專利名稱：記錄介質(zhì)和信息存儲(chǔ)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及記錄介質(zhì)和信息存儲(chǔ)設(shè)備，并且更具體地說(shuō)，涉及把地址信息(ID)分配到每片數(shù)據(jù)和存儲(chǔ)信息的一種記錄介質(zhì)和一種信息存儲(chǔ)設(shè)備。
背景技術(shù)：
在最近幾年，對(duì)于較大容量信息存儲(chǔ)設(shè)備的需求一直在增大，因?yàn)樵谛畔⑻幚韴?chǎng)中的信息量一直在迅速增大。在一種用在信息存儲(chǔ)設(shè)備的記錄介質(zhì)中，如在磁光盤(pán)中，根據(jù)ID記錄信息。由于這種基于ID的記錄方法，更高記錄密度的更大記錄容量要求更多的ID，導(dǎo)致格式化效率低。
在磁光盤(pán)中，由凹坑形成包括ID的首部。通過(guò)注模法使用一塊基板生產(chǎn)盤(pán)基片。在基板上，通過(guò)光處理技術(shù)已經(jīng)形成凹坑。在盤(pán)基片上，形成一個(gè)記錄層和一個(gè)保護(hù)層，以生產(chǎn)磁光盤(pán)。因而，通過(guò)激光束的波長(zhǎng)確定凹坑的尺寸。
在磁光盤(pán)中，標(biāo)記尺寸由MSR(磁感應(yīng)超分辨率)技術(shù)減小到其中預(yù)格式化凹坑尺寸比記錄標(biāo)記尺寸大兩倍或三倍的點(diǎn)。結(jié)果，凹坑的存在阻礙記錄密度的提高。
圖1表示常規(guī)磁光盤(pán)的示范格式。
先有技術(shù)的磁光盤(pán)1以恒定旋轉(zhuǎn)速度轉(zhuǎn)動(dòng)。在磁光盤(pán)1的內(nèi)周緣側(cè)上光束與磁光盤(pán)1之間的相對(duì)速度不同于在磁光盤(pán)1的外周緣側(cè)上的。因此，把磁光盤(pán)1劃分成四個(gè)區(qū)域Z1至Z4。最內(nèi)區(qū)域Z1在四個(gè)區(qū)域Z1至Z4中具有最低的記錄頻率，而最遠(yuǎn)區(qū)域Z4具有最高的記錄頻率。記錄頻率的這種設(shè)置叫作ZCAV(區(qū)域恒定角速度)法，這種方法用來(lái)提高記錄容量。
在磁光盤(pán)1內(nèi)，在具有預(yù)定長(zhǎng)度的每個(gè)扇區(qū)內(nèi)形成首部區(qū)域2。按照預(yù)先用凹坑記錄在相應(yīng)首部區(qū)域2上的地址信息(ID)，把光束定位到目標(biāo)扇區(qū)上。其中存儲(chǔ)信息的數(shù)據(jù)區(qū)域形成在每?jī)蓚€(gè)首部區(qū)域2之間。
圖2表示常規(guī)磁光盤(pán)示范數(shù)據(jù)軌道的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
數(shù)據(jù)軌道由多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)4組成。數(shù)據(jù)扇區(qū)4的每一個(gè)包括首部5和數(shù)據(jù)字段6。用來(lái)標(biāo)識(shí)每個(gè)數(shù)據(jù)字段6的地址存儲(chǔ)在每個(gè)相應(yīng)首部5中，并且把信息存儲(chǔ)在每個(gè)數(shù)據(jù)字段6中。
一個(gè)緩沖區(qū)7布置在每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)4之間。一個(gè)間隙8形成在首部5與數(shù)據(jù)字段6之間。在區(qū)Z1至Z4的每一個(gè)中，兩條相鄰軌道的首部5彼此相鄰。在相同區(qū)中的兩條軌道的數(shù)據(jù)字段6也彼此相鄰。
圖3表示常規(guī)磁光盤(pán)的示范首部的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
首部5的每一個(gè)包括一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記9、一個(gè)第一VFO(變頻振蕩器)同步區(qū)域10、一個(gè)地址標(biāo)記11、一個(gè)第一軌道地址12、一個(gè)第一扇區(qū)地址13、一個(gè)第一錯(cuò)誤校正碼14、一個(gè)第二VFO同步區(qū)域15、一個(gè)地址標(biāo)記16、一個(gè)第二軌道地址17、一個(gè)第二扇區(qū)地址18、一個(gè)第二錯(cuò)誤校正碼19、及一個(gè)后同步20。
扇區(qū)標(biāo)記9代表數(shù)據(jù)扇區(qū)4的開(kāi)始。第一VFO同步區(qū)域10啟動(dòng)用來(lái)讀第一軌道地址12和第一扇區(qū)地址13的VFO同步。第一地址標(biāo)記11代表第一軌道地址12和第一扇區(qū)地址13的開(kāi)始。第一軌道地址12代表掃描數(shù)據(jù)的軌道地址。第一扇區(qū)地址13代表掃描數(shù)據(jù)的扇區(qū)地址。第一錯(cuò)誤校正碼14用來(lái)校正第一軌道地址12和第二扇區(qū)地址13中的錯(cuò)誤。
第二VFO同步區(qū)域15啟動(dòng)用來(lái)讀第二軌道地址17和第二扇區(qū)地址18的VFO同步。第二地址標(biāo)記16代表軌道地址17和第二扇區(qū)地址18的開(kāi)始。第二軌道地址17代表掃描數(shù)據(jù)的軌道地址。第二扇區(qū)地址18代表掃描數(shù)據(jù)的扇區(qū)地址。第二錯(cuò)誤校正碼19用來(lái)校正第二軌道地址17和第二扇區(qū)地址18中的錯(cuò)誤。后同步20代表首部5的端部。
由第一軌道地址12和第一扇區(qū)地址13的組合、或第二軌道地址17和第二扇區(qū)地址18的組合確定光束的位置。
圖4表示常規(guī)磁光盤(pán)的示范數(shù)據(jù)字段的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
數(shù)據(jù)字段6包括包括一個(gè)第三VFO同步字段21、一個(gè)同步信號(hào)字段22、一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)字段23、一個(gè)錯(cuò)誤校正碼字段24、及一個(gè)后同步字段25。
第三VFO同步區(qū)域21啟動(dòng)用來(lái)記錄和復(fù)制數(shù)據(jù)的VFO同步。同步信號(hào)字段22與數(shù)據(jù)字段6同步，并且啟動(dòng)用來(lái)復(fù)制數(shù)據(jù)的同步。錯(cuò)誤校正碼字段24用來(lái)檢測(cè)和校正存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)字段23中的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。添加后同步字段25以復(fù)制數(shù)據(jù)末端。
如以上解釋的那樣，常規(guī)磁光盤(pán)1在每個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)4中帶有一個(gè)首部5，以確定光束的位置。
然而，雖然由MSR技術(shù)形成小尺寸的標(biāo)記，但由比標(biāo)記大兩倍或三倍的凹坑形成首部，因?yàn)椴挥肕SR技術(shù)讀出凹坑。凹坑尺寸限于與激光束的波長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)的尺寸。如果通過(guò)MSR技術(shù)使數(shù)據(jù)密度增至兩倍或三倍，則由首部占據(jù)了記錄區(qū)域的大部分。從整體來(lái)說(shuō)，由于大尺寸的凹坑不能提高記錄密度。而且，為常規(guī)磁光盤(pán)中的每個(gè)扇區(qū)提供一個(gè)首部，所以不能提高格式化效率。而且，在紋間表面/凹坑軌道中引起的交錯(cuò)減小格式化效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一個(gè)一般目的在于提供其中消除以上缺點(diǎn)的記錄介質(zhì)和信息存儲(chǔ)設(shè)備。
本發(fā)明一個(gè)更具體的目的在于提供以較高格式化效率帶有較高記錄密度的一種記錄介質(zhì)和一種信息存儲(chǔ)設(shè)備。
本發(fā)明的以上目的通過(guò)一種記錄介質(zhì)實(shí)現(xiàn)，該記錄介質(zhì)包括數(shù)據(jù)扇區(qū)；和標(biāo)識(shí)符部分，每個(gè)為多于一個(gè)的數(shù)據(jù)扇區(qū)提供。標(biāo)識(shí)符部分排列在與相鄰軌道上彼此交錯(cuò)的位置中。
由于在該記錄介質(zhì)中為多于一個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)僅提供一個(gè)標(biāo)識(shí)符，所以能提高格式化效率。而且，當(dāng)從軌道讀出標(biāo)識(shí)符部分時(shí)，不讀出相鄰軌道上的標(biāo)識(shí)符部分。因而，能實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)存取。況且，由于標(biāo)識(shí)符部分在兩條相鄰軌道上彼此交錯(cuò)，所以MSR(磁感應(yīng)超分辨率)技術(shù)能用來(lái)減小標(biāo)記尺寸，并且由凹坑能形成包括標(biāo)識(shí)符部分的首部，而不減小記錄密度。由于首部不在兩條相鄰軌道上彼此對(duì)準(zhǔn)，所以首部能寬于軌道，而不會(huì)彼此不利地影響。因而，即使對(duì)于凹坑的使用也能提高記錄密度。
本發(fā)明的以上目的也通過(guò)一種用來(lái)對(duì)記錄介質(zhì)進(jìn)行存取的信息存儲(chǔ)設(shè)備實(shí)現(xiàn)，該記錄介質(zhì)具有數(shù)據(jù)扇區(qū)、和每個(gè)為多于一個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)提供的標(biāo)識(shí)符部分，標(biāo)識(shí)符部分的每一個(gè)排列在相鄰軌道上彼此交錯(cuò)的位置中。該信息存儲(chǔ)設(shè)備包括一個(gè)地址確定單元，該地址確定單元根據(jù)標(biāo)識(shí)符部分產(chǎn)生數(shù)據(jù)扇區(qū)的地址，并且按照地址確定是否到達(dá)希望的數(shù)據(jù)扇區(qū)。
由于在該信息存儲(chǔ)設(shè)備中為多于一個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)僅提供一個(gè)標(biāo)識(shí)符部分，所以能提高格式化效率。而且，當(dāng)從軌道讀出標(biāo)識(shí)符部分時(shí)，不讀相鄰軌道上的標(biāo)識(shí)符部分。因而，能實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)存取。
由聯(lián)系附圖進(jìn)行的如下描述，使本發(fā)明的以上和其他目的和特征更明白。


