元件14中的非顯示區(qū)域2b中。
掃描驅(qū)動(dòng)電路105、105位于圖2A所示的顯示區(qū)域2a的兩端。該掃描驅(qū)動(dòng)電路105和105位于偽(dummy)區(qū)域2d下面的電路元件部分14中。另外，在電路元件部分14中具有一電路驅(qū)動(dòng)控制信號配線105a和一驅(qū)動(dòng)電路電源線105b，該電路驅(qū)動(dòng)控制信號配線105a與掃描驅(qū)動(dòng)電路105和105連接。
另外，如圖2A所示，在顯示區(qū)域2a的上部區(qū)域上具有檢查電路106。它可以在顯示裝置的制造過程對顯示裝置的質(zhì)量進(jìn)行檢查以制造沒有缺陷的成品。
而且，如圖2B所示，在發(fā)光元件11上具有一密封部分3。該密封部分3由提供在基本本體2上的密封樹脂603a和一罐狀密封基板604形成。該密封樹脂603為熱凝固樹脂或紫外線固化樹脂。特別的，密封樹脂603最好由環(huán)氧樹脂形成，這種環(huán)氧樹脂是一種熱固化樹脂。
該密封樹脂603利用例如微擴(kuò)散形成圍繞基本本體2的環(huán)狀配置。該密封樹脂603使基本本體2與密封罐604粘接。該密封樹脂604可防止水或氧氣從基本本體2和罐密封基板604之間進(jìn)入罐密封基板604內(nèi)部。該密封樹脂604還可以防止圖中未示出的發(fā)光層或發(fā)光元件部分11被氧化，該發(fā)光層形成在陰極12中。
該罐密封基板604為玻璃或金屬制成。該罐密封基板604通過密封樹脂603與基本本體連接。在該罐密封基本本體604的內(nèi)部形成用于容納顯示元件10的凹入部分604a。在凹入部分604a上粘接一用于吸收水和氧氣的吸氣部件605，從而吸收進(jìn)入罐密封基板604中的水或氧氣。這里，省略該吸氣部件605也是可以的。
下面，圖3是顯示裝置中顯示區(qū)域的截面放大圖。在圖3中，示出三個(gè)像素區(qū)域A。在顯示裝置1的基板2上，電路元件部分14和發(fā)光元件部分11為不同的層，其中電路元件部分14上形成有電路例如TFT，發(fā)光元件部分11上形成有功能層110。
在顯示裝置1中，從功能層110向基礎(chǔ)本體2發(fā)射的光傳輸通過電路元件部分14和基礎(chǔ)本體2，從而在基礎(chǔ)本體2的下面發(fā)射(向觀看者)。而且，從功能層110向與基礎(chǔ)本體2的相反方向發(fā)射的光由陰極12反射，并傳輸經(jīng)過電路元件部分14和基礎(chǔ)本體2，從而從基礎(chǔ)本體2的下面?zhèn)鬏敵鰜?向觀看者)。
這里，如果使用透明陰極12，則可能出現(xiàn)從陰極發(fā)射的光。對于這種透明部件，可以采用ITO、Pt、Ir、Ni或Pd。厚度最好為75nm。厚度越小越好。
在基板2上的電路元件部分14中形成由氧化硅層制成的基礎(chǔ)保護(hù)層2c。在該基礎(chǔ)保護(hù)層2c上形成由多晶硅制成的島(island)半導(dǎo)體層141。這里，通過高密度P離子注入在半導(dǎo)體層141上形成一源區(qū)域141a和一漏區(qū)域141b。這里，沒有引入P的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)域141c。
另外，在電路元件區(qū)域14中形成一透明門絕緣層142，它覆蓋基礎(chǔ)保護(hù)層2c和半導(dǎo)體層141。在基礎(chǔ)絕緣層142上形成由金屬，例如Al、Mo、Ta、Ti和W制成的門電極143(掃描線101)。在門電極143和門絕緣層142上形成一透明第一內(nèi)層絕緣層144a和一第二內(nèi)層絕緣層144b。該門電極143位于對應(yīng)于半導(dǎo)體層141中的溝道區(qū)域141c的位置。
而且，形成接觸孔145和146，它們穿過第一和第二內(nèi)層絕緣層114a和144b，并分別與半導(dǎo)體層141中的源區(qū)域和半導(dǎo)體141的漏區(qū)域連接。
通過制作圖案操作，在第二內(nèi)層絕緣層144b上形成具有預(yù)定形狀的透明像素電極111，該電極由ITO等制成。一個(gè)接觸孔145與像素電極111連接。
而且，接觸孔146與電源線103連接。
這樣，在電路元件部分14中形成一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123與各像素電極111連接。
這里，雖然在電路元件部分14中形成了前面已經(jīng)說明的保持電容cap和開關(guān)薄膜晶體管112，但圖3中并未示出他們。
下面，如圖3所示，發(fā)光元件部分11主要是由功能層110、梯形部分112和陰極12形成，其中功能層110覆蓋在多個(gè)像素電極111上，梯形部分112位于各像素電極和功能層110之間，從而分離各功能層110，陰極12(第二電極)形成在功能層110上。發(fā)光元件是由像素元件(第一元件)111、功能層110、和陰極(第二電極)形成的。
這里，像素電極111是由，例如金屬，如ITO制成的。像素電極111通過制作圖案操作形成為平面示圖大體為矩形的形狀。像素電極111的厚度最好在50-200nm之間，特別在150nm左右最佳。梯形部分112位于各像素電極111a和111之間。
如圖3所示，梯形部分112是由一無機(jī)梯形層112a(第一梯形層)和一有機(jī)梯形層112b形成的，其中該無機(jī)梯形層112a離基礎(chǔ)本體2較近，有機(jī)梯形層112b9離基礎(chǔ)本體2更遠(yuǎn)。
形成該無機(jī)梯形層和有機(jī)梯形層(112a和112b)以覆蓋像素電極111的周邊。在平面示圖中，像素電極111的周邊與無機(jī)梯形層112a交疊。而且，該有機(jī)梯形層112b具有相同的結(jié)構(gòu)；因此，梯形層112覆蓋了像素電極111的一部分。而且，無機(jī)梯形層112a比有機(jī)梯形層112b形成在像素電極111的更中心的位置。這樣，在像素電極111的內(nèi)部形成各無機(jī)梯形層112a中的第一層部分112e。這樣，安排一個(gè)較低的開口部分112c，從而對應(yīng)于像素電極111的位置。
而且，在有機(jī)梯形層112b中形成一上部開口部分112d。該上部開口部分112d對應(yīng)于像素電極111和下部開口部分112c的位置。如圖3所示，使上部開口部份112d比較低開口部份112c大，并且比像素電極111狹窄。而且，存在這種情況，即上部開口部份112d的一較上部分的位置和像素電極111的一端基本相同。此時(shí)，如圖3所示，有機(jī)梯形層112b中的上部開口部分112d的截面部分為對角線。
另外，通過貫通下部開口部份112c和上部開口部份112d，在梯形部分112中形成穿過無機(jī)梯形層112a和有機(jī)梯形層112b的開口部份112。
而且，無機(jī)梯形層112a最好是無機(jī)材料，例如SiO2或TiO2。無機(jī)梯形層112a的厚度最好在50-200nm之間，最佳為150nm。如果厚度小于50nm，則無機(jī)梯形層的厚度將小于上述的空穴注入/傳輸層；因而，由于不可能實(shí)現(xiàn)空穴注入/傳輸層的平坦，因此不是優(yōu)選的。而且，如果無機(jī)梯形層112a厚度大于200nm，則由下部開口部份112c形成的間隙將更大；這樣不可能實(shí)現(xiàn)下面將說明的覆蓋在空穴注入/傳輸層上的發(fā)光層的平坦。因此，也不是最好的。
另外，有機(jī)梯形層112b是由絕熱和不易溶解的抗蝕劑，例如丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂制成。有機(jī)梯形層112b的厚度最好在0.1-3.5um的范圍內(nèi)，最佳為2um左右。如果厚度小于0.1um，則有機(jī)梯形層112b將變得比上述的空穴注入/傳輸層和發(fā)光層的總厚度要??；這樣，考慮到發(fā)光層溢出上部開口部分112d，因此不是優(yōu)選。而且，如果厚度大于3.5um，則由上部開口部份112d形成的縫隙將變得更大；這樣，由于在有機(jī)梯形層112b上的陰極12不能產(chǎn)生階段有效區(qū)(step coverage)，因此也不是優(yōu)選。而且如果有機(jī)梯形層112b厚度大于2um，則由于可能提高驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123的絕緣性，因此是可以的。
而且，在梯形部分112中形成呈現(xiàn)親液特性的區(qū)域和呈現(xiàn)防水特性的區(qū)域。
呈現(xiàn)親液特性的區(qū)域?yàn)闊o機(jī)梯形層112a中的第一層部分112e和像素電極111的表面111a。通過利用一種處理氣體，例如氧氣執(zhí)行等離子處理操作，可以將這些區(qū)域的表面處理為親液性。表現(xiàn)出防水特性的區(qū)域?yàn)樯喜块_口部分112d的側(cè)壁表面和有機(jī)梯形層112的上部表面112f。通過利用一種處理氣體，例如四氟代甲烷(tetrafluoromethane)(防水)執(zhí)行等離子處理操作，可以處理這些區(qū)域的表面。
下面，如圖3所示，利用覆蓋在像素電極111上的空穴注入/傳輸層110a和覆蓋在空穴注入/傳輸層110a上的發(fā)光層110b形成功能層110。這里，也可進(jìn)一步在發(fā)光層110b的上面形成具有例如電子注入傳輸層的功能的其它功能層。
