通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，特別是指一種通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前存儲(chǔ)器都普遍存在因?yàn)楣に嚥町惢蛘咂圃斐傻膄lash器件的電壓VT (VT包含VTE和VTP，VTE是指該flash單元為擦除狀態(tài)時(shí)的存儲(chǔ)管的電壓VT，VTP是指該flash單元為編程狀態(tài)時(shí)的存儲(chǔ)管的電壓VT)窗口漂移的現(xiàn)象，這種差異可以存在于一片晶圓內(nèi)，一個(gè)批次內(nèi)，甚至一個(gè)平臺(tái)內(nèi)。如圖1所示，為同一個(gè)批次的多個(gè)不同晶圓芯片所對(duì)應(yīng)的VTP/VTE分布圖，那么該批次的flash窗口大小為:最差的VTP減去最差的VTE。
[0003]例如在SONOS為介質(zhì)的存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)中，由于同批次晶圓在生長(zhǎng)ONO時(shí)分布在爐管的不同位置，因此導(dǎo)致了同批次的晶圓擁有不同的flash窗口，影響flash的整體窗口和良率。由于一個(gè)平臺(tái)的測(cè)試條件是既定的，正常情況下不會(huì)因?yàn)槠脚_(tái)內(nèi)的某個(gè)晶圓flash器件VT窗口漂移而作調(diào)整。那么，為了兼顧平臺(tái)內(nèi)產(chǎn)品的正常的flash器件VT窗口漂移，平臺(tái)設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮到最差的情況，平臺(tái)flash器件VT的窗口就會(huì)大大縮小，增加設(shè)計(jì)難度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明所述的通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法，包含如下的步驟:
[0006]第I步，使用測(cè)試程序?qū)λ行酒M(jìn)行VTP變化范圍的測(cè)試；
[0007]第2步，使用測(cè)試程序?qū)λ行酒M(jìn)行VTE變化范圍的測(cè)試；
[0008]第3步，按照不同的VTE范圍進(jìn)行區(qū)間分組，將VTE變化范圍落入對(duì)應(yīng)區(qū)間分組的芯片分入該組；
[0009]第4步，分別對(duì)不同的區(qū)間分組進(jìn)行相應(yīng)不同的參考電流調(diào)整或者不調(diào)整，重新讀取新的參考電流值，使所有分組的芯片的VT值都向同一數(shù)值靠攏，分布收斂；
[0010]第5步，重新使用測(cè)試程序?qū)λ芯A進(jìn)行VTP變化范圍的測(cè)試；
[0011]第6步，重新使用測(cè)試程序?qū)λ芯A進(jìn)行VTE變化范圍的測(cè)試。
[0012]進(jìn)一步地，所述第3步中，測(cè)試程序根據(jù)設(shè)定的規(guī)則將每個(gè)芯片分別分入不同的區(qū)間分組，其分組規(guī)則為:
[0013]a,假設(shè)該平臺(tái)的最佳VTE絕對(duì)值為X，某芯片的初始VTE絕對(duì)值為Y，而參考電流值每增加一個(gè)檔位，VTE絕對(duì)值相應(yīng)的增量為Z ;
[0014]b,當(dāng)(n+1) Z> (Y-X) >nZ時(shí)，將該芯片分入第η組；
[0015]C，對(duì)所有芯片分組完畢后，調(diào)整參考電流值的檔位，如將第η組的參考電流-η個(gè)檔位，這時(shí)Y?X。
[0016]進(jìn)一步地，所述第4步，flash器件的邏輯I與邏輯O必須通過對(duì)比參考電流實(shí)現(xiàn)，并且該參考電流能通過測(cè)試程序調(diào)整。
[0017]本發(fā)明所述的通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法，對(duì)不同窗口的器件進(jìn)行不同參考電流的補(bǔ)償，優(yōu)化flash產(chǎn)品因?yàn)楣に噯栴}導(dǎo)致的窗口漂移的問題。
