專利名稱：非易失性存儲(chǔ)裝置及其編程方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例實(shí)施例涉及非易失性存儲(chǔ)裝置及其編程方法。其它的示例實(shí)施例涉 及電子在電荷捕獲層之間移動(dòng)并穿過襯墊氧化物層的非易失性存儲(chǔ)裝置。示 例實(shí)施例還涉及非易失性存儲(chǔ)裝置的編程方法，所述方法包括電子穿過襯墊 氧化物層在非易失性存儲(chǔ)裝置的電荷捕獲層之間移動(dòng)。
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)裝置即使在沒有電源的情況下也保存存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，在這樣 的非易失性存儲(chǔ)裝置中，數(shù)據(jù)可以被電擦除和編程。例如，這樣的非易失性 存儲(chǔ)裝置包括閃速存儲(chǔ)器。
閃速存儲(chǔ)器通過存儲(chǔ)電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。構(gòu)成閃速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元可以 由單元晶體管組成，其中，每個(gè)單元晶體管包括控制柵極、電荷存儲(chǔ)層、源
的數(shù)據(jù)值。
由于電荷存儲(chǔ)層中的負(fù)電荷導(dǎo)致單元晶體管的閾值電壓為負(fù)(-)的模式被 稱為擦除模式。電子被注入到電荷存儲(chǔ)層并且單元晶體管的閾值電壓為正(+) 的模式被稱為編程模式。
可以通過調(diào)節(jié)電荷存儲(chǔ)層的電荷來改變單元晶體管的閾值電壓。為了調(diào) 節(jié)電荷存儲(chǔ)層的電荷，可以將熱電子注入到電荷存儲(chǔ)層或可以將熱電子從電 荷存儲(chǔ)層出射。如果熱電子被注入或出射，則電荷存儲(chǔ)層中的氧化物會(huì)劣化。

發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施例涉及非易失性存儲(chǔ)裝置及其編程方法。其它的示例實(shí)施例涉 及電子在電荷捕獲層之間移動(dòng)并穿過襯墊氧化物層的非易失性存儲(chǔ)裝置。示 例實(shí)施例還涉及非易失性存儲(chǔ)裝置的編程方法，所述方法包括電子移動(dòng)穿過 非易失性存儲(chǔ)裝置的電荷捕獲層之間的襯墊氧化物層。
根據(jù)示例實(shí)施例，提供了一種非易失性存儲(chǔ)裝置，所述裝置包括電荷捕獲層，形成(或設(shè)置)在半導(dǎo)體基底上并存儲(chǔ)電子；襯墊氧化物層，形成(或 設(shè)置)在第一電荷捕獲層上；第二電荷捕獲層，形成(或設(shè)置)在襯墊氧化物層 上并存儲(chǔ)電子。在寫入數(shù)據(jù)的編程模式下，電子可以穿過襯墊氧化物層在第 一電荷捕獲層的第 一邊緣和第二電荷捕獲層的第 一邊緣之間移動(dòng)，和/或電子 可以穿過襯墊氧化物層在第 一 電荷捕獲層的第二邊緣和第二電荷捕獲層的第 二邊緣之間移動(dòng)。電子可以在第一電荷捕獲層的第一邊緣和第二電荷捕獲層 的第 一邊緣之間以及第 一 電荷捕獲層的第二邊緣和第二電荷捕獲層的第二邊 緣之間單獨(dú)地移動(dòng)。
第一電荷捕獲層的第一邊緣和第二電荷捕獲層的第一邊緣可以與第一半 導(dǎo)體基底位置對應(yīng)。所述裝置可以包括形成在第一半導(dǎo)體基底位置中的第一 摻雜區(qū)。
第 一 電荷捕獲層的第二邊緣和第二電荷捕獲層的第二邊緣可以與第二半 導(dǎo)體基底位置對應(yīng)。所述裝置可以包括形成在第二半導(dǎo)體基底位置中的第二 摻雜區(qū)。
可以將小于控制柵極電壓的第一電壓施加到第一摻雜區(qū)，以將電子從第 一電荷捕獲層的第一邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第一邊緣?？梢詫⒌谝浑?壓施加到第二摻雜區(qū)，以將電子從第 一電荷捕獲層的第二邊緣移動(dòng)到第二電 荷捕獲層的第二邊緣?？梢詫⒌谝浑妷菏┘拥脚c半導(dǎo)體基底的中心對應(yīng)的第 三半導(dǎo)體基底位置，以將電子從第 一電荷捕獲層的第 一邊緣移動(dòng)到第二電荷 捕獲層的第 一邊緣以及將電子從第 一 電荷捕獲層的第二邊緣移動(dòng)到第二電荷 捕獲層的第二邊緣。
第一電壓可以為地電壓。第一半導(dǎo)體基底位置、第二半導(dǎo)體基底位置以 及第三半導(dǎo)體基底位置中沒有施加第一電壓的位置可以被浮置。
在讀取寫入非易失性存儲(chǔ)裝置中的數(shù)據(jù)的讀取模式下，可以通過比較沿
半導(dǎo)體基底的第 一方向流動(dòng)的第 一 電流和沿與第 一方向相反的第二方向流動(dòng) 的第二電流來檢測數(shù)據(jù)值。


通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述將更清楚地理解示例實(shí)施例。圖1至圖7D 示出這里描述的非限制示例實(shí)施例。
圖1是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置的剖視圖的示圖； 圖2A至圖2D是示出了圖1中示出的非易失性存儲(chǔ)裝置的編程和讀取操
作的剖視圖的示圖3是示出了參照圖2A至圖2D描述的編程和讀取操作的結(jié)果的表； 圖4A和圖4B是在圖1中示出的非易失性存儲(chǔ)裝置的編程操作中移動(dòng)的
電子的能帶圖5A和圖5B是示出了將電子注入到圖l示出的非易失性存儲(chǔ)裝置的第
一電荷捕獲層和第二電荷捕獲層的方法的剖視圖的示圖6是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置的剖視圖的示圖； 圖7A至圖7D是在圖6中示出的非易失性存儲(chǔ)裝置的編程操作中移動(dòng)的
電子的能帶圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參照示出了一些示例實(shí)施例的附圖來更充分地描述各種示例實(shí) 施例。在附圖中，為了清晰起見，可以夸大層和區(qū)域的厚度。