空穴注入/傳輸層110a具有將空穴注入發(fā)光層110b并傳輸空穴注入/傳輸層110a中的空穴的功能。通過將這種空穴注入/傳輸層110a置于像素電極111和發(fā)光層110b之間，可以使發(fā)光層110b的性能，例如發(fā)光效率和壽命更佳。而且，從空穴注入/傳輸層110a注入的空穴和從陰極12注入的電子在發(fā)光層110b中再次結(jié)合；從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光功能。
空穴注入/傳輸層110a是由在像素電極表面111a上的下部開口部分112c中形成的平坦部分110a1和在無機(jī)梯形層的第一層部分112e上的上部開口部分112d中形成的周邊部分110a2形成的。而且，該空穴注入/傳輸層110a只在像素電極111上的無機(jī)梯形層110a(下部開口部分110c)之間形成；因此，這種配置是由它的結(jié)構(gòu)決定的，空穴注入/傳輸層110a可以只形成在所述平坦部分上。
平坦部分110a1的厚度為常數(shù)，例如50-70n之間。
當(dāng)形成周邊部分110a2時(shí)，周邊部分110a2位于第一層部分112e上，并與上部開口部分112d的側(cè)壁表面，例如有機(jī)梯形層112b緊密接觸。而且，周邊部分110a2的厚度在電極表面111a附近很薄，并且在遠(yuǎn)離電極表面111a的方向上增加。周邊部分11a2的厚度在下部開口部分112d的側(cè)壁表面附近最厚。
該周邊部分110a2具有不同的形狀，這是因?yàn)榭昭ㄗ⑷?傳輸層110a是通過將包括空穴注入/傳輸層形成材料和極化溶液的第一組合物注入開口部分112中，并去除極化溶液來形成的，而該極化溶液主要是蒸發(fā)在無機(jī)梯形層上的第一層部分112e上；因此空穴注入/傳輸層形成材料在第一層部分112e上濃縮并一起被提取出來。
而且，發(fā)光層110b在空穴注入/傳輸層110a的平坦部分110a1和周邊部分110a2上形成。在平坦部分112a1上的發(fā)光層110b的厚度在50-80nm之間。
發(fā)光層具有三種色彩，例如用于發(fā)出紅光(R)的紅色發(fā)光層110b1，用于發(fā)出綠光(G)的綠色發(fā)光層110b2，和用于發(fā)出藍(lán)光(B)的藍(lán)光發(fā)光層110b3。發(fā)光層110b1-110b3是以條紋的形式排列的。
如上所述，空穴注入/傳輸層110a的周邊部分110a2與上部開口部分112d的側(cè)壁表面(有機(jī)梯形層112b)緊密接觸；因此，發(fā)光層110b不會直接與有機(jī)梯形層112b接觸。因此，可以防止有機(jī)梯形層112b中包含的雜質(zhì)如水等通過外圍部分112a2滲透入發(fā)光層；因此，可能防止發(fā)光層110b被氧化。
而且，具有非均勻厚度的周邊部分110a2是在無機(jī)梯形層中的第一層部分112e上形成的。因此，周邊部分110a2通過第一層部分112e與像素電極111絕緣。因此，空穴不會從周邊部分110a2進(jìn)入發(fā)光層110b。這樣，從像素電極111流出的電流只流入平坦部分112a1中；因此，可以均勻地將空穴從平坦部分112a1傳輸?shù)桨l(fā)光層110b。因此，可以實(shí)現(xiàn)只在發(fā)光層110b的中央?yún)^(qū)域發(fā)光，并均衡發(fā)光層110b中的發(fā)光量。
而且，無機(jī)梯形層112a通過無機(jī)梯形層112b使像素電極111更向內(nèi)延伸。因此，可以通過無機(jī)梯形層112a實(shí)現(xiàn)對像素電極111和平坦部分110a1的連接部分的形狀的修整；因此可以降低發(fā)光層110b之間的發(fā)光密度的非均勻性。
另外，像素電極111的表面111a和無機(jī)梯形層的第一層部分112e表現(xiàn)出親液特性，因此功能層110緊密并均勻地與像素電極111和無機(jī)梯形層112a接觸。因此，功能層110在無機(jī)梯形層112a上不會變得非常??；因此可以防止像素電極111和陰極12之間發(fā)生短路。
而且，有機(jī)梯形層112b的上表面和上部開口部分112d的側(cè)壁表面表現(xiàn)出防水特性，因此功能層110和有機(jī)梯形層112b之間的接觸降低；因此不存在形成功能層從而使功能層110溢出開口部分112g的情況。
對于用于形成空穴注入/傳輸層的材料，可以使用例如聚噻吩衍生物，例如聚乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸的化合物。對于形成發(fā)光層110b的材料，可以使用聚芴衍生物，例如1-5化合物，或(聚)對-苯亞乙烯基衍生物，聚苯衍生物，聚芴衍生物，聚乙烯基咔唑，聚噻吩衍生物。而且，可以通過摻入例如二萘嵌苯染料，香豆素染料，玫瑰精染料，紅熒烯，二萘嵌苯，9，10-二苯基蒽(diphenylanthracene)，四苯丁二烯，尼羅紅(Nile-red)，香豆素6，喹吖(二)酮來使用上述的聚合體材料。
化合物1 化合物2 化合物3 化合物4 化合物5
然后，在發(fā)光元件11的整個(gè)表面上形成陰極12。陰極12與像素電極111耦合，從而使電流流到功能層110。電極12可通過將一鈣層和一鋁層層疊而形成。此時(shí)，最好將具有低功函數(shù)的該層或鋁層置于陰極上，該陰極位于發(fā)光層附近。特別的，在本實(shí)施例中，陰極12用于通過直接接觸發(fā)光層110b將電子注入發(fā)光層110b中。而且，在氟化鋰中，在發(fā)光層110和陰極12之間可以形成一LiF，從而有效發(fā)光。
這里，紅色發(fā)光層110b1和紅色發(fā)光層110b2并不局限于氟化鋰，還可以使用其他材料。因此，在這種情況下，由氟化鋰制成的層只在藍(lán)色(B)發(fā)光層110b3中形成，其他材料在紅色發(fā)光層110b1和綠色發(fā)光層110b2中形成層。而且，只有鈣而不是氟化鋰可以形成在紅色發(fā)光層110b1和綠色發(fā)光層110b2上。
這里，氟化鋰的厚度最好在2-5nm的范圍內(nèi)，特別是2nm左右。而且，鈣的厚度最好在2-50nm的范圍內(nèi)，特別是20nm左右。
而且，形成陰極12的鋁將發(fā)光層110b發(fā)射的光射向基本本體2；因此，用于形成陰極12的鋁最好是由Al層、Ag層和Al和Ag的層疊結(jié)構(gòu)制成。而且，該厚度最好是在100-1000nm的范圍內(nèi)，特別是200nm左右。
另外，由金屬制成的保護(hù)層，例如SiO、SiO2、SiN可以位于鋁層上以防止氧化。
這里，密封罐604位于所形成的發(fā)光材料上。如圖2B所示，該密封罐604通過一密封樹脂603結(jié)合，從而形成顯示裝置1。
下面，將參照

本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的制造方法。
根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置1的制造方法包括以下步驟(1)梯形部分形成處理，(2)等離子處理(包括親液處理和防水處理)，(3)空穴注入/傳輸形成處理(功能層形成處理)，(4)發(fā)光層形成處理(功能層形成處理)，(5)面對面對電極形成處理和(6)密封處理。這里，本實(shí)施例中的制造處理并不局限于上述方法。根據(jù)需要還可以增減其它處理。
(1)梯形形成處理在梯形形成處理中，在基礎(chǔ)本體上的預(yù)定位置上形成一梯形部分112。該梯形部分112是由作為第一梯形層的無機(jī)梯形層112a和作為第二梯形層的有機(jī)梯形層112b形成的。
形成方法如下所述。
(1)-1形成無機(jī)梯形層首先，如圖4所示，在基礎(chǔ)本體上的預(yù)定位置形成一無機(jī)梯形層112a。該無機(jī)梯形層112形成在一第二內(nèi)層絕緣層114b和一電極(像素電極)111上。這里，在一電路元件部分14上形成第二內(nèi)層絕緣層144b，該電路元件部分14上形成有一薄膜晶體管、一掃描線和一信號線。
對于無機(jī)梯形層112a，例如，可以使用SiO2或TiO2等無機(jī)層。這些部件可通過CVD方法、鍍層方法、濺射方法或真空沉積方法來形成。
另外，無機(jī)梯形層112a的厚度最好是在50-200nm的范圍內(nèi)，特別是150nm。
該具有一開口部分的無機(jī)梯形層112是這樣形成的，即在內(nèi)層絕緣層114和像素電極111的整個(gè)表面上形成一無機(jī)層，并利用光刻方法等對該無機(jī)層執(zhí)行制作圖案操作。該開口部分對應(yīng)于像素電極111的表面111a的位置。如圖4所示，該開口部分設(shè)置為一下部開口部分112c。
在這種情況下，形成該無機(jī)梯形層112a，從而與像素電極111的周邊部分(一部分)重疊。如圖4所示，通過形成無機(jī)梯形層112a，并使該無機(jī)梯形層112a覆蓋像素電極111的一部分，從而可以控制發(fā)光層110中的發(fā)光區(qū)域。
(1)-2形成有機(jī)梯形層112b然后，形成作為第二梯形層的一有機(jī)梯形層112b。
如圖5所示，在一無機(jī)梯形層112a上形成一無機(jī)梯形層112b。對于有機(jī)梯形層112b，可以使用具有絕熱和防水的材料，例如丙烯酸(類)樹脂或聚酰亞胺樹脂。通過利用這些材料執(zhí)行制作圖案操作來形成有機(jī)梯形層112b。這里，在制作圖案操作中，在有機(jī)梯形層112b中形成一上部開口部分112d。該上部開口部分112d的位置對應(yīng)于像素電極的表面111a和下部開口部分112c。
