專利名稱：：頭位置解調(diào)方法和盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種頭位置解調(diào)方法和盤裝置，用于通過盤上所記錄的伺服(servo)信號(hào)來解調(diào)頭位置，更具體地說，涉及一種頭位置解調(diào)方法和盤裝置，用于減少由于頭的讀特性所引起的解調(diào)位置誤差。
背景技術(shù)：
：用于在旋轉(zhuǎn)的盤介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的盤存儲(chǔ)裝置被廣泛用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。如圖23所示，這種盤裝置由以下各部分組成用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的盤94、用于帶動(dòng)盤94旋轉(zhuǎn)的主軸馬達(dá)96、用于在盤94上記錄和再現(xiàn)信息的頭90和用于將頭90移動(dòng)到目標(biāo)位置的致動(dòng)器(actuator)92。這種盤裝置的典型例子是磁盤裝置(HDD硬盤驅(qū)動(dòng)器)和光盤裝置(DVD-ROM、MO)。如圖24所示，在磁盤裝置上，多個(gè)用于檢測(cè)頭90的位置的位置信號(hào)100被記錄在盤94上相對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心98的弧位置中，并組成了一個(gè)磁道(track)。位置信號(hào)100由伺服標(biāo)記、磁道號(hào)和偏移信息(伺服信息)組成?？梢允褂么诺捞?hào)和偏移信息來檢測(cè)頭90的當(dāng)前位置。確定這個(gè)位置信息和目標(biāo)位置之間的差，根據(jù)位移量(差)來計(jì)算驅(qū)動(dòng)量，并提供用于驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器92的驅(qū)動(dòng)量，即，在VCM(音圈馬達(dá))的情況下提供電流，在電致伸縮的致動(dòng)器的情況下提供電壓。磁盤94上的伺服信號(hào)(位置信號(hào))100或者由盤裝置自身來記錄，即通過STW(ServoTrackWrite，伺服磁道寫)方法來記錄，或者由外部STW裝置來記錄。對(duì)于這種位置信號(hào)將使用一種面積解調(diào)方法，該方法使用二相伺服信號(hào)PosN和PosQ。圖25描繪了通過二相伺服信號(hào)而進(jìn)行的位置解調(diào)，而圖26描繪了其中的二相伺服信號(hào)。如圖25所示，位置信號(hào)(伺服圖案)由相位彼此錯(cuò)開的四個(gè)偏移信號(hào)(伺服脈沖)A-D組成。在圖25中，伺服脈沖(servoburst)A和B相對(duì)于磁道位置(虛線位置)對(duì)稱記錄，伺服脈沖C和D相對(duì)于磁道邊界(實(shí)線位置)對(duì)稱記錄。通過以下公式，由頭讀取伺服脈沖A-D時(shí)的輸出PosA-PosD來計(jì)算二相伺服信號(hào)PosN和PosQ。PosN＝PosA-PosBPosQ＝PosC-PosD或者PosN＝(PosA-PosB)/(PosA+PosB)PosQ＝(PosC-PosD)/(PosC+PosD)如圖26的詳細(xì)放大視圖所示，相比于PosN，信號(hào)PosQ移動(dòng)了1/4磁道相位。使用PosN或PosQ的絕對(duì)位置中相對(duì)較小的那個(gè)值來解調(diào)出解調(diào)位置Pos。換言之，如圖25所示，選擇圖25中用粗體線表示的、在所獲得的PosN或PosQ中絕對(duì)值較小的那個(gè)。按照這種方式，來自頭90的每個(gè)偏移信號(hào)(PosA到PosD)的讀輸出幅度正比于在頭90的位置處的偏移信號(hào)(PosA到PosD)的面積。換言之，伺服信號(hào)能夠通過解調(diào)由幅度所指示的面積來解調(diào)頭的位置。通過將面積解調(diào)方法的二相伺服信號(hào)的所選信號(hào)連接起來，就獲得了實(shí)際位置的解調(diào)位置。在連接的時(shí)候，發(fā)生了PosN和PosQ的切換。即使有了這種切換，連接起來的解調(diào)位置也最好是直線。如圖27所示，妨礙產(chǎn)生直線的原因如下第一個(gè)原因就是用于以磁道為單位對(duì)所檢測(cè)到的PosN和PosQ進(jìn)行換算的增益(稱為位置敏感度)出現(xiàn)了偏差。這個(gè)增益根據(jù)頭的檢測(cè)敏感度而變化，如果出現(xiàn)了偏差，那么在用于解調(diào)PosN的部分和用于解調(diào)PosQ的部分之間的邊界上，解調(diào)位置變得不同，其中發(fā)生了階越差(stepdifference)。第二個(gè)原因是因在伺服信號(hào)記錄期間不穩(wěn)定的寫而造成的伺服脈沖A到D的記錄位置的波動(dòng)，這被稱為RRO(RepeatableRunOut，可重復(fù)性跑偏)。第三個(gè)原因是頭的讀芯寬度(readcorewidth)小于磁道寬度，因此PosN和PosQ因頭輸出而飽和，并且由此在連接的部分發(fā)生了階越差。為了解決RRO的問題和位置敏感度的測(cè)量誤差的問題，提出了以下方法。(1)如果絕對(duì)值|N|＜|Q|，則通過±N/2(|N|+|Q|)來解調(diào)位置，否則通過±Q/2(|N|+|Q|)來解調(diào)位置(美國(guó)專利公報(bào)No.5,867,341，“Diskdrivesystemusingmultiplepairsofembeddedservobursts”(例如第6頁))。(2)如果絕對(duì)值|N|＜|Q|，則通過±N/4|Q|來解調(diào)位置，否則通過±Q/4|N|來解調(diào)位置(美國(guó)專利公報(bào)No.6,369,974，“Diskdrivewithmethodofconstructingacontinuouspositionsignalandconstrainedmethodoflinearizingsuchapositionsignalwhilemaintainingcontinuity”(第9頁，第10頁))。(3)如果絕對(duì)值|N|＜|Q|，則通過±N/|N|2+|Q|2]]>來解調(diào)位置，否則通過±Q/|N|2+|Q|2]]>來解調(diào)位置(日本在先公開專利申請(qǐng)No.H9-198817，“Magneticdiskapparatus”)。所有這些方法都具有以下特性(1)如果PosN和PosQ為“0”，則解調(diào)位置也是0，以及(2)對(duì)于通過PosN和通過PosQ進(jìn)行解調(diào)的兩種情況而言，PosN和PosQ的解調(diào)區(qū)域的邊界具有相同值。正如以上公式所示，這些方法不需要測(cè)量位置敏感度，因此可以避免位置敏感度的測(cè)量誤差帶來的影響。即使因伺服信號(hào)的寫精度的影響而造成了PosN和PosQ的伺服脈沖的寫位置移動(dòng)，在PosN和PosQ的解調(diào)區(qū)段(block)的邊界處也不會(huì)發(fā)生位移。建立對(duì)PosN和PosQ的解調(diào)公式，使得這些值與在各個(gè)解調(diào)區(qū)域的邊沿處的相鄰解調(diào)公式匹配。例如，當(dāng)在美國(guó)專利公報(bào)No.5,867,341，“Diskdrivesystemusingmultiplepairsofembeddedservobursts”的方法中，|N|和|Q|相同時(shí)，其中兩個(gè)公式的值都變成了±1/4，相互匹配。這些現(xiàn)有技術(shù)都假設(shè)在圖27中所述的信號(hào)PosN和PosQ的飽和度是恒定的，并且在一個(gè)信號(hào)的分母中，含有另一信號(hào)的信號(hào)成份，由此就消除了切換時(shí)的階越差。然而，隨著當(dāng)前對(duì)更大存儲(chǔ)容量的需求，磁道間距必須縮小。因此，頭的讀芯寬度將減小，這就使得生產(chǎn)出具有均一檢測(cè)特性的頭裝置(特別是MR頭)變得更加困難。所以，根據(jù)讀元件的檢測(cè)性能，通過檢測(cè)伺服脈沖而得到的PosN和PosQ的飽和寬度與飽和區(qū)域(saturationarea)將隨之改變，如圖28A、28B和28C所示。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，因?yàn)榧词菇鉀Q了位置敏感度和RRO的問題，也沒有考慮飽和寬度的變化，所以解調(diào)位置將會(huì)因飽和寬度的變化而出現(xiàn)偏差。具體地說，這影響了定位精度的提高，而目前由于磁道間距的減小正需要提高定位精度。