這里公開了詳細(xì)示出的實(shí)施例。然而，這里公開的具體結(jié)構(gòu)和功能性細(xì) 節(jié)僅出于描述示例實(shí)施例的目的。然而，本發(fā)明可以以許多可選擇的形成來 實(shí)施，并不應(yīng)該被解釋為僅限于這里闡述的示例實(shí)施例。
因此，雖然示例實(shí)施例可以具有各種修改和可選擇的形式，但是其實(shí)施 例以附圖中的示例的方式示出，并將在這里詳細(xì)描述。然而，應(yīng)該理解的是， 不意在將示例實(shí)施例限制為公開的具體形式，而是相反，示例實(shí)施例意在覆 蓋所有落入本發(fā)明范圍內(nèi)的修改、等同物和替換物。在對附圖的整個(gè)描述中， 相同的標(biāo)號表示相同的元件。
應(yīng)該理解的是，雖然術(shù)語第一、第二等可以在這里用來描述各種元件， 但是這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件與另一 元件區(qū)分開。例如，在不脫離示例實(shí)施例的范圍的情況下，第一元件可以被 稱為第二元件，類似地，第二元件可以被稱為第一元件。如這里所使用的， 術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意和所有組合。
應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件被稱為"連接"或"結(jié)合"到另一元件時(shí)，該元 件可以直接連接或直接結(jié)合到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng) 元件被稱為"直接連接"或"直接結(jié)合"到另一元件時(shí)，不存在中間元件。
用于描述元件之間的關(guān)系的其它詞語(例如，"在......之間"與"直接在……
之間"，"與……相鄰"與"與……直接相鄰"等)應(yīng)該按相同的方式來解釋。
這里使用的術(shù)語只是出于描述具體實(shí)施例的目的，而不意在限制示例實(shí) 施例。除非上下文另外清楚地指出，否則這里所使用的單數(shù)形式也意在包括 復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)術(shù)語"包括"和/或"包含"在這里使用時(shí)， 表明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添 加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
應(yīng)該理解的是，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可以在這里用來描述不同 的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部 分不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層 或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例實(shí) 施例的范圍的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被 稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
為了方便描述，在這里可以使用空間相對術(shù)語(例如，"在……下" "在……下方"、"下面的"、"在……上方"、"上面的"等)來描述如附圖中示 出的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征之間的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相 對術(shù)語意在包括除附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方 位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為"在"其它元件或特征"下 方"或"下"的元件將隨后被定位為"在"其它元件或特征"上方"。因此， 例如，術(shù)語"在……下方，，可以包括"在……上方"和"在……下方"兩個(gè) 方位。可將裝置另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位觀察或作參考)，并相應(yīng) 地解釋這里使用的空間相對描述符。
在這里參照作為理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述示例 實(shí)施例。由此，可預(yù)料到的是由例如制造技術(shù)和/或公差造成的示圖的形狀的 變化。因此，示例實(shí)施例不應(yīng)該被理解為限于這里示出的區(qū)域的特定形狀， 而是可包括例如由制造引起的形狀上的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)可 在其邊緣處具有倒圓的或者彎曲的特征和/或具有梯度(例如，注入濃度的梯 度)，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的突然變化。同樣，由注入形成的埋區(qū)會(huì)導(dǎo) 致在埋區(qū)和通過其可發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖 中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀沒有必要示出裝置的區(qū)域的真 實(shí)形狀，并不限制示例實(shí)施例的范圍。
還應(yīng)注意的是，在一些可選擇的實(shí)施方式中，提到的功能/動(dòng)作可以不按 附圖中標(biāo)注的順序發(fā)生。例如，根據(jù)有關(guān)的功能/動(dòng)作，連續(xù)示出的兩幅圖實(shí)
為了更具體地描述示例實(shí)施例，將參照附圖來詳細(xì)描述各個(gè)方面。然而， 本發(fā)明不限于描述的示例實(shí)施例。