圖1表示一種常規(guī)磁光盤(pán)的示范盤(pán)格式；圖2表示常規(guī)磁光盤(pán)的示范數(shù)據(jù)區(qū)域的結(jié)構(gòu)；圖3表示常規(guī)磁光盤(pán)的示范首部的結(jié)構(gòu)；圖4表示常規(guī)磁光盤(pán)的示范數(shù)據(jù)字段的結(jié)構(gòu)；圖5表示按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例的格式；圖6表示按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)區(qū)域格式；圖7表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例中用于數(shù)據(jù)字段地址設(shè)置的一個(gè)例子；圖8表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例中用于數(shù)據(jù)字段的地址設(shè)置的另一個(gè)例子；圖9表示按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第二實(shí)施例的數(shù)據(jù)區(qū)域格式；圖10A和10B表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第二實(shí)施例中一種扇區(qū)標(biāo)記的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)；
圖11表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第三實(shí)施例中一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域的格式；圖12表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第四實(shí)施例中一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域的格式；圖13表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第四實(shí)施例中光束與扇區(qū)標(biāo)記之間的關(guān)系；圖14是按照本發(fā)明的一種信息存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的方塊圖；圖15是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)伺服誤差檢測(cè)電路的方塊圖；圖16是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)ODC的方塊圖；圖17是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)字節(jié)計(jì)數(shù)器的方塊圖；圖18表示在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備中用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)事件的過(guò)程；圖19A至19F表示在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備中在紋間表面軌道存取時(shí)的ID讀出操作；圖20是用來(lái)產(chǎn)生按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口的等效電路；圖21A至21F表示在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備中用來(lái)產(chǎn)生合成扇區(qū)標(biāo)記的過(guò)程；圖22是在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備中用來(lái)產(chǎn)生的一個(gè)合成扇區(qū)標(biāo)記的等效電路；圖23是在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備中用來(lái)校正扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖的等效電路；圖24是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)門(mén)脈沖發(fā)生器的等效電路；圖25A至25M表明按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的門(mén)脈沖發(fā)生器的操作；圖26A至26D表明在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)區(qū)域中的讀/寫(xiě)開(kāi)始計(jì)時(shí)操作；圖27A至27C表明按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的伺服誤差檢測(cè)靈敏度的狀態(tài)；圖28表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第五實(shí)施例中的格式；及圖29表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第六實(shí)施例中的格式。
具體實(shí)施例方式下面是參照附圖的本發(fā)明實(shí)施例的描述。
圖5表示在按照本發(fā)明的一種記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例中的格式。在該圖中，與圖1中相同的元件用相同的標(biāo)號(hào)指示。
在該實(shí)施例的磁光盤(pán)100中，數(shù)據(jù)區(qū)域101和首部102具有與數(shù)據(jù)區(qū)域3和首部5不同的格式。
圖6表示在記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例中的數(shù)據(jù)區(qū)域的格式。應(yīng)該理解，圖6不表示首部和數(shù)據(jù)字段的實(shí)際物理部分。
在該實(shí)施例的磁光盤(pán)100中，彼此相鄰的軌道Tr1至Trn由凹槽限定。軌道Tr1、Tr3、…是蝕刻在磁光盤(pán)100的基片中的凹槽。在軌道Tr1、Tr3、…的每一條上，一個(gè)首部102跟隨有兩個(gè)數(shù)據(jù)字段103-1和103-2。
軌道Tr2、Tr4、…形成在紋間表面中，紋間表面形成在磁光盤(pán)100的基片上。在軌道Tr2、Tr4、…的每一條上，一個(gè)首部104跟隨有兩個(gè)數(shù)據(jù)字段105-1和105-2。
形成在凹槽中的軌道Tr1、Tr3、…的首部102，與磁光盤(pán)100的徑向?qū)?zhǔn)(即在箭頭A的方向上)。形成在紋間表面中的軌道Tr2、Tr4、…的首部104，也與磁光盤(pán)100的徑向?qū)?zhǔn)(即在箭頭A的方向上)。
形成在凹槽中的軌道Tr1、Tr3、…的數(shù)據(jù)字段103-1和形成在紋間表面中的軌道Tr2、Tr4、…的數(shù)據(jù)字段105-2，與磁光盤(pán)100的徑向?qū)?zhǔn)(即在箭頭A的方向上)。形成在凹槽中的軌道Tr1、Tr3、…的數(shù)據(jù)字段103-2和形成在紋間表面中的軌道Tr2、Tr4、…的數(shù)據(jù)字段105-1，也與磁光盤(pán)100的徑向?qū)?zhǔn)(即在箭頭A的方向上)。
在掃描軌道Tr1、Tr3、…的首部102的同時(shí)，例如，絕不會(huì)同時(shí)掃描相鄰軌道Tr2、Tr4、…的首部104。因而，能防止錯(cuò)誤ID檢測(cè)。特別是當(dāng)采用高密度記錄技術(shù)，如MSR(磁感應(yīng)超分辨率)技術(shù)時(shí)，相鄰首部絕不會(huì)彼此重疊，因?yàn)闃?biāo)記小于凹坑。因而，能提高軌道密度。況且，每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段僅需要一個(gè)首部，例如，用于每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段103-1和103-2的每個(gè)首部102、和用于每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段105-1和105-2的每個(gè)首部104。在這種布置中，能減小在磁光盤(pán)100上形成的首部數(shù)量。因而，能提高在磁光盤(pán)100上的格式化效率。
每個(gè)首部102的結(jié)構(gòu)與圖3中所示的首部5相同。類似地，數(shù)據(jù)字段103-1、103-2、105-1、和105-2的每一個(gè)的結(jié)構(gòu)與圖4中所示的數(shù)據(jù)字段6相同。
由于對(duì)于每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段僅設(shè)置一個(gè)首部，所以必須由從每個(gè)首部得到的一個(gè)地址產(chǎn)生兩個(gè)地址。
圖7表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例中用于數(shù)據(jù)字段的地址設(shè)置的一個(gè)例子。在該圖中，多個(gè)專用標(biāo)號(hào)102a、102b、102c、…分配到首部102，并且標(biāo)號(hào)103-1a和103-2a、103-1b和103-2b…分配到數(shù)據(jù)字段103-1和103-2。
如圖7中所示，在軌道Tr1上的首部102a的地址是“N”，數(shù)據(jù)字段103-1a的地址是“N”，及數(shù)據(jù)字段103-2a的地址是“N+1”。下一個(gè)首部102b的地址是“N+2”，數(shù)據(jù)字段103-1b的地址是“N+2”，及數(shù)據(jù)字段103-2b的地址是“N+3”。按照一個(gè)扇區(qū)的通過(guò)信號(hào)，通過(guò)把“1”分別添加到首部102a和首部102b的地址“N”和“N+2”上確定數(shù)據(jù)字段103-2a和103-2b的地址。
以以上方式，能連續(xù)地把地址分配到所有數(shù)據(jù)字段。應(yīng)該理解，地址設(shè)置的以上方式能應(yīng)用于首部104和數(shù)據(jù)字段105-1和105-2。
在該實(shí)施例中，即使在磁光盤(pán)上的標(biāo)記通過(guò)MSR技術(shù)形成，以便顯著減小標(biāo)記的寬度，由凹坑形成的首部102和104也不會(huì)彼此重疊。因而，比相應(yīng)軌道寬的首部102和104彼此絕不會(huì)有不利影響。這樣，能顯著增大記錄密度。
盡管首部102和104形成在紋間表面和凹槽中，但他們也能僅形成在紋間表面上。首部102和104的形成不限于以上例子，而是能采用其他技術(shù)以形成首部102和104。
