一種觸控面板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明適用于觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，提供了一種觸控面板，包括玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，于二氧化硅膜層的表面設(shè)有透明電極圖形，五氧化二鈮膜層的厚度為二氧化硅膜層的厚度為玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對可見光的總透過率大于93％，玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層及透明電極圖形的透過率與該透過率相差1％以內(nèi)?，F(xiàn)有技術(shù)中觸控面板(非ITO區(qū)域)對可見光的透過率為90％，ITO區(qū)域?qū)梢姽獾耐高^率為89.5％～90.5％，雖然實現(xiàn)了消影功能，但整體透過率偏低，本發(fā)明在保證消影效果的同時增加了3％以上的透過率，使觸控面板的亮度明顯增大，提升了視覺效果。
【專利說明】-種觸控面板及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，特別設(shè)及一種觸控面板及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 電容式觸摸屏的構(gòu)造主要是在玻璃屏幕上鍛一層透明的薄膜導(dǎo)體層，再在導(dǎo)體層 外加上一塊保護(hù)玻璃，雙玻璃設(shè)計能徹底保護(hù)導(dǎo)體層及感應(yīng)器。隨著人們對觸摸屏產(chǎn)品透 光性的要求越來越高，能夠提升產(chǎn)品透過率的增透膜也在不斷開發(fā)和研究，現(xiàn)有技術(shù)主要 是通過真空蒸鍛氣化儀（M評2)作為增透膜來提升產(chǎn)品的透過率，但是對于固定膜厚的氣 化儀膜，通常仍有部分光能量被反射，再加之對于其它波長的光，給定膜層的厚度不是該些 光在薄膜中的波長的1/4,增透效果較差。在通常情況下，入射光為白光，增透膜只能對一 定波長的光起到增透作用，其他波長的光反射率仍然較高。另外，觸摸屏的玻璃基板表面設(shè) 置ITO線路，單面ITO玻璃反射率較高，會出現(xiàn)ITO底影，為了消除底影，通常增加消影層， 而該消影層的增加也降低了整個面板的透過率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種觸控面板，使之既能夠消除電極底影又可W增加面板 的透光率。
[0004] 本發(fā)明是該樣實現(xiàn)的，一種觸控面板，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的一表面依 次疊層設(shè)置五氧化二魄膜層和二氧化娃膜層，于所述二氧化娃膜層的表面設(shè)有透明電極圖 形，所述五氧化二魄膜層的厚度為80?160A，所述二氧化娃膜層的厚度為300?400A，所述 玻璃基板、五氧化二魄膜層和二氧化娃膜層對可見光的總透過率大于93%，所述玻璃基板、 五氧化二魄膜層、二氧化娃膜層及透明電極圖形對可見光的總透過率與所述玻璃基板、五 氧化二魄膜層和二氧化娃膜層對可見光的總透過率相差1% W內(nèi)。
[0005] 本發(fā)明的另一目的在于提供一種觸控面板的制作方法，至少包括下述步驟：
[0006] 在玻璃基板的一表面沉積厚度為80?160A的五氧化二魄膜層，并且保證成膜時 分子間，分子團間無工藝氣體分子，形成第一層增透層；
[0007] 在所述五氧化二魄膜層之上沉積厚度為300?400A的二氧化娃膜層，并且保證成 膜時分子間，分子團間無工藝氣體分子，形成第二層增透層；
[000引在二氧化娃膜層之上形成透明電極圖形。
[0009] 所述玻璃基板、五氧化二魄膜層和二氧化娃膜層對可見光的總透過率大于93%， 所述玻璃基板、五氧化二魄膜層、二氧化娃膜層及透明電極圖形對可見光的總透過率與所 述玻璃基板、五氧化二魄膜層和二氧化娃膜層對可見光的總透過率相差1% W內(nèi)。
[0010] 本發(fā)明在玻璃基板上設(shè)置上述厚度的五氧化二魄膜層和二氧化娃膜層，其透過率 可達(dá)93 % W上，而ITO區(qū)域的透過率也達(dá)到92 % W上，兩處透過率相差1 % W內(nèi)，在實現(xiàn)消 影的同時具有較高的透過率?，F(xiàn)有技術(shù)中觸控面板（非ITO區(qū)域）對可見光的透過率為 90%，ITO區(qū)域?qū)梢姽獾耐高^率為89. 5%?90. 5%，雖然實現(xiàn)了消影功能，但整體透過率 偏低，亮度不夠，本發(fā)明在保證消影效果的同時增加了 3% W上的透過率，使觸控面板的亮 度明顯增大，提升了視覺效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1是本發(fā)明實施例提供的觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012] 圖2是本發(fā)明實施例提供的觸控面板的增透原理圖；
[0013] 圖3是本發(fā)明實施例提供的觸控面板的制作方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0014] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，W下結(jié)合附圖及實施例，對 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用W解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。