示例實(shí)施例涉及非易失性存儲(chǔ)裝置及其編程方法。其它的示例實(shí)施例涉 及電子在電荷捕獲層之間移動(dòng)并穿過襯墊氧化物層的非易失性存儲(chǔ)裝置。示 例實(shí)施例還涉及非易失性存儲(chǔ)裝置的編程方法，所述方法包括電子穿過襯墊 氧化物層在非易失性存儲(chǔ)裝置的電荷捕獲層之間移動(dòng)。
為了方便描述，分別將第一邊緣和第二邊緣假定為左邊緣和右邊緣。然 而，示例實(shí)施例不限于此。
圖1是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置100的剖視圖的示圖。
參照圖1，非易失性存儲(chǔ)裝置100包括半導(dǎo)體基底110、第一電荷捕獲層 150、襯墊氧化物層160和第二電荷捕獲層170。第一電荷捕獲層150、襯墊 氧化物層160和第二電荷捕獲層170可以順序形成在半導(dǎo)體基底110上。襯 墊氧化物層160可以形成在第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170之間。
在非易失性存儲(chǔ)裝置100中，可以電子穿過襯墊氧化物層160在第一電 荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170之間移動(dòng)，或者電子不移動(dòng)。
在編程模式下，非易失性存儲(chǔ)裝置IOO可以單獨(dú)地使電子在第一電荷捕 獲層150的第一邊緣150a和第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a之間以及 第一電荷捕獲層150的第二邊緣150b和第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b 之間移動(dòng)或使電子不移動(dòng)。電子可以穿過襯墊氧化物層160在第一電荷捕獲 層150的第一邊緣150a和第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a之間移動(dòng)。 電子可以在第一電荷捕獲層150的第二邊緣150b和第二電荷捕獲層170的第 二邊緣170b之間移動(dòng)。
根據(jù)示例實(shí)施例，電子可以在第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a和第 二電荷捕獲層170的第一邊緣170a之間以及第一電荷捕獲層150的第二邊緣 150b和第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b之間移動(dòng)。根據(jù)其它的示例實(shí) 施例，在第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a和第二電荷捕獲層170的第一 邊緣170a之間以及第一電荷捕獲層150的第二邊緣150b和第二電荷捕獲層 170的第二邊緣170b之間電子可以不移動(dòng)。
通過在第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a和第二電荷捕獲層170的第 一邊緣170a之間以及第一電荷捕獲層150的第二邊緣150b和第二電荷捕獲 層170的第二邊緣170b之間單獨(dú)地移動(dòng)電子，可以單獨(dú)地控制第一邊緣和第 二邊緣的閾值電壓。如果在第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a和第二電荷 捕獲層170的第 一邊緣170a之間電子不移動(dòng)，則因?yàn)殡娮哟嬖谟诘?一 電荷捕 獲層150的第一邊緣150a和第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a中，所以 裝置100的第一邊緣的閾值電壓增加。
如果將第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a中的電子移動(dòng)到第二電荷捕 獲層170的第一邊緣170a，則因?yàn)殡娮硬淮嬖谟诘谝浑姾刹东@層150的第一 邊緣150a中并且電子存在于第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a中，所以 裝置100的第一邊緣的閾值電壓降低。可以將第二邊緣的閾值電壓選擇性地 控制為基本高或基本低。
將參照圖2A至圖2D來描述圖1中示出的非易失性存儲(chǔ)裝置100的編程 操作。
圖2A至圖2D是示出了圖1的非易失性存儲(chǔ)裝置100的編程和讀取操作 的剖視圖的示圖。
圖2A是示出了非易失性存儲(chǔ)裝置IOO的剖視圖的示圖，其中，在第一 邊緣150a和170a之間以及第二邊緣150b和170b之間不移動(dòng)電子。
參照圖2A,因?yàn)殡娮釉诘谝浑姾刹东@層150的第一邊緣150a和第二電 荷捕獲層170的第一邊緣170a中，所以裝置100的第一邊緣的閾值電壓可以 為基本高。因?yàn)殡娮釉诘谝浑姾刹东@層150的第二邊緣150b和第二電荷捕獲 層170的第二邊緣170b中，所以裝置100的第二邊緣的閾值電壓可以為基本 高。在圖2A中，裝置IOO的第一邊緣和第二邊緣的閾值電壓可以為基本高。
圖2B是示出了非易失性存儲(chǔ)裝置IOO的剖視圖的示圖，其中，在第一 邊緣150a和170a之間以及第二邊緣150b和170b之間移動(dòng)電子。
參照圖2B，電子不在第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a和第二邊緣 150b中，然而電子在第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a和第二邊緣170b 中。在圖2B中，裝置100的第一邊緣和第二邊緣的闊值電壓可以為基本低。
圖2C是示出了非易失性存儲(chǔ)裝置100的剖視圖的示圖，其中，電子從 第一電荷捕獲層150的第二邊緣150b移動(dòng)到第二電荷捕獲層170的第二邊緣 170b,并且在第一邊緣150a和170a之間不移動(dòng)電子。
參照圖2C，因?yàn)殡娮釉诘谝浑姾刹东@層150的第一邊緣150a和第二電 荷捕獲層170的第一邊緣170a中，所以裝置100的第一邊緣的閾值電壓可以 為基本高。因?yàn)殡娮硬辉诘谝浑姾刹东@層150的第二邊緣150b中，而電子在 第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b中，所以裝置100的第二邊緣的閾值電 壓可以為基本低。