在圖7中所示的例子中，首部102的地址不是連續(xù)的。然而，也有可能把連續(xù)地址分配給首部102。在這種情況下，按照首部102的地址確定數(shù)據(jù)字段103-1和103-2的地址。
圖8表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例中用于數(shù)據(jù)字段的地址設(shè)置的另一個(gè)例子。在該圖中，與圖7中相同的標(biāo)號(hào)分配給首部102和數(shù)據(jù)字段103-1和103-2。
如圖8中所示，首部102a的地址是“N”，及下一個(gè)首部102b的地址是“N+1”。緊跟著首部102a的數(shù)據(jù)字段103-1a的地址是“2N”，及跟隨數(shù)據(jù)字段103-1a的數(shù)據(jù)字段103-2a的地址是“2N+1”。緊跟著首部102b的數(shù)據(jù)字段103-1b的地址是“2(N+1)”，及跟隨數(shù)據(jù)字段103-1b的數(shù)據(jù)字段103-2b的地址是“2(N+1)+1”。
在這種改進(jìn)中，能把連續(xù)地址分配給首部102。應(yīng)該理解，地址設(shè)置的以上方式能應(yīng)用于首部104和數(shù)據(jù)字段105-1和105-2。
在第一實(shí)施例中，對(duì)于每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段設(shè)置一個(gè)首部。然而，也有可能例如把一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記放在數(shù)據(jù)字段103-1與103-2之間。對(duì)于扇區(qū)標(biāo)記，能準(zhǔn)確識(shí)別每個(gè)扇區(qū)的開(kāi)始。由于扇區(qū)標(biāo)記是相同的，并且布置在跨過(guò)相鄰軌道的線中，而與地址無(wú)關(guān)，所以即使出現(xiàn)交擾也能準(zhǔn)確地檢測(cè)他們。
圖9表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第二實(shí)施例中一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域的格式。在該圖中，與圖6中相同的元件用相同的標(biāo)號(hào)指示。
該實(shí)施例的一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域帶有一個(gè)在每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段103-1與103-2之間、和在每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段105-1與105-2之間的扇區(qū)標(biāo)記111。扇區(qū)標(biāo)記111與圖3中所示的扇區(qū)標(biāo)記9相同。
圖10A表示具有第一圖案的扇區(qū)標(biāo)記的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，及圖10B表示具有第二圖案的扇區(qū)標(biāo)記的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。表示在圖10A和10B中的第一和第二圖案分別是在ISO/IEC 15041中規(guī)定的“奇數(shù)帶”和“偶數(shù)帶”。
表示在圖10A和10B中的兩個(gè)圖案的任一個(gè)用于每個(gè)扇區(qū)標(biāo)記111。由于第一圖案是在ISO/IEC 15041中規(guī)定的“奇數(shù)帶”，具有第一圖案的扇區(qū)標(biāo)記111帶有交替的三個(gè)6-循環(huán)“6T”無(wú)標(biāo)記部分和三個(gè)12-循環(huán)“12T”標(biāo)記部分、及交替的兩個(gè)12-循環(huán)“12T”無(wú)標(biāo)記部分和兩個(gè)6-循環(huán)“6T”標(biāo)記部分，如圖10A中所示。在第一圖案的末端添加一個(gè)位圖案“0001”+“01”。
第二圖案是在ISO/IEC 15041中規(guī)定的“偶數(shù)帶”。具有第二圖案的扇區(qū)標(biāo)記111帶有交替的三個(gè)6-循環(huán)“6T”標(biāo)記部分和三個(gè)12-循環(huán)“12T”無(wú)標(biāo)記部分、及然后是交替的兩個(gè)12-循環(huán)“12T”標(biāo)記部分和兩個(gè)6-循環(huán)“6T”無(wú)標(biāo)記部分，如圖10B中所示。在第二圖案的末端添加一個(gè)位圖案“000001”。
扇區(qū)標(biāo)記111在箭頭A的方向上，即在磁光盤(pán)100的徑向，與相鄰軌道上的首部102和104的扇區(qū)標(biāo)記9對(duì)準(zhǔn)。扇區(qū)標(biāo)記111放在數(shù)據(jù)字段103-1與103-2之間、和在每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段105-1與105-2之間，以便啟動(dòng)同步以補(bǔ)償由盤(pán)位移或轉(zhuǎn)動(dòng)振動(dòng)引起的窗口移動(dòng)。
盡管在該實(shí)施例中，在數(shù)據(jù)字段103-1與103-2之間和在每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段105-1與105-2之間的扇區(qū)標(biāo)記111與首部102和104的扇區(qū)標(biāo)記9相同，但扇區(qū)標(biāo)記111也可以具有與扇區(qū)標(biāo)記9不同的圖案。而且，扇區(qū)標(biāo)記111與相鄰首部102和104的扇區(qū)標(biāo)記9成直線的定位。然而，扇區(qū)標(biāo)記111可以稍微偏離首部102和104的扇區(qū)標(biāo)記9的直線，從而扇區(qū)標(biāo)記111在徑向不與首部102和104重疊。在這種布置中，形成首部102和104及扇區(qū)標(biāo)記111的凹坑能擴(kuò)展到相鄰軌道。因而，能使軌道節(jié)距比用來(lái)形成凹坑的激光束的直徑窄。
圖11表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第三實(shí)施例中一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域的格式。在該圖中與圖9中相同的元件用相同的標(biāo)號(hào)指示。
該實(shí)施例的一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域120帶有一個(gè)在每個(gè)首部121中的扇區(qū)標(biāo)記123、一個(gè)在每個(gè)首部122中的扇區(qū)標(biāo)記124、一個(gè)在每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段103-1與103-2之間的扇區(qū)標(biāo)記125、及一個(gè)在每?jī)蓚€(gè)數(shù)據(jù)字段105-1與105-2之間的扇區(qū)標(biāo)記126。扇區(qū)標(biāo)記123和126的每一個(gè)具有表示在圖10A中的第一圖案，而扇區(qū)標(biāo)記124和125的每一個(gè)具有圖10B中所示的第二圖案。
由于在該實(shí)施例中，扇區(qū)標(biāo)記123的每一個(gè)具有第一圖案，而扇區(qū)標(biāo)記124的每一個(gè)具有第二圖案，所以在具有ID的扇區(qū)與沒(méi)有ID的扇區(qū)之間能區(qū)分扇區(qū)標(biāo)記，并且能從紋間表面和凹槽排列識(shí)別具有ID的扇區(qū)。
在該實(shí)施例中，扇區(qū)標(biāo)記既形成在紋間表面中又形成在凹槽中。然而，在具有比光束直徑小的軌道節(jié)距的紋間表面/凹槽介質(zhì)中，有可能在紋間表面或凹槽介質(zhì)中形成扇區(qū)標(biāo)記，并且由交擾檢測(cè)在紋間表面和凹槽介質(zhì)中的扇區(qū)標(biāo)記。
圖12表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第四實(shí)施例中一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域的格式。在該圖中與圖11中相同的元件用相同的標(biāo)號(hào)指示。
該實(shí)施例的一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域130在軌道Tr2和Tr4上不具有第三實(shí)施例的扇區(qū)標(biāo)記124和126。在凹槽掃描時(shí)當(dāng)然檢測(cè)扇區(qū)標(biāo)記123。在該實(shí)施例中，在紋間表面掃描時(shí)也借助于交擾檢測(cè)扇區(qū)標(biāo)記123。
圖13表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第四實(shí)施例的光束與扇區(qū)標(biāo)記之間的尺寸關(guān)系。
在圖13中，扇區(qū)標(biāo)記形成在凹槽軌道Tr1和Tr3上，并且沒(méi)有標(biāo)記形成在紋間表面軌道Tr2和Tr4上。當(dāng)激光束L掃描紋間表面軌道Tr2時(shí)，紋間表面軌道Tr2到激光束L的中心，如圖13中所示。盡管沒(méi)有扇區(qū)標(biāo)記形成紋間表面軌道Tr2上，但大于軌道節(jié)路的激光束L掃描到形成在兩個(gè)相鄰槽軌道Tr1和Tr3上的扇區(qū)標(biāo)記的部分，由此借助于交擾檢測(cè)扇區(qū)標(biāo)記。
按照該實(shí)施例，能采用MSR(磁感應(yīng)超分辨率)技術(shù)來(lái)減小標(biāo)記尺寸，并且包括標(biāo)識(shí)符部分的首部能由凹坑形成，而不減小記錄密度。由于首部在兩相鄰軌道彼此不對(duì)準(zhǔn)，所以首部能比軌道寬，而彼此不會(huì)不利地影響。因而，即使對(duì)于大凹坑也能增大記錄密度。
盡管在以上實(shí)施例中把磁光盤(pán)用作記錄介質(zhì)，但本發(fā)明的應(yīng)用不限于磁光盤(pán)。例如，以上實(shí)施例可應(yīng)用于這樣一種記錄介質(zhì)在其上通過(guò)用來(lái)形成比激光束直徑窄的一種MAMMOS技術(shù)等進(jìn)行記錄。
圖14是按照本發(fā)明的一種信息存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的方塊圖。
該實(shí)施例的磁光盤(pán)裝置200把信息存儲(chǔ)在圖5至13中所示的磁光盤(pán)中。磁光盤(pán)裝置200包括一個(gè)磁光盤(pán)201、一個(gè)主軸電機(jī)202、一個(gè)磁頭203、一個(gè)磁頭控制電路204、一個(gè)光學(xué)頭205、一個(gè)定位器206、一個(gè)LD控制電路207、一個(gè)頭放大器208、一個(gè)讀電路209、一個(gè)伺服電路210、一個(gè)伺服誤差檢測(cè)電路211、及一個(gè)ODC(光盤(pán)控制器)212。