[0015] W下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明的具體實現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述：
[0016] 請參考圖1，本發(fā)明實施例提供一種觸控面板，該觸控面板至少包括一玻璃基板 101，在該玻璃基板101的一表面依次疊層設(shè)置第一增透層一五氧化二魄膜層102,和第二 增透層一二氧化娃膜層103,該五氧化二魄膜層102和二氧化娃膜層103作為增透膜同時 又具有消影功能，在二氧化娃膜層103的表面設(shè)有透明電極圖形104,該透明電極圖形104 通常為ITO電極圖形。五氧化二魄膜層102和二氧化娃膜層103構(gòu)成增透膜，其中的五氧 化二魄膜層102的厚度為80?160A，進(jìn)一步優(yōu)選為130 ± 20A。二氧化娃膜層103的厚度為 300?400A，其中，玻璃基板101、五氧化二魄膜層102和二氧化娃膜層103對可見光的總透 過率可W達(dá)到93 % W上，而玻璃基板101、五氧化二魄膜層102、二氧化娃膜層103及透明電 極圖形104對可見光的總透過率也能達(dá)到92% W上，與玻璃基板101、五氧化二魄膜層102 和二氧化娃膜層103對可見光的總透過率相差1 % W內(nèi)。
[0017] 作為一種實施例，玻璃基板101、五氧化二魄膜層102和二氧化娃膜層103對可見 光的總透過率為93 %?94%，而玻璃基板101、五氧化二魄膜層102、二氧化娃膜層103及 透明電極圖形104對可見光的總透過率為92. 5%?93. 5%，二者的透過率相差1 % W內(nèi)，保 證觸控面板的IT0底影被消除，且具有較高的亮度。
[001引進(jìn)一步參考圖2,五氧化二魄膜層102作為第一層增透層，其厚度控制在 80?1 60A，針對460?760皿的可見光，其厚度約為該波段可見光在五氧化二魄膜層102 中波長的1/4,另外，由于光在不同介質(zhì)表面反射時會產(chǎn)生31的相位躍變，因此可見光L0經(jīng) 過五氧化二魄膜層102反射后的光束L1和經(jīng)過五氧化二魄膜層102并由二氧化娃膜層103 反射后的光束L2之間產(chǎn)生JT的相位差，實現(xiàn)反射光的相消，即增透效果。對于無法通過五 氧化二魄膜層102實現(xiàn)增透的波段，可W通過對二氧化娃膜層103的厚度進(jìn)行合理設(shè)置，使 該波段經(jīng)過二氧化娃膜層103和五氧化二魄膜層102后出射的光L3與被五氧化二魄膜層 102反射的同波段光相消，實現(xiàn)該波段的增透效果。該樣，可見光全波段都可W經(jīng)過五氧化 二魄膜層102和二氧化娃膜層103實現(xiàn)增透。同時，該五氧化二魄膜層102和二氧化娃膜 層103對IT0電極圖案進(jìn)行消影，因此該增透膜在實現(xiàn)消影的同時提高了透過率。
[0019] 現(xiàn)有技術(shù)采用五氧化二魄膜層進(jìn)行消影時，觸控面板（非IT0區(qū)域）對可見光的 總透過率為90%，帶有ITO的區(qū)域?qū)梢姽獾目偼高^率為89. 5%?90. 5%，雖然實現(xiàn)了消 影功能，但整體透過率偏低，亮度不夠，視覺效果不佳，而本實施例采用上述五氧化二魄膜 層和二氧化娃膜層作為增透膜，在實現(xiàn)消影的同時增加了 3% W上的透過率，使觸控面板亮 度明顯增大，提升了視覺效果。
[0020] 本發(fā)明實施例進(jìn)一步提供一種制作上述觸控面板的制作方法，其至少包括下述步 驟，如圖3 ;
[002U 在步驟S101中，在玻璃基板101的一表面沉積厚度為80?160A的五氧化二魄膜 層102,并且保證成膜時分子間，分子團間無工藝氣體分子，形成第一層增透層；
[0022] 在步驟S102中，在五氧化二魄膜層102之上沉積厚度為300?400A的二氧化娃膜 層103,并且保證成膜時分子間，分子團間無工藝氣體分子，形成第二層增透層；
[0023] 在步驟S103中，在二氧化娃膜層103之上形成透明電極圖形104。
[0024] 具體的，本實施例通過下述工藝方法制備該增透膜，采用立式全自動連續(xù)磁控 瓣射鍛膜機進(jìn)行鍛膜，鍛膜時在魄、娃祀腔體中通入02、Ar工藝氣體，02流量為100? 130Sccm、Ar流量為200?220Sccm，鍛膜真空度為2. 0 X 1〇-中a?3. 0 X 1〇-中a之間，鍛膜 室傳動節(jié)拍為100?120秒，魄、娃瓣射功率為5KW?5. 5KW，鍛膜電壓為380V?420V，鍛 膜溫度為250°C?280°C，基板溫度控制在150°C?180°C，鍛膜過程中保證成膜時分子間， 分子團間無工藝氣體分子。
[002引經(jīng)過上述工藝先鍛厚度為80?160A的五氧化二魄膜層102,再鍛厚度為 300?400A二氧化娃膜層103,形成雙層增透膜結(jié)構(gòu)，使該膜結(jié)構(gòu)具有良好的光學(xué)特性，不 僅能夠消除IT0底影，還可W增強透光率。