如圖5所示，該上部開口部分112最好比下部開口部分112c大，該下部開口部分112c在無機(jī)梯形層112a中形成。另外，有機(jī)梯形層112b的形狀最好為錐形。有機(jī)梯形層的開口部分最好比像素電極111的寬度窄。而且，有機(jī)梯形層的開口部分的寬度最好近似于有機(jī)梯形層112b的最上部表面上的像素電極111的寬度。這樣，圍繞無機(jī)梯形層112a上的下部開口部分112c的第一層部分112e將在像素電極111中比有機(jī)梯形層112b更向中心延伸。
通過這種方法將有機(jī)梯形層112b上形成的上部開口部分112d和無機(jī)梯形層112a中形成的下部開口部分112c貫通，形成貫通無機(jī)梯形層112a和有機(jī)梯形層112b的開口部分112g。
這里，有機(jī)梯形層112b的厚度最好在0.1-3.5um的范圍內(nèi)，特別是2um左右。下面說明為什么這個(gè)范圍是最好的。
那就是，如果該厚度小于0.1um，則有機(jī)梯形層112b的厚度小于空穴注入/傳輸層的總厚度；從而出現(xiàn)發(fā)光層110b溢出上部開口部分112d的情況，因此不是最好的。如果厚度大于3.5um，則由上部開口部分112d導(dǎo)致的縫隙將變得更大，則在上部開口部分112d中不可能獲得陰極12的階段覆蓋；因此也不是最好的。如果有機(jī)梯形層112b的厚度大于2um，則可能提高陰極12和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管123之間的絕緣性；因此是最佳的。
(2)等離子處理操作然后，為了激活像素電極111的表面并對梯形部分112執(zhí)行表面處理，將執(zhí)行等離子處理操作。特別是，在激活操作中的目的是清潔像素電極111(ITO)并調(diào)節(jié)操作功能(operating function)。另外，該激活操作對像素電極111的表面執(zhí)行親液操作(親液處理)并對梯形部分112的表面執(zhí)行防水操作(防水處理)。
該等離子處理操作可分為例如以下幾類(2)-1預(yù)熱處理，(2)-2激活處理(親液處理)，(2)-3防水處理(親液處理)，和(2)-4冷卻處理。這里，等離子處理操作并不局限于這幾類，還可以根據(jù)需要省略或加入其它操作。
首先，圖6示出了用于執(zhí)行等離子處理操作的等離子處理裝置。圖6所示的等離子處理裝置50包括一預(yù)熱腔51，一第一等離子處理腔52，一第二等離子處理腔53，一冷卻處理腔54和一用于將基本本體2裝卸到這些腔51-54的裝卸裝置。這些腔51-54以放射狀方式圍繞該裝卸裝置55放置。
下面利用這些裝置來說明總操作處理。
在圖6所示的預(yù)熱處理腔51中執(zhí)行預(yù)熱處理?；颈倔w2中在經(jīng)過梯形部分形成處理之后，在預(yù)熱處理腔51中以預(yù)定溫度進(jìn)行加熱。
在經(jīng)過預(yù)熱處理之后執(zhí)行親液處理和防水處理。即，將基本本體順序轉(zhuǎn)移到第一等離子處理腔52和第二等離子處理腔53中。在各腔中對梯形部分112執(zhí)行等離子處理操作，使其親液。在親液處理后執(zhí)行防水處理。在防水處理后將該基本本體轉(zhuǎn)移到冷卻處理腔中，在該冷卻處理腔54中，將該基本本體冷卻到室溫。在冷卻處理操作后，由裝卸裝置將該基本本體轉(zhuǎn)移到下一處理，從而執(zhí)行空穴注入/傳輸層形成處理。
下面將詳細(xì)說明每個(gè)處理。
(2)-1預(yù)熱處理預(yù)熱處理是在預(yù)熱處理腔51中執(zhí)行的。包括梯形部分112b的基礎(chǔ)本體2在該預(yù)熱處理腔51中被加熱到預(yù)定溫度。
預(yù)熱處理腔51中的一加熱器對該基本本體2進(jìn)行加熱，該加熱器附著在一用于將基本本體安裝在其上的平臺上，從而加熱該基本本體2和該平臺。還可以采用其它加熱方法。
在預(yù)熱處理腔51中，在例如70℃-80℃的溫度范圍內(nèi)加熱該基礎(chǔ)本體2。在下面的處理，例如等離子處理操作中也使用該溫度。采用這個(gè)溫度的目的是加熱該基礎(chǔ)本體2，從而對應(yīng)下面處理的條件，并降低基礎(chǔ)本體2的溫度的不均衡。
如果沒有預(yù)熱處理，則該基礎(chǔ)本體2在上述的溫度中加熱。在這種條件下，從開始到結(jié)束，在溫度不斷變化的同時(shí)，對該基礎(chǔ)本體2執(zhí)行等離子處理操作。在基礎(chǔ)本體的溫度不斷變化的條件下，當(dāng)執(zhí)行等離子處理操作時(shí)，有機(jī)EL元件的特性將可能變得不均勻。因此，執(zhí)行預(yù)加熱處理，從而保持處理?xiàng)l件為恒定，并實(shí)現(xiàn)均勻的特性。
這里，當(dāng)在基礎(chǔ)本體2在等離子處理操作中安裝在第一等離子處理裝置52和第二等離子處理裝置53中的樣本平臺的條件下，執(zhí)行親液處理和防水處理時(shí)，預(yù)熱處理溫度最好近似于執(zhí)行親液處理和防水處理的樣本平臺56的溫度。
這里，在例如70℃-80℃的溫度范圍內(nèi)對該基礎(chǔ)本體2執(zhí)行預(yù)加熱，第一等離子處理裝置52和第二等離子處理裝置53的樣本平臺的溫度將增加到該溫度。因此，即使連續(xù)在很多基礎(chǔ)本體上執(zhí)行等離子處理操作，該等離子處理?xiàng)l件在等離子處理操作之前和之后也近似相同。這樣，可以保持基礎(chǔ)本體2的表面處理的條件，因此可以均衡梯形部分112對化合物的吸濕性。因此，可能制造具有恒定質(zhì)量的顯示裝置。
而且，通過預(yù)先執(zhí)行預(yù)熱，可能縮短在下面執(zhí)行的等離子處理操作中處理的時(shí)間。
(2)-2激活處理(親液處理)在該第一等離子處理腔52中執(zhí)行激活處理。該激活處理包括例如調(diào)節(jié)和控制像素電極111中的功函數(shù)，清潔像素電極的表面，和對像素電極的表面執(zhí)行親液處理等處理。
在親液處理中，等離子處理(O2等離子處理)利用氧氣作為大氣中的處理氣體。在圖7中，示出了等離子處理操作。如圖7所示，包括梯形部分112的基礎(chǔ)本體2安裝在內(nèi)部具有加熱器的樣本平臺56上。該等離子放電電極57位于基礎(chǔ)本體2的上表面上，從而面對該基礎(chǔ)本體2并保持例如0.5-2mm的間隙距離。該基礎(chǔ)本體2由樣本平臺56加熱。同時(shí)，以預(yù)定速度，并按照圖7所示的方向運(yùn)送樣本平臺56。在該期間內(nèi)，等離子狀態(tài)的氧氣被發(fā)射到基礎(chǔ)本體2。
對于O2等離子處理，可以選用例如100-800kW的等離子電源，50-100ml/min的氧氣氣流，0.5-10mm/sec的板運(yùn)送速度，70-90℃的基礎(chǔ)本體溫度這樣的條件。樣本平臺56執(zhí)行加熱操作，從而將基礎(chǔ)本體中的溫度基本保持在預(yù)熱處理執(zhí)行的溫度。
通過O2等離子處理，如圖8所示，可以對像素電極111的表面111a、無機(jī)梯形層112a中的第一層部分112e、有機(jī)梯形層112b中的上部開口部分112d的側(cè)壁表面和上部表面112f執(zhí)行親液處理。通過親液處理，將羥基引入到各表面，從而實(shí)現(xiàn)親液特性。
在圖9中，虛線表示執(zhí)行親液處理的區(qū)域。
這里，O2等離子處理不僅給出親液特性，還清潔了像素電極，例如ITO，并適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)了功函數(shù)。
(2)-3防水處理(防水操作)
然后，在第二等離子處理腔53中，在大氣環(huán)境中利用處理氣體如四氟代甲烷執(zhí)行作為防水處理的等離子處理(CF4等離子處理)。該第二等離子處理腔53的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與圖7所示的第一等離子處理腔52的結(jié)構(gòu)相似。即，基礎(chǔ)本體2由樣本平臺加熱，且在此期間，基礎(chǔ)本體2和樣本平臺以相同速度被運(yùn)送。在該期間內(nèi)，將等離子狀態(tài)下的四氟代甲烷射到基礎(chǔ)本體2。
可以在例如100-800kW的等離子電源，50-100ml/min的氟代甲烷氣流，0.5-10mm/sec的基礎(chǔ)本體運(yùn)送速度，70-90℃的基礎(chǔ)本體溫度這樣的條件下來執(zhí)行CF4等離子處理。與第一等離子處理腔52的情況相似，該加熱平臺為了將基礎(chǔ)本體的溫度保持到執(zhí)行預(yù)熱處理的溫度，而對基礎(chǔ)本體2加熱。
這里，處理氣體并不局限于四氟代甲烷。還可以選擇其它碳氟化合物作為處理氣體。
通過執(zhí)行CF4等離子處理，如圖9所示，對有機(jī)梯形層的上部開口部分112d的側(cè)壁表面和上表面112f執(zhí)行親液處理。通過該親液處理，將氟基引入到了各表面中；因此具有了防水特性。在圖9中，表示防水特性的區(qū)域是由兩點(diǎn)虛線來表示的。通過發(fā)射等離子狀態(tài)的碳氟化合物，可以對有機(jī)部件，例如形成有機(jī)梯形層112b的丙烯酸(類)樹脂和聚酰亞胺樹脂執(zhí)行親液處理。這是通過執(zhí)行O2等離子處理，氟材料可以更容易的在這些有機(jī)部件上形成的重要特征。該特征在本實(shí)施例中特別有效。
這里，像素電極111的表面111a和無機(jī)梯形層112a的第一層部分112e都受到CF4等離子處理的影響。但是，吸水性并沒有被影響。在圖9中，表現(xiàn)出親液特性的區(qū)域是由一點(diǎn)的虛線表示的。