發(fā)明內(nèi)容考慮到以上問題，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種頭位置解調(diào)方法和一種盤裝置，用于降低因頭的檢測(cè)性能而引起的位置信號(hào)的飽和的影響，并解調(diào)出精確的頭位置。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種頭位置解調(diào)方法和一種盤裝置，用于降低位置敏感度、RRO和位置信號(hào)的飽和的影響，并解調(diào)出精確的頭位置。本發(fā)明的又一個(gè)目的在于提供一種頭位置解調(diào)方法和一種盤裝置，用于使用解調(diào)公式從位置信號(hào)中檢測(cè)出飽和區(qū)域，并降低飽和的影響。為了實(shí)現(xiàn)這些目的，本發(fā)明所提供的頭位置解調(diào)方法通過從記錄在盤上的伺服信息中獲得二相伺服信號(hào)PosN和PosQ，從而解調(diào)頭的位置，該方法包括由PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值之間的比值來判斷PosN或PosQ的飽和區(qū)域和非飽和區(qū)域的步驟，在飽和區(qū)域中通過將PosN和PosQ組合起來的第一解調(diào)公式來計(jì)算解調(diào)位置的第一步驟，以及在非飽和區(qū)域中通過將PosN和PosQ組合起來的第二解調(diào)公式來計(jì)算解調(diào)位置的第二步驟。本發(fā)明的盤裝置包括用于從記錄有伺服信息的盤上讀取信息的頭，用于將所述頭定位到所述盤上的預(yù)定位置的致動(dòng)器，以及用于從所述頭所讀取的伺服信息中獲得二相伺服信號(hào)PosN和PosQ，解調(diào)所述頭的位置，并控制所述致動(dòng)器的控制單元。而且所述控制單元由PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值之間的比值來判斷PosN或PosQ的飽和區(qū)域和非飽和區(qū)域，在飽和區(qū)域中通過將PosN和PosQ組合起來的第一解調(diào)公式來計(jì)算解調(diào)位置，并且在非飽和區(qū)域中通過將PosN和PosQ組合起來的第二解調(diào)公式來計(jì)算解調(diào)位置。在本發(fā)明的解調(diào)方法中，通過PosN和PosQ的各自絕對(duì)值之間的比值來判斷某一部分是否飽和，并且對(duì)飽和部分和非飽和部分使用不同的解調(diào)方法，所以可以根據(jù)所述部分是否飽和來選擇最優(yōu)公式，因此相比于根本不考慮飽和的傳統(tǒng)方法而言，本發(fā)明的方法能夠?qū)崿F(xiàn)更精確的位置解調(diào)。本發(fā)明還優(yōu)選地包括比較PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值的步驟，以及根據(jù)比較結(jié)果和判斷結(jié)果來選擇所述第一和第二步驟之一的步驟。由此就可以很容易地實(shí)現(xiàn)位置解調(diào)。在本發(fā)明中，第一和第二解調(diào)公式還優(yōu)選地構(gòu)造為使得由第一解調(diào)公式得出的解調(diào)位置和由第二解調(diào)公式得出的解調(diào)位置在飽和區(qū)域和非飽和區(qū)域之間的解調(diào)邊界上相互匹配。由此就可以防止在解調(diào)邊界上產(chǎn)生階越差。在本發(fā)明中，所述判斷步驟優(yōu)選地包括以下步驟，即在PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值之間的比值等于或小于預(yù)定比值時(shí)判斷為飽和，而在所述比值超過預(yù)定比值時(shí)判斷為非飽和。根據(jù)這一方面，將PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值進(jìn)行比較，并根據(jù)由此得到的比值是大于還是小于預(yù)定的飽和系數(shù)r來判斷是飽和還是非飽和，所以就不必預(yù)先測(cè)量位置敏感度，并且即使不知道所檢測(cè)出的PosN和PosQ實(shí)際上對(duì)應(yīng)于多少磁道，也能夠?qū)︼柡妥龀鰷?zhǔn)確的判斷。本發(fā)明優(yōu)選地還包括以下步驟，即選擇與多個(gè)頭中所選出的頭相對(duì)應(yīng)的預(yù)定比值。由此就可以根據(jù)頭的特性來判斷飽和。在本發(fā)明中，所述第一步驟優(yōu)選地包括使用由PosN、PosQ和所述比值的組合而構(gòu)造的第一解調(diào)公式來進(jìn)行解調(diào)的步驟。由此就可以防止在解調(diào)邊界上的階越差，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更精確的位置解調(diào)。在本發(fā)明中，所述第一步驟優(yōu)選地包括以下步驟，即使用滿足以下條件的第一解調(diào)公式進(jìn)行解調(diào)，其中PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值中較小的絕對(duì)值包含在分子中，而較大的絕對(duì)值和所述預(yù)定比值包含在分母中，并且所述第二步驟優(yōu)選地包括以下步驟，即使用滿足以下條件的第二解調(diào)公式進(jìn)行解調(diào)，其中PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值中較小的絕對(duì)值包含在分子中，而較大的絕對(duì)值包含在分母中。由此就可以解決飽和問題和解調(diào)邊界上的階越差問題。在本發(fā)明中，所述第一步驟的第一解調(diào)公式優(yōu)選地由以下兩個(gè)公式組成當(dāng)PosN的絕對(duì)值等于或小于PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，其中PosN包含在分子中，而PosQ的絕對(duì)值、以及預(yù)定比值加1所得的和的兩倍則包含在分母中；以及當(dāng)PosN的絕對(duì)值大于PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，其中PosQ包含在分子中，而PosN的絕對(duì)值、以及預(yù)定比值加1所得的和的兩倍則包含在分母中。在本發(fā)明中，所述第二步驟的第二解調(diào)公式優(yōu)選地由以下兩個(gè)公式組成當(dāng)PosN的絕對(duì)值等于或小于PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，其中PosN包含在分子中，而PosN的絕對(duì)值與PosQ的絕對(duì)值相加之和的兩倍則包含在分母中；以及當(dāng)PosN的絕對(duì)值大于PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，其中PosQ包含在分子中，而PosN的絕對(duì)值與PosQ的絕對(duì)值相加之和的兩倍則包含在分母中。