用于確定磁記錄帶的估算的位置信息的方法、設(shè)備和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】在一個實(shí)施例中,一種方法包括從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際的位置信息,采用介質(zhì)厚度值計(jì)算磁介質(zhì)的估算的位置信息,比較估算的位置信息和從編碼獲得的位置信息,確定估算的位置信息和獲得的位置信息之間的誤差是否在規(guī)定的范圍內(nèi),響應(yīng)于誤差在規(guī)定的范圍內(nèi)的確定,將介質(zhì)厚度值存儲到存儲器,并且響應(yīng)于誤差在規(guī)定范圍外的確定,改變介質(zhì)厚度值。在另一個實(shí)施例中,一種設(shè)備包括控制器和與控制器集成和/或由控制器可執(zhí)行的邏輯裝置,邏輯裝置配置為導(dǎo)致控制器執(zhí)行前述的方法。
【專利說明】
用于確定磁記錄帶的估算的位置信息的方法、設(shè)備和系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng),而且更具體的,本發(fā)明涉及確定磁記錄帶上的信息的 估算的位置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在磁存儲系統(tǒng)中,磁變換器從磁記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)并在其上寫入數(shù)據(jù)。通過將磁 記錄變換器移動到介質(zhì)之上的要存儲數(shù)據(jù)的位置,而將數(shù)據(jù)寫在磁記錄介質(zhì)上。磁記錄變 換器然后產(chǎn)生磁場,該磁場將數(shù)據(jù)編碼在磁介質(zhì)中。通過類似地定位磁讀取變換器,然后感 應(yīng)磁介質(zhì)的磁場,而從介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)。讀取和寫入操作可獨(dú)立地隨介質(zhì)同步的運(yùn)動,以保證 數(shù)據(jù)可從介質(zhì)上的所希望位置讀取且寫入到介質(zhì)上的所希望位置。
[0003] 數(shù)據(jù)存儲行業(yè)中重要和連續(xù)的目標(biāo)是提高介質(zhì)上存儲數(shù)據(jù)的密度。對于磁帶存儲 系統(tǒng)(tape storage system),該目標(biāo)已經(jīng)導(dǎo)致記錄帶上軌道(track)和線位密度的增加, 以及了磁帶介質(zhì)厚度的減小。然而,小足?。╢ootprint )、高性能磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的開發(fā)造 成用于這樣系統(tǒng)中的磁帶頭組件設(shè)計(jì)上的各種問題。
[0004]在磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)中,驅(qū)動器以高速度在磁帶頭的表面之上移動磁帶。通常,磁帶 頭設(shè)計(jì)為使磁頭和磁帶之間的間隔最小化。磁頭和磁帶之間的間隔是至關(guān)重要的,因此這 些系統(tǒng)中的目標(biāo)是使作為磁記錄通量之源的變換器的記錄間隙與磁帶近距離接觸,以實(shí)現(xiàn) 寫入精準(zhǔn)變換(writing sharp transition),并且使讀取元件與磁帶近距離接觸,以提供 從磁帶到讀取元件的有效磁場耦合。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 在一個實(shí)施例中,一種方法包括:從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際的位置信息,采用介 質(zhì)厚度值計(jì)算該磁介質(zhì)的估算的位置信息,比較該估算的位置信息和從編碼獲得的該位置 信息,確定該估算的位置信息和該獲得的位置信息之間的誤差是否在規(guī)定的范圍內(nèi),響應(yīng) 于該誤差在規(guī)定的范圍內(nèi)的確定,將該介質(zhì)厚度值存儲到存儲器,并且響應(yīng)于該誤差在規(guī) 定的范圍外的確定,改變該介質(zhì)厚度值。
[0006] 在另一個實(shí)施例中,一種設(shè)備包括:控制器和與該控制器集成的和/或由該控制器 可執(zhí)行的邏輯裝置,該邏輯裝置配置為導(dǎo)致該控制器執(zhí)行前述的方法。
[0007] 在再一個實(shí)施例中,一種用于估算介質(zhì)厚度的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包括:具有在其中實(shí)施 的程序指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì),該程序指令可由控制器執(zhí)行以導(dǎo)致控制器執(zhí)行一種方 法,該方法包括:通過控制器從磁介質(zhì)上的編碼獲得位置信息,通過控制器導(dǎo)致磁介質(zhì)纏繞 的盤(ree 1)旋轉(zhuǎn)一定的轉(zhuǎn)數(shù),通過控制器根據(jù)位置信息、轉(zhuǎn)數(shù)和磁介質(zhì)在盤上的封裝半徑 計(jì)算磁介質(zhì)的估算的厚度,以及通過控制器導(dǎo)致估算的厚度被存儲。
[0008] 這些實(shí)施例中的任何一個可在諸如磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的磁數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中實(shí)施,磁 帶驅(qū)動器系統(tǒng)可包括磁頭、用于在磁頭之上傳遞磁介質(zhì)(例如記錄帶)的驅(qū)動機(jī)構(gòu)和電連接 到磁頭的控制器。
[0009] 本發(fā)明的其它方面和實(shí)施例通過下文結(jié)合【附圖說明】了本發(fā)明的構(gòu)思的具體描述 而變得明顯易懂。
【附圖說明】
[0010] 圖1A是根據(jù)一個實(shí)施例的簡化磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的示意圖。
[0011] 圖1B是根據(jù)一個實(shí)施例的磁帶盒的示意圖。
[0012] 圖2示出了根據(jù)一個實(shí)施例的平面重疊、雙向、兩模塊磁帶頭的側(cè)視圖。
[0013] 圖2A是沿著圖2的線2A剖取的磁帶支承表面圖。
[0014]圖2B是從圖圖2A的圓圈2B剖取的詳圖。
[0015]圖2C是一對模塊的局部磁帶支承表面的詳圖。
[0016] 圖3是具有讀-寫-讀配置的磁頭的部分磁帶支承表面圖。
[0017] 圖4是具有讀-寫-讀配置的磁頭的部分磁帶支承表面圖。
[0018] 圖5是根據(jù)一個實(shí)施例的具有三模塊的磁帶頭的側(cè)視圖,這些模塊沿大致平行的 平面設(shè)置。
[0019] 圖6是具有切線(有角)配置的三模塊的磁帶頭的側(cè)視圖。
[0020]圖7是具有外包裝配置(overwrap)的三模塊的磁帶頭的側(cè)視圖。
[0021 ]圖8是根據(jù)一個實(shí)施例的方法的流程圖。
[0022] 圖9是根據(jù)一個實(shí)施例的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 為了說明本發(fā)明普遍原理的目的而進(jìn)行下文描述,而不意味著限制本文要求的本 發(fā)明構(gòu)思。此外,本文描述的詳細(xì)特征可以以各種可能的結(jié)合和置換方式中的每一個與描 述的其它特征相結(jié)合。
[0024] 除非本文另有特別限定,賦予所有術(shù)語可能的最寬泛解釋,包括由說明書暗示的 意思以及本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的含義和/或字典、協(xié)議等中定義的意思。
[0025] 還必須注意,如說明書和所附權(quán)利要求書中所用,單數(shù)形式"一個"、"一種"和"該" 包括復(fù)數(shù)的意義,除非另有規(guī)定。
[0026] 下面的描述公開了磁存儲系統(tǒng)及其操作和/或構(gòu)成部件的幾個優(yōu)選實(shí)施例。