(2)-4冷卻處理在冷卻處理中，利用冷卻處理腔54將在等離子處理中被加熱的基礎(chǔ)本體2冷卻到一操作溫度。執(zhí)行該處理從而將該基礎(chǔ)本體2冷卻到在下面將執(zhí)行的墨水噴射處理(功能層形成處理)中使用的操作溫度。
該冷卻處理腔54具有一個(gè)放置基礎(chǔ)本體2的板。在該板中內(nèi)置一個(gè)水冷裝置，以冷卻該基礎(chǔ)本體2。
而且，通過在等離子處理后將基礎(chǔ)本體冷卻到預(yù)定溫度的室溫(例如，執(zhí)行墨水噴射處理的操作溫度)，基礎(chǔ)本體2中的溫度在下面的處理，例如空穴注入/傳輸形成處理中變得恒定；這樣，可以在基礎(chǔ)本體2的溫度不波動(dòng)的情況下執(zhí)行下面的操作。通過安排該冷卻處理，可能形成一個(gè)部件，它是根據(jù)墨水噴射方法均勻的從一噴射裝置中噴射出來的。
例如，當(dāng)包括用于形成空穴注入/傳輸?shù)牟考囊坏谝换衔锉粐娚鋾r(shí)，可以以均勻的容量連續(xù)的噴射該第一化合物；因此可以形成均勻的空穴注入/傳輸層。
在上述等離子處理中，對由不同部件制成的有機(jī)梯形層112b和無機(jī)梯形層112a執(zhí)行O2等離子處理和CF4等離子處理，從而可能很容易的在梯形部分112上布置親液區(qū)域和防水區(qū)域。
這里，在等離子處理中使用的等離子處理裝置并不局限于圖6所示的裝置。例如，可以使用圖10所示的等離子處理裝置60。
圖10所示的等離子處理裝置包括一預(yù)熱處理腔61，一第一等離子處理腔62，一第二等離子處理腔63，一冷卻處理腔64和一用于將基本本體2運(yùn)送到這些腔61-64的運(yùn)送裝置65。這些腔61-64置于該運(yùn)送裝置65的兩側(cè)(圖中箭頭的兩側(cè))。
與圖6所示的等離子處理裝置50的情況相似，在等離子處理裝置60中，經(jīng)過梯形部分形成處理后而傳輸來的基礎(chǔ)本體2被傳送到預(yù)熱處理腔61中，順序執(zhí)行第一等離子處理腔62、第二等離子處理腔63和冷卻處理腔64，從而執(zhí)行與上述相同的處理。然后，傳送該基礎(chǔ)本體2進(jìn)行下一處理，例如空穴注入/傳輸層形成處理。
而且，對于上述的等離子處理裝置，可以使用在真空條件下工作的裝置來代替在大氣壓條件下工作的裝置。
(3)空穴注入/傳輸層形成處理(功能層形成處理)然后在發(fā)光層形成處理中，在電極(這里指像素電極111)上形成空穴注入/傳輸層。
在空穴注入/傳輸層形成處理中，通過使用液滴噴射裝置，例如墨水噴射裝置在像素電極的表面111a上噴射一第一化合物(組合物)，該第一化合物包括空穴注入/傳輸層形成材料。然后，執(zhí)行烘干處理和熱處理，從而在像素電極111和無機(jī)梯形層112a上形成空穴注入/傳輸層110a。這里，無機(jī)梯形層112a被稱為第一層部分112e，在該無機(jī)梯形層112a上形成有空穴注入/傳輸層110a。
包括空穴注入/傳輸層形成處理的后面的處理最好在沒有水分和氧氣的環(huán)境中進(jìn)行。例如，在氮?dú)饣驓鍤猸h(huán)境中最好。
這里，存在空穴注入/傳輸層110a不在第一層部分112e上形成的情況。即，空穴注入/傳輸層只在像素電極111上形成。
下面說明根據(jù)該墨水噴射方法的制造方法。
作為在本實(shí)施例的顯示裝置的制造方法中使用的墨水噴射頭，可以采用圖11所示的頭H。如圖11所示，頭H主要包括多個(gè)墨水噴射頭H1和一個(gè)用于支撐這些墨水噴射頭H1的支撐基礎(chǔ)板H7。
另外，該基礎(chǔ)本體和頭H的位置最好如圖12所示。
在圖12所示的墨水噴射裝置中，附圖標(biāo)記1115表示用于在上面安裝一基礎(chǔ)本體2的平臺。附圖標(biāo)記1116表示用于在圖中的X軸方向(主掃描方向)引導(dǎo)該平臺1115的導(dǎo)軌。而且，頭H可以利用導(dǎo)軌1113通過支撐部件1111在y軸方向(子掃描方向)移動(dòng)。另外，頭H可以在θ軸方向旋轉(zhuǎn)，從而使墨水噴射頭H1在預(yù)定角度范圍內(nèi)向主掃描方向傾斜。
在圖12所示的基礎(chǔ)本體2中，在母底板上具有多個(gè)芯片。即，一個(gè)芯片所需的面積等于一個(gè)顯示裝置的面積。這里，形成三個(gè)顯示區(qū)域，但本發(fā)明并不局限于這種配置。例如，當(dāng)向圖中基礎(chǔ)本體2的左手區(qū)域中的顯示區(qū)域2a提供化合物時(shí)，頭H通過導(dǎo)軌1113移動(dòng)到圖中的左手區(qū)域。同時(shí)，基礎(chǔ)本體2通過導(dǎo)軌1116向圖中的上部方向移動(dòng)。在此期間，在基礎(chǔ)本體2被掃描的同時(shí)，提供該化合物。然后，基礎(chǔ)本體2向圖中的右手方向移動(dòng)，從而向基礎(chǔ)本體的中央內(nèi)的顯示區(qū)域2a提供化合物。與上述情況相似，向位于圖中右手區(qū)域內(nèi)的顯示區(qū)域2a提供化合物。
這里，圖12所示的頭H和圖15中所示的墨水噴射裝置不僅可用于空穴注入/傳輸層形成處理中，還可用于發(fā)光層形成處理中。
圖13是從噴射墨水的區(qū)域附近觀看到的墨水噴射頭H1的透視圖。如圖13所示，在墨水噴射頭H1的墨水噴射表面(面向基礎(chǔ)本體的表面)上，以在該頭的縱向方向上和在頭的寬度方向上具有間隔的陣列形式設(shè)置多個(gè)噴嘴n1。通過在一個(gè)陣列中布置多個(gè)噴嘴H2形成兩個(gè)噴頭陣列N2。在一個(gè)噴嘴陣列n2中包括有180個(gè)噴嘴n1，因此，在一個(gè)墨水噴射頭H1中具有360個(gè)噴嘴。而且，噴嘴n1中的孔的直徑為例如28um。噴嘴n1之間的間隔為，例如141um。
該噴墨頭H1具有圖14A和14B中所示的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。更特別的，該墨水噴射頭H1具有，例如一個(gè)由不銹鋼制成的噴嘴板229，一個(gè)面對噴嘴板229的振動(dòng)板231，和一個(gè)用于將該噴嘴板229和振動(dòng)板231的隔開的隔離部件232。通過該隔離部件232，在噴嘴板229和振動(dòng)板231之間形成多個(gè)化合物腔233和液體保存腔234。多個(gè)化合物腔233和液體保存腔234彼此之間通過路徑238相通。
在振動(dòng)板231上的適當(dāng)位置形成化合物供應(yīng)孔236。一化合物供應(yīng)裝置237與化合物供應(yīng)孔236連接。該化合物供應(yīng)裝置237向化合物供應(yīng)孔236提供第一化合物，該第一化合物包括空穴注入/傳輸層形成材料。所供應(yīng)的第一化合物被注入液體保存腔234中。所供應(yīng)的第一化合物通過路徑238傳輸，從而注入化合物腔233中。
噴嘴n1位于噴嘴板229中，從而在噴射條件下從化合物腔233中噴射出第一化合物。而且，一化合物壓縮部件239位于背表面上，并對應(yīng)于化合物腔233，該被表面上形成有振動(dòng)板231的化合物腔233。如圖14B所示，該化合物壓縮部件239具有一壓電元件241和一對夾著該壓電元件241的電極242a和242b。流到電極242a和242b的電流使該壓電元件241變形，從而向外側(cè)推出，如圖中箭頭C所示；因此化合物腔233的容積增加。隨后，具有與該增加的容積相同容量的第一化合物通過路徑238從液體保存腔234流入該化合物腔233。
然后，當(dāng)流到壓電元件241中的電流被切斷時(shí)，該壓電元件241和振動(dòng)板231的形狀恢復(fù)到初始形狀。這樣，該化合物腔233的形狀恢復(fù)到初始形狀。因此，處于該化合物腔233內(nèi)部的第一化合物的壓力增加，因此該第一化合物以液滴110c的形式從噴嘴n1向基礎(chǔ)本體2噴射出來。
圖15示出掃描到基礎(chǔ)本體2的墨水噴射頭H1。如圖15所示，該墨水噴射頭H1在沿圖中X軸方向相對運(yùn)動(dòng)的同時(shí)噴射第一化合物。在此期間，噴嘴陣列n2的配置方向Z向主掃描方向(沿X軸方向的方向)傾斜。墨水噴射頭H1中的噴嘴陣列n2位于相對于主掃描方向傾斜的位置。因此，可能配置噴嘴間距，并使其對應(yīng)于像素區(qū)域A中的間距。而且，可能通過調(diào)節(jié)該傾斜角度來對應(yīng)于像素區(qū)域A中的不同間距。
如圖16所示，從在墨水噴射頭H1中的多個(gè)噴嘴n1中噴射第一化合物，該第一化合物包括空穴注入/傳輸層形成材料。這里，通過掃描墨水噴射頭H1來對各像素區(qū)域A進(jìn)行補(bǔ)充該第一化合物。這種操作可通過掃描基礎(chǔ)本體2來實(shí)現(xiàn)。另外，該第一化合物可通過相對移動(dòng)墨水噴射頭H1和基礎(chǔ)本體2來進(jìn)行補(bǔ)充。這里，在以后的使用墨水噴射頭的處理中，按照與上述相同的方式執(zhí)行。
墨水噴射頭的噴射操作是這樣執(zhí)行的。即，在墨水噴射頭H1中形成的一個(gè)噴射嘴H2的位置對著電極表面111a，且從噴嘴H2中噴射出該第一化合物。分開該開口部分112g的梯形112在像素電極111的周圍形成。該墨水噴射頭H1面對著開口部分112g。通過使墨水噴射頭H1和基礎(chǔ)本體2相對運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)將第一化合物液滴110c從噴射嘴H2噴射到圖3所示的開口部分112g中，其中每滴液滴的量都是可控制的。噴射到開口部分112g中的液滴可為6滴到20滴。這個(gè)范圍取決于像素的面積，因此液滴可以超出上述的范圍。