本發(fā)明還優(yōu)選地包括以下步驟，即由頭位于預(yù)定的磁道位置時(shí)的PosQ值、以及頭位于距上述磁道位置1/4磁道遠(yuǎn)的位置時(shí)的PosQ值，來測(cè)量所述預(yù)定比值。圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的盤存儲(chǔ)裝置的配置；圖2描繪了圖1中的盤的位置信號(hào)；圖3描繪了圖2中的位置信號(hào)的細(xì)節(jié)；圖4是圖2中的位置信號(hào)的讀波形圖；圖5描繪了圖1中的頭的尋道(seek)操作；圖6描繪了圖1中的伺服控制系統(tǒng)；圖7描繪了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的位置解調(diào)方法；圖8描繪了圖7中的飽和系數(shù)；圖9中的功能框圖描繪了圖1中頭位置控制部分的位置解調(diào)部分的實(shí)施例；圖10是當(dāng)圖9中的磁道號(hào)正常時(shí)的計(jì)算表；圖11是當(dāng)圖9中的磁道號(hào)異常時(shí)的計(jì)算表；圖12描繪了圖10和圖11中的計(jì)算表區(qū)域劃分；圖13描繪了本實(shí)施例的仿真目標(biāo)區(qū)域；圖14是根據(jù)本發(fā)明的第一仿真結(jié)果的特性圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明的第二仿真結(jié)果的特性圖；圖16是根據(jù)作為對(duì)比示例的第一現(xiàn)有技術(shù)的第一仿真結(jié)果的特性圖；圖17是根據(jù)作為對(duì)比示例的第一現(xiàn)有技術(shù)的第二仿真結(jié)果的特性圖；圖18是根據(jù)作為對(duì)比示例的第二現(xiàn)有技術(shù)的第一仿真結(jié)果的特性圖；圖19是根據(jù)作為對(duì)比示例的第二現(xiàn)有技術(shù)的第二仿真結(jié)果的特性圖；圖20是根據(jù)作為對(duì)比示例的第三現(xiàn)有技術(shù)的第一仿真結(jié)果的特性圖；圖21是根據(jù)作為對(duì)比示例的第三現(xiàn)有技術(shù)的第二仿真結(jié)果的特性圖；圖22是描繪對(duì)圖8中的飽和系數(shù)進(jìn)行的測(cè)量處理的流程圖；圖23描繪了傳統(tǒng)的磁盤裝置的配置；圖24描繪了圖23中的位置信號(hào)；圖25描繪了傳統(tǒng)的位置解調(diào)處理；圖26描繪了圖25中的二相伺服信號(hào)；圖27描繪了圖25中的解調(diào)誤差因素；并且圖28A、28B和28C是頭的二相伺服信號(hào)的特性圖。具體實(shí)施例方式下面將按照盤存儲(chǔ)裝置、位置解調(diào)方法、示例、參數(shù)測(cè)量處理和其它實(shí)施例的順序來描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，但本發(fā)明并不局限于以下實(shí)施例。圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的盤存儲(chǔ)裝置的配置，圖2描繪了圖1中的磁盤的位置信號(hào)的排列，圖3描繪了圖1和圖2中的磁盤的位置信號(hào)的構(gòu)造，圖4是圖3中的位置信號(hào)的讀波形圖，圖5描繪了圖1中的頭位置控制，并且圖6描繪了具有圖1中的配置的伺服控制系統(tǒng)。圖1示出了作為盤存儲(chǔ)裝置的磁盤裝置。如圖1所示，磁盤10是磁存儲(chǔ)介質(zhì)，它被放置在主軸馬達(dá)18的旋轉(zhuǎn)軸19上。主軸馬達(dá)18帶動(dòng)磁盤10旋轉(zhuǎn)。致動(dòng)器(VCM)14在端部有一個(gè)磁頭12，并且致動(dòng)器14在磁盤10的半徑方向上移動(dòng)該磁頭12。致動(dòng)器14由音圈馬達(dá)(VCM)組成，該VCM繞其中心處的旋轉(zhuǎn)軸而旋轉(zhuǎn)。在圖1中，有兩個(gè)磁盤10被放置在磁盤裝置中，并且有四個(gè)磁頭12同時(shí)由同一個(gè)致動(dòng)器14來驅(qū)動(dòng)。磁頭12由讀元件和寫元件組成。在磁頭12中，在滑動(dòng)器(slider)上層疊有包括磁阻(MR)元件的讀元件，而在其上又層疊了包括寫線圈的寫元件。位置檢測(cè)電路20將磁頭12所讀取的位置信號(hào)(模擬信號(hào))轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。讀/寫(R/W)電路22控制磁頭12的讀和寫。主軸馬達(dá)(SPM)驅(qū)動(dòng)電路24用于驅(qū)動(dòng)主軸馬達(dá)18。音圈馬達(dá)(VCM)驅(qū)動(dòng)電路26向音圈馬達(dá)(VCM)14提供驅(qū)動(dòng)電流以驅(qū)動(dòng)VCM14。微控制器(MCU)28從來自位置檢測(cè)電路20的數(shù)字位置信號(hào)中檢測(cè)(解調(diào))出當(dāng)前位置，并且根據(jù)檢測(cè)到的當(dāng)前位置和目標(biāo)位置之間的誤差來計(jì)算VCM驅(qū)動(dòng)命令值。換言之，執(zhí)行位置解調(diào)和伺服控制。只讀存儲(chǔ)器(ROM)30存儲(chǔ)MCU28的控制程序。硬盤控制器(HDC)32基于伺服信號(hào)的扇區(qū)號(hào)(sectornumber)來判斷磁道上的位置，并記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)。隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(RAM)34臨時(shí)存儲(chǔ)讀數(shù)據(jù)和寫數(shù)據(jù)。HDC32通過ATA和SCSI這樣的接口IF與主機(jī)通信。總線36將這些組件連接起來。如圖2所示，在磁盤10上，從外圈磁道到內(nèi)圈磁道，在每個(gè)磁道的圓周方向上等間隔地放置伺服信號(hào)(位置信號(hào))。每個(gè)磁道由多個(gè)扇區(qū)組成，圖2中的實(shí)線表示伺服信號(hào)的記錄位置。如圖3所示，位置信號(hào)由伺服標(biāo)記ServoMark、磁道號(hào)GrayCode、索引Index和偏移信息(伺服脈沖)PosA、PosB、PosC和PosD組成。圖3中的虛線示出了磁道中心。圖4是在圖3中的位置信號(hào)被磁頭12讀取時(shí)的信號(hào)波形。使用圖4所示的信號(hào)波形中的磁道號(hào)GrayCode和偏移信息PosA、PosB、PosC和PosD，就檢測(cè)出磁頭在半徑方向上的位置。同樣，基于索引信號(hào)Index，就可以知道磁頭在圓周方向上的位置。例如，檢測(cè)到索引信號(hào)時(shí)的扇區(qū)號(hào)被設(shè)置為零，并且每次檢測(cè)到伺服信號(hào)，就通過加1獲得磁道上每個(gè)扇區(qū)的扇區(qū)號(hào)。在記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí)，這個(gè)伺服信號(hào)的扇區(qū)號(hào)就成了參照。在一個(gè)磁道上有一個(gè)索引信號(hào)。可以用扇區(qū)號(hào)來代替索引信號(hào)。圖5是致動(dòng)器的尋道控制的示例，該操作由圖1中的MCU28來執(zhí)行。通過圖1中的位置檢測(cè)電路20，MCU28確認(rèn)致動(dòng)器的位置，執(zhí)行伺服計(jì)算，并且向VCM14提供適當(dāng)?shù)碾娏鳌D5示出了從尋道開始時(shí)起的控制轉(zhuǎn)變、致動(dòng)器14的電流、致動(dòng)器(頭)的速度和致動(dòng)器(頭)的位置，所述尋道用于將磁頭12從某一磁道位置移動(dòng)到目標(biāo)磁道位置。