磁光盤(pán)201具有圖5至13中所示的格式任一種。磁光盤(pán)201在由箭頭C指示的方向上由主軸電機(jī)202轉(zhuǎn)動(dòng)。磁頭203在徑向(在由箭頭B指示的方向上)放置在磁光盤(pán)201的一個(gè)表面上。磁頭203把磁場(chǎng)施加到磁光盤(pán)201上，以在其上記錄和復(fù)制信息。
光學(xué)頭205置在磁光盤(pán)201的另一個(gè)表面上。光學(xué)頭205把一個(gè)光束L發(fā)射到磁光盤(pán)201上。光學(xué)頭205與定位器206嚙合，并且能由定位器206在磁光盤(pán)201的徑向(在由箭頭B指示的方向上)移動(dòng)。光學(xué)頭205連接到LD控制電路207上，并且按照從LD控制電路207供給的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
光束L由磁光盤(pán)201反射，并且返回光學(xué)頭205。來(lái)自磁光盤(pán)201的反射光然后轉(zhuǎn)換成供給到頭放大器208的復(fù)制信號(hào)。頭放大器208由復(fù)制信號(hào)分離一個(gè)跟蹤誤差信號(hào)TES、ID和扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)、及一個(gè)信息信號(hào)MO。由頭放大器208分離的ID和扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)及信息信號(hào)MO發(fā)送到讀電路209。讀電路209把ID和扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)與信息信號(hào)MO分離開(kāi)，并且解調(diào)ID和扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)以及信息信號(hào)MO。
由讀電路209解調(diào)的ID信號(hào)、扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)SM、及信息信號(hào)MO然后發(fā)送到ODC 212。按照ID信號(hào)和扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)SM，ODC212確定光束在磁光盤(pán)201上的光束照亮位置，并且產(chǎn)生用來(lái)切換伺服靈敏度的靈敏度切換信號(hào)。ODC 212也把信息信號(hào)MO發(fā)送到主計(jì)算機(jī)。
從ODC 212產(chǎn)生的靈敏度切換信號(hào)供給到伺服誤差檢測(cè)電路211。按照靈敏度切換信號(hào)，伺服誤差檢測(cè)電路211控制靈敏度，以便檢測(cè)來(lái)自從頭放大器208供給的跟蹤誤差信號(hào)TES的伺服誤差。當(dāng)從頭放大器208供給的跟蹤誤差信號(hào)TES大于由從ODC 212供給的靈敏度切換信號(hào)設(shè)置的一個(gè)閾值時(shí)，伺服誤差檢測(cè)電路211確定有一個(gè)伺服誤差，并且輸出一個(gè)高電平信號(hào)。
伺服誤差檢測(cè)電路211的檢測(cè)結(jié)果供給到ODC 212和伺服電路210。當(dāng)伺服誤差檢測(cè)電路211檢測(cè)到一個(gè)伺服誤差時(shí)，ODC 212停止寫(xiě)和讀操作，并且伺服電路210停止伺服機(jī)構(gòu)。
圖15是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例的伺服誤差檢測(cè)電路的方塊圖。
伺服誤差檢測(cè)電路211包括一個(gè)開(kāi)關(guān)213、比較器214和215、一個(gè)OR(或)門(mén)216、及電阻器R1至R4。電阻器R1至R3串聯(lián)連接在一個(gè)電源的電壓+V與電壓-V之間。一個(gè)第一閾值產(chǎn)生在電阻器R1與R2之間的連接點(diǎn)處，并且一個(gè)第二閾值產(chǎn)生在電阻器R2與R3之間的連接點(diǎn)處。
由開(kāi)關(guān)213和電阻器R4組成的串聯(lián)電路并聯(lián)連接到電阻器R2上。電阻器R4至電阻器R2的連接通過(guò)接通和斷開(kāi)開(kāi)關(guān)213切換。開(kāi)關(guān)213連接到ODC 212上，并且按照從ODC 212供給的靈敏度切換信號(hào)切換電阻器R4至電阻器R2的連接。當(dāng)從ODC 212供給的靈敏度切換信號(hào)是高時(shí)，即當(dāng)需要高靈敏度時(shí)，接通開(kāi)關(guān)213以把電阻器R4并聯(lián)連接到電阻器R2上。當(dāng)并聯(lián)連接電阻器R4和電阻器R2時(shí)，電阻器R4降低電阻器R1與電阻器R3之間的電阻率。因而，在第一閾值與第二閾值之間的差值變小，并且靈敏度變高。當(dāng)從ODC212供給靈敏度切換信號(hào)時(shí)，即當(dāng)需要低靈敏度時(shí)，斷開(kāi)開(kāi)關(guān)213以在電阻器R1與電阻器R3之間只留下電阻器R2。借助于在電阻器R1與電阻器R3之間只連接電阻器R2，在電阻器R1與電阻器R3之間的電阻率變高。因而，在第一閾值與第二閾值之間的差值變大，并且靈敏度降低。
從在電阻器R1與電阻器R2之間的連接點(diǎn)輸出的第一閾值供給到比較器214的倒相輸入終端。從在電阻器R2與電阻器R3之間的連接點(diǎn)輸出的第二閾值供給到比較器215的非倒相輸入終端。
從頭放大器208輸出的伺服誤差信號(hào)TES供給到比較器214的非倒相輸入終端。比較器214把伺服誤差信號(hào)TES與第一閾值相比較。當(dāng)伺服誤差信號(hào)TES小于第一閾值時(shí)，比較器214的輸出為低。當(dāng)伺服誤差信號(hào)TES大于第一閾值時(shí)，比較器214的輸出為高。
從頭放大器208輸出的伺服誤差信號(hào)TES也供給到比較器215的倒相輸入終端。比較器215把伺服誤差信號(hào)TES與第二閾值相比較。當(dāng)伺服誤差信號(hào)TES大于第二閾值時(shí)，比較器215的輸出為低。當(dāng)伺服誤差信號(hào)TES小于第二閾值時(shí)，比較器215的輸出為高。
比較器214和215的輸出供給到OR門(mén)216。OR門(mén)216輸出在比較器214和215的輸出之間的OR邏輯。OR門(mén)216的輸出作為伺服誤差檢測(cè)電路211的輸出供給到ODC 212和伺服電路210。
ODC 212從磁光盤(pán)201上的首部檢測(cè)地址，并且計(jì)數(shù)已經(jīng)通過(guò)的數(shù)據(jù)字段數(shù)量。按照從首部檢測(cè)的地址和已經(jīng)通過(guò)的數(shù)據(jù)字段的數(shù)量，ODC 212辨別數(shù)據(jù)字段的地址而不用首部，并且然后讀或?qū)?。例如，ODC 212把已經(jīng)通過(guò)的數(shù)據(jù)字段數(shù)量添加到檢測(cè)地址，以便確定數(shù)據(jù)字段的地址而不用首部。
圖16是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例的ODC的方塊圖。
ODC 212包括一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217、一個(gè)ID檢測(cè)器218、一個(gè)字節(jié)計(jì)數(shù)器219、一個(gè)地址計(jì)數(shù)器220、比較器221、222、及223、一個(gè)門(mén)脈沖發(fā)生器224、一個(gè)控制器225、及寄存器226和227。
扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217檢測(cè)從讀電路209供給的扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)SM，并且把一個(gè)與扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)SM同步的扇區(qū)標(biāo)記同步信號(hào)發(fā)送到字節(jié)計(jì)數(shù)器219。ID檢測(cè)器218由從讀電路209供給的ID信號(hào)檢測(cè)一個(gè)ID地址，并且把ID地址發(fā)送到比較器221。ID檢測(cè)器218還把一個(gè)與ID信號(hào)同步的ID同步信號(hào)發(fā)送到字節(jié)計(jì)數(shù)器219。當(dāng)沒(méi)有檢測(cè)到ID地址時(shí)，ID檢測(cè)器218把一個(gè)ID檢測(cè)失敗通知發(fā)送到門(mén)脈沖發(fā)生器224。
字節(jié)計(jì)數(shù)器219按照同步事件計(jì)數(shù)，并且輸出一個(gè)與選擇同步事件相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。更具體地說(shuō)，字節(jié)計(jì)數(shù)器219計(jì)數(shù)從扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217供給的扇區(qū)標(biāo)記同步信號(hào)和從ID檢測(cè)器218供給的ID同步信號(hào)，作為同步事件。按照計(jì)數(shù)結(jié)果，字節(jié)計(jì)數(shù)器219把一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口供給到扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217，并且把一個(gè)ID檢測(cè)窗口供給到ID檢測(cè)器218。
字節(jié)計(jì)數(shù)器219還根據(jù)計(jì)數(shù)結(jié)果檢測(cè)已經(jīng)通過(guò)的每個(gè)扇區(qū)。每通過(guò)一個(gè)扇區(qū)就把一個(gè)1扇區(qū)通過(guò)通知供給到地址計(jì)數(shù)器220。地址計(jì)數(shù)器220計(jì)數(shù)從字節(jié)計(jì)數(shù)器219供給的1扇區(qū)通過(guò)通知，并且由扇區(qū)的ID地址產(chǎn)生一個(gè)外推地址而不用ID地址。由地址計(jì)數(shù)器220產(chǎn)生的外推地址供給到比較器221、222、及223。
比較器221把從ID檢測(cè)器218供給的ID地址與從地址計(jì)數(shù)器220供給的外推地址相比較，并且按照比較結(jié)果輸出一個(gè)信號(hào)。當(dāng)ID地址與外推地址不同時(shí)，比較器221的輸出信號(hào)為高。當(dāng)ID地址與外推地址相同時(shí)，比較器221的輸出信號(hào)為低。比較器221的輸出信號(hào)供給到門(mén)脈沖發(fā)生器224。
