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固態(tài)硬盤的制作方法

文檔序號(hào):10955814閱讀:417來源:國(guó)知局
固態(tài)硬盤的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種固態(tài)硬盤,其包括電路基板、電源管理模塊、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊、主控模塊、金手指接口以及封裝層,電源管理模塊設(shè)于該電路基板上;多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊設(shè)于該電路基板上并與該電源管理模塊電連接;主控模塊設(shè)于該電路基板上并與該電源管理模塊和該多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊電連接;金手指接口設(shè)于該電路基板的一表面;封裝層將該電源管理模塊、該多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊以及該主控模塊一體封裝于該電路基板的另一表面,使各模塊結(jié)構(gòu)穩(wěn)固,耐酸堿,防水防塵,壽命長(zhǎng),體積小。
【專利說明】
固態(tài)硬盤
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種固態(tài)硬盤。
【背景技術(shù)】
[0002]固態(tài)硬盤(Solid State Disk或Solid State Drive),也稱作電子硬盤或者固態(tài)電子盤,是由固態(tài)硬盤控制單元和固態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM或FLASH芯片,俗稱閃存)組成的硬盤。固態(tài)硬盤的接口規(guī)范、定義、功能以及使用方法上與普通硬盤的相同,在產(chǎn)品外形和尺寸上也與普通硬盤一致。目前廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。在現(xiàn)有技術(shù)中傳統(tǒng)的固態(tài)硬盤,存儲(chǔ)芯片及其他芯片、元件均單獨(dú)貼裝于電路板上并安裝于硬盤盒內(nèi),在使用過程,芯片容易被由外界滲入的硬盤盒內(nèi)的水、細(xì)塵等物質(zhì)影響質(zhì)量與壽命,進(jìn)一步使電路容易出現(xiàn)故障現(xiàn)象。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型提供一種固態(tài)硬盤,以解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片容易被由外界滲入的硬盤盒內(nèi)的水、細(xì)塵等物質(zhì)影響質(zhì)量與壽命,進(jìn)一步使電路容易出現(xiàn)故障現(xiàn)象等技術(shù)問題。
[0004]為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種固態(tài)硬盤,其包括電路基板、電源管理模塊、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊、主控模塊、金手指接口以及封裝層,電源管理模塊設(shè)于該電路基板上;多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊設(shè)于該電路基板上并與該電源管理模塊電連接;主控模塊設(shè)于該電路基板上并與該電源管理模塊和該多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊電連接;金手指接口設(shè)于該電路基板的一表面;封裝層將該電源管理模塊、該多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊以及該主控模塊一體封裝于該電路基板的另一表面。
[0005]其中,該電源管理模塊、該多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊以及該主控模塊為已封裝芯片和/或未封裝的晶元,通過SMT方式或引線鍵合方式設(shè)于該電路基板表面。
[0006]其中,該電路基板包括主體區(qū)和外延區(qū),該電源管理模塊、該多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊以及該主控模塊設(shè)于該主體區(qū),該金手指接口設(shè)于該外延區(qū)。
[0007]其中,該固態(tài)硬盤還包括無源器件,該無源器件設(shè)于該電路基板上與該主控模塊電連接并由該封裝層一體封裝。
[0008]其中,該無源器件包括電容、電感及電阻。
[0009]其中,主體區(qū)長(zhǎng)寬厚的尺寸為46.5mmX35.5mmX2.2mm或者72mmX47_X2.2mm。
[0010]其中,該封裝膠體為環(huán)氧樹脂。
[0011]其中,該金手指接口為標(biāo)準(zhǔn)SATA接口。
[0012]其中,該金手指接口為光驅(qū)SATA接口。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本實(shí)用新型提供了一種固態(tài)硬盤,其設(shè)置了封裝層,封裝層將電源管理模塊、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊以及主控模塊一體封裝于電路基板的一表面,使各模塊結(jié)構(gòu)穩(wěn)固,耐酸堿,防水防塵,壽命長(zhǎng),體積小。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,其中:
[0015]圖1是本實(shí)用新型固態(tài)硬盤的剖面圖;
[0016]圖2是本實(shí)用新型固態(tài)硬盤的一表面示意圖;
[0017]圖3是本實(shí)用新型固態(tài)硬盤的電路連接不意圖;
[0018]圖4是本實(shí)用新型固態(tài)硬盤的金手指接口的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0020]請(qǐng)參閱圖1-3,圖1是本實(shí)用新型固態(tài)硬盤的剖面圖,圖2是本實(shí)用新型固態(tài)硬盤的一表面不意圖,圖3是本實(shí)用新型固態(tài)硬盤的電路連接不意圖。本實(shí)用新型的固態(tài)硬盤I包括電路基板10、電源管理模塊20、多個(gè)Flash (閃存)存儲(chǔ)模塊30、主控模塊40、金手指接口 50以及封裝層60。
[0021]電源管理模塊20連接外設(shè)電源接口,用以對(duì)固態(tài)硬盤I供電。Flash存儲(chǔ)模塊30用以存取數(shù)據(jù)。主控模塊40用以對(duì)整個(gè)固態(tài)硬盤I的運(yùn)行進(jìn)行管理。金手指接口 50用于與外設(shè)插接以進(jìn)行充電或傳輸數(shù)據(jù)。電源管理模塊20設(shè)于電路基板10上。多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30設(shè)于電路基板10上并與電源管理模塊20電連接。主控模塊40設(shè)于電路基板10上并與電源管理模塊20和多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30電連接。金手指接口 50設(shè)于電路基板10的一表面。封裝層60將電源管理模塊20、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30以及主控模塊40—體封裝于電路基板10的另一表面。