[0027] 本文描述的各種實(shí)施例可用于精確地估算諸如磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的磁存儲系統(tǒng)中 磁記錄帶的位置信息。估算磁帶驅(qū)動器的估算精確位置信息例如可基于磁帶介質(zhì)在盤上的 半徑,該半徑取決于磁帶的厚度,并且隨著時間推移盤的纏繞而變化。
[0028] 在一個概括性實(shí)施例中,一種方法包括:從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際的位置信息, 采用介質(zhì)厚度值計(jì)算磁介質(zhì)的估算的位置信息,比較估算的位置信息和從編碼獲得的位置 信息,確定估算的位置信息和獲得的位置信息之間的誤差是否在規(guī)定的范圍內(nèi),響應(yīng)于誤 差在規(guī)定范圍內(nèi)的確定,將介質(zhì)厚度值存儲到存儲器,并且響應(yīng)于誤差在規(guī)定范圍外的確 定,改變介質(zhì)厚度值。
[0029] 在另一個概括性實(shí)施例中,一種設(shè)備包括:控制器和與控制器集成和/或由控制器 可執(zhí)行的邏輯裝置,邏輯裝置配置為導(dǎo)致控制器執(zhí)行前述的方法。
[0030] 在另一個概括性實(shí)施例中,一種用于估算介質(zhì)厚度的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括:具有 在其中實(shí)施的程序指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì),程序指令可由控制器執(zhí)行以導(dǎo)致控制器執(zhí) 行一種方法,該方法包括通過控制器從磁介質(zhì)上的編碼獲得位置信息,通過控制器導(dǎo)致磁 介質(zhì)纏繞的卷旋轉(zhuǎn)一定的轉(zhuǎn)數(shù),通過控制器根據(jù)位置信息估算、轉(zhuǎn)數(shù)和磁介質(zhì)在盤上的封 裝半徑計(jì)算磁介質(zhì)的估算的厚度,以及通過控制器導(dǎo)致估算的厚度被存儲。
[0031]圖1A示出了基于磁帶的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的簡化的磁帶驅(qū)動器100,其可用在本發(fā)明 的環(huán)境中。盡管圖1A示出了磁帶驅(qū)動器的一個【具體實(shí)施方式】,但是應(yīng)注意,這里描述的實(shí)施 例可實(shí)施在任何類型的磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的環(huán)境中。
[0032]如圖所示,磁帶提供盒120和收帶盤121提供為支撐磁帶122。一個或多個盤可形成 可移除盒的一部分,并且不必是系統(tǒng)100的一部分。諸如圖1A所示的磁帶驅(qū)動器還可包括 (一個或多個)驅(qū)動電動機(jī)以驅(qū)動磁帶提供盒120和收帶盤121,以在任何類型的磁帶頭126 之上移動磁帶122。這樣的磁頭可包括讀取器陣列、寫入器陣列或二者都包括。
[0033]導(dǎo)軌125引導(dǎo)磁帶122通過磁帶頭126。這樣的磁帶頭126進(jìn)而通過電纜130連接到 控制器128??刂破?28可為或包括用于控制驅(qū)動器100的任何子系統(tǒng)的處理器和/或任何邏 輯裝置。例如,控制器128通常地控制諸如伺服跟蹤(servo following)、數(shù)據(jù)寫入、數(shù)據(jù)讀 取等磁頭功能??刂破?28可包括至少一個伺服通道和至少一個數(shù)據(jù)通道,其每一個包括數(shù) 據(jù)流動處理邏輯裝置,該據(jù)流動處理邏輯裝置配置為處理和/或存儲要寫入到磁帶122和/ 或從其讀取的信息??刂破?28可在本領(lǐng)域已知的邏輯裝置以及本文公開的任何的邏輯裝 置下操作,并且因此可看作用于本文中的各種實(shí)施例中包括的磁帶驅(qū)動器描述的處理器。 控制器128可連接到任何已知類型的存儲器136,存儲器136可存儲由控制器128可執(zhí)行的指 令。此外,控制器128可配置為和/或可編程為執(zhí)行或控制這里給出的某些或所有方法。因 此,控制器128可看作配置為通過編程在一個或多個芯片、模塊和/或組塊中的邏輯裝置;適 合于一個或多個處理器的軟件、固件和/或其它指令等及其組合而執(zhí)行各種操作。
[0034]電纜130可包括讀/寫電路,以將要寫入磁帶122上的數(shù)據(jù)傳輸?shù)酱蓬^126,并且接 收由磁頭126從磁帶122讀取的數(shù)據(jù)。執(zhí)行機(jī)構(gòu)132控制磁頭126相對于磁帶122的位置。 [0035]也可提供接口 134,用于磁帶驅(qū)動器100和主機(jī)(內(nèi)部或外部)之間的通訊以發(fā)送或 接收數(shù)據(jù)、控制磁帶驅(qū)動器1〇〇的操作、并將磁帶驅(qū)動器1〇〇的狀態(tài)通訊至主機(jī),所有這些都 是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可理解的。
[0036] 圖1B示出了根據(jù)一個實(shí)施例的示范性磁帶盒150。這樣的磁帶盒150可與如圖1A所 示的系統(tǒng)一起使用。如圖所示,磁帶盒150包括殼體152、在殼體152中的磁帶122、以及連接 到殼體152的非易失性存儲器156。在某些方式中,非易失性存儲器156可嵌入在殼體152內(nèi), 如圖1B所示。在某些方式中,非易失性存儲器156可貼附到殼體152之內(nèi)或之外,而不改變殼 體152。例如,非易失性存儲器可嵌入在在不干膠標(biāo)簽154中。在一個優(yōu)選實(shí)施例中,非易失 性存儲器156可為閃存裝置、ROM裝置等,其嵌入在或者連接到磁帶盒150之內(nèi)或之外。非易 失性存儲器可由磁帶驅(qū)動器和磁帶操作軟件(驅(qū)動器軟件)和/或其它裝置存取。
[0037] 作為示例,圖2示出了可實(shí)施在本發(fā)明的環(huán)境中的平面重疊、雙向、兩模塊磁帶頭 200的側(cè)視圖。如圖所示,磁頭包括一對底座202,其每一個配備有模塊204,且相對于彼此以 很小的角度α固定。底座可為粘附連接在一起的"U型梁"。每個模塊204包括基板204A和具有 薄膜部分的罩204Β,通常稱為"間隙",其中形成讀取器讀和/或?qū)懭肫?06。在使用中,磁帶 208以所示的方式沿著介質(zhì)(磁帶)支承表面209在模塊204之上移動,以采用讀取器和寫入 器在磁帶208上讀取和寫入數(shù)據(jù)。磁帶208在邊緣處進(jìn)出平面介質(zhì)支撐表面209的包角Θ通常 為約0.1度和約3度之間。
[0038]基板204Α通常地由耐磨材料構(gòu)成,例如陶瓷。罩204Β由與基板204Α相同或類似的 陶瓷制造。
[0039]讀取器和寫入器可以以背負(fù)式(piggyback)或融合式(merged)配置方式設(shè)置。示 例性的背負(fù)式配置包括(磁感應(yīng))寫入器變換器在(磁屏蔽)讀取器變換器(例如磁阻讀取器 等)的頂部上(或之下),其中寫入器的磁極和讀取器的屏蔽體通常分隔開。示例性的的融合 式配置結(jié)構(gòu)包括讀取器屏蔽體與一個寫入器磁極位于同一物理層(因此稱為"融合")。讀取 器和寫入器也可設(shè)置成交錯的配置??商娲模ǖ赖拿總€陣列可僅為讀取器或?qū)懭肫鳌_@ 些陣列的任何一個可包含一個或多個伺服軌道讀取器用于讀取介質(zhì)上的伺服數(shù)據(jù)。
[0040]圖2A示出了沿圖2的線2A剖取的模塊204之一的磁帶支承表面209。代表性的通常 磁帶208以虛線示出。模塊204優(yōu)選足夠長,以能夠能在磁頭在數(shù)據(jù)帶之間步進(jìn)時支撐磁帶。 [0041 ]在該示例中,磁帶208包括4至22個數(shù)據(jù)帶,例如,在半英寸寬的磁帶208上的16個 數(shù)據(jù)帶和17個伺服軌道210,如圖2A所示。數(shù)據(jù)帶限定在伺服軌道210之間。每個數(shù)據(jù)帶可包 括大量的數(shù)據(jù)軌道,例如1024個數(shù)據(jù)軌道(未示出)。在讀/寫操作期間,讀取器和/或?qū)懭肫?206設(shè)置到數(shù)據(jù)帶之一內(nèi)的具體軌道位置。外部讀取器(有時稱為伺服讀取器)讀取伺服軌 道210。伺服信號進(jìn)而用于保持讀取器和/或?qū)懭肫?06在讀/寫操作期間與特定的軌道組對 齊。