這里，如圖16和17A所示，噴射一初始液滴110c1，從而使其接觸在有機(jī)梯形層112b中傾斜的側(cè)壁表面112h，其中該初始液滴被噴射到一開口部分112g中。有機(jī)梯形層112b中的側(cè)壁表面112h已在前面的防水處理中被處理為防水，因此，噴射的液滴110c1接觸到側(cè)壁表面112h并立刻被排斥。該液滴110c1在該側(cè)壁112h上移動(dòng)，從而落在第一層部分112e上。該第一層部分112e被處理為親液，因此落下的初始液滴110c1應(yīng)該在第一層部分112e上擴(kuò)散。這里，該初始液滴110c1應(yīng)當(dāng)至少接觸有機(jī)梯形層112b中的側(cè)壁表面112h的一部分。而且，該被噴射的初始液滴110c1將同時(shí)與有機(jī)梯形層112f的側(cè)壁表面112h和上表面112f接觸。
然后，如圖17B所示，在噴射液滴110c1后，間隔噴射液滴110c2，從而使它不會覆蓋在前面的液滴110c1上。即，用于滴落液滴110c1和110c2的間隔D最好大于液滴的直徑(D＞d)。因此，在這種情況下，在一個(gè)掃描操作中可噴射的液滴是有限的。因此，墨水噴射頭H1最好多次掃描一個(gè)像素區(qū)域，從而形成具有足夠厚度的空穴注入/傳輸層。
另外，當(dāng)每次多次執(zhí)行該墨水噴射頭H1的掃描操作時(shí)，最好通過使墨水噴射頭H1在垂直于主掃描方向的子掃描方向上稍微進(jìn)行位移，利用其它噴嘴n1而不是由一個(gè)特定噴嘴n1來執(zhí)行該噴射操作。因此，可能通過由多個(gè)噴嘴對一個(gè)像素區(qū)域A執(zhí)行噴射操作，來實(shí)現(xiàn)誤差擴(kuò)散的效果，這樣噴嘴中液滴量的誤差將分散。因此，可以實(shí)現(xiàn)均勻厚度的空穴注入/傳輸層。
而且，如圖17C所示，液滴110c2可以以這樣一個(gè)間隔來噴射，即在初始液滴被噴射后，液滴110c2將覆蓋初始液滴110c1。即，初始液滴110c1和液滴110c2之間的間隔D小于每個(gè)液滴的直徑(D＜d)。因此，在這種情況下，在一個(gè)掃描操作中噴射的液滴是沒有限制；因此，為了形成具有足夠厚度的空穴注入/傳輸層，墨水噴射頭H1可對一個(gè)像素區(qū)域A執(zhí)行一次或多次掃描操作。在墨水噴射頭H1執(zhí)行多次掃描操作的情況下，與上次的情況相似，墨水噴射頭H1在每次掃描操作時(shí)，在子掃描方向上進(jìn)行位移，利用其它噴嘴n1而不是一個(gè)特定的噴嘴n1執(zhí)行噴射操作。在利用多個(gè)噴嘴執(zhí)行對像素區(qū)域A的噴射操作的情況下，由于與上面情況相似的誤差擴(kuò)散效應(yīng)，在每個(gè)像素區(qū)域A上可以實(shí)現(xiàn)具有均勻厚度的空穴注入/傳輸層。
特別的，在墨水噴射頭H1對一個(gè)像素區(qū)域A執(zhí)行兩次掃描操作的情況下，第一掃描方向和第二掃描方向是相反的。而且，第一掃描方向和第二掃描方向也可以相同。
在第一掃描方向和第二掃描方向相反的情況下，在第一掃描操作中在像素區(qū)域A的一半面積中噴射該第一化合物，在第二掃描操作中，在剩下的面積中噴射該第一化合物。而且，也可以執(zhí)行第二掃描操作，從而覆蓋在第一掃描操作中形成的區(qū)域。
另外，在第一掃描方向和第二掃描方向相同的情況下，在第一掃描操作中執(zhí)行噴射操作，從而形成一個(gè)間隔使液滴不會彼此覆蓋，然后在第二掃描操作中執(zhí)行噴射操作，從而覆蓋在前次噴射操作中留下的空白。當(dāng)然，可以執(zhí)行噴射操作從而將一個(gè)像素區(qū)域分為兩個(gè)區(qū)域。
對于這里使用的第一化合物，例如將聚噻吩衍生物，例如聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合物溶解在極性溶劑中而形成的化合物。對于極性溶劑，可以選用例如異丙醇(IPA)、n-丁醇、γ-丁內(nèi)酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和它的衍生物、乙二醇酯例如卡必醇醋酸酯、和丁基卡必醇醋酸酯。
對于第一化合物的特別結(jié)構(gòu)，可以采用例如PEDOT/PSS混合物(PEDOT/PSS＝120)12.52重量％，PSS1.44重量％，IPA10重量％，NMP27.48重量％，DMI50重量％的條件。這里第一化合物的粘性最好為2-20Ps，特別是15cPs。
通過使用上述的第一化合物，可以在不閉合噴射嘴H2的情況下穩(wěn)定的執(zhí)行噴射操作。
這里，可以使用用于空穴注入/傳輸層形成材料的通用材料來形成紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)色的發(fā)光層110b-110b3。而且，也可以使用用于空穴注入/傳輸層形成材料的不同材料。
如圖16所示，噴射的第一化合物的液滴110c最終在執(zhí)行了親液處理的電極表面111a和第一層部分112e上擴(kuò)散，從而在下部開口部分112c和上部開口部分112d中進(jìn)行補(bǔ)充噴射的第一化合物的液滴110c。如果第一化合物的液滴110c被噴射到上表面112f上，則第一化合物液體110c不會在上表面112f上擴(kuò)散，其中該上表面是預(yù)定噴射位置的外側(cè)；該被排斥的第一化合物液滴110c轉(zhuǎn)移到下部開口部分112c和上部開口部分112d中。
噴射到電極表面111a上的第一化合物的總量是由例如下部開口部分112c的尺寸、上部開口部分112d的尺寸、空穴注入/傳輸層的厚度和空穴注入/傳輸層中第一化合物的密度等因素決定的。
然后，如圖18所示，執(zhí)行烘干處理。在烘干處理中，將噴射的第一化合物烘干，包含在該第一化合物中的極性溶劑蒸發(fā)，從而形成空穴注入/傳輸層110a。
在烘干處理中，包含在化合成液體110c中的極性溶劑在無機(jī)梯形層112a和有機(jī)梯形層112b附近蒸發(fā)。隨著極性溶劑的蒸發(fā)，該空穴注入/傳輸層濃縮并析取出來。
因此，如圖18所示，在第一層部分112e上形成由空穴注入/傳輸層制成的周邊部分110a2。該周邊部分110a緊密的附著在上部開口部分112d中的側(cè)壁表面(有機(jī)梯形層112b)上。該周邊部分110a2的厚度在電極表面111a附近很薄，在遠(yuǎn)離電極表面111a的有機(jī)梯形層112b附近很厚。
而且，同時(shí)，在烘干處理中，極性溶劑在電極表面111a上蒸發(fā)。因此，在電極表面111a上形成由空穴注入/傳輸層形成材料制成的平坦部分110a1。該極性溶劑在電極表面111a上的蒸發(fā)速度基本上是均勻的。因此，空穴注入/傳輸層1形成材料在電極表面111a上均勻的沉淀。這樣，形成具有均勻厚度的平坦部分110a。
這樣，形成由周邊部分110a2和平坦部分110a1制成的空穴注入/傳輸層110a。
這里，空穴注入/傳輸層不僅可以在周邊部分110a2上形成，也可在電極表面111a上形成。
上述的烘干處理是在例如室溫下、壓力為133.3Pa(1 Torr)的氮?dú)猸h(huán)境中執(zhí)行的。如果壓力太低，則由于第一化合物液滴沸騰，不是優(yōu)選的。如果溫度高于室溫，則極性溶劑的蒸發(fā)速度變快，因此不可能形成平坦層。
在烘干處理后，最好在氮?dú)猸h(huán)境或真空條件下，以200℃的溫度進(jìn)行10分鐘左右的加熱空穴注入/傳輸層110a，從而去除保存在空穴注入/傳輸層110a中的極性溶劑和水。
在上述空穴注入/傳輸層形成處理中，在下部開口部分112c和上部開口部分112d中補(bǔ)充噴射的第一合成液滴110c。另一方面，第一化合物在執(zhí)行防水操作的有機(jī)梯形層112b中被排斥，從而傳輸?shù)较虏块_口部分112c和上部開口部分112b中。因此，可能在下部開口部分112c和上部開口部分112d中補(bǔ)充該噴射的第一化合物液滴110c；因此，可能在電極表面111a上形成空穴注入/傳輸層110a。
在上述的空穴注入/傳輸層形成處理中，對于各像素電極A的初始噴射的第一化合物液滴110c1與有機(jī)梯形層112b中的側(cè)壁112h接觸。因此，液滴從側(cè)壁表面112h轉(zhuǎn)移到第一層部分112e和像素電極表面111a；因此，可能使該第一化合物液滴110c優(yōu)先在像素電極111周圍擴(kuò)散，從而均勻的提供了第一化合物。因此，可能形成具有基本均勻厚度的空穴注入/傳輸層110a。
(4)發(fā)光層形成處理發(fā)光層形成處理包括表面改善處理(refining process)、發(fā)光層形成材料噴射處理、和烘干處理。
首先，執(zhí)行表面改善處理，從而改善空穴注入/傳輸層110a的表面。該處理將在以后說明。然后，通過與上述空穴注入/傳輸層形成處理的情況相似的墨水噴射方法，在空穴注入/傳輸層110a上噴射第二化合物。然后，將該噴射的第二化合物烘干(熱處理)，從而在空穴注入/傳輸層110a上形成發(fā)光層110b。
在發(fā)光層形成處理中，使用在空穴注入/傳輸層110a中不可溶的非極性溶劑作為第二化合物，該第二化合物用于形成發(fā)光層，從而防止空穴注入/傳輸層110a再次溶解。
但是，另一方面，空穴注入/傳輸層110a對非極性溶劑的親液特性不好。因此，即使包括非極性溶劑的第二化合物被噴射在空穴注入/傳輸層110a上或發(fā)光層110b不能均勻提供時(shí)，空穴注入/傳輸層110a和發(fā)光層110b也不能緊密接觸。
相應(yīng)的，最好在形成發(fā)光層之前執(zhí)行表面改善處理，從而提高在空穴注入/傳輸層110a的表面和發(fā)光層形成材料中抗非極性溶劑的的親液特性?，F(xiàn)在，說明表面改善處理。