換言之，在尋道控制中，經(jīng)過粗調(diào)控制、安放(settling)控制和后續(xù)控制這樣的轉(zhuǎn)變，就可以將磁頭移動(dòng)到目標(biāo)位置。粗調(diào)控制基本上是一種速度控制，而安放控制和后續(xù)控制基本上屬于位置控制，在以上兩種情形中，都必須檢測(cè)出頭的當(dāng)前位置。為了以這種方式來確認(rèn)位置，如上所述應(yīng)預(yù)先在磁盤上記錄伺服信號(hào)，如圖2所示。換言之，如圖3所示，記錄用于指示伺服信號(hào)起始位置的伺服標(biāo)記、用于指示磁道號(hào)的格雷碼(graycode)、索引信號(hào)和用于指示偏移量的PosA-PosD這樣的信號(hào)。這些信號(hào)由磁頭來讀取，并且位置檢測(cè)電路20將這些信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字值。MCU28執(zhí)行圖6中伺服控制系統(tǒng)的操作。換言之，目標(biāo)位置r和當(dāng)前位置y之間的誤差由計(jì)算模塊28-1來計(jì)算，控制量由控制模塊28-2來計(jì)算，而作為裝備(plant)的VCM14被驅(qū)動(dòng)。對(duì)于所述裝備的位置，來自磁頭12的伺服信號(hào)的位置由解調(diào)模塊28-3來解調(diào)，并得到當(dāng)前位置y。這個(gè)時(shí)候，上述的位置敏感度、RRO和飽和的影響都進(jìn)入到伺服控制系統(tǒng)中。下面將描述本發(fā)明的位置解調(diào)的原理。圖7描繪了本發(fā)明的位置解調(diào)操作，而圖8描繪了圖7中的飽和判斷。在本發(fā)明中，如圖7中的信號(hào)PosN和PosQ的波形圖所示的那樣來判斷PosN和PosQ是否飽和。為了判斷飽和，就要判斷PosN和PosQ各自絕對(duì)值之間的比值是大于還是小于比例系數(shù)r，而這取決于磁道和磁頭。對(duì)于飽和區(qū)段(block)和非飽和區(qū)段使用不同的解調(diào)方法。另外，將解調(diào)公式構(gòu)造為使得每個(gè)解調(diào)區(qū)段的邊沿與相鄰解調(diào)區(qū)段的邊沿相匹配。換言之，在傳統(tǒng)的方法中，如上所述，無論飽和還是非飽和，都使用相同的解調(diào)公式。因此無法支持不同的飽和寬度，并且解調(diào)位置的精度會(huì)下降。然而在本發(fā)明中，對(duì)于每一個(gè)飽和區(qū)段和非飽和區(qū)段，都選擇最優(yōu)公式，所以解調(diào)可以比根本不考慮飽和的傳統(tǒng)方法更加精確。為了進(jìn)行解調(diào)，在這個(gè)實(shí)施例中將使用以下邏輯。當(dāng)|N|≤|Q|時(shí)，如果|N|≤r|Q|，則±N/(|Q|×(2(r+1)))(1)如果|N|＞r|Q|，則±N/((|N|+|Q|)×2)(2)當(dāng)|N|＞|Q|時(shí)，如果|Q|≤r|N|，則±Q/(|N|×(2(r+1)))(3)如果|Q|＞r|N|，則±Q/((|N+|Q|)×2)(4)換言之，將PosN的絕對(duì)值|N|和PosQ的絕對(duì)值|Q|進(jìn)行比較，并根據(jù)其比值是大于還是小于預(yù)定的r來判斷是飽和還是非飽和。因?yàn)檫@種方法并不預(yù)先測(cè)量位置敏感度，并且因?yàn)樵诓⒉恢浪鶛z測(cè)出的PosN和PosQ對(duì)應(yīng)于多少磁道的狀態(tài)下需要準(zhǔn)確地判斷飽和，所以要確定PosN和PosQ的比值。以后將描述導(dǎo)出這些解調(diào)公式的原因，但是這里將描述公式(1)到(4)中的“r”的計(jì)算方法。這里“r”被稱為飽和系數(shù)。并且如下確定“r”。如圖8所示，假設(shè)PosN或PosQ的飽和量被換算成R個(gè)磁道。由于PosN和PosQ之間移動(dòng)了1/4磁道，因此|N|和|Q|在其絕對(duì)位置的1/4磁道點(diǎn)處相交。這時(shí)，飽和區(qū)段和非飽和區(qū)段的邊界位置是(1/2-R)。如果在這一位置處的|N|和|Q|的比值為r，則如下確定r。1∶r＝R∶(1/2-R)(5)r＝(1-2R)/(2R)(6)R＝1/2/(1+r)(7)對(duì)于r和R而言，首先通過在PosN或PosQ為零的位置上的頭輸出A和在|N|＝|Q|的位置(1/4磁道位置)上的頭輸出B，使用R＝A/4B來確定飽和磁道的數(shù)量R；然后，按照公式(6)來確定“r”。如上所述，使用以這種方式確定的r，通過比較|N|和|Q|，就可以判斷出飽和區(qū)域和非飽和區(qū)域。|N|＞r|Q|時(shí)由公式(2)，或者|Q|＞r|N|時(shí)由公式(4)給出非飽和區(qū)域，所以使用了公式(2)和公式(4)之一。換言之，±N/((|N|+|Q|)×2)或者±Q/((|N|+|Q|)×2)。以上公式的前面帶有符號(hào)“±”，這是因?yàn)镻osN或PosQ相對(duì)于磁道方向的曲線斜率可以是正負(fù)兩個(gè)方向的。換言之，根據(jù)進(jìn)行換算的條件而在前面加上+或-，使得在磁道增加的方向上斜率為正。如果以這種方式來構(gòu)造公式，那么各個(gè)公式的值在PosN和PosQ的解調(diào)區(qū)段的邊界區(qū)域上相互匹配。例如，當(dāng)PosN和PosQ都有相等的值V時(shí)，以上兩個(gè)公式都變成了±1/4，其中V被分子分母相互抵消。因此在非飽和區(qū)域的邊界，所述兩個(gè)公式始終得出同樣的值。接下來，|N|≤r|Q|時(shí)由公式(1)，或者|Q|≤r|N|時(shí)由公式(3)給出飽和區(qū)域，所以使用了公式(1)和公式(3)之一。換言之，使用±N/(|Q|×(2(r+1)))和±Q/(|N|×(2(r+1)))之一。以上公式的前面也帶有符號(hào)“±”，這是因?yàn)镻osN或PosQ相對(duì)于磁道方向的曲線斜率可以是正負(fù)兩個(gè)方向的。根據(jù)進(jìn)行換算的條件而在前面加上+或-，使得在磁道增加的方向上斜率為正。在飽和區(qū)域中，PosN和PosQ之一始終保持為恒定值。因此使用飽和側(cè)的值作為分母。在圖8中，這就是R值。另外要進(jìn)行校正，使得這個(gè)公式的斜率等于“1”(線性特性)。為此，由于分母為R，所以乘以R(＝1/2/(1+r))?，F(xiàn)在考慮兩類判決公式的邊界，即公式(2)或公式(4)以及公式(1)或公式(3)的邊界?；谏鲜鼋庹{(diào)邏輯，所述邊界就是PosN和PosQ的絕對(duì)值之比等于“r”的時(shí)候。例如，當(dāng)基于PosN執(zhí)行解調(diào)時(shí)，邊界如下?！繬/(|N|+|Q|)×2＝±N/((|N|+(|N|r))×2)＝±r/((1+r)×2)±N/|Q|×(2(r+1))＝±N/(|N|r×(2(r+1))＝±r/((1+r)×2)因此，兩個(gè)公式得出相同的值。對(duì)于PosQ來說也是一樣的。按照這種方式，在解調(diào)邊界處，計(jì)算結(jié)果與相鄰區(qū)域的解調(diào)公式的結(jié)果之間沒有偏差。因此，在解調(diào)邊界處不會(huì)產(chǎn)生階越差。圖9是描繪根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的位置解調(diào)系統(tǒng)的框圖，圖10和圖11是其計(jì)算表，而圖12是描述所述計(jì)算表的選擇的圖。圖9中的位置解調(diào)系統(tǒng)由圖1中的MCU28執(zhí)行。MCU28使用圖9中的解調(diào)位置作為當(dāng)前位置來執(zhí)行公知的伺服操作(例如，觀測(cè)器控制)，并計(jì)算VCM14的控制量。