[0042]圖2B示出了在圖2A的圓圈2B中的多個讀取器和/或?qū)懭肫?06,其形成模塊204上 的間隙218中。如圖所示,讀取器和寫入器206的陣列包括例如16個寫入器214,16個讀取器 216和兩個伺服讀取器212,盡管元件的數(shù)量可變化。示例性的實(shí)施例包括每個陣列中的8、 16、32、40和64個活動的讀取器和/或?qū)懭肫?06,而可替代的交錯設(shè)計(jì)具有奇數(shù)個讀取器或 寫入器,例如17、25、33等。示例性的實(shí)施例包括在每個陣列中的32個讀取器和/或每個陣列 中的32個寫入器,在每個陣列中變換器元件的實(shí)際數(shù)量可能較大,例如,33、34等。這允許磁 帶更加緩慢的行進(jìn),因此降低了速度引起的跟蹤和機(jī)械難度和/或執(zhí)行較少的"匝(wraps)" 來填充或讀取磁帶。盡管讀取器和寫入器可設(shè)置成背負(fù)配置,如圖2B所示,但是讀取器216 和寫入器214也可設(shè)置成交錯配置??商娲?,讀取器和/或?qū)懭肫?06的每個陣列可僅為讀 取器或?qū)懭肫?,并且該陣列可包含一個或多個伺服讀取器212。如一起考慮圖2和2A-B可注 意到,每個模塊204可包括一組互補(bǔ)的讀取器和/或?qū)懭肫?06,用于諸如雙向讀取和寫入、 同時讀寫能力、向后兼容等情況。
[0043]圖2C示出了根據(jù)一個實(shí)施例的磁帶頭200的互補(bǔ)模塊的部分磁帶支承表面圖。在 該實(shí)施例中,每個模塊具有背負(fù)配置的多個讀/寫(R/W)對,形成在公共基板204A和可選的 電絕緣層236上。例如寫變換器214的寫入器和例如讀變換器216的讀取器對齊,其平行于磁 帶介質(zhì)在其上行進(jìn)的所希望的方向,以形成例如R/W對222的R/W對。應(yīng)注意,磁帶行進(jìn)的所 希望方向本文有時稱為磁帶行進(jìn)的方向,并且這樣的術(shù)語可互換使用。這樣的磁帶行進(jìn)方 向可從系統(tǒng)的設(shè)計(jì)推斷,例如通過檢查導(dǎo)軌;觀察磁帶相對于基準(zhǔn)點(diǎn)的行進(jìn)的實(shí)際方向;等 等。此外,在雙向讀取和/或?qū)懭肟刹僮鞯南到y(tǒng)中,磁帶在兩個方向上行進(jìn)的方向通常地是 平行的,并且因此兩個方向可看作彼此等同。
[0044] 可出現(xiàn)多個R/W對222,例如8、16、32個對等。如圖所示的1?/1對222在大體垂直于磁 帶行進(jìn)方向的方向線性對齊。然而,該些對也可對角對齊等。伺服讀取器212設(shè)置在R/W對的 陣列之外,其功能是已知的。
[0045]通常,磁帶介質(zhì)在向前或向后的任意一個方向上運(yùn)動,如箭頭220所示。磁帶介質(zhì) 和磁頭組件200以本領(lǐng)域已知的方式中的轉(zhuǎn)換關(guān)系運(yùn)行。背負(fù)式MR磁頭組件200包括兩個大 致相同結(jié)構(gòu)的薄膜模塊224和226。
[0046] 模塊224和226以其罩204B(部分地示出)之間存在的間隔結(jié)合在一起,以形成單一 的物理單元,通過在平行于磁帶行進(jìn)方向的方向上激活在前模塊(leading module)的寫入 器以及與在前模塊的寫入器對齊的在后模塊(trailing module)的讀取器而提供同時讀寫 能力。在構(gòu)成背負(fù)式磁頭200的模塊224、226時,各層形成在例如為AlTiC的導(dǎo)電基板204A (部分示出)之上產(chǎn)生的間隙218中,R/W對222的順序通常如下:絕緣層236、通常為鐵合金例 如NiFe(-)、CZT或Al-Fe-Si (鐵硅鋁合金)的第一屏蔽體232、用于在磁介質(zhì)上感應(yīng)數(shù)據(jù)軌道 的傳感器234、通常地為鎳鐵合金(例如~80/20at%的NiFe,也稱為坡莫合金)的第二屏蔽 體238、第一和第二寫入器磁極尖端(pole tip)228、230和線圈(未示出)。傳感器可為任何 已知類型的,包括基于11?、611^1?、隧道磁阻效應(yīng)(111〇等的那些。
[0047] 第一和第二寫入器磁極228、230可由高磁矩材料制造,例如~45/55的NiFe。應(yīng)注 意,這些材料僅以示例提供,并且可采用其它材料??纱嬖谄渌鼘?,例如在屏蔽體和/或磁極 尖端與圍繞傳感器的絕緣層之間的絕緣。絕緣的示例性材料包括氧化鋁和其它氧化物、絕 緣的聚合物等。
[0048]根據(jù)一個實(shí)施例的磁帶頭126的配置包括多個模塊,優(yōu)選三個或更多。在寫-讀-寫 (W-R-W)頭中,用于寫入的外部模塊側(cè)面包圍(flank)用于讀取的一個或多個內(nèi)部模塊。參 見圖3,示出了 W-R-W配置,外部模塊252、256的每一個包括寫入器260的一個或多個陣列。圖 3的內(nèi)部模塊254包括類似配置的讀取器258的一個或多個陣列。多模塊頭的變化包括R-W-R 頭(圖4)、R-R-W頭、W-W-R頭等。在其它變化中,一個或多個模塊可具有變換器的讀/寫對。而 且,可存在多于三個的模塊。在進(jìn)一步的方式中,兩個外部模塊可側(cè)面包圍兩個或多個內(nèi)部 模塊,例如W-R-R_W、R-W-W-R設(shè)置等中。為了簡單起見,頭在本文中主要采用W-R-W來示例本 發(fā)明的實(shí)施例。得知本文教導(dǎo)的本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解本發(fā)明的排列如何應(yīng)用于W-R-W配 置之外的配置。
[0049]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的磁頭126,其包括第一、第二和第三模塊302、 304、306,其每一個分別具有帶支承表面308、310、312,該些磁帶支承表面可為平坦的、波狀 的(contoured)等。應(yīng)注意,盡管術(shù)語"磁帶支承表面"似乎表示面對磁帶315的表面與磁帶 支承表面物理地接觸,但是這不是必須的情況。相反,僅磁帶的一部分可與磁帶支承表面連 續(xù)或斷續(xù)地接觸,磁帶的其它部分騎在(riding)(或"懸浮(flying)"在)磁帶支承表面之上 的空氣層上,有時稱為"空氣軸承(air bearing)"。第一模塊302將稱為"在前"模塊,因?yàn)樵?所示的方向上移動的磁帶的三模塊設(shè)計(jì)中,它是磁帶所遇到的第一模塊。第三模塊306將稱 為"在后"模塊。在后模塊在中間模塊之后,是在三模塊設(shè)計(jì)中由磁帶看到的最后一個模塊。 在前模塊和在后模塊302、306統(tǒng)稱為外部模塊。還應(yīng)注意的是,外部模塊302、306將交替地 作為在前模塊,取決于磁帶315的行進(jìn)方向。
[0050] 在一個實(shí)施例中,第一、第二和第三模塊302、304、306的磁帶支承表面308、310、 312設(shè)置在平行的平面(這意味著包括平行和接近平行的平面,例如,在如圖6所示的介于平 行和相切之間的平面)上,并且第二模塊304的磁帶支承表面310是在第一和第三模塊302、 306的磁帶支承表面308、312之上。如下所述,這具有相對于第二模塊304的磁帶支承表面 310產(chǎn)生所希望的磁帶包角α 2的效果。
[0051]在磁帶支承表面308、310、312設(shè)置為沿著平行平面或接近平行但偏離平面的情況 下,則直覺上磁帶應(yīng)脫離在前模塊302的磁帶支承表面308。然而,通過實(shí)驗(yàn)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)由在前 模塊302的切削邊緣318產(chǎn)生的真空足以保持磁帶粘附到在前模塊302的磁帶支承表面308。 在前模塊302的在后邊緣320(磁帶從在前模塊302離開的端部)是限定在第二模塊304的磁 帶支承表面310之上的包角 〇2的大致的基準(zhǔn)點(diǎn)。磁帶停留在磁帶支承表面附近,直至接近在 前模塊302的在后邊緣320。因此,讀取和/或?qū)懭朐?22可設(shè)置為靠近外部模塊302、306的 在后邊緣。這些實(shí)施例特別適合于寫-讀-寫應(yīng)用。
[0052]這里描述的這個和其它實(shí)施例的益處是,因?yàn)橥獠磕K302、306以距第二模塊304 的確定偏移來固定,所以當(dāng)塊302、304、306連接在一起或以其它方式固定在磁頭中時,內(nèi)包 角是固定的。內(nèi)包角〇2大約為tarT^/W),其中δ是磁帶支承表面308、310的平面之間的高 度差,并且W是磁帶支承表面308、310的相對端之間的寬度。示例性的內(nèi)包角α 2的范圍為約 0.3°至約1.1°,盡管根據(jù)設(shè)計(jì)要求可為任何角度。