在表面改善處理中，通過墨水噴射方法(液滴噴射方法)、旋轉(zhuǎn)涂層方法、或浸漬方法，將非極性溶劑和作為相當(dāng)于或相似于上述非極性溶劑的表面改善材料提供在空穴注入/傳輸層110a上，然后執(zhí)行烘干操作，其中，該非極性溶劑用于在發(fā)光層形成處理中使用的第一化合物。
在墨水噴射方法中，如圖19所示，表面改善材料在墨水噴射頭H3中補(bǔ)充。從墨水噴射頭H3中形成的噴射嘴H4中噴射該表面改善材料。與上述空穴注入/傳輸層形成處理的情況相似，該噴射嘴H4面對基礎(chǔ)本體2(在該基礎(chǔ)本體2中形成空穴注入/傳輸層110a)。在使墨水噴射頭H3和基礎(chǔ)本體2相對運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，從噴射嘴H4向空穴注入/傳輸層110a上噴射表面改善材料110d。
在該旋轉(zhuǎn)涂層方法中，該基礎(chǔ)本體2被安裝在，例如一旋轉(zhuǎn)平臺上，表面改善材料從上面滴落在該基礎(chǔ)本體2上。然后，旋轉(zhuǎn)該基礎(chǔ)本體2，從而使表面改善材料擴(kuò)散在基礎(chǔ)本體2上的空穴注入/傳輸層110a的整個(gè)表面上。這里，表面改善材料在上表面112f上擴(kuò)散，其中對該上表面暫時(shí)執(zhí)行親液處理。但是，由于離心力，表面改善材料將被排斥；因此，表面改善材料只被提供在空穴注入/傳輸層110a上。
另外，在浸漬方法中，將基礎(chǔ)本體2浸泡在例如表面改善材料中并被提起，從而使表面改善材料擴(kuò)散在整個(gè)空穴注入/傳輸層110a上。在這種情況下，表面改善材料也暫時(shí)在進(jìn)行過親液處理的上表面112f上擴(kuò)散。但是，當(dāng)將該基礎(chǔ)本體2提起時(shí)，表面改善材料脫離上表面112f，因此，表面改善材料只被提供在空穴注入/傳輸層110a上。
對于這里使用的與用于第二化合物的非極性溶劑相似的表面改善材料，可以使用環(huán)己苯、二氫苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯。對于相當(dāng)于用于第二化合物的非極性溶劑的表面改善材料，可以采用例如甲苯和二甲苯。
特別的，在墨水噴射方法中，最好使用二氫苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯、環(huán)己苯和它們的混合物，特別情況下，采用與第二化合物相似的溶劑混合物。
在旋轉(zhuǎn)涂層方法或浸漬方法中，最好選用甲苯和二甲苯。
然后，如圖20中所示，將應(yīng)用區(qū)域烘干。在墨水噴射方法的烘干處理中，基礎(chǔ)本體2安裝在一個(gè)熱的板上，從而以例如200℃或更低的溫度來被加熱，從而烘干和脫水。在旋轉(zhuǎn)涂層方法或浸漬方法中，最好將氮?dú)獯迪蛟摶A(chǔ)本體，或者旋轉(zhuǎn)該基礎(chǔ)本體，從而在該基礎(chǔ)本體2的表面上產(chǎn)生空氣流動(dòng)，從而烘干或脫水。
這里，在空穴注入/傳輸層形成處理中的烘干操作之后提供表面改善材料，在對其上所提供的表面改善材料干操處理之后，執(zhí)行空穴注入/傳輸層形成過程中的加熱操作。
通過執(zhí)行這種表面改善處理，空穴注入/傳出層110a的表面變得對非極性溶劑呈親液性，因此，可以在下面的處理中實(shí)現(xiàn)將包括該發(fā)光層形成材料的第二化合物均勻的提供到空穴注入/傳輸層110a上。
這里，通常用于空穴傳輸材料的化合物可溶解在上述表面改善材料中，從而形成一化合物。通過墨水噴射方法將該化合物提供到空穴注入/傳輸層上，并將其烘干；因此可在空穴注入/傳輸層上形成非常薄的空穴傳輸層。
空穴注入/傳輸層的幾乎整個(gè)部分都可溶解在發(fā)光層110b中，該發(fā)光層在下面的處理中提供。但是，空穴注入/傳輸層的一部分仍然以薄層的形式位于空穴注入/傳輸層110a和發(fā)光層1 10b之間。因此，可以降低空穴注入/傳輸層110a和發(fā)光層110b之間的能壘；因此可以很容易的使空穴移動(dòng)。因此，可能提高發(fā)光效率。
然后，在發(fā)光層形成處理中，利用墨水噴射方法(液滴噴射方法)，將包括發(fā)光層形成材料的第二化合物噴射在空穴注入/傳輸層110a的上面。然后，執(zhí)行烘干操作，從而在空穴注入/傳輸層110a上形成發(fā)光層110b。
圖21示出利用墨水噴射器的噴射方法的全視圖。如圖21所示，該墨水噴射頭H5和基礎(chǔ)本體2相對移動(dòng)。從噴射頭中形成的噴射嘴H6中噴射第二化合物，該第二化合物包括各顏色(例如，藍(lán)色(B))的發(fā)光層形成材料。
在噴射操作中，該噴射嘴面對空穴注入/傳輸層110a，所述空穴注入/傳輸層位于下部開口部分112c和上部開口部分112d中。在墨水噴射頭H5和基礎(chǔ)本體2相對運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，噴射該第二化合物?？梢詫娚渥霩6每次的液體噴射的量進(jìn)行控制。因此，從噴射頭噴射出的液體(第二化合物液體110e)的量。因此，該第二化合物液體110e被噴射在空穴注入/傳輸層110a上。
在發(fā)光層形成處理中，與空穴注入/傳輸層形成處理相似，噴射初始液滴，使其與梯形部分112接觸。噴射第二液滴，使其覆蓋該初始液滴。而且，噴射的第二液滴與該初始液滴具有一定間隔。另外，對于每個(gè)像素區(qū)域，可以將一個(gè)掃描操作分為兩次操作。
即，與圖16和17A所示的情況相似，向開口部分112g噴射該第二化合物的初始液滴，從而使其接觸有機(jī)梯形部分112 112b中的傾斜側(cè)壁表面112h。在防水處理中，將有機(jī)梯形層112b中的側(cè)壁表面112h處理為防水；因此，該噴射的液滴接觸到側(cè)壁表面112h，然后立刻被排斥，從而在該側(cè)壁表面112h上運(yùn)動(dòng)，最終落在空穴注入/傳輸層110a上。在表面改善處理中，已經(jīng)將該空穴注入/傳輸層110a處理為對于非極性溶劑具有親液性；因此，運(yùn)動(dòng)并落在該空穴注入/傳輸層110a上的液滴將在它的表面擴(kuò)散。因此，初始液滴將至少接觸有機(jī)梯形層112b中的側(cè)壁表面112h的一部分。而且，噴射該初始液滴，從而使其同時(shí)接觸有機(jī)梯形層中的上表面112f和側(cè)壁表面112h。
因此，與圖17B所示的情況相似，在第二液滴之后被噴射的液滴應(yīng)當(dāng)不會覆蓋前面的液滴。即，滴落的液滴之間的間隔D最好大于各液滴的直徑(D＞d)。在這種情況下，噴射的液滴將局限在一個(gè)掃描操作中；因此，噴射頭H5應(yīng)當(dāng)對于一個(gè)像素區(qū)域A執(zhí)行多次掃描操作，從而形成具有足夠厚度的發(fā)光層112b。
另外，當(dāng)墨水噴射頭H5執(zhí)行多次掃描操作時(shí)，在各掃描操作中，該噴射頭H5最好在垂直于主掃描方向的子掃描方向上稍微進(jìn)行位移。最好利用其它噴嘴而不是由一個(gè)特定噴嘴來執(zhí)行該噴射操作。因此，可以利用多個(gè)噴嘴對一個(gè)像素區(qū)域A執(zhí)行噴射操作，這樣，可以實(shí)現(xiàn)誤差擴(kuò)散的效果，其中液滴量的誤差將分散。因此，可以實(shí)現(xiàn)形成具有均勻厚度的空穴注入/傳輸層。
而且，如圖17C所示，在初始液滴被噴射后，經(jīng)過一定間隔噴射另外液滴，該液滴將覆蓋初始液滴。即，初始液滴和液滴之間的間隔D小于每個(gè)液滴的直徑(D＜d)。因此，在這種情況下，在一個(gè)掃描操作中噴射的液滴是沒有限制的；因此，為了形成具有足夠厚度的發(fā)光層112b，墨水噴射頭H5可對一個(gè)像素區(qū)域A執(zhí)行一次或多次掃描操作。在墨水噴射頭H5執(zhí)行多次掃描操作的情況下，與上次的情況相似，墨水噴射頭H5在每次掃描操作時(shí)，在子掃描方向上進(jìn)行位移，利用其它噴嘴而不是一個(gè)特定的噴嘴執(zhí)行噴射操作。在利用多個(gè)噴嘴執(zhí)行對像素區(qū)域A的噴射操作的情況下，由于與上面情況相似的誤差擴(kuò)散效應(yīng)，在每個(gè)像素區(qū)域A上可以實(shí)現(xiàn)具有均勻厚度的發(fā)光層112b。
特別的，在墨水噴射頭H5對一個(gè)像素區(qū)域A執(zhí)行兩次掃描操作的情況下，第一掃描方向和第二掃描方向是相反的。而且，第一掃描方向和第二掃描方向也可以相司。
在第一掃描方向和第二掃描方向相反的情況下，在第一掃描操作中在像素區(qū)域A的一半面積中噴射該第一化合物，在第二掃描操作中，在剩下的面積中噴射該第一化合物。而且，也可以執(zhí)行第二掃描操作，從而覆蓋在第一掃描操作中形成的區(qū)域。
另外，在第一掃描方向和第二掃描方向相同的情況下，在第一掃描操作中執(zhí)行噴射操作，從而使液滴具有間隔而不會彼此覆蓋，然后在第二掃描操作中執(zhí)行噴射操作，從而覆蓋在前次噴射操作中留下的空白。可以肯定的是，可以執(zhí)行噴射操作從而將一個(gè)像素區(qū)域分為兩個(gè)區(qū)域。
對于發(fā)光層形成材料，可以選用上述的化合物1-5中所示的聚芴衍生物，(聚-)對-苯亞基乙烯基衍生物，聚苯基衍生物，聚乙烯基咔唑，聚噻吩衍生物，二萘嵌苯染料，香豆素染料，玫瑰精染料。還可以將有機(jī)EL材料加入到上述用于發(fā)光層形成材料的聚合體中。例如，可將紅熒烯，二萘嵌苯，9，10-二苯基蒽，四苯丁二烯，尼羅紅，香豆素6，喹吖(二)酮加入到上述聚合體中。