在圖9中，信號(hào)解調(diào)部分40從來自磁頭12的位置信號(hào)(見圖4)中分離出磁道號(hào)和偏移信號(hào)(PosA到PosD)。計(jì)算單元42和44分別利用以下計(jì)算公式來計(jì)算二相伺服信號(hào)PosN和PosQ。PosN＝PosA-PosB(8)PosQ＝PosC-PosD(9)飽和系數(shù)表46存儲(chǔ)每個(gè)磁頭和每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)(zone)的飽和系數(shù)r。飽和系數(shù)r由將在圖22中描述的測(cè)量處理獲得。飽和系數(shù)表46由信號(hào)解調(diào)部分40所解調(diào)出的磁道號(hào)和磁頭號(hào)來索引，并輸出對(duì)應(yīng)于磁頭和存儲(chǔ)區(qū)的飽和系數(shù)r。條件判斷部分48判斷上述公式(1)到(4)的條件。換言之，比較|N|和|Q|、|N|和r|Q|、以及|Q|和r|N|的值。磁道號(hào)正常判斷部分50判斷磁道號(hào)是否被正常讀取。換言之，因?yàn)榭赡馨l(fā)生讀錯(cuò)誤，所以要判斷磁頭是否正常讀取了盤上的磁道號(hào)。如圖3和圖7所示，如果磁道號(hào)是偶數(shù)，PosQ為負(fù)，而如果磁道號(hào)是奇數(shù)，則PosQ為正。因此，磁道號(hào)正常判斷部分50從信號(hào)解調(diào)部分40接收磁道號(hào)和PosQ，當(dāng)磁道號(hào)是偶數(shù)并且PosQ為負(fù)時(shí)，或者當(dāng)磁道號(hào)是奇數(shù)并且PosQ為正時(shí)，判斷出該磁道號(hào)為正常的，否則判斷出其為異常的。四個(gè)操作模塊52、54、56和58分別執(zhí)行公式(2)、公式(1)、公式(3)和公式(4)，并如下計(jì)算N2、N1、Q1和Q2。N2＝N/((|N|+|Q|)×2)N1＝N/(|Q|×(2(r+1)))Q2＝Q/((|N|+|Q|)×2)Q1＝Q/(|N|×(2(r+1)))解調(diào)位置計(jì)算部分60具有磁道號(hào)正常時(shí)的解調(diào)計(jì)算表62和磁道號(hào)異常時(shí)的解調(diào)計(jì)算表64，分別如圖10和圖11所示，根據(jù)從磁道號(hào)正常判斷部分50中輸出的磁道正?；虍惓Ｅ袛嘟Y(jié)果而從這兩個(gè)表中選擇一個(gè)，并計(jì)算解調(diào)位置。在如圖12所示的這些表62和64中，PosN和PosQ的一個(gè)周期(其對(duì)應(yīng)于兩個(gè)磁道，即2n和2n+1)被劃分為8段，分別設(shè)置有相應(yīng)的公式。換言之，如圖10和圖11所示，基于以下各方面來選擇每一區(qū)段的公式PosN和PosQ的極性；磁道號(hào)除以2后的余數(shù)Track％2(這代表了該磁道號(hào)是奇數(shù)還是偶數(shù))；|N|和|Q|、|N|和r|Q|以及|Q|和r|N|的值的比較結(jié)果，在選擇了公式后計(jì)算出解調(diào)位置。例如，在磁道號(hào)正常時(shí)采用圖10中計(jì)算表62的情況下，如果PosN和PosQ的極性為「-」，磁道號(hào)是偶數(shù)(Track％2＝0)，并且|N|≥|Q|(「1」)，|Q|≤r|N|(「1」)，那么該區(qū)域是飽和區(qū)域，所以根據(jù)公式(3)，使用區(qū)段1的公式＝Track-Q1-0.5來計(jì)算解調(diào)位置。如果PosN和PosQ的極性是「-」，磁道號(hào)是偶數(shù)(Track％2＝0)，并且|N|≥|Q|(「1」)，而|Q|≤r|N|不成立(「0」)，那么該區(qū)域是非飽和區(qū)域，所以根據(jù)公式(4)，使用區(qū)段1的另一個(gè)公式＝Track-Q2-0.5來計(jì)算解調(diào)位置。這同樣適用于區(qū)段2到8。在磁道號(hào)異常時(shí)采用圖11中計(jì)算表64的情況下，假設(shè)磁道號(hào)是當(dāng)前解調(diào)區(qū)域的相鄰區(qū)域的磁道號(hào)，并向圖10中的公式加「1」或「-1」。例如，在圖11中，如果PosN和PosQ的極性為「-」，磁道號(hào)是奇數(shù)(Track％2＝1)，并且|N|≥|Q|(「1」)，|Q|≤r|N|(「1」)，那么該區(qū)域是飽和區(qū)域，所以根據(jù)公式(3)，使用區(qū)段1的公式＝Track-Q1-0.5+1來計(jì)算解調(diào)位置。如果PosN和PosQ的極性是「-」，磁道號(hào)是奇數(shù)(Track％2＝1)，并且|N|≥|Q|(「1」)，而|Q|≤r|N|不成立(「0」)，那么該區(qū)域是非飽和區(qū)域，所以根據(jù)公式(4)，使用區(qū)段1的另一個(gè)公式＝Track-Q2-0.5+1來計(jì)算解調(diào)位置。這同樣適用于區(qū)段2到8。另外，通過將表62和64合并在一起，就能夠壓縮用于解調(diào)位置的邏輯。按照這種方式，根據(jù)本發(fā)明的位置解調(diào)方法，由PosN和PosQ的各自絕對(duì)值之比來判斷飽和，并對(duì)飽和區(qū)段和非飽和區(qū)段使用不同的解調(diào)方法。解調(diào)公式被構(gòu)造為使得每個(gè)解調(diào)區(qū)段的邊沿與相鄰解調(diào)區(qū)段的邊沿相匹配。因?yàn)槭歉鶕?jù)是飽和還是非飽和來選擇最優(yōu)公式，所以與根本不考慮飽和的傳統(tǒng)方法相比，本發(fā)明的方法能夠進(jìn)行更精確的解調(diào)。另外，比較PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值，由其比值是大于還是小于預(yù)定的飽和系數(shù)r來判斷是飽和還是非飽和，所以不必再預(yù)先測(cè)量位置敏感度，并且即使不知道所檢測(cè)出的PosN和PosQ實(shí)際上對(duì)應(yīng)于多少磁道，也能夠?qū)︼柡妥龀鰷?zhǔn)確的判斷。在飽和區(qū)域，因?yàn)镻osN和PosQ之一總是保持為恒定值，所以將飽和側(cè)的值用作分母，并且乘以R(＝1/(2×(1+r)))，使得這個(gè)公式的斜率變?yōu)?。因此，在解調(diào)邊界，計(jì)算結(jié)果與相鄰區(qū)域的解調(diào)公式的結(jié)果沒有任何偏差。由此，在解調(diào)邊界就不會(huì)產(chǎn)生階越差。用實(shí)際的C語言程序編寫的上述解調(diào)邏輯的示例如下所示。<prelisting-type="program-listing"><![CDATA[//A、B、C、D是脈沖的解調(diào)值//N＝(A-B)；Q＝(C-D)；AbsN＝N；if(AbsN＜0)AbsN＝-AbsN；AbsQ＝Q；if(AbsQ＜0)AbsQ＝-AbsQ；//N和Q中絕對(duì)值較小的被用于解調(diào)if(AbsN＜＝AbsQ){//CASE解調(diào)PosNif(AbsN＜＝r*AbsQ)PosTemp＝N/AbsQ/(2*(1+r))；elsePosTemp＝N/(AbsN+AbsQ)/2；PosOfs＝0；if(Q＜＝0){if((Track&amp;1)＝＝1){if(N＜＝0)PosOfs+＝+1；elsePosOfs+＝-1；}}else{PosTemp＝-PosTemp；if((Track&amp;1)＝＝0){if(N＜＝0)PosOfs+＝-1；elsePosOfs+＝+1；}}}else{//CASE解調(diào)PosQif(AbsQ＜＝r*AbsN)PosTemp＝Q/AbsN/(2*(1+r))；elsePosTemp＝Q/(AbsN+AbsQ)/2；if(N＜＝0){PosTemp＝-PosTemp；if(Q＜＝0){PosOfs＝-1/2；if((Track&amp;1)＝＝1)PosOfs+＝+1；}else{PosOfs＝+1/2；if((Track&amp;1)＝＝0)PosOfs+＝-1；}}else{PosTemp＝+PosTemp；if(Q＜＝0){PosOfs＝+1/2；if((Track&amp;1)＝＝1)PosOfs+＝-1；}else{PosOfs＝-1/2；if((Track&amp;1)＝＝0)PosOfs+＝+1；}}}Position＝Track+PosTemp+PosOfs；]]></pre>作為本發(fā)明的示例，現(xiàn)在將描述本發(fā)明的仿真結(jié)果。