[0053]有利地,模塊304接收磁帶(在前邊緣)一側(cè)上的內(nèi)包角〇2大于在后邊緣上的內(nèi)包 角α3,因?yàn)榇艓?15騎在在后模塊306上。該差值通常是有益的,因?yàn)檩^小的α3傾向于克服現(xiàn) 有的陡峭退出的有效包封角。
[0054]應(yīng)注意,外部模塊302、306的磁帶支承表面308、312設(shè)置為在在前模塊302的在后 邊緣320實(shí)現(xiàn)負(fù)包角。這通常有益于幫助減小由于與在后邊緣320接觸引起的摩擦,假如對 形成在磁帶中的脫離磁頭的撓棍區(qū)域(crowbar region)的位置給予適當(dāng)?shù)目紤]。該負(fù)包角 還減小了對在前模塊302上的元件的抖動(flutter)和摩擦損壞。此外,當(dāng)在后模塊306,磁 帶315懸浮在磁帶支承表面312之上,從而當(dāng)磁帶在該方向上移動時,在元件上實(shí)際上沒有 磨損。特別是,磁帶315夾帶(entrain)空氣,并且從而不是實(shí)質(zhì)性地騎在第三模塊306的磁 帶支承表面312上(某些接觸可能發(fā)生)。這是可允許的,因?yàn)樵诤竽K306空閑時,在前模塊 302在寫入。
[0055] 在任何給定的時間,寫和讀功能由不同的模塊執(zhí)行。在一個實(shí)施例中,第二模塊 304包括多個數(shù)據(jù)和可選的伺服讀取器331而沒有寫入器。第一和第三模塊302、306包括多 個寫入器322而沒有數(shù)據(jù)讀取器,除非外部模塊302、306可包括可選的伺服讀取器。伺服讀 取器可用于在讀和/或?qū)懖僮髌陂g定位磁頭。每個模塊上的伺服讀取器通常地設(shè)置為朝著 讀取器或?qū)懭肫麝嚵械亩瞬俊?br>[0056] 通過在基板和罩之間的間隙中僅有讀取器或并排的寫入器和伺服讀取器,可實(shí)質(zhì) 上減小間隙長度。通常的磁頭具有背負(fù)式讀取器和寫入器,其中寫入器形成在每個讀取器 上。通常的間隙為20-35微米。然而,磁帶上的不規(guī)則可能傾向于下垂進(jìn)入(droop into)間 隙且產(chǎn)生間隙侵蝕。因此,間隙越小越好。間隙越小,這里能顯示與磨損相關(guān)的問題越少。 [0057]在某些實(shí)施例中,第二模塊304具有罩,而第一和第三模塊302、306沒有罩。如果沒 有罩,優(yōu)選給模塊增加硬涂層。一個優(yōu)選的涂層是金剛石類碳(DLC)。
[0058]在圖5所示的實(shí)施例中,第一、第二和第三模塊302、304、306的每一個具有罩332、 334、336,這延伸了相關(guān)模塊的磁帶支承表面,因此有效地定位讀/寫元件遠(yuǎn)離磁帶支承表 面的邊緣。第二模塊304上的罩332可為通常地設(shè)在磁頭上發(fā)現(xiàn)的陶瓷類型的罩。然而,在平 行于各個模塊上的磁帶行進(jìn)方向的方向上測量時,第一和第三模塊302、306的罩334、336可 短于第二模塊304的罩332。這使得可以將模塊更靠近地定位在一起。生產(chǎn)較短的罩334、336 的一種方法是以附加量疊加第二模塊304的標(biāo)準(zhǔn)陶瓷罩。另一種方法是在薄膜處理期間在 元件上鍍或沉積薄膜罩。例如,諸如鐵娃錯磁合金或鎳-鐵合金(例如,45/55)的硬材料的薄 膜罩可形成在模塊上。
[0059]在外部模塊302、306上具有減小厚度的陶瓷或薄膜罩334、336或在外部模塊302、 306上沒有罩的情況下,寫-讀間隙間隔可減小到小于約1_,例如約0.75mm,或小于常規(guī)使 用的線性磁帶打開(LT0)磁帶頭間隙的50 %。模塊302、304、306之間的打開間距可仍設(shè)定到 約0.5至0.6mm,這在某些實(shí)施例中是理想的,用于穩(wěn)定磁帶在第二模塊304上的運(yùn)動。
[0060]根據(jù)磁帶張力和硬度,可能希望外部模塊的磁帶支承表面相對于第二模塊的磁帶 支承表面成一角度。圖6示出了模塊302、304、306為相切或接近相切(有角)配置的實(shí)施例。 特別是,外部模塊302、306的磁帶支承表面以第二模塊304的所希望的包角 〇2大致平行于磁 帶。換言之,外部模塊302、306的磁帶支承表面308、312的平面以磁帶315相對于第二模塊 304的大致所希望包角α2定向。在該實(shí)施例中磁帶也突然離開(pop off)在后模塊306,因此 減少了元件在在后模塊306中的磨損。這些實(shí)施例對于寫-讀-寫的應(yīng)用特別有用。這些實(shí)施 例的其它方面與上面給出的類似。
[0061 ]通常地,磁帶包角可設(shè)定在圖5和6所示實(shí)施例之間的大約中途(midway)。
[0062]圖7示出了模塊302、304、306為外包裝配置的實(shí)施例。特別是,在相對于第二模塊 304以所希望包角α2設(shè)定時,外部模塊302、306的磁帶支承表面308、312的成角為略大于磁 帶315。在該實(shí)施例中,磁帶沒有突然離開在后模塊,允許其用于寫入或讀取。因此,在前和 中間模塊都可執(zhí)行讀取和/或?qū)懭牍δ?,而在后模塊可讀取任何剛寫入的數(shù)據(jù)。因此,這些 實(shí)施例優(yōu)選用于寫-讀-寫、讀-寫-讀和寫-寫-讀應(yīng)用。在后者的實(shí)施例中,為了保證讀取能 力,罩應(yīng)寬于磁帶覆蓋物(canopi es)。較寬的罩可能要求較寬的間隙至間隙分隔。因此,優(yōu) 選實(shí)施例具有寫-讀-寫配置,這可采用較短的罩,因此允許更近的間隙至間隙的分隔。 [0063]圖6和7所示的實(shí)施例的其它方面與上面給出的類似。
[0064] 32通道版本的多模塊頭126可采用電纜350,其引線間距與當(dāng)前的16通道背負(fù)式 LT0模塊中的引線間距相同或更小,或者可替代的,模塊上的連接可為風(fēng)琴鍵盤式(organ-keyboarded) 以減小電纜跨距 50%。上下、寫入對對非屏蔽電纜可用于寫入器,其可集成伺 服讀取器。
[0065] 外包角Μ可設(shè)定在驅(qū)動器中,例如通過本領(lǐng)域已知的任何類型的導(dǎo)軌,例如可調(diào) 整滾筒、滑道等,或者可替代的通過可集成到磁頭上的外伸架。例如,具有偏移軸線的滾筒 可用于設(shè)定包角。偏移軸線產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的軌道弧線,允許包角W的精確對齊。
[0066]為了組合上面描述的任何實(shí)施例,可采用傳統(tǒng)的u型梁組件。因此,可保持最終的 磁頭質(zhì)量,或者甚至相對于前幾代的磁頭有所減輕。在其它方法中,模塊可構(gòu)造為單元體。 掌握本教導(dǎo)的本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解,制造這樣磁頭的其它已知方法可適合于在構(gòu)造這樣 的磁頭中使用。而且,由于本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本公開時會明顯易懂,除非另有規(guī)定, 本領(lǐng)域已知類型的工藝和材料可適合于在與本文教導(dǎo)一致的各種實(shí)施例中使用。
[0067]由于各種原因,沿著磁帶估算線性位置都是有用的。LT0技術(shù),例如,使用編碼在磁 帶上的伺服軌道中的線性位置信息能確定準(zhǔn)確的位置。然而,在高速尋找操作期間,鎖定在 伺服軌道上是不可能的。例如,磁帶速度可能高于伺服通道可精確的處理線性位置信息的 速度。在此情況下,可能必須使用估計(jì)量來估算磁帶的線性位置。
[0068] 在估算位置信息時使用磁帶的缺省(default)厚度可能是有問題的,因?yàn)樵撊笔?厚度(default)可具有與其相關(guān)的公差。單一盒中的磁帶越長,影響磁帶位置的估算的磁帶 厚度與設(shè)計(jì)厚度的偏差越大,即使磁帶厚度可能在適當(dāng)?shù)墓罘秶鷥?nèi)。例如,如果實(shí)際的磁 帶厚度與缺省厚度不同,則在此基礎(chǔ)上的任何估算都是不精確的,并且磁帶越長,且因此盤 上的匝越多,這樣的不精確性會更復(fù)雜。在行進(jìn)到磁帶盤的端部時,由于磁帶厚度偏差在磁 帶行進(jìn)距離上的積分,線性磁帶位置可能不精確到數(shù)十米,等等。由于這樣的不精確性,并 且在防止盤溢出(run off)的努力中,當(dāng)尋找位置位于靠近/在磁帶開始或結(jié)束部分時,高 速尋找操作可能被禁止。這些外部部分例如可能用作安全緩沖,其中LP0S可用于發(fā)現(xiàn)尋找 位置以防止由于不精確的線性磁帶位置引起的盤溢出。