比較器222把從地址計(jì)數(shù)器220供給的外推地址與存儲(chǔ)在寄存器226中的過(guò)程開(kāi)始扇區(qū)地址相比較，并且按照比較結(jié)果輸出一個(gè)信號(hào)。當(dāng)從地址計(jì)數(shù)器220供給的外推地址與從寄存器226供給的過(guò)程開(kāi)始扇區(qū)地址相同時(shí)，比較器222的輸出信號(hào)為高。當(dāng)從地址計(jì)數(shù)器220供給的外推地址與從寄存器226供給的過(guò)程開(kāi)始扇區(qū)地址不同時(shí)，比較器222的輸出信號(hào)為低。比較器222的輸出信號(hào)供給到門(mén)脈沖發(fā)生器224。按照該輸出信號(hào)，門(mén)脈沖發(fā)生器224檢測(cè)一個(gè)過(guò)程開(kāi)始位置。
比較器223把從地址計(jì)數(shù)器220供給的外推地址與存儲(chǔ)在寄存器227中的過(guò)程結(jié)束扇區(qū)地址相比較，并且按照比較結(jié)果輸出一個(gè)信號(hào)。當(dāng)從地址計(jì)數(shù)器220供給的外推地址與從寄存器227供給的過(guò)程結(jié)束扇區(qū)地址相同時(shí)，比較器223的輸出信號(hào)為高。當(dāng)從地址計(jì)數(shù)器220供給的外推地址與從寄存器227供給的過(guò)程結(jié)束扇區(qū)地址不同時(shí)，比較器223的輸出信號(hào)為低。比較器223的輸出信號(hào)供給到門(mén)脈沖發(fā)生器224。按照該輸出信號(hào)，門(mén)脈沖發(fā)生器224檢測(cè)一個(gè)過(guò)程結(jié)束位置。
寄存器226連接到控制器225。控制器225把過(guò)程開(kāi)始地址供給到寄存器226。寄存器227也連接到控制器225。控制器225把過(guò)程結(jié)束地址供給到寄存器227。
門(mén)脈沖發(fā)生器224根據(jù)從字節(jié)計(jì)數(shù)器219供給的計(jì)數(shù)值，并且根據(jù)從比較器222和223供給的過(guò)程開(kāi)始地址和過(guò)程結(jié)束地址，分別產(chǎn)生一個(gè)寫(xiě)門(mén)脈沖、一個(gè)讀門(mén)脈沖、和一個(gè)伺服靈敏度切換信號(hào)。如果ID檢測(cè)失敗通知從ID檢測(cè)器218供給到門(mén)脈沖發(fā)生器224，則門(mén)脈沖發(fā)生器224停止門(mén)脈沖發(fā)生操作。
圖17是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的字節(jié)計(jì)數(shù)器的方塊圖。
字節(jié)計(jì)數(shù)器219包括寄存器228和229、一個(gè)多路復(fù)用器230、一個(gè)OR門(mén)231、一個(gè)計(jì)數(shù)器232、及比較器233-1至233-n。
寄存器228把同步值保持為用來(lái)產(chǎn)生同步事件的計(jì)時(shí)值。存儲(chǔ)在寄存器228中的同步值供給到多路復(fù)用器230。多路復(fù)用器230從寄存器228接收一個(gè)同步事件以及同步值。同步事件是這樣一個(gè)信號(hào)當(dāng)產(chǎn)生讀門(mén)脈沖、寫(xiě)門(mén)脈沖、或伺服靈敏度脈沖切換信號(hào)時(shí)為高，而當(dāng)停止脈沖發(fā)生操作時(shí)為低。
多路復(fù)用器230按照供給的同步事件從寄存器228選擇一個(gè)希望的同步值，并且把選擇的同步值送到計(jì)數(shù)器232。同步事件也供給到OR門(mén)231，OR門(mén)231產(chǎn)生同步事件的OR邏輯。OR門(mén)231的輸出供給到計(jì)數(shù)器232。計(jì)數(shù)器232從由多路復(fù)用器230選擇的同步值開(kāi)始計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)器232的計(jì)數(shù)值供給到比較器233-1至233-n。
比較器233-1至233-n的每一個(gè)接收來(lái)自計(jì)數(shù)器232的計(jì)數(shù)值和一個(gè)來(lái)自寄存器229的計(jì)時(shí)值。其每一個(gè)代表用來(lái)產(chǎn)生每個(gè)同步事件每個(gè)同步事件的計(jì)時(shí)值，預(yù)先存儲(chǔ)在寄存器229中。
比較器233-1至233-n的每一個(gè)把來(lái)自計(jì)數(shù)器232的計(jì)數(shù)值與來(lái)自寄存器229的計(jì)時(shí)值相比較，并且按照比較結(jié)果信號(hào)輸出一個(gè)信號(hào)。當(dāng)來(lái)自計(jì)數(shù)器232的計(jì)數(shù)值與來(lái)自寄存器229的計(jì)時(shí)值相同時(shí)，比較器233-1至233-n的每一個(gè)的輸出信號(hào)為高。當(dāng)來(lái)自計(jì)數(shù)器232的計(jì)數(shù)值與來(lái)自寄存器229的計(jì)時(shí)值不同時(shí)，比較器233-1至233-n的每一個(gè)的輸出信號(hào)為低。
以以上方式，當(dāng)應(yīng)該產(chǎn)生一個(gè)事件時(shí)，比較器233-1至233-n的每一個(gè)輸出一個(gè)為高的信號(hào)。比較器233-1至233-n的輸出供給到扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217、ID檢測(cè)器218、地址計(jì)數(shù)器220、及門(mén)脈沖發(fā)生器224。
圖18表示在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例中用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)事件的過(guò)程。參照?qǐng)D18解釋的事件是信息讀事件。
首先，隨著光束到達(dá)其中記錄扇區(qū)標(biāo)記的一個(gè)位置，ODC 212在步驟S1-1打開(kāi)扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口。借助于被打開(kāi)的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口，扇區(qū)標(biāo)記成為可檢測(cè)的。如果扇區(qū)標(biāo)記信號(hào)與這里的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口同步，則在步驟S1-2能讀扇區(qū)標(biāo)記。然后在步驟S1-3關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口。這里，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口的周期比扇區(qū)標(biāo)記的周期長(zhǎng)。例如，如果扇區(qū)標(biāo)記的周期是5字節(jié)，則扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口的周期是8字節(jié)，在扇區(qū)標(biāo)記之前和之后擴(kuò)展3字節(jié)。因而，伺服標(biāo)記位于伺服標(biāo)記檢測(cè)窗口內(nèi)，并且保證扇區(qū)標(biāo)記的精確檢測(cè)。
在步驟S1-3中關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口之后，在步驟S1-4打開(kāi)ID檢測(cè)窗口。借助于被打開(kāi)的ID檢測(cè)窗口，ID成為可檢測(cè)的。如果ID信號(hào)與這里的ID檢測(cè)窗口同步，則能在步驟S1-5讀ID。由連接到每個(gè)ID上的CRC(循環(huán)冗余校驗(yàn))確定ID檢測(cè)的證實(shí)。如果檢測(cè)到ID，并且確定連接到ID上的CRC是正常的，則在步驟S1-6關(guān)閉ID檢測(cè)窗口。這里，ID檢測(cè)窗口的周期比ID的周期長(zhǎng)。
在關(guān)閉ID檢測(cè)窗口之后，在步驟S1-7確定檢測(cè)的ID屬于紋間表面還是凹槽。
其次，在步驟1-8增大伺服誤差檢測(cè)靈敏度，并且在步驟S1-9打開(kāi)一個(gè)讀門(mén)。然后打開(kāi)同步信號(hào)檢測(cè)窗口，并且在步驟S1-10同步信號(hào)成為可檢測(cè)的。如果同步信號(hào)與同步信號(hào)檢測(cè)窗口同步，則在步驟S1-11讀出同步信號(hào)。然后在步驟S1-12關(guān)閉同步信號(hào)檢測(cè)窗口。這里，同步信號(hào)檢測(cè)窗口的周期比同步信號(hào)的周期長(zhǎng)。
在關(guān)閉同步信號(hào)檢測(cè)窗口之后，在步驟S1-13讀出數(shù)據(jù)。在讀出數(shù)據(jù)之后，在步驟S1-14關(guān)閉讀門(mén)。然后減小伺服誤差檢測(cè)靈敏度，并且在步驟S1-15穩(wěn)定伺服。這里，讀門(mén)打開(kāi)周期比讀數(shù)據(jù)的周期長(zhǎng)。因而，已經(jīng)讀了一個(gè)扇區(qū)的數(shù)據(jù)，并且在步驟S1-16光束已經(jīng)通過(guò)該扇區(qū)。
當(dāng)寫(xiě)信息而不是讀它時(shí)，在步驟S1-9打開(kāi)一個(gè)寫(xiě)門(mén)，并且在步驟S1-14關(guān)閉。跳過(guò)步驟S1-10至S1-12的同步信號(hào)檢測(cè)。寫(xiě)門(mén)打開(kāi)周期也比寫(xiě)數(shù)據(jù)的周期長(zhǎng)。
以以上方式，在軌道Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、…上進(jìn)行讀和寫(xiě)循環(huán)。
在該實(shí)施例中，有不帶有首部的數(shù)據(jù)區(qū)域。因此，必須防止ID讀門(mén)在這些數(shù)據(jù)區(qū)域中被接通。
圖19A至19F表示在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例中的ODC操作。圖19A表示紋間表面的數(shù)據(jù)格式，圖19B表示凹槽的數(shù)據(jù)格式，圖19C表示一個(gè)紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖，圖19D表示一個(gè)凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖，圖19E表示一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口，及圖19F表示一個(gè)ID讀門(mén)。
在該實(shí)施例中使用的磁光盤(pán)201帶有如圖19A中所示格式化的紋間表面、和如圖19B中所示格式化的凹槽。在磁光盤(pán)201中，每條紋間表面軌道與每個(gè)相鄰凹槽軌道非常接近。因?yàn)檫@個(gè)原因，當(dāng)掃描紋間表面軌道時(shí)，可能錯(cuò)誤地讀出一個(gè)凹槽ID。該實(shí)施例防止這樣一種誤差。