圖2D是示出了非易失性存儲(chǔ)裝置100的剖視圖的示圖，其中，電子從 第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a移動(dòng)到第二電荷捕獲層170的第一邊緣 170a,并且在第二邊緣150b和170b之間不移動(dòng)電子。
參照圖2D,因?yàn)殡娮硬辉诘谝浑姾刹东@層150的第一邊緣150a中，而 電子在第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a中，所以裝置IOO的第一邊緣的 閾值電壓可以為基本低。因?yàn)殡娮釉诘谝浑姾刹东@層150的第二邊緣150b和 第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b中，所以裝置100的第二邊緣的閾值電 壓可以為基本高。
在圖1的非易失性存儲(chǔ)裝置100中，可以單獨(dú)地在第一邊緣和第二邊緣 之間移動(dòng)電子。這樣，可以單獨(dú)地控制第一邊緣和第二邊緣的閾值電壓。
因?yàn)榈?一邊緣和第二邊緣的閾值電壓中的每個(gè)可以為高或低，所以第一 邊緣和第二邊緣的閾值電壓存在四個(gè)邏輯組合。這樣，非易失性存儲(chǔ)裝置100 可以使用所述四個(gè)邏輯組合來存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)。
圖3是示出了參照圖2A至圖2D描述的編程和讀取操作的結(jié)果的表。
在圖3中，圖2A至圖2D中的四個(gè)邏輯組合可以分別與數(shù)據(jù)(O, O)(O, l)(l， O)和(l, l)對應(yīng)。
為了單獨(dú)地在第 一邊緣之間和第二邊緣之間移動(dòng)電子，非易失性存儲(chǔ)裝 置100可以將低于控制柵極電壓的第一電壓施加到半導(dǎo)體基底110的預(yù)定位
置?？刂茤艠O電壓可以具有正值。第一電壓可以為地電壓?？刂茤艠O電壓和 第一電壓可以具有不同的電壓電平。
如果將低于控制柵極電壓的第一電壓施加到半導(dǎo)體基底110，則可以在
分別施加第 一電壓和控制^t極電壓的位置之間產(chǎn)生電勢差。施加第 一電壓的
位置中的電子可以從半導(dǎo)體基底110的下部移動(dòng)到半導(dǎo)體基底110的上部。
可以將第一電壓施加到半導(dǎo)體基底110的第一半導(dǎo)體基底位置(例如，左 部分)、半導(dǎo)體基底110的第二半導(dǎo)體基底位置(例如，右部分)或半導(dǎo)體基底 110的第三半導(dǎo)體基底位置(例如，中心部分)。
第 一半導(dǎo)體基底位置可以與第 一電荷捕獲層150的第 一邊緣150a和第二 電荷捕獲層170的第一邊緣170a對應(yīng)。第二半導(dǎo)體基底位置可以與第一電荷 捕獲層150的第二邊緣150b和第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b對應(yīng)。 第三半導(dǎo)體基底位置可以與半導(dǎo)體基底IIO的中心對應(yīng)。
可以將第一電壓施加到第一半導(dǎo)體基底位置、第二半導(dǎo)體基底位置和第
三半導(dǎo)體基底位置中的一個(gè)。
第一半導(dǎo)體基底位置可以為第一摻雜區(qū)121。第二半導(dǎo)體基底位置可以 為第二摻雜區(qū)131。
參照圖1至圖2D,第一摻雜區(qū)121可以形成在半導(dǎo)體基底110的與第一 電荷捕獲層150的第一邊緣150a和第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a對 應(yīng)的側(cè)部。第二摻雜區(qū)域131可以形成在半導(dǎo)體基底110的與第一電荷捕獲 層150的第二邊緣150b和第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b對應(yīng)的側(cè)部。 第三半導(dǎo)體基底位置可以為半導(dǎo)體基底110的下端的中部。
第一半導(dǎo)體基底位置和第二半導(dǎo)體基底位置可以不是摻雜區(qū)121和131。 第一半導(dǎo)體基底位置和第二半導(dǎo)體基底位置可以為半導(dǎo)體基底110的第一邊 緣和第二邊緣的一部分的預(yù)定位置。為了方便描述，將第一半導(dǎo)體基底位置 和第二半導(dǎo)體基底位置假定為第一摻雜區(qū)121和第二摻雜區(qū)131。將第一電 壓假定為地電壓。
參照圖2A至圖2D,通過將第一電壓施加到半導(dǎo)體基底110的預(yù)定位置， 可以單獨(dú)地在基底110的第一邊緣之間以及第二邊緣之間移動(dòng)電子。
圖2A示出了非易失性存儲(chǔ)裝置100,其中，沒有將第一電壓施加到半導(dǎo) 體基底IIO。在圖2A中，第一電荷捕獲層150中的電子沒有移動(dòng)到第二電荷 捕獲層170。
圖2B示出了非易失性存儲(chǔ)裝置100，其中，將第一電壓(地電壓)施加到 第三半導(dǎo)體基底位置。在圖2B中，因?yàn)榈谌雽?dǎo)體基底位置是半導(dǎo)體基底 110的中心，所以由于控制柵極電壓和施加到半導(dǎo)體基底110的中心的第一電 壓(地電壓)之間的電勢差使得第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a和第二邊 緣150b中的電子移動(dòng)到第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a和第二邊緣 170b。
圖2C示出了非易失性存儲(chǔ)裝置100,其中，將第一電壓(地電壓)施加到 第二摻雜區(qū)131。在圖2C中，第一電荷捕獲層150的第二邊緣150b中的電
子移動(dòng)到第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b。第一電荷捕獲層150的第一 邊緣150a中的電子沒有移動(dòng)到第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a。