圖13描繪了對(duì)解調(diào)性能進(jìn)行仿真的目標(biāo)區(qū)域，圖14和圖15示出了本發(fā)明的仿真結(jié)果，圖16和圖17示出了在美國(guó)專利公報(bào)No.5,867,341，“Diskdrivesystemusingmultiplepairsofembeddedservobursts”中現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)公式所產(chǎn)生的仿真結(jié)果，圖18和圖19示出了在美國(guó)專利公報(bào)No.6,369,974，“Diskdrivewithmethodofconstructingacontinuouspositionsignalandconstrainedmethodoflinearizingsuchapositionsignalwhilemaintainingcontinuity”中現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)公式所產(chǎn)生的仿真結(jié)果，圖20和圖21示出了在日本在先公開專利申請(qǐng)No.H9-198817，“Magneticdiskapparatus”中現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)公式所產(chǎn)生的解調(diào)結(jié)果。下面將描述用于仿真的計(jì)算方法。首先，以磁道為單位給出PosN和PosQ的飽和量(磁道數(shù))和RRO的大小。然后，關(guān)于圖13中作為計(jì)算范圍的那個(gè)區(qū)域(將某一磁道的0.5磁道寬度的范圍作為參考)，絕對(duì)位置被劃分為若干小的等份(0.0001磁道)。考慮每一等份的飽和量和RRO，以磁道為單位計(jì)算出PosN和PosQ的信號(hào)。使用每個(gè)解調(diào)公式計(jì)算出解調(diào)位置的值。這里假設(shè)沒有發(fā)生磁道號(hào)讀錯(cuò)誤。于是得到了絕對(duì)位置相對(duì)于解調(diào)位置的曲線。另外，對(duì)于每個(gè)點(diǎn)確定這樣一個(gè)值，該值是相鄰等份點(diǎn)的解調(diào)位置的微分值除以單位等份寬度的結(jié)果，并將該值看作是增益。同樣示出了絕對(duì)位置相對(duì)于增益的曲線。圖14和圖15是本發(fā)明的解調(diào)方法的仿真結(jié)果(絕對(duì)位置相對(duì)于解調(diào)位置的特性和絕對(duì)位置相對(duì)于增益的特性)，其中圖14是RRO為零并且飽和等于0.4磁道時(shí)的結(jié)果，而圖15是RRO為零并且飽和等于0.3磁道時(shí)的結(jié)果。如圖14和圖15所示，取決于飽和還是非飽和來轉(zhuǎn)換解調(diào)公式，所以在任何飽和量處，增益都是平的。圖16和圖17是美國(guó)專利公報(bào)No.5,867,341，“Diskdrivesystemusingmultiplepairsofembeddedservobursts”中現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)方法的仿真結(jié)果(絕對(duì)位置相對(duì)于解調(diào)位置的特性和絕對(duì)位置相對(duì)于增益的特性)，其中圖16是RRO為零并且飽和等于0.4磁道時(shí)的結(jié)果，而圖17是RRO為零并且飽和等于0.3磁道時(shí)的結(jié)果。如圖16和圖17所示，解調(diào)特性根據(jù)飽和量而變化，增益在非飽和區(qū)域中是平的，但是在飽和區(qū)域中則發(fā)生了很大變化。圖18和圖19是美國(guó)專利公報(bào)No.6,369,974，“Diskdrivewithmethodofconstructingacontinuouspositionsignalandconstrainedmethodoflinearizingsuchapositionsignalwhilemaintainingcontinuity”中現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)方法的仿真結(jié)果(絕對(duì)位置相對(duì)于解調(diào)位置的特性和絕對(duì)位置相對(duì)于增益的特性)，其中圖18是RRO為零并且飽和等于0.4磁道時(shí)的結(jié)果，而圖19是RRO為零并且飽和等于0.3磁道時(shí)的結(jié)果。如圖18和圖19所示，解調(diào)位置精度下降，并且增益在飽和區(qū)域中雖然平坦但不等于1，而在非飽和區(qū)域中則波動(dòng)很大。圖20和圖21是日本在先公開專利申請(qǐng)No.H9-198817，“Magneticdiskapparatus”中現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)方法的仿真結(jié)果(絕對(duì)位置相對(duì)于解調(diào)位置的特性和絕對(duì)位置相對(duì)于增益的特性)，其中圖20是RRO為零并且飽和等于0.4磁道時(shí)的結(jié)果，而圖21是RRO為零并且飽和等于0.3磁道時(shí)的結(jié)果。如圖20和圖21所示，增益在飽和區(qū)域和非飽和區(qū)域中都有很大波動(dòng)?？梢?，根據(jù)本發(fā)明，解調(diào)位置更加精確而與PosN和PosQ的飽和量無關(guān)，并且增益平坦，所以本發(fā)明對(duì)提高頭定位精度做出了貢獻(xiàn)。下面參考圖22來描述對(duì)上述飽和系數(shù)r的測(cè)量處理。在磁盤裝置出廠之前，對(duì)各個(gè)磁盤裝置都要執(zhí)行這種測(cè)量處理。(S10)將磁頭號(hào)Head初始化為“0”。(S12)將目標(biāo)位置TargetPos設(shè)置為目標(biāo)磁道TargetTrack。(S14)磁頭號(hào)Head所代表的磁頭尋道到目標(biāo)位置TargetPos。并且在這一位置，從磁頭的讀輸出中測(cè)量出PosQ的絕對(duì)值|Q|的平均值，并將其存儲(chǔ)到變量A中。(S16)目標(biāo)位置TargetPos被改變?yōu)槟繕?biāo)磁道TargetTrack+0.25，并且所述磁頭尋道到目標(biāo)位置TargetPos。并且在這一位置處，從磁頭的讀輸出中測(cè)量出PosQ的絕對(duì)值|Q|的平均值，并將其存儲(chǔ)到變量B中。(S18)通過R＝A/(4B)來計(jì)算飽和磁道的數(shù)量R，并通過r＝(1-2R)/(2R)來計(jì)算飽和系數(shù)r。然后，計(jì)算出的r被存儲(chǔ)在表46中這一磁頭的存儲(chǔ)區(qū)域中(參見圖9)。(S20)將磁頭號(hào)Head加“1”。判斷磁頭號(hào)Head是否超過最大磁頭號(hào)MaxHead。如果磁頭號(hào)Head沒有超過最大磁頭號(hào)MaxHead，則處理返回步驟S12。如果磁頭號(hào)Head超過最大磁頭號(hào)MaxHead，則處理結(jié)束。換言之，在偏移量為“0”的測(cè)量磁道中對(duì)信號(hào)的飽和量進(jìn)行測(cè)量。