【附圖說明】
[0018]圖1是多個(gè)不同芯片所對(duì)應(yīng)的VT分布示意圖；
[0019]圖2是本發(fā)明測(cè)試程序流程圖；
[0020]圖3是使用本發(fā)明方法得到的flash器件VT窗口。
【具體實(shí)施方式】
[0021]本發(fā)明所述的通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法，包含如下的步驟:
[0022]第I步，使用測(cè)試程序?qū)λ行酒M(jìn)行VTP變化范圍的測(cè)試。
[0023]第2步，使用測(cè)試程序?qū)λ行酒M(jìn)行VTE變化范圍的測(cè)試。
[0024]第3步，按照不同的VTE范圍進(jìn)行區(qū)間分組，將VTE變化范圍落入對(duì)應(yīng)區(qū)間分組的芯片分入該組；測(cè)試程序根據(jù)設(shè)定的規(guī)則將每個(gè)芯片分別分入不同的區(qū)間分組，其分組規(guī)則為:
[0025]a,假設(shè)該平臺(tái)的最佳VTE絕對(duì)值為X，某芯片的初始VTE絕對(duì)值為Y，而參考電流值每增加一個(gè)檔位，VTE絕對(duì)值相應(yīng)的增量為Z ;
[0026]b,當(dāng)(n+1) Z> (Y-X) >nZ時(shí)，將該芯片分入第η組；
[0027]c，對(duì)所有芯片分組完畢后，調(diào)整參考電流值的檔位，如將第η組的參考電流調(diào)低η個(gè)檔位，這時(shí)Y?X。
[0028]第4步，分別對(duì)不同的區(qū)間分組進(jìn)行相應(yīng)不同的參考電流調(diào)整或者不調(diào)整，重新讀取新的參考電流值，使所有分組的芯片的VT值都向同一數(shù)值靠攏，分布收斂。比如，在0.13μπι節(jié)點(diǎn)的SONOS介質(zhì)flash平臺(tái)下，在正常測(cè)試VTE(擦除操作后的flash器件VT)后，增加判斷語句，對(duì)VTE彡600mV的芯片做參考電流調(diào)整，Idac+4，即Idac提高4檔。Idac指存儲(chǔ)器芯片中參考電流的標(biāo)志位，在其余外部環(huán)境一定的情況下，該標(biāo)志位大小一定則參考電流一定。如果該標(biāo)志位的大小發(fā)生變化，參考電流即跟隨發(fā)生相應(yīng)的變化。通常通過調(diào)整Idac數(shù)值的大小，來使參考電流大小發(fā)生相應(yīng)的變化；對(duì)于VTE介于500mV和600mV之間的芯片做參考電流調(diào)整，Idac+2，即Idac提高2檔；對(duì)于VTE ( 500mV的芯片不做調(diào)整。這樣所有的芯片最終的VTE都向500mV靠攏，分布收斂，flash VT窗口變大，如圖3所示。flash器件的邏輯I與邏輯O必須通過對(duì)比參考電流實(shí)現(xiàn)，即在判斷一個(gè)flash的單元所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是I還是O時(shí)，通過施加電壓時(shí)讀取該flash的電流，并將該電流與參考電流進(jìn)行對(duì)比:如果該電流大于參考電流則判斷為邏輯“I”或“O”;如果該電流小于參考電流則判斷為邏輯“O”或“I”(具體是“I”還是“O”是根據(jù)不同的平臺(tái)人為定義的)，并且該參考電流能通過測(cè)試程序調(diào)整。
[0029]第5步，重新使用測(cè)試程序?qū)λ芯A進(jìn)行VTP變化范圍的測(cè)試。
[0030]第6步，重新使用測(cè)試程序?qū)λ芯A進(jìn)行VTE變化范圍的測(cè)試。