圖2D示出了非易失性存儲(chǔ)裝置100,其中，將第一電壓(地電壓)施加到 第一摻雜區(qū)121。在圖2D中，第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a中的電 子移動(dòng)到第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a。第一電荷捕獲層150的第二 邊緣150b中的電子沒有移動(dòng)到第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b。
非易失性存儲(chǔ)裝置IOO可以浮置沒有施加第一電壓的位置。例如，在圖 2D中，如果將第一電壓施加到第一摻雜區(qū)121,則可以浮置第二摻雜區(qū)131 和半導(dǎo)體基底no的下端的中部。
第一摻雜區(qū)121可以包括第一高摻雜區(qū)120a和第一低摻雜區(qū)130a。第 二摻雜區(qū)131可以包括第二高摻雜區(qū)120b和第二低摻雜區(qū)130b?？梢詫⒌?一電壓施加到第一低摻雜區(qū)130a和第二低摻雜區(qū)130b。
在非易失性存儲(chǔ)裝置100中，電子可以隧穿通過襯墊氧化物層160,以 在第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170之間移動(dòng)。
圖4A和圖4B是根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置的能帶圖，在參照 圖2A至圖2D描述的編程操作中移動(dòng)非易失性存儲(chǔ)裝置中的電子。
參照圖4A，如果控制柵極電壓Vg保持在OV并且沒有施加第一電壓Vp 則電子留在第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170中。
參照圖4B,如果施加控制柵極電壓Vg并且第一電壓V!保持在0V，則 在第一電荷捕獲層150中的電子隧穿通過襯墊氧化物層160。這樣，可以將 第一電荷捕獲層150中的電子移動(dòng)到第二電荷捕獲層170。
在圖1中示出的非易失性存儲(chǔ)裝置中，電子可以穿過襯墊氧化物層160 在第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170移動(dòng)。非易失性存儲(chǔ)裝置利用 通過襯墊氧化物層160執(zhí)行的電荷躍遷來執(zhí)行編程操作。如果利用熱電子注 入或熱空穴注入來執(zhí)行編程操作，則半導(dǎo)體基底110和第一電荷捕獲層150 之間的隧穿氧化物層140迅速劣化，并且非易失性存儲(chǔ)裝置的功耗增加。
非易失性存儲(chǔ)裝置可以使用電荷躍遷通過襯墊氧化物層160來執(zhí)行編程 操作。這樣，可以減小(或防止)隧穿氧化物層140的劣化，并且非易失性存儲(chǔ) 裝置的功耗可以降低。
在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底110是p型半導(dǎo)體基底。第一摻雜區(qū)121 和第二摻雜區(qū)131摻雜有n型半導(dǎo)體。然而，示例實(shí)施例不限于此。本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，半導(dǎo)體基底110以及第一摻雜區(qū)121和第二摻
雜區(qū)131可以具有各種導(dǎo)電類型。
圖1中示出的非易失性存儲(chǔ)裝置可以包括阻擋氧化物層180和分隔件 190a和l卯b。
下文中，將參照圖2A至2D以及圖3來描述根據(jù)示例實(shí)施例的圖1的非 易失性存儲(chǔ)裝置的讀取操作。
為了方便描述，從第一邊緣至第二邊緣的方向被稱為第一方向，從第二 邊緣至第一邊緣的方向被稱為第二方向。然而，第一方向和第二方向不限于 此。例如，第一方向和第二方向可以顛倒。
在編程的數(shù)據(jù)被讀取的讀取模式下，在半導(dǎo)體基底110中，第一電流Il 沿第一方向流動(dòng)，第二電流I2沿第二方向流動(dòng)。第二方向可以與第一方向相 反。基于第一電流Il和第二電流I2的電平，可以檢測編程的數(shù)據(jù)值。
參照圖2A,如果第一邊緣和第二邊緣的閾值電壓為基本高，則沿第一方 向流動(dòng)的第 一 電流11和沿第二方向流動(dòng)的第二電流12為基本低。
參照圖2B，如果第一邊緣和第二邊緣的閾值電壓為基本低，則沿第一方 向流動(dòng)的第一電流Il和沿第二方向流動(dòng)的第二電流I2為基本高。
參照圖2C，如果第一邊緣的閾值電壓為基本高，第二邊緣的閾值電壓為 基本低，則沿第一方向流動(dòng)的第一電流Il為基本低，沿第二方向流動(dòng)的第二 電流12為基本高。
參照圖2D,如果第一邊緣的閾值電壓為基本低，第二邊緣的閾值電壓為 基本高，則沿第一方向流動(dòng)的第一電流Il為基本高，沿第二方向流動(dòng)的第二 電流I2為基本1氐。
圖3的表示出了根據(jù)第 一 邊緣和第二邊緣的閾值電壓的第 一 電流11和第 二電流I2。
圖5A和圖5B是示出了將電子注入到圖1中示出的非易失性存儲(chǔ)裝置的 第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170的方法的剖視圖的示圖。
為了注入電子，非易失性存儲(chǔ)裝置IOO利用隧穿氧化物層140。隧穿氧 化物層140可以形成在半導(dǎo)體基底110上并在第一電荷捕獲層150下。
在編程模式之前的初始模式下，非易失性存儲(chǔ)裝置IOO通過隧穿氧化物 層140將電子從半導(dǎo)體基底110注入到第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲 層170。非易失性存儲(chǔ)裝置IOO可以使用溝道熱電子注入(CHEI)來注入電子。
非易失性存儲(chǔ)裝置100可以將電子從半導(dǎo)體基底110注入到第一電荷捕
獲層150的第二邊緣150b和第二電荷捕獲層170的第二邊緣170b。然后來 自半導(dǎo)體基底110的電子可以被注入到第一電荷捕獲層150的第一邊緣150a 和第二電荷捕獲層170的第一邊緣170a。
圖5A示出了非易失性存儲(chǔ)裝置100，其中，電子被注入到第二邊緣。圖 5B示出了非易失性存儲(chǔ)裝置100,其中，在電子被注入到第二邊緣之后，向 第一邊緣注入電子。然而，示例實(shí)施例不限于此?？梢允紫葘㈦娮幼⑷氲谝?邊緣，然后將電子注入到第二邊緣。