然后，以1/4磁道的偏移量來確定在|N|＝|Q|的點(diǎn)的信號(hào)的值。通過這兩個(gè)測(cè)量值來確定每一個(gè)磁頭的飽和系數(shù)r。在這個(gè)流程中，只有一個(gè)測(cè)量點(diǎn)，但是可以確定很多點(diǎn)上的平均值。在圖9中還示出，所述區(qū)域可被劃分為多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)，并為每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)確定飽和系數(shù)r。特別是在將旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器用于VCM時(shí)，取決于磁頭的偏離角度(yawangle)，讀磁頭的檢測(cè)特性會(huì)有所不同，并且飽和寬度也會(huì)不同，所以優(yōu)選的是對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)都測(cè)量飽和系數(shù)r。通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是在本發(fā)明必要特征的范圍內(nèi)可以用各種方式來修改本發(fā)明，而不應(yīng)當(dāng)將這些修改從本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)排除出去。例如，在以上實(shí)施例中，對(duì)飽和區(qū)域使用解調(diào)公式N/|Q|，對(duì)非飽和區(qū)域使用解調(diào)公式N/(|N|+|Q|)，但是也可以使用其它解調(diào)公式。換言之，如圖7所示，假設(shè)信號(hào)PosN和PosQ具有梯形波的形式，但是取決于和磁頭特性及磁道寬度之間的關(guān)系，信號(hào)PosN和PosQ可能具有更圓一些的波形，接近于正弦波，而不是具有象梯形波那樣的角度的形狀。在這種情況下，因?yàn)榕c絕對(duì)位置之間的偏差值變小并且增益變小，所以采用一種與上述組合不同的對(duì)飽和或非飽和區(qū)域的解調(diào)公式的組合可能是最優(yōu)的。下面將描述這些組合。(1)對(duì)飽和區(qū)域使用解調(diào)公式N/|Q|，而對(duì)非飽和區(qū)域使用解調(diào)公式N/N2+Q2.]]>即，當(dāng)|N|≤|Q|時(shí)，如果|N|≤r|Q|，則&PlusMinus;N/(|Q|*22(1+r2))---(10)]]>如果|N|＞r|Q|，則&PlusMinus;N/(N2+Q2*22)---(11)]]>當(dāng)|N|＞|Q|時(shí)，如果|Q|≤r|N|，則&PlusMinus;Q/(|N|*22(1+r2))---(12)]]>如果|Q|＞r|N|，則&PlusMinus;Q/(N2+Q2*22)---(13)]]>(2)對(duì)飽和區(qū)域使用解調(diào)公式N/N2+Q2,]]>而對(duì)非飽和區(qū)域使用解調(diào)公式N/(|N|+|Q|)。即，當(dāng)|N|≤|Q|時(shí)，如果|N|≤r|Q|，則&PlusMinus;N*1+r2/(N2+Q2*2(r+1))---(14)]]>如果|N|＞r|Q|，則±N/((|N|+|Q|)*2)(15)當(dāng)|N|＞|Q|時(shí)，如果|Q|≤r|N|，則&PlusMinus;Q*1+r2/(N2+Q2*2(r+1))---(16)]]>如果|Q|＞r|N|，則±Q/((|N|+|Q|*2)(17)雖然使用磁盤裝置描述了盤裝置，但是本發(fā)明可應(yīng)用于其它盤裝置，例如光盤裝置。這樣，根據(jù)本發(fā)明的位置解調(diào)方法，通過PosN和PosQ的各自絕對(duì)值之比來判斷是飽和還是非飽和，對(duì)于飽和區(qū)段和非飽和區(qū)段使用不同的解調(diào)方法，并且解調(diào)公式被構(gòu)造為使得每個(gè)解調(diào)區(qū)段的邊沿與相鄰解調(diào)區(qū)段的邊沿相匹配。因此，根據(jù)區(qū)段是飽和還是非飽和來選擇最優(yōu)的公式，從而與根本不考慮飽和的傳統(tǒng)方法相比，能夠進(jìn)行更精確的位置解調(diào)。另外，比較PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值，由其比值是大于還是小于預(yù)定的飽和系數(shù)r來判斷是飽和還是非飽和，所以不必再預(yù)先測(cè)量位置敏感度，并且即使不知道所檢測(cè)出的PosN和PosQ實(shí)際上對(duì)應(yīng)于多少磁道，也能夠?qū)︼柡妥龀鰷?zhǔn)確的判斷。本申請(qǐng)基于在先的日本專利申請(qǐng)No.2003-187286，并要求其優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容已通過參照而結(jié)合在本申請(qǐng)當(dāng)中。權(quán)利要求1.一種頭位置解調(diào)方法，用于通過從記錄在一個(gè)盤上的伺服信息中獲得二相伺服信號(hào)PosN和PosQ來解調(diào)頭的位置，所述方法包括由所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值之間的比值來判斷所述PosN或所述PosQ的飽和區(qū)域和非飽和區(qū)域的步驟；在所述飽和區(qū)域中，通過將所述PosN和PosQ組合起來的第一解調(diào)公式來計(jì)算解調(diào)位置的第一步驟；以及在所述非飽和區(qū)域中，通過將所述PosN和PosQ組合起來的第二解調(diào)公式來計(jì)算解調(diào)位置的第二步驟。2.如權(quán)利要求1所述的頭位置解調(diào)方法，還包括比較所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值的步驟，以及根據(jù)所述比較結(jié)果和所述判斷結(jié)果來選擇所述第一和第二步驟之一的步驟。3.如權(quán)利要求1所述的頭位置解調(diào)方法，其中，所述第一和第二解調(diào)公式被構(gòu)造為使得由所述第一解調(diào)公式得到的解調(diào)位置和由所述第二解調(diào)公式得到的解調(diào)位置在所述飽和區(qū)域和所述非飽和區(qū)域之間的解調(diào)邊界上相互匹配。4.如權(quán)利要求1所述的頭位置解調(diào)方法，其中，所述判斷步驟包括以下步驟，即在所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值之間的比值等于或小于預(yù)定比值時(shí)判斷為飽和，而在所述比值超過所述預(yù)定比值時(shí)判斷為非飽和。5.如權(quán)利要求4所述的頭位置解調(diào)方法，還包括以下步驟，即對(duì)應(yīng)于從多個(gè)頭中選出的頭來選擇所述預(yù)定比值。6.如權(quán)利要求4所述的頭位置解調(diào)方法，其中，所述第一步驟包括以下步驟，即使用由所述PosN、所述PosQ和所述比值的組合而構(gòu)造的所述第一解調(diào)公式來進(jìn)行解調(diào)。7.如權(quán)利要求4所述的頭位置解調(diào)方法，其中，所述第一步驟包括以下步驟，即使用所述第一解調(diào)公式進(jìn)行解調(diào)，在所述第一解調(diào)公式中，所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值中較小的絕對(duì)值包含在分子中，而較大的絕對(duì)值和所述預(yù)定比值則包含在分母中，并且所述第二步驟包括以下步驟，即使用所述第二解調(diào)公式進(jìn)行解調(diào)，在所述第二解調(diào)公式中，所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值中較小的絕對(duì)值包含在分子中，而較大的絕對(duì)值則包含在分母中。