[0069] 本文描述的各種實(shí)施例獲得介質(zhì)厚度的精確估算,這進(jìn)而能計(jì)算精確的位置信 息,例如線性磁帶位置,而無需在尋找操作期間讀取編碼在磁帶上的線性位置信息。
[0070] 現(xiàn)在參見圖8,示出了根據(jù)一個實(shí)施例的方法800的流程圖。方法800可執(zhí)行在圖1-7所示的任何環(huán)境中以及各種實(shí)施例的其它環(huán)境中。當(dāng)然,比圖8中具體描述的操作或多或 少的操作可包括在方法800中,因?yàn)楸绢I(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本說明書時可理解。
[0071] 方法800的步驟的每一個可由操作環(huán)境的任何合適的部件執(zhí)行。例如,在各種實(shí)施 例中,方法800可由圖1所示的磁帶驅(qū)動器部分地或完全執(zhí)行,或者由其中具有一個或多個 控制器的某些其它裝置執(zhí)行??刂破鳎鐚?shí)施在硬件和/或軟件中的處理電路、芯片、和/ 或模塊,并且優(yōu)選具有至少一個硬件部件,可用在任何裝置中執(zhí)行方法800的一個或多個步 驟。示例性的控制器包括但不限于中央處理單元(CPU)、特定用途集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可 編程門陣列(FPGA)等、其組合或任何其它本領(lǐng)域已知的適當(dāng)?shù)挠?jì)算裝置。
[0072] 為了測驗(yàn)磁帶厚度的精確性,可以從在磁帶上的位置處的磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí) 際的位置信息。從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際的位置信息可例如采用本領(lǐng)域已知技術(shù)進(jìn)行, 例如LTO LP0S處理,憑借于此從編碼在磁帶上的一個或多個伺服軌道中的信息獲得磁帶上 的線性位置。相應(yīng)的,在操作802中,從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際位置信息。磁介質(zhì)可以是磁 記錄帶,如將在本文的各種實(shí)施例描述的。
[0073]磁帶然后可行進(jìn)或重新纏繞一定的距離,到達(dá)可獲得額外的實(shí)際位置信息的磁帶 位置,然后將其和估算的位置信息(采用存儲的介質(zhì)厚度計(jì)算)進(jìn)行比較,以便確定存儲的 和/或估算的介質(zhì)厚度的精確性和/或當(dāng)必要時重新校準(zhǔn)存儲的和/或估算的介質(zhì)厚度,如 本文將描述的。在操作803中,再次獲得實(shí)際的位置信息,此時是在從上述獲得實(shí)際的位置 信息的位置行進(jìn)或重新纏繞后所到達(dá)的位置。如上所述,可從磁介質(zhì)上的伺服軌道獲得實(shí) 際的位置信息。從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際的位置信息例如可采用本領(lǐng)域已知的技術(shù)進(jìn) 行,例如LTO LP0S處理。
[0074]在操作804中,使用介質(zhì)厚度值計(jì)算磁介質(zhì)的估算的位置信息。初始估算位置計(jì)算 中所用的介質(zhì)厚度值可為預(yù)先存儲值、缺省值等,取決于優(yōu)選實(shí)施例。根據(jù)各種方法,磁介 質(zhì)的估算的位置信息可采用估算磁介質(zhì)位置信息的任何已知方法進(jìn)行確定(例如,計(jì)算)。 可用于確定磁介質(zhì)的估算的位置信息處理的具體示例可包括盤半徑比、LP0S插值法、每轉(zhuǎn) 的過道數(shù)(ha 11 count)等。
[0075] 根據(jù)一個實(shí)施例,估算的位置信息可采用例如過道數(shù)、光學(xué)傳感器磁帶盤轉(zhuǎn)數(shù)或 電動機(jī)轉(zhuǎn)數(shù)信息、采用本領(lǐng)域所知類型的技術(shù)等,與估算的磁帶厚度相結(jié)合而計(jì)算。
[0076] 該估算的位置信息然后可與從編碼獲得的位置信息進(jìn)行比較,以便確定存儲的介 質(zhì)厚度值的精確性。相應(yīng)的,在操作806中,估算的位置信息與從編碼獲得的位置信息進(jìn)行 比較。估算的位置信息和從編碼獲得的位置信息之間的比較例如可通過控制器、采用比較 器邏輯裝置、通過本領(lǐng)域已知類型的比較等來執(zhí)行。將估算的位置信息(例如,可采用存儲 的介質(zhì)厚度計(jì)算)與從編碼獲得的位置信息進(jìn)行比較使得能夠驗(yàn)證存儲的介質(zhì)厚度值是否 被校準(zhǔn)在可接受的誤差容限內(nèi)。見下面的確定808。
[0077]在確定808中,確定估算的位置信息和獲得的位置信息之間的誤差是否在規(guī)定的 范圍(例如,公差范圍、可接受的誤差容限范圍等)內(nèi)。另外,可確定估算的位置信息和獲得 的位置信息之間的誤差是否在規(guī)定的范圍(例如,公差范圍、可接受的誤差容限范圍等)外。 下面描述這些確定的優(yōu)選響應(yīng)。
[0078]在操作810中,介質(zhì)厚度值響應(yīng)于誤差在規(guī)定的范圍內(nèi)的確定(由來自確定808的 'YES'邏輯表示)存儲到存儲器。存儲介質(zhì)厚度的存儲器例如可為盒式存儲器,其為驅(qū)動器 的存儲器,可以在RAM中、在主機(jī)上、在庫控制器上等。根據(jù)一個實(shí)施例,介質(zhì)厚度值可存儲 到連接到磁記錄介質(zhì)的盒式存儲器。因?yàn)檠刂橘|(zhì)長度的介質(zhì)厚度通常地不變化很大,所 以該厚度值可存儲用于整個介質(zhì)。根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例,例如其中的介質(zhì)可包括沿其長度 在不同點(diǎn)上變化的厚度,多個介質(zhì)厚度可存儲用于介質(zhì)上的不同位置。
[0079] 根據(jù)一個實(shí)施例,尋找操作可采用存儲的介質(zhì)厚度值執(zhí)行。例如,現(xiàn)在校準(zhǔn)(now-calibrated) 的介質(zhì)厚度值可用于估算磁帶的線性位置,可采用任何已知的估算方法。
[0080] 在已知為在可接受的誤差容限內(nèi)的情況下,盤端部上的介質(zhì)可證明是尤其有利 的,因?yàn)槔缙淇稍试S高速位置尋找至磁帶的端部部分(例如,由于錯誤確定磁帶位置的端 部等,為防止磁帶盤溢出而可能不高速行進(jìn)的位置),其可防止由于磁帶盤溢出事件可能需 要的高成本維護(hù),可防止磁帶驅(qū)動器(例如圖1的磁帶驅(qū)動器系統(tǒng))必須減緩磁帶行進(jìn),直至 非常接近磁帶端部(例如,由于不知道磁帶位置的端部在可接受的誤差容限內(nèi)等)等等。 [0081 ]此外,根據(jù)一個實(shí)施例,在已知為在可接受的誤差容限內(nèi)的情況下,磁帶端部的位 置可將線性位置估算誤差容限減小至約0.3-0.7米。在高速尋找的情況下,這可提供沿著磁 帶的起點(diǎn)部分和端部部分二者的額外的大量的高速尋找位置(例如,由于高速尋找位置先 前位于磁帶位置的可能錯誤確定的端部內(nèi))。
[0082] 在操作812中,介質(zhì)厚度值響應(yīng)于誤差在規(guī)定范圍外的確定而改變(由來自確定 808的'N0'邏輯表示)。根據(jù)一個實(shí)施例,介質(zhì)厚度值可改變?yōu)槭构浪愕奈恢眯畔⒙淙胍?guī)定 的范圍內(nèi)。
[0083] 響應(yīng)于誤差在規(guī)定的范圍外的確定而改變介質(zhì)厚度值對于保持精確的介質(zhì)位置 信息是非常重要的。這是因?yàn)槔绱鎯σ?guī)定誤差范圍外的介質(zhì)厚度值可能會使得情況變 糟,磁帶盤上的磁帶長度越長越是如此。這可能然后導(dǎo)致大量的問題,例如,由于錯誤確定 磁帶位置的端部而使磁帶行進(jìn)期間磁帶盤溢出,由于錯誤確定位置信息而使通過所希望的 介質(zhì)位置且必須返回(backtrack),增加了尋找功能的總時間等。