圖5B中所有電子被注入的狀態(tài)與圖2A中示出的狀態(tài)相同。通過在編程 模式之前的初始模式下將電子注入到第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層 170,然后通過在第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170之間移動(dòng)注入的 電子，非易失性存儲(chǔ)裝置IOO可以執(zhí)行編程操作。
非易失性存儲(chǔ)裝置100可以施加正的控制柵極電壓以執(zhí)行編程操作。非 易失性存儲(chǔ)裝置100可以施加負(fù)的控制柵極電壓以執(zhí)行擦除操作。如果控制 柵極電壓為負(fù)，則可以將第二電荷捕獲層170中的電子移動(dòng)到第一電荷捕獲 層150。這樣，非易失性存儲(chǔ)裝置IOO返回圖2A和圖5B中示出的編程操作 之前的狀態(tài)。
圖6是示出了根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置600的剖視圖的示圖。 非易失性存儲(chǔ)裝置100包括第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170
以及形成在第一電荷捕獲層150和第二電荷捕獲層170之間的襯墊氧化物層
160。
參照圖6，根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置600包括第一電荷捕獲 層650、第二電荷捕獲層652、第三電荷捕獲層654和第四電荷捕獲層656。 非易失性存儲(chǔ)裝置600包括分別形成在第一電荷捕獲層650、第二電荷捕獲 層652、第三電荷捕獲層654和第四電荷捕獲層656中相鄰的層之間的第一 襯墊氧化物層660、第二襯塾氧化物層662和第三襯墊氧化物層664。
在圖6的非易失性存儲(chǔ)裝置600中，電子移動(dòng)穿過上面的襯墊氧化物層 (例如，第三襯墊氧化物層664)的可能性低于電子移動(dòng)穿過下面的村墊氧化物 層(例如，第二襯墊氧化物層662)的可能性。在這種情況下，為了使電子移動(dòng) 穿過下面的襯墊氧化物層，施加相對低的控制柵極電壓。此外，為了使電子 移動(dòng)穿過上面的襯墊氧化物層，施加相對高的控制柵極電壓?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)
控制柵極電壓來單獨(dú)地控制使電子移動(dòng)穿過上面的襯墊氧化物層和下面的襯 墊氧化物層。
為了降低電子移動(dòng)穿過上面的襯墊氧化物層的可能性，上面的襯墊氧化 物層的厚度可以大于下面的襯墊氧化物層的厚度。例如，第三襯墊氧化物層
664的厚度可以大于第二襯墊氧化物層662的厚度，第二襯墊氧化物層662 的厚度可以大于第一襯墊氧化物層660的厚度。
此外，上面的襯墊氧化物層的介電常數(shù)可以小于下面的襯墊氧化物層的 介電常數(shù)。例如，第三襯墊氧化物層664的介電常數(shù)可以小于第二襯墊氧化 物層662的介電常數(shù)，第二襯墊氧化物層662的介電常數(shù)可以小于第一襯墊 氧化物660的介電常數(shù)。
非易失性存儲(chǔ)裝置600可以具有第一邊緣的四個(gè)閾值電壓和第二邊緣的 四個(gè)閾值電壓。這樣，非易失性存儲(chǔ)裝置600可以存儲(chǔ)16位數(shù)據(jù)。
因?yàn)榕c在非易失性存儲(chǔ)裝置100中的電子的移動(dòng)類似，在非易失性存儲(chǔ) 裝置600中，電子穿過第一襯墊氧化物層660、第二襯墊氧化物層662和第 三襯墊氧化物層664在第一電荷捕獲層650、第二電荷捕獲層652、第三電荷 捕獲層654和第四電荷捕獲層656中相鄰的層之間移動(dòng)，所以，為了簡明起 見，將不進(jìn)行重復(fù)描述。
圖7A至圖7D是示出了在圖6中示出的非易失性存儲(chǔ)裝置600的編程操 作中移動(dòng)的電子的能帶圖。
參照圖7A，如果控制^lf極電壓Vg維持在OV,并且沒有施加第一電壓 V,，則電子留在第一電荷捕獲層650、第二電荷捕獲層652、第三電荷捕獲層 654和第四電荷捕獲層656中。
參照圖7B,如果施加控制柵極電壓Vg和第一電壓V,,則在第一電荷捕 獲層650中的電子隧穿通過第一襯墊氧化物層660。這樣，可以將在第一電 荷捕獲層650中的電子移動(dòng)到第二電荷捕獲層652中。
參照圖7C,如果增加控制柵極電壓Vg,則在第二電荷捕獲層652中的 電子通過第二襯墊氧化物層662隧穿到第三電荷捕獲層654。
參照圖7D，如果進(jìn)一步增加控制柵極電壓Vg,則在第三電荷捕獲層654 中的電子通過第三襯墊氧化物層664隧穿到第四電荷捕獲層656。
在根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置中的電荷捕獲層的數(shù)量不限于兩 個(gè)或四個(gè)。非易失性存儲(chǔ)裝置可以包括n(其中，n是自然數(shù))個(gè)電荷捕獲層和
n-l個(gè)襯墊氧化物層。非易失性存儲(chǔ)裝置可以使電子穿過第i襯墊氧化物層(其 中，i是自然數(shù)并滿足式gn-l)在第i電荷捕獲層的第一邊緣(或第二邊緣)和 第i+l電荷捕獲層的第一邊緣(或第二邊緣)之間移動(dòng)。這樣，可以在相鄰的電 荷捕獲層的第 一邊緣之間和第二邊緣之間單獨(dú)地移動(dòng)電子。
根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置可以具有第一邊緣的n個(gè)闊值電壓 和第二邊緣的n個(gè)閾值電壓。非易失性存儲(chǔ)裝置可以存儲(chǔ)2'M立數(shù)據(jù)。
如上所述，在根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置及其編程方法中，由 通過襯墊氧化物層的電荷躍遷來執(zhí)行編程。這樣，可以降低(或防止)隧穿氧化 物層的劣化，并可以降低非易失性存儲(chǔ)裝置的功耗。