8.如權(quán)利要求7所述的頭位置解調(diào)方法，其中，所述第一步驟中的第一解調(diào)公式由以下兩個(gè)解調(diào)公式組成當(dāng)所述PosN的絕對(duì)值等于或小于所述PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，在該公式中，所述PosN包含在分子中，而所述PosQ的絕對(duì)值、以及所述預(yù)定比值加1所得的和的兩倍則包含在分母中；以及當(dāng)所述PosN的絕對(duì)值大于所述PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，在該公式中，所述PosQ包含在分子中，而所述PosN的絕對(duì)值、以及所述預(yù)定比值加1所得的和的兩倍則包含在分母中。9.如權(quán)利要求7所述的頭位置解調(diào)方法，其中，所述第二步驟中的第二解調(diào)公式由以下兩個(gè)解調(diào)公式組成當(dāng)所述PosN的絕對(duì)值等于或小于所述PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，在該公式中，所述PosN包含在分子中，而所述PosN的絕對(duì)值與所述PosQ的絕對(duì)值相加之和的兩倍則包含在分母中；以及當(dāng)所述PosN的絕對(duì)值大于所述PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，在該公式中，所述PosQ包含在分子中，而所述PosN的絕對(duì)值與所述PosQ的絕對(duì)值相加之和的兩倍則包含在分母中。10.如權(quán)利要求4所述的頭位置解調(diào)方法，還包括以下步驟，即由所述頭位于預(yù)定的磁道位置時(shí)的PosQ值、以及所述頭位于距所述磁道位置1/4磁道遠(yuǎn)的位置時(shí)的PosQ值，來測(cè)量所述預(yù)定比值。11.一種盤裝置，包括用于從記錄有伺服信息的盤上讀取信息的頭；用于將所述頭定位到所述盤上的預(yù)定位置的致動(dòng)器；和用于從所述頭所讀取的伺服信息中獲得二相伺服信號(hào)PosN和PosQ，解調(diào)所述頭的位置，并控制所述致動(dòng)器的控制單元，其中，所述控制單元由所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值之間的比值來判斷所述PosN或PosQ的飽和區(qū)域和非飽和區(qū)域，在所述飽和區(qū)域中通過將所述PosN和PosQ組合起來的第一解調(diào)公式來計(jì)算解調(diào)位置，并且在所述非飽和區(qū)域中通過將所述PosN和PosQ組合起來的第二解調(diào)公式來計(jì)算解調(diào)位置。12.如權(quán)利要求11所述的盤裝置，其中，所述控制單元比較所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值，并根據(jù)所述比較結(jié)果和所述區(qū)域判斷結(jié)果來選擇所述第一和第二解調(diào)公式之一。13.如權(quán)利要求11所述的盤裝置，其中，所述第一和第二解調(diào)公式被構(gòu)造為使得由所述第一解調(diào)公式得到的解調(diào)位置和由所述第二解調(diào)公式得到的解調(diào)位置在所述飽和區(qū)域和所述非飽和區(qū)域之間的解調(diào)邊界上相互匹配。14.如權(quán)利要求11所述的盤裝置，其中，所述控制單元在所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值之間的比值等于或小于預(yù)定比值時(shí)判斷為飽和，而在所述比值超過所述預(yù)定比值時(shí)判斷為非飽和。15.如權(quán)利要求14所述的盤裝置，其中，所述控制單元對(duì)應(yīng)于從多個(gè)頭中選出的頭來選擇所述預(yù)定比值。16.如權(quán)利要求14所述的盤裝置，其中，所述控制單元使用由所述PosN、所述PosQ和所述比值的組合而構(gòu)造的所述第一解調(diào)公式來進(jìn)行解調(diào)。17.如權(quán)利要求14所述的盤裝置，其中，所述控制單元使用所述第一解調(diào)公式進(jìn)行解調(diào)，在所述第一解調(diào)公式中，所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值中較小的絕對(duì)值包含在分子中，而較大的絕對(duì)值和所述預(yù)定比值則包含在分母中，并且所述控制單元使用所述第二解調(diào)公式進(jìn)行解調(diào)，在所述第二解調(diào)公式中，所述PosN的絕對(duì)值和所述PosQ的絕對(duì)值中較小的絕對(duì)值包含在分子中，而較大的絕對(duì)值則包含在分母中。18.如權(quán)利要求17所述的盤裝置，其中，所述控制單元的第一解調(diào)公式由以下兩個(gè)解調(diào)公式組成當(dāng)所述PosN的絕對(duì)值等于或小于所述PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，在該公式中，所述PosN包含在分子中，而所述PosQ的絕對(duì)值、以及所述預(yù)定比值加1所得的和的兩倍則包含在分母中；以及當(dāng)所述PosN的絕對(duì)值大于所述PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，在該公式中，所述PosQ包含在分子中，而所述PosN的絕對(duì)值、以及所述預(yù)定比值加1所得的和的兩倍則包含在分母中。19.如權(quán)利要求17所述的盤裝置，其中，所述控制單元的第二解調(diào)公式由以下兩個(gè)解調(diào)公式組成當(dāng)所述PosN的絕對(duì)值等于或小于所述PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，在該公式中，所述PosN包含在分子中，而所述PosN的絕對(duì)值與所述PosQ的絕對(duì)值相加之和的兩倍則包含在分母中；以及當(dāng)所述PosN的絕對(duì)值大于所述PosQ的絕對(duì)值時(shí)所使用的解調(diào)公式，在該公式中，所述PosQ包含在分子中，而所述PosN的絕對(duì)值與所述PosQ的絕對(duì)值相加之和的兩倍則包含在分母中。20.如權(quán)利要求14所述的盤裝置，其中，所述控制單元由所述頭位于預(yù)定的磁道位置時(shí)的PosQ值、以及所述頭位于距所述磁道位置1/4磁道遠(yuǎn)的位置時(shí)的PosQ值，來測(cè)量所述預(yù)定比值。全文摘要通過從頭的輸出中得到的二相伺服信號(hào)PosN和PosQ來解調(diào)頭位置，從而獲得更精確的解調(diào)位置。由PosN和PosQ的各自絕對(duì)值之間的比值來判斷PosN和PosQ的飽和，對(duì)于飽和區(qū)域和非飽和區(qū)域使用不同的解調(diào)方法，并且解調(diào)公式被構(gòu)造為使得每個(gè)解調(diào)區(qū)域的邊沿與相鄰解調(diào)區(qū)域的邊沿相匹配。另外，通過比較PosN的絕對(duì)值和PosQ的絕對(duì)值，并確定其比值是大于還是小于預(yù)定的飽和系數(shù)r，來判斷是飽和還是非飽和。文檔編號(hào)G11B5/596GK1577591SQ200410037480公開日2005年2月9日申請(qǐng)日期2004年4月29日優(yōu)先權(quán)日2003年6月30日發(fā)明者高石和彥申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社