當(dāng)搜索在如圖19A中所示的紋間表面軌道上的扇區(qū)標(biāo)記時(shí)，應(yīng)該忽略從圖19B中所示的凹槽檢測(cè)的扇區(qū)標(biāo)記。因此，當(dāng)如圖19E中所示開(kāi)始扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)時(shí)，忽略在圖19D中所示凹槽軌道上的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖。當(dāng)如圖19C中所示檢測(cè)在紋間表面軌道上的扇區(qū)標(biāo)記時(shí)，如圖19E中所示關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口，及如圖19F中所示打開(kāi)ID讀門(mén)。由于ID讀門(mén)僅當(dāng)檢測(cè)到在紋間表面軌道上的首部中的扇區(qū)標(biāo)記時(shí)才打開(kāi)，所以當(dāng)檢測(cè)到在紋間表面軌道上的首部中的扇區(qū)標(biāo)記時(shí)，絕不會(huì)錯(cuò)誤地打開(kāi)ID讀門(mén)。因而，能防止由于交擾造成的讀在圖19B中所示凹槽軌道上的ID。
圖20是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的ODC操作的等效電路。圖19A至19F中所示的過(guò)程由圖20的等效電路實(shí)現(xiàn)。
如圖20中所示，等效電路包括AND(與)門(mén)234和235、一個(gè)NOT(非)電路236、一個(gè)OR門(mén)237、及一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238。
AND門(mén)234接收一個(gè)來(lái)自扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217的紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖和一個(gè)來(lái)自控制器225的紋間表面跟蹤信號(hào)。AND門(mén)234然后確定紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖和紋間表面跟蹤信號(hào)之間的AND邏輯。AND門(mén)235接收一個(gè)來(lái)自扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217的凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖和由NOT電路236倒相的紋間表面跟蹤信號(hào)。AND門(mén)235然后確定凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖和倒相的紋間表面跟蹤信號(hào)的AND邏輯。
AND門(mén)234和235的輸出供給到OR門(mén)237，OR門(mén)237確定在AND門(mén)234的輸出與AND門(mén)235的輸出之間的OR邏輯。OR門(mén)237的輸出供給到扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238。按照從OR門(mén)237供給的信號(hào)，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口。同時(shí)，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238接收一個(gè)作為字節(jié)計(jì)數(shù)器219內(nèi)的事件產(chǎn)生的扇區(qū)標(biāo)記搜索開(kāi)始脈沖。按照扇區(qū)標(biāo)記搜索開(kāi)始脈沖，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238打開(kāi)扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口。按照從OR門(mén)237供給的信號(hào)，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口。從扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238輸出的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口供給到扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217。按照從扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238供給的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217控制扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)。而且，按照從扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口輸出部分238供給的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)窗口，如圖19F中所示控制ID檢測(cè)窗口的計(jì)時(shí)。
以以上方式，能防止由于在紋間表面軌道掃描時(shí)的交擾生成檢測(cè)凹槽軌道ID。
由于在該實(shí)施例的磁光盤(pán)201中對(duì)于兩個(gè)扇區(qū)僅設(shè)置一個(gè)ID，所以在紋間表面上的數(shù)據(jù)區(qū)域和在凹槽上的相應(yīng)數(shù)據(jù)區(qū)域中應(yīng)該檢測(cè)扇區(qū)標(biāo)記。從兩個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域檢測(cè)的扇區(qū)標(biāo)記然后合成一個(gè)合成扇區(qū)標(biāo)記。通過(guò)計(jì)數(shù)合成扇區(qū)標(biāo)記，產(chǎn)生一個(gè)扇區(qū)通過(guò)脈沖。因而，能進(jìn)行扇區(qū)的準(zhǔn)確計(jì)數(shù)。
圖21A至21F表示在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備中用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)扇區(qū)通過(guò)脈沖的過(guò)程。更具體地說(shuō)，圖21A表示紋間表面軌道的格式，圖21B表示凹槽軌道的格式，圖21C表示一個(gè)紋間表面ID讀門(mén)，圖21D表示一個(gè)紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖，圖21E表示一個(gè)凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖，及圖21F表示一個(gè)合成扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖。
在圖21A中所示的紋間表面格式中的首部中首先檢測(cè)一個(gè)紋間表面扇區(qū)標(biāo)記。然后產(chǎn)生圖21D中所示的紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖。而且，在圖21B中所示的凹槽格式中的首部中檢測(cè)凹槽扇區(qū)標(biāo)記，并且然后產(chǎn)生圖21E中所示的凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖。
圖21D中所示的紋間表面標(biāo)記檢測(cè)脈沖和圖21E中所示的凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖，合成圖21F中所示的合成扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖。
圖22是在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備中用來(lái)產(chǎn)生的一個(gè)合成扇區(qū)標(biāo)記的等效電路。
圖22中所示的扇區(qū)標(biāo)記合成電路包括AND門(mén)239和240、一個(gè)NOT電路241、及一個(gè)OR門(mén)242。AND門(mén)239接收來(lái)自扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217的紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖和由字節(jié)計(jì)數(shù)器219產(chǎn)生的ID檢測(cè)窗口。AND門(mén)239然后確定紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖與ID檢測(cè)窗口之間的AND邏輯。AND門(mén)239的輸出表示在圖21D中。
AND門(mén)240接收來(lái)自扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217的凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖和由字節(jié)計(jì)數(shù)器219產(chǎn)生的ID檢測(cè)窗口。AND門(mén)240然后確定凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖與ID檢測(cè)窗口之間的AND邏輯。AND門(mén)240的輸出表示在圖21E中。
AND門(mén)239和240的輸出供給到OR門(mén)242。OR門(mén)242輸出在AND門(mén)239的輸出與AND門(mén)240的輸出之間的OR邏輯。OR門(mén)242的輸出表示在圖21F中。
以以上方式，在每個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域中，即在每個(gè)扇區(qū)中輸出一個(gè)脈沖。然后供給一個(gè)脈沖作為至地址計(jì)數(shù)器220的一個(gè)扇區(qū)通過(guò)脈沖。
在其中在凹槽軌道上形成的扇區(qū)標(biāo)記與紋間表面軌道共享的情況下，如圖13中所示，用掃描紋間表面軌道Tr2的光束L的右和左側(cè)端檢測(cè)在兩條凹槽軌道Tr1和Tr3上的扇區(qū)標(biāo)記。因而，與其中用光束L的中心檢測(cè)扇區(qū)標(biāo)記的情形相比，引起延遲。在該實(shí)施例的磁光盤(pán)201中，對(duì)于兩個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域僅設(shè)置一個(gè)ID。因此，重要的是得到扇區(qū)的準(zhǔn)確數(shù)量以確定帶有no ID的數(shù)據(jù)區(qū)域的地址。因而，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖的脈沖寬度需要校正。
