專利名稱：一種發(fā)白光和綠光的高亮度發(fā)光二極管的制作方法
技術領域：
本實用新型是一種電致發(fā)光半導體元件，特別是一種發(fā)白光和綠光的高亮度發(fā)光二極管。
背景技術：
發(fā)光二極管作為顯示元件因其工作電壓低、小型、亮度較好、發(fā)光響應快、壽命長及耐沖擊等特性而被廣泛應用于家電、辦公設備、儀器儀表等領域作照明及指示燈用，并可在大型信息顯示裝置中用作字符、數字、圖形顯示。然而，目前市售的發(fā)光二極管其顯示光色均為彩色，包括紅、黃、橙黃、黃綠、純綠、蘭、紫等，沒有最為廣泛應用的高亮度白色光與綠色光，而使其應用受到了局限。

發(fā)明內容本實用新型的目的在于提供一種高亮度的發(fā)白光與綠光的發(fā)光二極管，其結構簡單，造價低，解決了更寬領域對發(fā)光二極管的應用需求。
本實用新型的技術方案一種發(fā)白光和綠光的高亮度發(fā)光二極管，包括封裝外殼與基座，其特征在于基座上采用峰值波長λ在350～420nm的高亮度發(fā)紫光的氮化稼銦鋁(AlInGaN)發(fā)光二極管晶片，與晶片相連接有陽極引線與陰極引線，在晶片上表面有光致發(fā)光材料涂層。
上述所說的晶片上表面涂有的光致發(fā)光材料涂層可以是銻錳激活的氯氟磷酸鈣類(Ca10(PO4)6FClSb，Mn)。
上述所說的晶片上表面涂有的光致發(fā)光材料涂層可以是鈰鋱激活的磷酸鑭(LaPO4Ce，Tb)。
本實用新型的工作原理當由峰值波長λ在350～420nm的發(fā)紫光的氮化稼銦鋁(AlInGaN)發(fā)光二極管晶片發(fā)出的紫光通過光致發(fā)光材料銻錳激活的氯氟磷酸鈣(如Ca10(PO4)6FClSb，Mn)涂層后，即產生高亮度白色光；上述發(fā)光二極管晶片發(fā)出的紫光通過光致發(fā)光材料鈰鋱激活的磷酸鑭(LaPO4Ce，Tb)涂層后，即產生高亮度綠色光。
本實用新型的優(yōu)越性在于1、實現了發(fā)白色光與綠色光的高亮度發(fā)光二極管產品，填補了市場對最為廣泛應用的高亮度白色光與綠色光發(fā)光二極管需求的空白；2、結構簡單，成本低，便于生產制造。


附圖為本實新型所涉一種發(fā)白光和綠光的高亮度發(fā)光二極管的結構示意圖。
其中1為封裝外殼，2a為銻錳激活的氯氟磷酸鈣光致發(fā)光材料涂層，2b為鈰鋱激活的磷酸鑭光致發(fā)光材料涂層，3為峰值波長λ在350～420nm的發(fā)紫光的氮化稼銦鋁(AlInGaN)發(fā)光二極管晶片，4為基座，5為陽極引線，6為陰極引線。
具體實施方式
實施例1一種發(fā)白光的高亮度發(fā)光二極管(見附圖1)，包括封裝外殼1與基座4，其特征在于基座4上采用峰值波長λ在350～420nm的發(fā)紫光的氮化稼銦鋁(AlInGaN)發(fā)光二極管晶片3，與晶片3相連接有陽極引線5與陰極引線6，在晶片3上表面有銻錳激活的氯氟磷酸鈣(Ca10(PO4)6FClSb，Mn)光致發(fā)光材料涂層2a。
實施例2一種發(fā)綠光的高亮度發(fā)光二極管(見附圖2)，包括封裝外殼1與基座4，其特征在于基座4上采用峰值波長λ在350～420nm的發(fā)紫光的氮化稼銦鋁(AlInGaN)發(fā)光二極管晶片3，與晶片3相連接有陽極引線5與陰極引線6，在晶片3上表面有鈰鋱激活的磷酸鑭(LaPO4Ce，Tb)光致發(fā)光材料涂層2b。
權利要求1.一種發(fā)白光和綠光的高亮度發(fā)光二極管，包括封裝外殼與基座，其特征在于基座上采用峰值波長λ在350～420nm的高亮度發(fā)紫光的氮化稼銦鋁(AlInGaN)發(fā)光二極管晶片，與晶片相連接有陽極引線與陰極引線，在晶片上表面有光致發(fā)光材料涂層。
2.根據權利要求1所說的一種發(fā)白光和綠光的高亮度發(fā)光二極管，其特征在于所說的晶片上表面的光致發(fā)光材料涂層可以是銻錳激活的氯氟磷酸鈣類(Ca10(PO4)6FClSb，Mn)。
3.根據權利要求1所說的一種發(fā)白光和綠光的高亮度發(fā)光二極管，其特征在于所說的晶片上表面的光致發(fā)光材料涂層可以是鈰鋱激活的磷酸鑭(LaPO4Ce，Tb)。
專利摘要一種發(fā)白光和綠光的高亮度發(fā)光二極管,包括封裝外殼與基座,其特征在于基座上采用峰值波長入在350～420nm的高亮度發(fā)紫光的氮化稼銦鋁(AlInGaN)發(fā)光二極管晶片,與晶片相連接有陽極引線與陰極引線,在晶片上表面有光致發(fā)光材料涂層。本實用新型的優(yōu)越性在于:1、實現了發(fā)白色光與綠色光的高亮度發(fā)光二極管產品,填補了市場對最為廣泛應用的高亮度白色光與綠色光發(fā)光二極管需求的空白;2、結構簡單,成本低,便于生產制造。
文檔編號H01L33/00GK2498747SQ0123442
公開日2002年7月3日 申請日期2001年8月20日 優(yōu)先權日2001年8月20日
發(fā)明者劉行仁, 張文銘, 陳亞方 申請人:天津中環(huán)三津有限公司