[0084] 根據(jù)一個實(shí)施例,介質(zhì)厚度值可改變?yōu)槭估绮捎貌僮?04的程序計(jì)算的估算位 置信息大致匹配實(shí)際的位置信息。例如,可執(zhí)行反向計(jì)算以導(dǎo)出厚度值的更好估算。
[0085] 根據(jù)另一個實(shí)施例,介質(zhì)厚度值可以通過增加量連續(xù)的改變,直至估算的位置信 息在可接受的誤差范圍內(nèi)。此外,介質(zhì)厚度值可進(jìn)一步增加,例如,即使在發(fā)現(xiàn)介質(zhì)厚度在 可接受的誤差范圍內(nèi)之后,以便發(fā)現(xiàn)更加可接受的介質(zhì)厚度。
[0086] 響應(yīng)于誤差在規(guī)定范圍外的確定,可重新獲得實(shí)際的位置信息,可采用改變的介 質(zhì)厚度值重新計(jì)算估算的位置信息,并且可重復(fù)比較和確定。下面詳述該響應(yīng)的示范性實(shí) 施例。
[0087]根據(jù)一個實(shí)施例,介質(zhì)厚度值例如可通過操作802-806和確定808響應(yīng)于觸發(fā)條件 的發(fā)生或出現(xiàn)而重新估算,觸發(fā)條件例如為估算的位置信息和獲得的位置信息改變之間的 具體誤差范圍、用戶要求的一系列的介質(zhì)厚度測試序列、由于環(huán)境約束的介質(zhì)厚度值的可 能的改變(例如,磁帶拉伸、溫度改變等)等等。
[0088]根據(jù)一個實(shí)施例,介質(zhì)厚度值可能通過增加量而連續(xù)的改變,并且介質(zhì)厚度值例 如可通過操作802-806和確定808而重新估算,直至估算的位置信息和獲得的位置信息之間 的具體誤差范圍在可接受的誤差范圍內(nèi)。
[0089]在確定814中,確定估算的位置信息和獲得的位置信息之間的誤差是否應(yīng)重新計(jì) 算(例如,通過方法800的操作和確定)以確認(rèn)它們在規(guī)定的范圍內(nèi)。重新計(jì)算可響應(yīng)于介質(zhì) 厚度的改變而進(jìn)行(例如,響應(yīng)于誤差在規(guī)定的范圍外等)。
[0090] 響應(yīng)于估算的位置信息和獲得的位置信息之間的誤差應(yīng)重新計(jì)算以確認(rèn)它們在 規(guī)定的范圍內(nèi)的確定,方法800的部分可再次執(zhí)行,例如由來自確定814的' YES '邏輯所表 不。
[0091] 響應(yīng)于估算的位置信息和獲得的位置信息之間的誤差不應(yīng)重新計(jì)算以確認(rèn)它們 在規(guī)定的范圍內(nèi)的確定,介質(zhì)厚度值可存儲到存儲器(由來自確定814的'N0'邏輯表示)。
[0092] 例如,一旦發(fā)現(xiàn)介質(zhì)厚度在可接受的誤差容限內(nèi),則估算的介質(zhì)厚度值可逐漸增 加和/或減小,然后例如通過操作802-806和確定808重新估算,以便發(fā)現(xiàn)甚至更加精確的介 質(zhì)厚度。響應(yīng)于逐漸增加和/或減小估算的厚度值且發(fā)現(xiàn)更不精確的估算介質(zhì)厚度值,前面 確定的最精確(例如精確度在可接受的誤差范圍內(nèi))的介質(zhì)厚度值可優(yōu)選存儲在存儲器中 作為介質(zhì)厚度值。
[0093]現(xiàn)在將通過方法900描述計(jì)算介質(zhì)厚度的進(jìn)一步實(shí)施例。
[0094] 現(xiàn)在參見圖9,示出了根據(jù)一個實(shí)施例的方法900的流程圖。方法900可執(zhí)行在圖1-7所示的任何環(huán)境中以及各種實(shí)施例的其它環(huán)境中。當(dāng)然,比圖9具體描述的操作或多或少 的操作可包括在方法900中,如本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀本說明書時所理解。
[0095]方法900的每一個步驟可由操作環(huán)境的任何適當(dāng)?shù)牟考?zhí)行。例如,在各種實(shí)施例 中,方法900可部分地或者完全由圖1的磁帶驅(qū)動器執(zhí)行,或者其中具有的一個或多個控制 器的某些其它裝置執(zhí)行??刂破鳎鐚?shí)施在硬件和/或軟件中的處理電路、芯片和/或模 塊,并且優(yōu)選具有至少一個硬件部件,可用在任何裝置中以執(zhí)行方法900的一個或多個步 驟。所示的控制器包括但不限于CPU、ASIC、FPGA等、其組合、或本領(lǐng)域已知的任何其它適當(dāng) 的計(jì)算裝置。
[0096]與方法800的操作802類似,在操作902中,從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際的位置信 息。
[0097] 在操作904中,磁介質(zhì)隨后移動(例如,前進(jìn)或后退)一定的距離,并且計(jì)算介質(zhì)的 估算厚度。如方法800,在磁介質(zhì)上移動已知的距離,隨后可用介質(zhì)盤(例如,磁帶盤)校準(zhǔn), 以校準(zhǔn)相對應(yīng)的介質(zhì)厚度值。下面描述計(jì)算介質(zhì)厚度的示例性實(shí)施例。
[0098] 根據(jù)一個實(shí)施例,磁介質(zhì)的估算的介質(zhì)厚度(例如,本示例中的磁帶厚度)可采用 下面的公式發(fā)現(xiàn):
[0100]在公式(1)中,磁帶厚度'Τ'可通過計(jì)算包裝半徑'P'來計(jì)算,例如,一個盤上的磁 帶的當(dāng)前半徑。包裝半徑'Ρ'可這樣計(jì)算,使用將磁帶從獲得實(shí)際的位置信息的位置移動已 知的距離中所執(zhí)行的磁帶盤的旋轉(zhuǎn)數(shù),來校準(zhǔn)磁帶的線性位置(例如,在操作902中獲得)。 磁帶纏繞的空盤的半徑'Ε'隨后可從包裝半徑'Ρ'減掉以計(jì)算磁帶盤的徑向磁帶厚度,例如 '(Ρ-Ε) '。磁帶厚度('Τ')隨后可通過磁帶盤上的徑向磁帶厚度'(Ρ-Ε) '除以磁帶盤上的磁 帶阻數(shù)'W'來計(jì)算。
[0101]在操作906中,介質(zhì)厚度值(例如,在上面示例等的磁帶厚度'Τ'等)存儲到存儲器。 與方法800的操作810中表示的過程類似,存儲介質(zhì)厚度值的存儲器例如可為驅(qū)動器中、RAM 中的盒式存儲器等。根據(jù)一個實(shí)施例,介質(zhì)厚度值可存儲到連接到磁記錄介質(zhì)的盒式存儲 器。在介質(zhì)的實(shí)際位置信息變得不易得到時,例如在高速定位期間等,可以使用介質(zhì)厚度值 以計(jì)算線性磁帶位置,這時使用磁帶盤旋轉(zhuǎn)數(shù)、通過先前實(shí)際位置的測量的磁帶行進(jìn)等進(jìn) 行校準(zhǔn)。
[0102] 響應(yīng)于介質(zhì)厚度值應(yīng)例如進(jìn)一步重新計(jì)算、通過執(zhí)行方法900計(jì)算一系列的次數(shù)、 由于環(huán)境約束條件而重新計(jì)算(例如,磁帶拉伸、溫度改變等)等等的確定,可再次執(zhí)行方法 900 〇
[0103] 此外,根據(jù)這里描述的任何實(shí)施例計(jì)算的估算介質(zhì)厚度值可用于采用任何已知估 算方法估算磁帶的線性位置。
[0104] 在具有采用前述方法的任何一個確定的且選擇性地存儲在存儲器中的估算的介 質(zhì)厚度值的情況下,驅(qū)動器隨后可采用估算的介質(zhì)厚度值執(zhí)行某些動作,例如執(zhí)行尋找功 能(例如,其中尋找功能的位置信息基于存儲的厚度值等),執(zhí)行進(jìn)一步存儲的介質(zhì)厚度值 的迭代,對磁帶驅(qū)動器中的磁帶的最外部分執(zhí)行高速尋找功能等。
[0105] 當(dāng)磁帶安裝到驅(qū)動器,且采用估算的磁帶厚度執(zhí)行某些動作時,驅(qū)動器可首先確 定厚度值是否存儲在存儲器中,例如在盒式存儲器中,如果是,厚度值是否是先前計(jì)算的磁 帶厚度或缺省/事先設(shè)定的磁帶厚度。在存儲的厚度值已經(jīng)事先計(jì)算的情況下,則可執(zhí)行動 作。如果存儲的厚度值是不存在的或者是缺省的/事先設(shè)定的磁帶厚度,則可執(zhí)行前面的方 法以產(chǎn)生厚度值的精確估算,其進(jìn)而可存儲在存儲器中和/或在所希望的動作中使用。