圖23是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖校正電路的方塊圖。
扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖校正電路243例如連接到圖22中所示的扇區(qū)標(biāo)記合成電路的輸出終端上。扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖校正電路243包括一個(gè)延遲電路244、一個(gè)AND門(mén)245、及一個(gè)OR門(mén)246。
延遲電路244接收扇區(qū)標(biāo)記合成電路的輸出，即圖21F中所示的信號(hào)，并且延遲接收的信號(hào)一個(gè)預(yù)定時(shí)間。根據(jù)從光束L的中心端至其中凹槽軌道上扇區(qū)標(biāo)記跨過(guò)光束L的邊緣端的點(diǎn)的延遲距離T，確定延遲時(shí)間，如圖13中所示。
延遲電路244的輸出供給到AND門(mén)245。AND門(mén)245也從控制器225接收一個(gè)紋間跟蹤信號(hào)，該信號(hào)在紋間軌道掃描時(shí)為高。AND門(mén)245然后輸出在延遲電路244的輸出與紋間跟蹤信號(hào)之間的AND邏輯。因而，能按照紋間跟蹤信號(hào)控制延遲電路244的輸出。
AND門(mén)245的輸出供給到OR門(mén)246。OR門(mén)246也接收扇區(qū)標(biāo)記合成電路的輸出，即圖21F中所示的信號(hào)。OR門(mén)246然后輸出在AND門(mén)245的輸出與扇區(qū)標(biāo)記合成電路的輸出之間的OR邏輯。
以以上方式，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖校正電路243使在紋間軌道掃描時(shí)的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖的脈沖寬度等于在凹槽軌道掃描時(shí)的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖的脈沖寬度。因而，在其中凹槽軌道上的扇區(qū)標(biāo)記與紋間軌道共享的情況下，如圖13中所示，能進(jìn)行準(zhǔn)確的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)。
圖24是按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的門(mén)脈沖發(fā)生器的方塊圖。
門(mén)脈沖發(fā)生器224包括觸發(fā)電路247至251、多路復(fù)用器252和253、及AND門(mén)254。
觸發(fā)電路247至251的每一個(gè)帶有J-K觸發(fā)功能。
在觸發(fā)電路248中，紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索開(kāi)始脈沖從控制器225供給到J輸入終端。K輸入終端固定在“0”。紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖從扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217供給到R輸入終端。觸發(fā)電路248輸出一個(gè)紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索脈沖。
在觸發(fā)電路249中，凹槽扇區(qū)標(biāo)記搜索開(kāi)始脈沖從控制器225供給到J輸入終端。K輸入終端固定在“0”。凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖從扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器217供給到R輸入終端。觸發(fā)電路249輸出一個(gè)凹槽扇區(qū)標(biāo)記搜索脈沖。
在觸發(fā)電路247中，紋間表面/凹槽識(shí)別脈沖從字節(jié)計(jì)數(shù)器219供給到J和K輸入終端。觸發(fā)電路248的輸出供給到P輸入終端，并且觸發(fā)電路249的輸出供給到R輸入終端。觸發(fā)電路247然后產(chǎn)生一個(gè)紋間表面ID門(mén)脈沖。紋間表面ID門(mén)脈沖供給到多路復(fù)用器252和253、及AND門(mén)254。
在觸發(fā)電路250中，一個(gè)ID讀門(mén)打開(kāi)脈沖從字節(jié)計(jì)數(shù)器219供給到J輸入終端，并且一個(gè)ID讀門(mén)關(guān)閉脈沖從字節(jié)計(jì)數(shù)器219供給到K輸入終端。觸發(fā)電路250然后根據(jù)從字節(jié)計(jì)數(shù)器219供給的ID讀門(mén)打開(kāi)脈沖和ID讀門(mén)關(guān)閉脈沖，產(chǎn)生一個(gè)ID讀門(mén)脈沖。
觸發(fā)電路250的輸出供給到AND門(mén)254。AND門(mén)254輸出在觸發(fā)電路247的輸出與觸發(fā)電路250的輸出之間的AND邏輯。觸發(fā)電路250僅輸出ID讀門(mén)脈沖的紋間表面讀門(mén)脈沖。
多路復(fù)用器252接收來(lái)自字節(jié)計(jì)數(shù)器219的第一和第二同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖。按照從觸發(fā)電路247供給的紋間表面ID門(mén)脈沖，多路復(fù)用器252選擇性地把第一同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖或第二同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖供給到觸發(fā)電路251。更具體地說(shuō)，當(dāng)從觸發(fā)電路247供給的紋間表面ID門(mén)脈沖為高時(shí)，多路復(fù)用器252選擇第一同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖，而當(dāng)紋間表面ID門(mén)脈沖為低時(shí)，多路復(fù)用器252選擇第二同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖。
多路復(fù)用器253接收來(lái)自字節(jié)計(jì)數(shù)器219的第一和第二同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖。按照從觸發(fā)電路247供給的紋間表面ID門(mén)脈沖，多路復(fù)用器253選擇性地把第一同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖或第二同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖供給到觸發(fā)電路251。更具體地說(shuō)，當(dāng)從觸發(fā)電路247供給的紋間表面ID門(mén)脈沖為高時(shí)，多路復(fù)用器253選擇第一同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖，而當(dāng)紋間表面ID門(mén)脈沖為低時(shí)，多路復(fù)用器253選擇第二同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖。
在觸發(fā)電路251中，多路復(fù)用器252的選擇性輸出供給到J輸入終端，而多路復(fù)用器253的選擇性輸出供給到K輸入終端。觸發(fā)電路251然后輸出一個(gè)同步信號(hào)窗口。當(dāng)紋間表面ID門(mén)脈沖為高時(shí)，同步信號(hào)窗口隨第一同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖變高，而隨第一同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖變低。當(dāng)紋間表面ID門(mén)脈沖為低時(shí)，同步信號(hào)窗口隨第二同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖變高，而隨第二同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖變低。
圖25A至25M表明按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的門(mén)脈沖發(fā)生器的操作。更具體地說(shuō)，圖25A表示一種軌道格式，圖25B表示紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索開(kāi)始脈沖，圖25C表示紋間扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖，圖25D表示凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)脈沖，圖25E表示紋間表面/凹槽識(shí)別脈沖，圖25F表示紋間表面ID門(mén)，圖25G表示紋間表面ID讀門(mén)，圖25H表示ID讀門(mén)，圖25I表示第一同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖，圖25J表示第二同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖，圖25K表示第一同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖，圖25L表示第二同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖，及圖25M表示同步信號(hào)窗口。應(yīng)該注意，在這些圖中使用的標(biāo)號(hào)指示與圖11中使用的標(biāo)號(hào)相同的元件。
當(dāng)發(fā)出一個(gè)讀/寫(xiě)命令時(shí)，紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索開(kāi)始脈沖作為一個(gè)事件輸出，如圖25B中所示。當(dāng)輸出紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索開(kāi)始脈沖時(shí)，如圖25F中所示打開(kāi)紋間表面ID門(mén)。在打開(kāi)紋間表面ID門(mén)之后，供給紋間扇區(qū)標(biāo)記124，并且然后如圖25C中所示被檢測(cè)。在打開(kāi)紋間表面ID門(mén)的同時(shí)，打開(kāi)如圖25G中所示的紋間表面ID讀門(mén)。在常規(guī)首部的位置中打開(kāi)紋間表面ID讀門(mén)。