非極性溶劑最好不溶解在空穴注入/傳輸層110a中。例如，可以使用環(huán)己基苯，二氫苯并呋喃，三甲基色氨酸苯，四甲基苯。
通過使用這種非極性溶劑用于發(fā)光層110b中的第二化合物，可以提供該第二化合物，而不會使空穴注入/傳輸層110a再次溶解。
如圖21所示，噴射的第二化合物110e在空穴注入/傳輸層110a上擴(kuò)散，并在下部開口部分112c和上部開口部分112d中補(bǔ)充噴射的第二化合物110e。另一方面，即使該第一化合物液滴110e偏離了預(yù)定噴射位置而噴射在防水上表面112f上，該上表面112f也不會被該第二化合物液滴110e弄濕；因此該第二化合物液滴110e在下部開口部分112c和上部開口部分112d中運(yùn)動(dòng)。
噴射在空穴注入/傳輸層110a上的第二化合物的量由例如下部開口部分112c的尺寸、上部開口部分112d的尺寸、希望形成的發(fā)光層110b的厚度和第二化合物中發(fā)光層的密度等因素決定的。
而且，第二化合物110e可以不只一次而是多次噴射在相同的空穴注入/傳輸層110a上。這種情況下，每次噴射中第二化合物的量可以相同。該第二化合物的液量在每次噴射中也可變化。另外，在每次噴射操作中，該第二化合物可以不用處于和噴射在空穴注入/傳輸層110a上的相同位置，而應(yīng)當(dāng)在該空穴注入/傳輸層110a中的不同位置。
然后，在預(yù)定位置噴射該第二化合物，然后，烘干該噴射的第二化合物液滴110e。從而形成發(fā)光層110b3。即，如圖22所示，通過執(zhí)行烘干操作，第二化合物中包括的非極性溶劑蒸發(fā)，形成藍(lán)色(B)發(fā)光層110b3。這里，在圖22中，只示出發(fā)射藍(lán)光的一個(gè)發(fā)光層。如圖1或其他圖中所示，發(fā)光元件基本上呈矩形；因此應(yīng)當(dāng)理解為在圖(對應(yīng)藍(lán)色)中形成無數(shù)發(fā)光層。
隨后，如圖23所示，與上述藍(lán)色(B)發(fā)光層110b3的情況相似，以相同的處理形成紅色(R)發(fā)光層110b1。最后形成綠色(G)發(fā)光層110b2。
這里，形成發(fā)光層的順序并不局限于上述順序?？梢砸匀魏涡纬身樞蛐纬伤鼈?。例如，可以根據(jù)發(fā)光層形成材料來決定形成順序。
對于發(fā)光層中的第二化合物的烘干條件，例如，可以采用氮?dú)猸h(huán)境下、室溫、133.3Pa(1 Torr)壓力的條件下進(jìn)行5-10分鐘。如果壓力太低，則由于第二化合物將沸騰，不是很好。如果溫度高于室溫，則非極性溶劑的蒸發(fā)速度變快，很多發(fā)光層形成材料元件將粘附在上部開口部分112d中的側(cè)壁表面；因此也不好。
而且，該綠色發(fā)光層110b2和紅色發(fā)光層110b2具有很多用于發(fā)光層形成材料的組分，因此最好簡單的烘干。例如，最好在40℃下進(jìn)行5-10分鐘的氮?dú)獯禋獠僮鳌?br> 對于其它烘干條件，最好采用遠(yuǎn)紅外輻射方法，高溫氮?dú)獯禋夥椒ǖ取?br> 這樣，就在像素電極111上形成空穴注入/傳輸層110a和發(fā)光層110b。
(5)面對電極(陰極)形成處理然后，在圖24所示的面對電極形成處理中，在發(fā)光層110b的整個(gè)表面和有機(jī)梯形層112b上形成陰極12(面對電極)。這里，該陰極12是通過將多種材料層疊而形成的。例如，具有小功函的材料最好在發(fā)光層附近形成。例如，可以采用Ca、Ba等。而且，存在在其下面形成很薄的LiF等的情況。而且，在上面(密封區(qū)域)存在具有比下面更高功函數(shù)的材料，例如Al。
這些陰極12最好通過，例如真空蒸發(fā)方法、濺射法和CVD法等來形成。特別的，最好通過真空蒸發(fā)方法形成它們，從而防止由于加熱導(dǎo)致的發(fā)光層110b的損壞。
而且，氟化鋰只形成在發(fā)光層110b上。另外，可以形成氟化鋰，使其對應(yīng)于特定的顏色。例如，可以只在藍(lán)色(B)發(fā)光層110b3上形成氟化鋰。在這種情況下，由鈣制成的上陰極層12與紅色(R)發(fā)光層110b1和綠色(G)發(fā)光層110b2接觸。
而且，對于陰極的上面部分，最好采用真空蒸發(fā)方法、濺射方法，CVD方法等形成Al層或Ag層。而且，該陰極的上部部分的厚度最好在大約100-1000nm的范圍內(nèi)，特別是200-500nm左右。而且，為了防止氧化，最好在陰極12上形成保護(hù)層，例如SiO2，SiN等。
(6)密封處理最后，在密封處理中，通過密封樹脂3a將上面形成有發(fā)光材料的基本本體2和密封基板3b密封。例如，在基礎(chǔ)本體2的整個(gè)表面上提供由熱固化樹脂或紫外線固化樹脂制成的密封樹脂3a。該密封基板3b層疊在密封樹脂3a上。在該處理中，在基礎(chǔ)本體2上形成密封部分3。
最好在惰性氣體環(huán)境，例如氮?dú)?、氬氣、氦氣中?zhí)行密封處理。如果在大氣中執(zhí)行密封處理，則如果在陰極12上具有針孔之類的缺限，水分和氧氣將進(jìn)入陰極12中，這樣陰極12將被氧化。因此，這不是優(yōu)選的。
另外，如圖2A-2C所示的例子，陰極12與基板5上的配線5a連接。而且，電路元件部分14中的配線與驅(qū)動(dòng)IC6連接。這樣，就得到了本實(shí)施例的顯示裝置1。
第二實(shí)施例下面，將說明具有根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的電子裝置的例子。
圖25A示出作為例子的移動(dòng)電話的透視圖。在圖25A中，附圖標(biāo)記600表示移動(dòng)電話單元。附圖標(biāo)記601表示使用上述顯示裝置的顯示部分。
圖25B示出作為例子的移動(dòng)信息處理裝置，例如文字處理器和個(gè)人計(jì)算機(jī)的透視圖。在圖25B中，附圖標(biāo)記700表示一信息處理裝置。附圖標(biāo)記701表示一輸入部分，例如鍵盤。附圖標(biāo)記3表示一信息處理裝置單元。附圖標(biāo)記702表示使用上述顯示裝置的顯示部分。
圖25C示出作為例子的電子表裝置的透視圖。在圖25C中，附圖標(biāo)記800表示一表單元。附圖標(biāo)記801表示使用上述顯示裝置的顯示部分。
圖25A-25C所示的電子裝置具有一顯示部分，該顯示部分具有根據(jù)上述第一實(shí)施例的顯示裝置；因此這些電子裝置具有上述第一實(shí)施例的顯示裝置的特性。因此，這些電子裝置具有高亮度和更好的顯示質(zhì)量。
通過按照與上述第一實(shí)施例相似的情況形成圖2A和2B所示的具有驅(qū)動(dòng)IC6(驅(qū)動(dòng)電路)的顯示裝置1，并將該顯示裝置1裝配到移動(dòng)電話、移動(dòng)信息處理裝置和電子表裝置中，從而制造出這些電子裝置。
下面將參照詳細(xì)實(shí)施例說明本發(fā)明。很明顯本發(fā)明可以以很廣泛的形式來實(shí)施，其中的一些可能與所公開的實(shí)施例非常不同。因此，這里所描述的特別結(jié)構(gòu)和功能都僅僅是示意性的，并不對本發(fā)明范圍進(jìn)行限制。
圖26示出作為根據(jù)本發(fā)明的另一例子的顯示裝置的截面圖。圖26所示的顯示裝置包括一基礎(chǔ)本體2，一在該基礎(chǔ)本體2上形成的顯示元件10，一以環(huán)狀形式環(huán)繞該基礎(chǔ)本體的密封樹脂603，以及在該顯示元件10上的密封部分3。
該基礎(chǔ)本體2和顯示元件10與上述第一實(shí)施例中的基礎(chǔ)本體2和顯示元件10相同。該顯示元件10主要包括一發(fā)光元件部分11和一陰極12，該陰極是在發(fā)光元件部分11上形成的。
而且，如圖26所示，在發(fā)光元件部分11上具有密封部分3。通過將熱固化樹脂或紫外線固化樹脂制成的密封樹脂提供在陰極12和位于密封樹脂3a上面的密封基板3b上，形成密封部分3。這里最好使用在硬化期間不會產(chǎn)生氣體或溶劑的密封樹脂3a。
形成該密封部分3以便至少幾乎全部覆蓋電極12，該電極12位于發(fā)光元件部分11上。這樣，密封部分3將防止水或氧氣進(jìn)入包括陰極12和發(fā)光層的功能層中，從而防止陰極12和發(fā)光層被氧化。
這里，密封基板3b附著于密封樹脂3a上，從而保護(hù)密封樹脂3a。該密封基板3b最好為玻璃部件或金屬部件。
而且，圖27示出作為本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置的截面圖。圖27所示的顯示裝置包括一基礎(chǔ)本體2、一在該基礎(chǔ)本體2上形成的顯示元件10，一施加在顯示元件10的整個(gè)表面的密封樹脂3a，以及在該密封樹脂3a上的密封基板3b。
該基礎(chǔ)本體2、顯示元件10、密封樹脂3a和密封基板3b與第一實(shí)施例中的基礎(chǔ)本體2、顯示元件10、密封樹脂3a和密封基板3b相同。
而且，如圖27所示，在密封部件3和陰極12之間形成保護(hù)層714。該保護(hù)層714是由厚度為100-200nm的SiO2、SiN等制成的。該保護(hù)層714可防止水或氧氣進(jìn)入陰極和包括發(fā)光層的功能層中；從而防止陰極12和發(fā)光層被氧化。
根據(jù)上述顯示裝置，可以有效的防止水和氧氣的入侵；因此可以防止陰極12或發(fā)光層中的氧化。這樣，可以實(shí)現(xiàn)更高的亮度并提高顯示裝置的壽命。