[0106] 本發(fā)明可以是系統(tǒng)、方法和/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可以包括計(jì)算機(jī) 可讀存儲介質(zhì),其上載有用于使處理器實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各個方面的計(jì)算機(jī)可讀程序指令。
[0107] 計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)可以是可以保持和存儲由指令執(zhí)行設(shè)備使用的指令的有形 設(shè)備。計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)例如可以是一一但不限于一一電存儲設(shè)備、磁存儲設(shè)備、光存儲 設(shè)備、電磁存儲設(shè)備、半導(dǎo)體存儲設(shè)備或者上述的任意合適的組合。計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)的 更具體的例子(非窮舉的列表)包括:便攜式計(jì)算機(jī)盤、硬盤、隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存 儲器(ROM)、可擦式可編程只讀存儲器(EPROM或閃存)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、便攜式 壓縮盤只讀存儲器(CD-ROM)、數(shù)字多功能盤(DVD)、記憶棒、軟盤、機(jī)械編碼設(shè)備、例如其上 存儲有指令的打孔卡或凹槽內(nèi)凸起結(jié)構(gòu)、以及上述的任意合適的組合。這里所使用的計(jì)算 機(jī)可讀存儲介質(zhì)不被解釋為瞬時信號本身,諸如無線電波或者其他自由傳播的電磁波、通 過波導(dǎo)或其他傳輸媒介傳播的電磁波(例如,通過光纖電纜的光脈沖)、或者通過電線傳輸 的電信號。
[0108] 這里所描述的計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以從計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)下載到各個計(jì)算/ 處理設(shè)備,或者通過網(wǎng)絡(luò)、例如因特網(wǎng)、局域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和/或無線網(wǎng)下載到外部計(jì)算機(jī)或外 部存儲設(shè)備。網(wǎng)絡(luò)可以包括銅傳輸電纜、光纖傳輸、無線傳輸、路由器、防火墻、交換機(jī)、網(wǎng)關(guān) 計(jì)算機(jī)和/或邊緣服務(wù)器。每個計(jì)算/處理設(shè)備中的網(wǎng)絡(luò)適配卡或者網(wǎng)絡(luò)接口從網(wǎng)絡(luò)接收計(jì) 算機(jī)可讀程序指令,并轉(zhuǎn)發(fā)該計(jì)算機(jī)可讀程序指令,以供存儲在各個計(jì)算/處理設(shè)備中的計(jì) 算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中。
[0109] 用于執(zhí)行本發(fā)明操作的計(jì)算機(jī)程序指令可以是匯編指令、指令集架構(gòu)(ISA)指令、 機(jī)器指令、機(jī)器相關(guān)指令、微代碼、固件指令、狀態(tài)設(shè)置數(shù)據(jù)、或者以一種或多種編程語言的 任意組合編寫的源代碼或目標(biāo)代碼,所述編程語言包括面向?qū)ο蟮木幊陶Z言一諸如 Smalltalk、C++等,以及常規(guī)的過程式編程語言一諸如"C"語言或類似的編程語言。計(jì)算機(jī) 可讀程序指令可以完全地在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、部分地在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、作為一個獨(dú) 立的軟件包執(zhí)行、部分在用戶計(jì)算機(jī)上部分在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、或者完全在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī) 或服務(wù)器上執(zhí)行。在涉及遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的情形中,遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可以通過任意種類的網(wǎng)絡(luò)一包 括局域網(wǎng)(LAN)或廣域網(wǎng)(WAN)-連接到用戶計(jì)算機(jī),或者,可以連接到外部計(jì)算機(jī)(例如利 用因特網(wǎng)服務(wù)提供商來通過因特網(wǎng)連接)。在一些實(shí)施例中,通過利用計(jì)算機(jī)可讀程序指令 的狀態(tài)信息來個性化定制電子電路,例如可編程邏輯電路、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或可 編程邏輯陣列(PLA),該電子電路可以執(zhí)行計(jì)算機(jī)可讀程序指令,從而實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各個方 面。
[0110] 這里參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、裝置(系統(tǒng))和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/ 或框圖描述了本發(fā)明的各個方面。應(yīng)當(dāng)理解,流程圖和/或框圖的每個方框以及流程圖和/ 或框圖中各方框的組合,都可以由計(jì)算機(jī)可讀程序指令實(shí)現(xiàn)。
[0111] 這些計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以提供給通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù) 處理裝置的處理器,從而生產(chǎn)出一種機(jī)器,使得這些指令在通過計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù) 處理裝置的處理器執(zhí)行時,產(chǎn)生了實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個或多個方框中規(guī)定的功 能/動作的裝置。也可以把這些計(jì)算機(jī)可讀程序指令存儲在計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中,這些指 令使得計(jì)算機(jī)、可編程數(shù)據(jù)處理裝置和/或其他設(shè)備以特定方式工作,從而,存儲有指令的 計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)則包括一個制造品,其包括實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個或多個方框中 規(guī)定的功能/動作的各個方面的指令。
[0112] 也可以把計(jì)算機(jī)可讀程序指令加載到計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或其它 設(shè)備上,使得在計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置或其它設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟,以產(chǎn) 生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的過程,從而使得在計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或其它設(shè)備上執(zhí)行的 指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個或多個方框中規(guī)定的功能/動作。