[0022]電源管理模塊20、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30以及主控模塊40為已封裝芯片,也可以是為未封裝的晶元,還可以為已封裝的芯片和未封裝的晶元混搭,具體地,電源管理模塊20、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30以及主控模塊40可以為電源管理芯片、多個(gè)Flash存儲(chǔ)芯片以及主控芯片,電源管理模塊20、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30以及主控模塊40也可以為電源管理晶元、多個(gè)Flash存儲(chǔ)晶元以及主控晶元,電源管理模塊20、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30以及主控模塊40還可以為電源管理芯片、多個(gè)Flash存儲(chǔ)晶元以及主控晶元,當(dāng)然還可以是其它的芯片與晶元組合的方式,可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇,此處不一一限定。上述模塊與模塊之間可通過SMT(Surface Mounted Technology,表面貼裝技術(shù))方式電連接于電路基板10表面,還可以弓丨線鍵合方式電連接于電路基板10表面,還可以是SMT和引線鍵合兩種方式均使用,其可根據(jù)實(shí)際需要選擇電連接的方式,此處不--限定。電路基板10可以為BT(bismaleimide and
triazine,雙馬來酰亞胺和三嗪)樹脂基板。
[0023]如圖2所示,電路基板10包括主體區(qū)11和外延區(qū)12,電源管理模塊20、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30以及主控模塊40設(shè)于主體區(qū)11,金手指接口 50設(shè)于外延區(qū)12。主體區(qū)11長(zhǎng)寬厚的尺寸可以為46.5mm X 35.5mm X 2.2mm,主體區(qū)11長(zhǎng)寬厚的尺寸可還可以為72mm X 47mm X2.2_,當(dāng)然,還可以其它規(guī)格,其可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行規(guī)格選擇。
[0024]進(jìn)一步地,固態(tài)硬盤I還包括無源器件70,無源器件70設(shè)于電路基板10上與主控模塊40電連接并由封裝層60—體封裝。無源器件70包括電容、電感以及電阻。
[0025]如圖2所示,本實(shí)用新型的金手指接口50為標(biāo)準(zhǔn)SATA(Serial ATA,串口)接口以與外設(shè)的SATA連接器插接以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸,例如:金手指接口 50可直接插入計(jì)算機(jī)內(nèi)部的SATA連接器。
[0026]請(qǐng)一并參閱圖4,圖4是本實(shí)用新型固態(tài)硬盤的金手指接口的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖,本實(shí)施例的金手指接口50還可以為光驅(qū)SATA接口。在計(jì)算機(jī)使用過程中,一些用戶的光驅(qū)并不經(jīng)常使用。因此希望通過改裝,將光驅(qū)位置安裝硬盤,從而增加存儲(chǔ)容量。本實(shí)用新型的固態(tài)硬盤I具有存儲(chǔ)芯片122和與光驅(qū)位置匹配的光驅(qū)SATA接口,故不需要額外改裝光驅(qū)位置,即可實(shí)現(xiàn)增加存儲(chǔ)容量。
[0027]本實(shí)用新型提供了一種固態(tài)硬盤1,其包括封裝層60,電路基板10、有源器件模塊、無源器件70模塊以及封裝膠體,封裝層60將電源管理模塊20、多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊30以及主控模塊40—體封裝于該電路基板10的一表面,使各模塊結(jié)構(gòu)穩(wěn)固,耐酸堿,防水防塵,壽命長(zhǎng),體積小。
[0028]以上僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種固態(tài)硬盤,其特征在于,包括: 電路基板; 電源管理模塊,設(shè)于所述電路基板上; 多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊,設(shè)于所述電路基板上并與所述電源管理模塊電連接; 主控模塊,設(shè)于所述電路基板上并與所述電源管理模塊和所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊電連接; 金手指接口,設(shè)于所述電路基板的一表面;以及 封裝層,將所述電源管理模塊、所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊以及所述主控模塊一體封裝于所述電路基板的另一表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤,其特征在于,所述電源管理模塊、所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊以及所述主控模塊為已封裝芯片和/或未封裝的晶元,通過SMT方式或引線鍵合方式設(shè)于所述電路基板表面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤,其特征在于,所述電路基板包括主體區(qū)和外延區(qū),所述電源管理模塊、所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)模塊以及所述主控模塊設(shè)于所述主體區(qū),所述金手指接口設(shè)于所述外延區(qū)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤,其特征在于,所述固態(tài)硬盤還包括無源器件,所述無源器件設(shè)于所述電路基板上與所述主控模塊電連接并由所述封裝層一體封裝。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固態(tài)硬盤,其特征在于,所述無源器件包括電容、電感及電阻。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)硬盤,其特征在于,主體區(qū)長(zhǎng)寬厚的尺寸為46.5mmX3 5.5mm X 2.2mm 或者 7 2mm X 47mm X 2.2mm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤,其特征在于,所述封裝膠體為環(huán)氧樹脂。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤,其特征在于,所述金手指接口為標(biāo)準(zhǔn)SATA接口。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤,其特征在于,所述金手指接口為光驅(qū)SATA接口。
【文檔編號(hào)】G11B33/12GK205645270SQ201620244290
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月28日
【發(fā)明人】孫日欣, 孫成思, 李振華, 廖義淵
【申請(qǐng)人】深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司
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