而且，在第一實(shí)施例中，說明了當(dāng)發(fā)光層110b，例如R、B和G呈條紋設(shè)置的情況。但是，本發(fā)明并不局限于這種布置。在本發(fā)明中，還可以采用不同的布置結(jié)構(gòu)。例如，除了圖28A所示的條紋布置外，還可采用圖28B中所示的鑲嵌布置或圖28C中所示的三角布置。
工業(yè)實(shí)用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明顯示裝置的制造方法，對于各功能層初始噴射的上述化合物的液滴將至少接觸上述梯形部分的一部分。這樣，液滴將從梯形部分運(yùn)動(dòng)到電極表面。因此，可以使化合物液滴優(yōu)先在電極周圍擴(kuò)散；從而可以均勻的提供化合物。這樣，就可以形成具有均勻厚度的功能層。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的制造方法，其中該顯示裝置在功能層之間具有一個(gè)梯形部分，這些梯形部分通過在形成在一個(gè)基礎(chǔ)本體上的多個(gè)電極周圍形成一個(gè)梯形部分而形成在電極上，通過從多個(gè)噴嘴噴射化合物而實(shí)現(xiàn)在每個(gè)電極上形成功能層，該方法的特征在于具有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列以對角線方式在主掃描方向上掃描該基礎(chǔ)本體，對各功能層噴射初始噴射的化合物液滴，從而使其至少接觸該梯形部分的一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中在梯形部分中形成一被處理為親液的區(qū)域和一被處理為防水的區(qū)域，化合物的液滴接觸該防水區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置的制造方法，其中該梯形部分是由一被處理為親液的第一梯形層和一被處理為防水的第二梯形層形成的，形成第一梯形層以覆蓋電極的一部分。
4.一種顯示裝置的制造方法，其中在形成在一個(gè)基本本體上的多個(gè)電極中的每一個(gè)上都形成有功能層，在功能層之間具有梯形部分，該方法包括以下步驟梯形部分形成步驟，用于形成梯形部分從而覆蓋電極的一部分；親液步驟，用于將電極的至少一部分處理為親液；防水步驟，用于將梯形部分的一部分處理為防水；功能層形成步驟，用于通過從多個(gè)噴嘴中噴射化合物，在每個(gè)電極上形成至少一個(gè)功能層；和面對電極形成步驟，用于在功能層上形成面對電極，其中，在功能層形成步驟中，當(dāng)具有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列以對角方式在主掃描方向上掃描基礎(chǔ)本體時(shí)，噴射向各功能層初始噴射的化合物液滴，從而使其至少接觸梯形部分的一部分。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置的制造方法，其中該梯形部分是由在親液步驟中被處理為親液的一第一梯形層和在防水步驟中被處理為防水的一第二梯形層形成的，形成該第一梯形層以覆蓋電極的一部分。
6.如權(quán)利要求1-5中任一個(gè)所述的顯示裝置的制造方法，其中功能層至少包括一空穴注入/傳輸層。
7.如權(quán)利要求1-6中任一個(gè)所述的顯示裝置的制造方法，其中該功能層至少包括一發(fā)光層。
8.如權(quán)利要求1-7中任一個(gè)所述的顯示裝置的制造方法，其中在上述功能層形成步驟中，可通過多次噴射化合物液滴來形成各功能層，滴落這些液滴的間隔應(yīng)當(dāng)大于液滴的直徑。
9.如權(quán)利要求1-7中任一個(gè)所述的顯示裝置的制造方法，其中在功能層形成步驟中，可通過多次噴射化合物液滴來形成各功能層，滴落所述液滴的間隔應(yīng)當(dāng)小于液滴的直徑。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其中噴嘴陣列對每個(gè)功能層執(zhí)行一次掃描操作。
11.如權(quán)利要求8或9所述的顯示裝置的制造方法，噴嘴陣列對每個(gè)功能層執(zhí)行兩次以上掃描操作。
12.如權(quán)利要求8，9或11所述的顯示裝置的制造方法，其中噴嘴陣列對各功能層的每次掃描操作使用不同噴嘴。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其中在噴嘴陣列對各功能層的各掃描操作中，通過噴嘴陣列在子掃描方向上位移使用不同的噴嘴，。
14.一種根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一個(gè)制造方法制造的顯示裝置。
15.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置在功能層之間具有一梯形部分；通過從多個(gè)噴嘴噴射化合物實(shí)現(xiàn)在各電極上形成功能層；以及一個(gè)具有用于驅(qū)動(dòng)電視裝置的驅(qū)動(dòng)電路的電子裝置，其中通過在多個(gè)電極周圍形成一梯形部分而在電極上形成功能層，該多個(gè)電極形成在一個(gè)基礎(chǔ)本體上，該方法的特征在于具有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列以對角方式在主掃描方向上對該基礎(chǔ)本體進(jìn)行掃描，噴射對各功能層初始噴射的化合物液滴，使其至少接觸梯形部分的一部分。
16.如權(quán)利要求15所述的電子裝置的制造方法，其中在梯形部分中形成一被處理為親液的區(qū)域和一被處理為防水的區(qū)域，化合物液滴接觸該防水區(qū)域。
17.如權(quán)利要求16所述的電子裝置的制造方法，其中梯形部分是由一被處理為親液的第一梯形層和一被處理為防水的第二梯形層形成，形成該第一梯形層以便覆蓋電極的一部分。
18.一種顯示裝置和電子裝置的制造方法，在顯示裝置中功能層在形成在一個(gè)基礎(chǔ)本體上的多個(gè)電極中的每一個(gè)上形成，在功能層之間設(shè)置梯形部分，電子裝置具有用于驅(qū)動(dòng)顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路，該方法包括以下步驟梯形部分形成步驟，用于形成梯形部分從而覆蓋電極的一部分；親液步驟，用于將電極的至少一部分處理為親液；防水步驟，用于將梯形部分的一部分處理為防水；功能層形成步驟，用于通過從多個(gè)噴嘴中噴射化合物，在每個(gè)電極上形成至少一個(gè)功能層；和面對電極形成步驟，用于在功能層上形成面對電極；其中，在功能層形成步驟中，當(dāng)具有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列以對角方式在主掃描方向上掃描基礎(chǔ)本體時(shí)，噴射向各功能層初始噴射的化合物液滴，從而使其至少接觸梯形部分的一部分。
19.如權(quán)利要求14所述的電子裝置的制造方法，其中該梯形部分是由在親液步驟中被處理為親液的一第一梯形層和在防水步驟中被處理為防水的一第二梯形層形成的，形成該第一梯形層覆蓋電極的一部分。
20.如權(quán)利要求15-19中任一個(gè)所述的電子裝置的制造方法，其中功能層至少包括一空穴注入/傳輸層。
21.如權(quán)利要求15-20中任一個(gè)所述的電子裝置的制造方法，其中該功能層至少包括一發(fā)光層。
22.如權(quán)利要求15-22中任一個(gè)所述的電子裝置的制造方法，其中在上述功能層形成步驟中，可通過多次噴射化合物液滴來形成各功能層，滴落這些液滴的間隔應(yīng)當(dāng)大于液滴的直徑。
23.如權(quán)利要求15-22中任一個(gè)所述的顯示裝置的制造方法，其中在功能層形成步驟中，可通過多次噴射化合物液滴來形成各功能層，滴落所述液滴的間隔應(yīng)當(dāng)小于液滴的直徑。
24.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置的制造方法，其中噴嘴陣列對每個(gè)功能層執(zhí)行一次掃描操作。
25.如權(quán)利要求22或23所述的顯示裝置的制造方法，噴嘴陣列對每個(gè)功能層執(zhí)行兩次以上掃描操作。
26.如權(quán)利要求22，23或25所述的顯示裝置的制造方法，其中噴嘴陣列對各功能層的每次掃描操作使用不同噴嘴。
27.如權(quán)利要求26所述的顯示裝置的制造方法，其中在噴嘴陣列對各功能層的各掃描操作中，通過噴嘴陣列在子掃描方向上位移。
28.一種根據(jù)權(quán)利要求15-27中任一個(gè)制造方法制造的顯示裝置。
全文摘要
在多個(gè)電極之間形成一個(gè)梯形部分，在一個(gè)基礎(chǔ)本體上形成多個(gè)電極。通過從多個(gè)噴嘴噴射化合物而實(shí)現(xiàn)在每個(gè)電極上形成功能層，通過在電極上形成的功能層之間設(shè)置梯形部分來制作顯示器。沿主掃描方向上傾斜地設(shè)置有多個(gè)噴嘴的噴嘴陣列掃描該基礎(chǔ)本體。噴射對各功能層初始噴射的化合物液滴，從而使其至少接觸該梯形部分的一部分。根據(jù)本發(fā)明的顯示器的制作方法，能實(shí)現(xiàn)具有較高質(zhì)量的顯示器，而不會產(chǎn)生對于每一象素的非均勻功能層。
文檔編號H01L51/00GK1496667SQ0380004
公開日2004年5月12日 申請日期2003年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月11日
發(fā)明者關(guān)俊一, 之, 木村秀之, 山本直樹, 樹 申請人:精工愛普生株式會社