[0031]本發(fā)明在原有的flash器件VT測(cè)試后增加判斷語句，如果該VT值介于某一個(gè)區(qū)間內(nèi)，則對(duì)該芯片進(jìn)行參考電流的調(diào)整或保持參考電流不變，程序可根據(jù)某個(gè)規(guī)則將每個(gè)芯片分別分入對(duì)應(yīng)的組，并對(duì)各組的參考電流做不同的調(diào)整，使各組芯片的flash窗口趨于一致，從而增加flash的窗口。以0.13 μ m節(jié)點(diǎn)的SONOS平臺(tái)所測(cè)得的數(shù)據(jù)，本發(fā)明方法使得flash器件的VT窗口提升了約0.1V。
[0032]以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本發(fā)明。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法，其特征在于:包含如下的步驟: 第I步，使用測(cè)試程序?qū)λ行酒M(jìn)行VTP變化范圍的測(cè)試； 第2步，使用測(cè)試程序?qū)λ行酒M(jìn)行VTE變化范圍的測(cè)試； 第3步，按照不同的VTE范圍進(jìn)行區(qū)間分組，將VTE變化范圍落入對(duì)應(yīng)區(qū)間分組的芯片分入該組； 第4步，分別對(duì)不同的區(qū)間分組進(jìn)行相應(yīng)不同的參考電流調(diào)整或者不調(diào)整，重新讀取新的參考電流值，使所有分組的芯片的VTE值都向同一數(shù)值靠攏，分布收斂； 第5步，重新使用測(cè)試程序?qū)λ芯A進(jìn)行VTP變化范圍的測(cè)試； 第6步，重新使用測(cè)試程序?qū)λ芯A進(jìn)行VTE變化范圍的測(cè)試。2.如權(quán)利要求1所述的一種通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法，其特征在于:所述第3步中，測(cè)試程序根據(jù)設(shè)定的規(guī)則將每個(gè)芯片分別分入不同的區(qū)間分組，其分組規(guī)則為: a,假設(shè)該平臺(tái)的最佳VTE絕對(duì)值為X，某芯片的初始VTE絕對(duì)值為Y，而參考電流值每增加一個(gè)檔位，VTE絕對(duì)值相應(yīng)的增量為Z ; b,當(dāng)(n+1)Z> (Y-X) >nZ時(shí)，將該芯片分入第η組； C，對(duì)所有芯片分組完畢后，調(diào)整參考電流值的檔位，如將第η組的參考電流調(diào)低η個(gè)檔位，這時(shí)Y?X。3.如權(quán)利要求1所述的一種通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法，其特征在于:所述第4步，flash器件的邏輯I與邏輯O必須通過對(duì)比參考電流實(shí)現(xiàn)，并且該參考電流能通過測(cè)試程序調(diào)整。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種通過測(cè)試程序增加flash器件窗口的方法，包含：第1步，使用測(cè)試程序?qū)λ芯A上所有芯片進(jìn)行VTP變化范圍的測(cè)試；第2步，使用測(cè)試程序?qū)λ芯A上所有芯片進(jìn)行VTE變化范圍的測(cè)試；第3步，按照不同的VTE范圍進(jìn)行區(qū)間分組，將VTE變化范圍落入某特定區(qū)間的芯片分入同一組；第4步，分別對(duì)不同的區(qū)間分組進(jìn)行相應(yīng)不同的參考電流調(diào)整或者不調(diào)整，重新讀取新的參考電流值使所有分組的芯片的VTE值都向同一數(shù)值靠攏，分布收斂；第5步，重新使用新的參考電流值對(duì)所有芯片進(jìn)行VTP變化范圍的測(cè)試；第6步，重新使用新的參考電流值對(duì)所有芯片進(jìn)行VTE變化范圍的測(cè)試。本發(fā)明方法增加判斷與調(diào)整步驟，提升flash器件窗口。
【IPC分類】G11C29/16, G11C29/08
【公開號(hào)】CN105206305
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510607089
【發(fā)明人】劉凱, 張可鋼, 陳華倫, 趙鵬, 孫黎瑾
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年9月22日