[0026] 通過上述方法制作的觸控面板，玻璃基板、五氧化二魄膜層和二氧化娃膜層對可 見光的總透過率為93%?94%，玻璃基板、五氧化二魄膜層、二氧化娃膜層及透明電極圖 形對可見光的總透過率為92. 5%?93. 5%，與玻璃基板、五氧化二魄膜層和二氧化娃膜層 對可見光的總透過率相差1 % W內(nèi)，在保證良好的消影效果的同時提高了觸控面板的亮度， 進(jìn)而提升了視覺效果。
[0027] W上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用W限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種觸控面板，其特征在于，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的一表面依次疊層設(shè)置 五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，于所述二氧化硅膜層的表面設(shè)有透明電極圖形，所述五 氧化二鈮膜層的厚度為80?160A，所述二氧化硅膜層的厚度為300?400A，所述玻璃基 板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對可見光的總透過率大于93%，所述玻璃基板、五氧化 二鈮膜層、二氧化硅膜層及透明電極圖形對可見光的總透過率與所述玻璃基板、五氧化二 鈮膜層和二氧化硅膜層對可見光的總透過率相差1%以內(nèi)。
2. 如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，所述五氧化二鈮膜層的厚度為 130 ± 2〇A"
3. 如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧 化硅膜層對可見光的總透過率為93 %?94 %，所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧化硅 膜層及透明電極圖形對可見光的總透過率為92. 5%?93. 5%。
4. 如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，所述五氧化二鈮膜層為針對波長為 460?760nm的可見光的增透層。
5. 如權(quán)利要求4所述的觸控面板，其特征在于，所述五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層 構(gòu)成的膜層為針對波長為460?760nm之外的可見光的增透層。
6. -種觸控面板的制作方法，其特征在于，至少包括下述步驟： 在玻璃基板的一表面沉積厚度為80?160A的五氧化二鈮膜層，并且保證成膜時分子 間，分子團間無工藝氣體分子，形成第一層增透層； 在所述五氧化二鈮膜層之上沉積厚度為300?400A的二氧化硅膜層，并且保證成膜 時分子間，分子團間無工藝氣體分子，形成第二層增透層； 在二氧化硅膜層103之上形成透明電極圖形； 所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對可見光的總透過率大于93%，所述 玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層及透明電極圖形對可見光的總透過率與所述玻 璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對可見光的總透過率相差1%以內(nèi)。
7. 如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在玻璃基板的一表面沉積厚度為 80?160A的五氧化二鈮膜層的步驟具體為： 采用立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機進(jìn)行鍍膜，鍍膜時在鈮靶腔體中通入02、Ar工藝 氣體，02流量為100?130Sccm、Ar流量為200?220Sccm，鍍膜真空度為2. 0XKT1Pa? 3.OXKT1Pa之間，鍍膜室傳動節(jié)拍為100?120秒，鈮濺射功率為5KW?5. 5KW，鍍膜電壓 為 380V?420V; 在所述五氧化二鈮膜層之上沉積厚度為300?400人的二氧化硅膜層的步驟具體為： 采用立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機進(jìn)行鍍膜，鍍膜時在硅靶腔體中通入02、Ar工藝 氣體，02流量為100?130Sccm、Ar流量為200?220Sccm，鍍膜真空度為2. 0XKT1Pa? 3.OXKT1Pa之間，鍍膜室傳動節(jié)拍為100?120秒，硅濺射功率為5KW?5. 5KW，鍍膜電壓 為 380V?420V。
8. 如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述五氧化二鈮膜層的厚度為 130±2〇A。
9. 如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧 化娃膜層對可見光的總透過率為93 %?94%。
10. 如權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧 化硅膜層及透明電極圖形對可見光的總透過率為92. 5%?93. 5%。
【文檔編號】G06F3/044GK104503646SQ201410849559
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月30日
【發(fā)明者】黃亮, 蔣蔚, 余漢水, 劉錫鋼 申請人:深圳力合光電傳感股份有限公司