前述是示例實(shí)施例的舉例說明，并不解釋為對示例實(shí)施例進(jìn)行限制。雖 然已經(jīng)描述了一些示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)容易地理解，在本 質(zhì)上不脫離新穎的教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，能夠在示例實(shí)施例中做出許多修改。 因此，意圖將所有這樣的修改包括在本發(fā)明的如權(quán)利要求中限定的范圍之內(nèi)。 在權(quán)利要求中，功能性限定意在覆蓋這里被描述為執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，并 且不僅覆蓋結(jié)構(gòu)的等同物而且覆蓋等同的結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)該理解的是，前述 是各種示例實(shí)施例的舉例說明，并不覆蓋被解釋為局限于公開的具體實(shí)施例， 并且對公開的實(shí)施例的修改以及其它實(shí)施例意圖被包括在權(quán)利要求的范圍之 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種非易失性存儲(chǔ)裝置，包括第一電荷捕獲層，在半導(dǎo)體基底上，其中，第一電荷捕獲層存儲(chǔ)電子；襯墊氧化物層，在第一電荷捕獲層上；第二電荷捕獲層，在襯墊氧化物層上，其中，第二電荷捕獲層存儲(chǔ)電子，其中，在寫入數(shù)據(jù)的編程模式下，存儲(chǔ)的電子穿過襯墊氧化物層在第一電荷捕獲層的第一位置和第二電荷捕獲層的第一位置之間移動(dòng)或不移動(dòng)，或者存儲(chǔ)的電子穿過襯墊氧化物層在第一電荷捕獲層的第二位置和第二電荷捕獲層的第二位置之間移動(dòng)或不移動(dòng)。
2、 如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，第一電荷捕獲層的第一位置是第一 電荷捕獲層的第一邊緣，第一電荷捕獲層的第二位置是第一電荷捕獲層的第 二邊緣，第二電荷捕獲層的第一位置是第二電荷捕獲層的第一邊緣，第二電 荷捕獲層的第二位置是第二電荷捕獲層的第二邊緣。
3、 如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，根據(jù)數(shù)據(jù)值，電子在第 一 電荷捕獲層和第二電荷捕獲層之間不移動(dòng)，電子從第 一 電荷捕獲層的第 一邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第 一邊緣，電子從第 一 電荷捕獲層的第二邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第二邊緣，或者電子單獨(dú)地從第一電荷捕獲層的第一邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第一邊緣以及從第一電荷捕獲層的第二邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第二邊緣。
4、 如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，第一電荷捕獲層的第一邊緣和第二 電荷捕獲層的第 一邊緣與第 一半導(dǎo)體基底位置對應(yīng)，第 一電荷捕獲層的第二 邊緣和第二電荷捕獲層的第二邊緣與第二半導(dǎo)體基底位置對應(yīng)，半導(dǎo)體基底 的中心與第三半導(dǎo)體基底位置對應(yīng)。
5、 如權(quán)利要求4所述的裝置，其中，根據(jù)數(shù)據(jù)值，將第一電壓施加到第一半導(dǎo)體基底位置、第二半導(dǎo)體基底位置和第三半導(dǎo)體基底位置中的 一個(gè)， 第一電壓小于控制柵極電壓。
6、 如權(quán)利要求5所述的裝置，其中，控制柵極電壓為正，第一電壓為地 電壓，第一半導(dǎo)體基底位置、第二半導(dǎo)體基底位置和第三半導(dǎo)體基底位置中 的沒有施加第 一 電壓的位置被浮置。
7、 如權(quán)利要求4所述的裝置，還包括第一摻雜區(qū)，在第一半導(dǎo)體基底位置中，其中，將小于控制柵極電壓的 第 一電壓施加到第 一摻雜區(qū)，以將電子從第 一 電荷捕獲層的第 一邊緣移動(dòng)到 第二電荷捕獲層的第一邊緣；第二摻雜區(qū)，在第二半導(dǎo)體基底位置中，其中，將第一電壓施加到第二 摻雜區(qū)，以將電子從第 一 電荷捕獲層的第二邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第 二邊緣，其中，將第一電壓施加到第三半導(dǎo)體基底位置，以將電子從第一電荷捕 獲層的第 一 邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第 一邊緣以及將電子從第 一 電荷捕 獲層的第二邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第二邊緣。
8、 如權(quán)利要求7所述的裝置，其中，第一電壓為地電壓，第一半導(dǎo)體基 底位置、第二半導(dǎo)體基底位置和第三半導(dǎo)體基底位置中的沒有施加第 一 電壓 的位置被浮置。
9、 如權(quán)利要求8所述的裝置，其中，第一摻雜區(qū)包括第一高摻雜區(qū)和第 一低摻雜區(qū)；第二摻雜區(qū)包括第二高摻雜區(qū)和第二低摻雜區(qū)，其中，將第一電壓施加到第一低摻雜區(qū)和第二低摻雜區(qū)，或者第一低摻 雜區(qū)和第二低摻雜區(qū)被浮置。
10、 如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，電子隧穿通過襯墊氧化物層，以 在第 一 電荷捕獲層和第二電荷捕獲層之間移動(dòng)電子。
11、 如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，在讀取寫入所述裝置中的數(shù)據(jù)的 讀取模式下，根據(jù)沿半導(dǎo)體基底的第一方向流動(dòng)的第 一電流和沿與第一方向 相反的第二方向流動(dòng)的第二電流的比較來檢測數(shù)據(jù)值。
12、 如權(quán)利要求2所述的裝置，還包括在半導(dǎo)體基底上和第一電荷捕獲 層下的隧穿氧化物層，其中，在編程模式之前的初始模式下，從半導(dǎo)體基底 穿過隧穿氧化物層將電子注入到第一電荷捕獲層和第二電荷捕獲層。