[0113] 附圖中的流程圖和框圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的多個實(shí)施例的系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程 序產(chǎn)品的可能實(shí)現(xiàn)的體系架構(gòu)、功能和操作。在這點(diǎn)上,流程圖或框圖中的每個方框可以代 表一個模塊、程序段或指令的一部分,所述模塊、程序段或指令的一部分包含一個或多個用 于實(shí)現(xiàn)規(guī)定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。在有些作為替換的實(shí)現(xiàn)中,方框中所標(biāo)注的功能也 可以以不同于附圖中所標(biāo)注的順序發(fā)生。例如,兩個連續(xù)的方框?qū)嶋H上可以基本并行地執(zhí) 行,它們有時也可以按相反的順序執(zhí)行,這依所涉及的功能而定。也要注意的是,框圖和/或 流程圖中的每個方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合,可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或動 作的專用的基于硬件的系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn),或者可以用專用硬件與計(jì)算機(jī)指令的組合來實(shí)現(xiàn)
[0114] 而且,根據(jù)各種實(shí)施例的系統(tǒng)可包括處理器和與處理器可集成和/或可執(zhí)行的邏 輯裝置,邏輯裝置配置為執(zhí)行本文所述的一個或多個處理步驟。集成是指處理器具有嵌入 其內(nèi)的邏輯裝置作為硬件邏輯裝置,例如特定用途集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)等。由處理器可執(zhí)行是指該邏輯裝置是硬件邏輯裝置;例如固件、操作系統(tǒng)的一部 分、應(yīng)用程序的一部分等的軟件邏輯裝置;或者可由處理器存取的且配置為使處理器在處 理器執(zhí)行時執(zhí)行某些功能的某些硬件邏輯裝置和軟件邏輯裝置的結(jié)合。軟件邏輯裝置可存 儲在本領(lǐng)域已知的任何存儲器類型的當(dāng)?shù)睾?或遠(yuǎn)程存儲器上。可采用本領(lǐng)域已知的任何 處理器,例如軟件處理器模塊和/或例如ASIC、FPGA、中央處理單元(CPU)、集成電路(1C)等 硬件處理器。
[0115] 顯然,前述系統(tǒng)和/或方法的各種特征可以以任何方式結(jié)合,由上面的描述產(chǎn)生多 個組合。
[0116] 還應(yīng)理解的是,本發(fā)明的實(shí)施例可以代表用戶采用的服務(wù)方式提供。
[0117] 本文公開的本發(fā)明構(gòu)思以示例的方式進(jìn)行了描述,以圖示說明多個示例性的情 況、實(shí)施例和/或?qū)嵤┓绞较碌母鞣N特征。應(yīng)理解,所公開的總體構(gòu)思是看作模塊化的,并且 可以其任何的組合、排列或合成實(shí)施。另外,本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀本說明書時應(yīng)理解的本公 開的特征、功能和構(gòu)思的任何修改、替換或等同物也應(yīng)看作在本公開的范圍內(nèi)。
[0118] 雖然上面已經(jīng)描述各種實(shí)施例,但是應(yīng)理解的是它們僅通過示例的方式進(jìn)行了呈 現(xiàn),而不是對本發(fā)明的限制。因此,本發(fā)明實(shí)施例的寬度和范圍不受上述示范性實(shí)施例任何 一個的限制,而是應(yīng)僅根據(jù)所附的權(quán)利要求及其等同物的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種方法,包括: 從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際的位置信息; 采用介質(zhì)厚度值計(jì)算該磁介質(zhì)的估算的位置信息; 比較該估算的位置信息和該從編碼獲得的位置信息; 確定該估算的位置信息和該獲得的位置信息之間的誤差是否在規(guī)定的范圍內(nèi); 響應(yīng)于該誤差在規(guī)定的范圍內(nèi)的確定,將該介質(zhì)厚度值存儲到存儲器;以及 響應(yīng)于該誤差在規(guī)定的范圍外的確定,改變該介質(zhì)厚度值。2. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中該實(shí)際的位置信息是從該磁介質(zhì)上的伺服軌道獲得。3. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中該介質(zhì)厚度值改變?yōu)槭乖摴浪愕奈恢眯畔⒙淙朐撘?guī) 定范圍內(nèi)。4. 如權(quán)利要求1所述的方法,包括:響應(yīng)于該誤差在該規(guī)定范圍外的確定,重新獲得實(shí) 際的位置信息,采用該改變的介質(zhì)厚度值,重新計(jì)算該估算的位置信息,并且重復(fù)該比較和 確定。5. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中該介質(zhì)厚度值存儲到連接至該磁介質(zhì)的盒式存儲器。6. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中該磁介質(zhì)是磁記錄帶。7. 如權(quán)利要求1所述的方法,包括采用存儲的介質(zhì)厚度值執(zhí)行尋找操作。8. -種設(shè)備,包括: 控制器和與該控制器集成和/或由該控制器可執(zhí)行的邏輯裝置,該邏輯裝置配置為導(dǎo) 致該控制器: 從磁介質(zhì)上的編碼獲得實(shí)際的位置信息; 采用介質(zhì)厚度值計(jì)算該磁介質(zhì)的估算的位置信息; 比較該估算的位置信息和該從編碼獲得的位置信息; 確定該估算的位置信息和該獲得的位置信息之間的誤差是否在規(guī)定的范圍內(nèi); 響應(yīng)于該誤差在規(guī)定的范圍內(nèi)的確定,將該介質(zhì)厚度值存儲到存儲器;以及 響應(yīng)于該誤差在規(guī)定的范圍外的確定,改變該介質(zhì)厚度值。9. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中該實(shí)際位置信息是從該磁介質(zhì)上的伺服軌道獲得。10. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中該介質(zhì)厚度值改變?yōu)槭乖摴浪愕奈恢眯畔⒙淙朐撘?guī) 定的范圍內(nèi)。11. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備,包括邏輯裝置,配置為導(dǎo)致該控制器響應(yīng)于該誤差在該 規(guī)定的范圍外的確定,重新獲得實(shí)際的位置信息,采用該改變的介質(zhì)厚度值重新計(jì)算該估 算的位置信息,并且重復(fù)該比較和確定。12. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中該介質(zhì)厚度值存儲到連接至該磁介質(zhì)的盒式存儲 器。13. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中該磁介質(zhì)是磁記錄帶。14. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備,包括邏輯裝置,配置為導(dǎo)致該控制器采用存儲的介質(zhì)厚 度值執(zhí)行尋找操作。15. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備,包括: 驅(qū)動機(jī)構(gòu),用于在磁頭之上傳遞磁介質(zhì), 該控制器電連接到該磁頭和該驅(qū)動機(jī)構(gòu)。
【文檔編號】G11B5/584GK106024022SQ201610194415
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月30日
【發(fā)明人】N.X.布伊, R.C.英奇, 小倉英司
【申請人】國際商業(yè)機(jī)器公司