其次，圖25E中所示的紋間表面/凹槽識(shí)別脈沖作為一個(gè)事件產(chǎn)生，并且關(guān)閉圖25F中所示的紋間表面ID門(mén)。
當(dāng)圖25J中所示的第二同步信號(hào)窗口打開(kāi)脈沖作為一個(gè)事件產(chǎn)生時(shí)，打開(kāi)圖25M中所示的同步信號(hào)窗口。當(dāng)圖25L中所示的第二同步信號(hào)窗口關(guān)閉脈沖作為一個(gè)事件產(chǎn)生時(shí)，關(guān)閉圖25M中所示的同步信號(hào)窗口。
當(dāng)光束L達(dá)到扇區(qū)標(biāo)記126時(shí)，如圖25G中所示打開(kāi)紋間表面ID讀門(mén)。然而，如圖25F中所示紋間表面ID門(mén)保持關(guān)閉，并且因而，如圖25H中所示ID讀門(mén)也保持關(guān)閉。因而，在紋間表面軌道掃描時(shí)能防止凹槽ID讀出。
以以上方式，在沒(méi)有ID的扇區(qū)中，例如伺服窗口從5字節(jié)擴(kuò)展到8字節(jié)，以便提供一個(gè)把伺服信息保持在伺服窗口內(nèi)的余量。因而，能吸收由不規(guī)則盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)或盤(pán)偏心造成的伺服計(jì)時(shí)間隙。
圖26A至26D表明在按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)區(qū)域中的讀/寫(xiě)計(jì)時(shí)操作。更具體地說(shuō)，圖26A表示要讀或?qū)懙能壍赖囊环N格式，圖26B和26D每個(gè)表示用于第一數(shù)據(jù)區(qū)域103-1或105-1的讀/寫(xiě)計(jì)時(shí)，及圖26C表示用于第二數(shù)據(jù)區(qū)域103-2或105-2的讀/寫(xiě)計(jì)時(shí)。在這些圖中的標(biāo)號(hào)指示與圖6中的那些相同的元件。
在其中在第一數(shù)據(jù)區(qū)域103-1或105-1和第二數(shù)據(jù)區(qū)域103-2或105-2上進(jìn)行數(shù)據(jù)讀/寫(xiě)操作的情況下，當(dāng)檢測(cè)到首部102或104時(shí)接收數(shù)據(jù)讀/寫(xiě)操作，如圖26B和26C中所示。當(dāng)檢測(cè)到下一個(gè)首部102或104時(shí)，進(jìn)行在具有下個(gè)ID的數(shù)據(jù)區(qū)域上的數(shù)據(jù)讀/寫(xiě)操作。以這種方式，伺服誤差檢測(cè)靈敏度與常規(guī)伺服誤差檢測(cè)靈敏度相比，能增大約20％。
圖27A至27C表明按照本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備的伺服誤差檢測(cè)靈敏度的狀態(tài)。更具體地說(shuō)，圖27A是要用光束L掃描的軌道的一種格式，圖27B表示由伺服誤差檢測(cè)電路211設(shè)置的伺服誤差檢測(cè)靈敏度的狀態(tài)，及27C表示讀/寫(xiě)門(mén)的狀態(tài)。
當(dāng)光束到達(dá)圖27A中所示的數(shù)據(jù)區(qū)域103-1或105-1時(shí)，如圖27B中所示增大伺服誤差檢測(cè)靈敏度。
如果在讀/寫(xiě)操作在第二數(shù)據(jù)區(qū)域103-2或105-2上進(jìn)行之前，光束從第一數(shù)據(jù)區(qū)域103-1至105-1的軌道移到相鄰軌道，則讀/寫(xiě)操作可能在相鄰軌道上的數(shù)據(jù)區(qū)域上進(jìn)行。因此，增大伺服誤差檢測(cè)靈敏度以檢測(cè)伺服誤差，從而能立即停止在錯(cuò)誤位置中的讀/寫(xiě)操作。
盡管在以上實(shí)施例中為兩個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域設(shè)置一個(gè)首部，但有可能對(duì)于多于兩個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域設(shè)置一個(gè)首部。而且，首部可以以與以上實(shí)施例的不同方式排列。
圖28表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第五實(shí)施例中的一種格式。如圖28中所示，對(duì)于四個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域設(shè)置一個(gè)首部，并且每個(gè)首部與相鄰軌道上的首部錯(cuò)開(kāi)。
圖29表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第六實(shí)施例中的一種格式。在該實(shí)施例中，在沒(méi)有ID的每個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域之前放置一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記，并且其他排列與圖28中的相同。
就該實(shí)施例的記錄介質(zhì)或信息存儲(chǔ)設(shè)備而論，格式化效率從87％增大到93％。由于為沒(méi)有ID的每個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域提供一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記，所以能校正由于盤(pán)偏心或轉(zhuǎn)動(dòng)振動(dòng)造成的讀/寫(xiě)門(mén)偏差。
如至今描述的那樣，由于在沒(méi)有ID的數(shù)據(jù)區(qū)域中不輸出用來(lái)讀ID的ID讀門(mén)，所以當(dāng)交擾出現(xiàn)在沒(méi)有ID的數(shù)據(jù)區(qū)域中時(shí)不能讀相鄰軌道上的ID。因而，能防止錯(cuò)誤ID檢測(cè)。
況且，在具有圖13中所示靠近節(jié)距軌道的紋間表面/凹槽介質(zhì)中，當(dāng)光束正在掃描紋間表面軌道時(shí)，由交擾能檢測(cè)在凹槽軌道上的扇區(qū)標(biāo)記。因而，能準(zhǔn)確地進(jìn)行扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)，而不用在紋間表面軌道上形成扇區(qū)標(biāo)記。
而且，在紋間表面/凹槽介質(zhì)中，在紋間表面軌道上的扇區(qū)標(biāo)記和在凹槽軌道上的扇區(qū)標(biāo)記可以區(qū)分成在ISO/IEC 15041中規(guī)定的“偶數(shù)帶”和“奇數(shù)帶”。通過(guò)這樣做，在紋間軌道掃描時(shí)，當(dāng)檢測(cè)在紋間表面軌道上的扇區(qū)標(biāo)記時(shí)，僅打開(kāi)ID讀門(mén)。因而，在紋間表面軌道掃描時(shí)能防止凹槽ID讀。在其中采用在ISO/IEC 15041中規(guī)定的“偶數(shù)帶”和“奇數(shù)帶”的情況下，扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器是不必要的。例如，由在已經(jīng)在市場(chǎng)上的640-Mbyte介質(zhì)中的扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)器能進(jìn)行扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)，并且能保持與存在640-Mbyte介質(zhì)的相容性。
本發(fā)明不限于具體公開(kāi)的實(shí)施例，而是可以進(jìn)行變更和修改，而不脫離本發(fā)明的范圍。
本申請(qǐng)基于申請(qǐng)于1999年7月6日的日本優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)No.11-192311，其整個(gè)內(nèi)容通過(guò)參考包括在這里。
權(quán)利要求
1.一種具有用于表示提供給數(shù)據(jù)扇區(qū)的地址信息的多個(gè)凹坑組的記錄介質(zhì)，其特征在于將表示所述地址信息的一個(gè)凹坑組提供給在一個(gè)軌道方向上對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)，以使一些數(shù)據(jù)扇區(qū)被提供表示所述地址信息的所述凹坑組，而其余的數(shù)據(jù)扇區(qū)未被提供表示所述地址信息的所述凹坑組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，一條預(yù)定的軌道按照凸?fàn)钚纬?，所述預(yù)定軌道相鄰的另一條軌道按照凹狀形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的記錄介質(zhì)，其持征在于，將表示所述地址信息的一個(gè)凹坑組提供給在所述軌道方向上彼此相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，將用于同步信息的一個(gè)凹坑組提供在相鄰的數(shù)據(jù)扇區(qū)之間，以分離開(kāi)每個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，將所述的用于同步信息的凹坑組在彼此相鄰的兩個(gè)軌道上彼此相鄰地排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述的用于同步信息的、排列在兩個(gè)相鄰軌道上彼此相鄰的凹坑組被設(shè)置成具有相同的圖案，而所述用于同步信息的、已提供給具有用于地址信息的所述凹坑組的數(shù)據(jù)扇區(qū)的凹坑組被設(shè)置成另一種圖案，這種圖案與用于同步信息、但不具有用于地址信息的凹坑組的所述凹坑組的圖案不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述的用于同步信息的凹坑組被排列在每隔一條軌道的軌道上。
全文摘要
提供了具有高格式化效率的一種記錄介質(zhì)和一種信息存儲(chǔ)設(shè)備。記錄介質(zhì)和信息存儲(chǔ)設(shè)備對(duì)于要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)給出ID。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于兩個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域提供一個(gè)ID，并且在兩條相鄰軌道上只有兩個(gè)ID彼此對(duì)準(zhǔn)地定位。
文檔編號(hào)G11B11/10GK1967701SQ20061016259
公開(kāi)日2007年5月23日 申請(qǐng)日期2000年4月28日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月6日
發(fā)明者柳茂知 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社