13、 如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，利用溝道熱電子注入將電子從半 導(dǎo)體基底注入到第 一 電荷捕獲層和第二電荷捕獲層。
14、 如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，在將電子從半導(dǎo)體基底注入到第 一電荷捕獲層的第二邊緣和第二電荷捕獲層的第二邊緣之后，電子從半導(dǎo)體 基底被注入到第一電荷捕獲層的第一邊緣和第二電荷捕獲層的第一邊緣。
15、 如權(quán)利要求2所述的裝置，還包括 多個(gè)電荷捕獲層，順序置于半導(dǎo)體基底上，其中，所述多個(gè)電荷捕獲層為n個(gè)，n為自然數(shù)；多個(gè)襯墊氧化物層，分別在所述多個(gè)電荷捕獲層中相鄰的層之間，所述 多個(gè)襯墊氧化物層為n-l個(gè)，其中，在寫入數(shù)據(jù)的編程模式下，電子穿過第i襯墊氧化物層在第i電荷 捕獲層的第一邊緣和第i+l電荷捕獲層的第一邊緣之間移動(dòng)或不移動(dòng)，i為自 然數(shù)且滿足式gn-l,或者電子穿過第i襯墊氧化物層在第i電荷捕獲層的第 二邊緣和第i+l電荷捕獲層的第二邊緣之間移動(dòng)或不移動(dòng)。
16、 如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，位于上面的襯墊氧化物層的厚度 厚于位于下面的襯墊氧化物層的厚度。
17、 如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，位于上面的襯墊氧化物層的介電 常數(shù)小于位于下面的襯墊氧化物層的介電常數(shù)。
18、 一種在形成在半導(dǎo)體基底上的第一電荷捕獲層和第二電荷捕獲層之 間具有襯墊氧化物層的非易失性存儲(chǔ)裝置的編程方法，所述方法包括的步驟 如下在初始模式下，將電子從半導(dǎo)體基底注入到第一電荷捕獲層的第一邊緣 和第二邊緣以及第二電荷捕獲層的第 一邊緣和第二邊緣；編程，其中，在編程模式下，根據(jù)數(shù)據(jù)值，使電子或不使電子穿過襯墊 氧化物層從第 一 電荷捕獲層的第 一 邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第 一 邊緣， 或者使電子或不使電子穿過襯墊氧化物層從第一電荷捕獲層的第二邊緣移動(dòng) 到第二電荷捕獲層的第二邊緣。
19、 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，在編程的步驟中，根據(jù)數(shù)據(jù)值， 電子在第 一 電荷捕獲層和第二電荷捕獲層之間不移動(dòng)， 電子從第一電荷捕獲層的第一邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第一邊緣， 電子從第 一 電荷捕獲層的第二邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第二邊緣， 或者單獨(dú)地使電子從第一電荷捕獲層的第一邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第 一 邊緣以及從第 一 電荷捕獲層的第二邊緣移動(dòng)到第二電荷捕獲層的第二 邊緣。
20、 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，第一電荷捕獲層的第一邊緣和第 二電荷捕獲層的第 一邊緣與第 一半導(dǎo)體基底位置對應(yīng)，第 一電荷捕獲層的第 二邊緣和第二電荷捕獲層的第二邊緣與第二半導(dǎo)體基底位置對應(yīng)，半導(dǎo)體基 底的中心與第三半導(dǎo)體基底位置對應(yīng)。
21、 如權(quán)利要求20所述的方法，其中，根據(jù)數(shù)據(jù)值，編程的步驟包括將 第一電壓施加到第一半導(dǎo)體基底位置、第二半導(dǎo)體基底位置和第三半導(dǎo)體基 底位置中的一個(gè)，其中，第一電壓小于控制柵極電壓。
22、 如權(quán)利要求21所述的方法，還包括將第一半導(dǎo)體基底位置、第二半 導(dǎo)體基底位置和第三半導(dǎo)體基底位置中的沒有施加第一電壓的位置浮置，其 中，控制柵極電壓為正，第一電壓為地電壓。
23、 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，編程的步驟包括將電子隧穿通過 襯墊氧化物層，以使電子在第 一 電荷捕獲層和第二電荷捕獲層之間移動(dòng)。
24、 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，注入的步驟包括利用溝道熱電子 注入將電子從半導(dǎo)體基底注入到第一電荷捕獲層和第二電荷捕獲層。
25、 如權(quán)利要求18所述的方法，還包括在半導(dǎo)體基底上，使第一電流沿第一方向流動(dòng)，并使第二電流沿第二方 向流動(dòng)；基于在半導(dǎo)體基底上沿第 一方向流動(dòng)的第 一 電流和沿與第 一方向相反的 第二方向流動(dòng)的第二電流來纟全測編程的數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種非易失性存儲(chǔ)裝置及其編程方法，其中，電子穿過襯墊氧化物層在電荷捕獲層之間移動(dòng)。非易失性存儲(chǔ)裝置包括在半導(dǎo)體基底上并存儲(chǔ)電子的第一電荷捕獲層、在第一電荷捕獲層上的襯墊氧化物層以及在襯墊氧化物層上并存儲(chǔ)電子的第二電荷捕獲層。在寫入數(shù)據(jù)的編程模式下，存儲(chǔ)的電子穿過襯墊氧化物層在第一電荷捕獲層的第一邊緣和第二電荷捕獲層中的第一邊緣之間移動(dòng)，或者存儲(chǔ)的電子穿過襯墊氧化物層在第一電荷捕獲層的第二邊緣和第二電荷捕獲層中的第二邊緣之間移動(dòng)。
文檔編號G11C16/02GK101359506SQ20081012807
公開日2009年2月4日 申請日期2008年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月31日
發(fā)明者崔相武, 成政憲, 樸祥珍, 申雄澈, 薛光洙 申請人:三星電子株式會(huì)社