一種智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，具體包括以下幾個步驟：(1)創(chuàng)建典型間隔；(2)在智能裝置ICD文件中預先定義GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子；在智能裝置ICD文件的訪問點下的LLN0邏輯節(jié)點下創(chuàng)建Inputs節(jié)點，將GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點中；(3)建立典型間隔的GOOSE虛端子/SV虛端子連接關系；(4)同一電壓等級相同類型的間隔內(nèi)部裝置之間的虛端子連接關系是相同的，通過典型間隔復制的方式完成同一電壓等級下其它間隔的虛端子連線配置。本發(fā)明能夠減少智能變電站設計階段的工作量和工作復雜度，提升智能變電站虛端子設計效率和質(zhì)量。
【專利說明】一種智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，屬于智能變電站SCD文件配置【技術領域】。

【背景技術】
[0002]在常規(guī)變電站中，二次設備與一次設備之間、二次設備與二次設備之間均通過大量的電纜交換信息，智能變電站通過智能組件實現(xiàn)了一次設備的測量、控制就地數(shù)字化，常規(guī)站中基于端子排的硬接線設計變成了基于設備模型功能接口索引的“虛端子”設計，裝置之間的虛端子連接關系設計成為智能變電站二次設計的主要內(nèi)容。
[0003]目前虛端子設計主要有兩種方式:手工配置和借助輔助工具設計。智能變電站的虛回路設計數(shù)量多且復雜，一個220kV變電站的虛回路數(shù)量就數(shù)以萬計，500kV智能變電站的虛回路數(shù)量更是驚人，手工配置設計效率極其低下，而且虛端子設計的準確性難以得到保證；借助輔助工具設計，由于輸入端子分散在各個以“G0IN”為前綴的LN邏輯節(jié)點下，配置虛端子連接關系時，需要人工從各LN邏輯節(jié)點下挑選有效的輸入虛端子，導致智能變電站虛端子連接配置的效率較低、基于虛端子的工程配置和開發(fā)過程中出錯率較高。如果不優(yōu)化現(xiàn)有的智能變電站虛端子設計流程，智能變電站的設計周期會占用很長時間和很多精力，虛端子連線的準確性將影響變電站的可靠運行。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術存在的不足，本發(fā)明目的是提供一種智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，本發(fā)明能夠減少智能變電站設計階段的工作量和工作復雜度，提升智能變電站虛端子設計效率和質(zhì)量。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明是通過如下的技術方案來實現(xiàn):
[0006]本發(fā)明的一種智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，具體包括以下幾個步驟:
[0007](I)創(chuàng)建典型間隔:根據(jù)智能變電站一次系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖在智能變電站節(jié)點下建立電壓等級節(jié)點和間隔節(jié)點，每個電壓等級節(jié)點下選中某一個間隔節(jié)點作為典型間隔，在典型間隔節(jié)點下通過間隔所對應的IED能力描述文件ICD(IED Capability Descript1n)文件實例化智能裝置 IED(Intelligent Electronic Device)節(jié)點；
[0008](2) IED 能力描述文件 1)(IED Capability Descript1n)中應預先定義 Ml 訪問點(SV訪問點)或Gl (G00SE訪問點)，并配置采樣值發(fā)送數(shù)據(jù)集dsSV或G00SE發(fā)送數(shù)據(jù)集dsG00SE;IED能力描述文件ICD(IED Capability Descript1n)中預先定義 G00SE 輸入虛端子和SV輸入虛端子；在IED能力描述文件ICD (IED Capability Descript1n)的訪問點下的LLNO邏輯節(jié)點下創(chuàng)建Inputs節(jié)點，將G00SE輸入虛端子和SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點中；
[0009](3)建立典型間隔的G00SE虛端子/SV虛端子連接關系；
[0010](4)同一電壓等級相同類型的間隔內(nèi)部裝置之間的虛端子連接關系是相同的，通過典型間隔復制的方式完成同一電壓等級下其它間隔的虛端子連線配置。
[0011]步驟(I)中，智能裝置IED(Intelligent Electronic Device)具體包括線路保護、線路測控、線路合并單元、線路智能終端、線路保護測控一體化裝置、線路智能終端合并單元一體化裝置、斷路器保護、斷路器測控、斷路器合并單元、斷路器智能終端、主變保護、主變測控、主變智能終端、主變保護測控一體化裝置、主變智能終端合并單元一體化裝置、電容器保護測控一體化裝置、電容器智能終端、電容器智能終端合并單元一體化裝置、站用變保護測控一體化裝置、站用變智能終端、站用變合并單元和站用變智能終端合并單元一體化裝置。
[0012]步驟(2)中，在IED能力描述文件ICD (IED Capability Descript1n)中預先定義GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子的方法如下:
[0013]所述GOOSE輸入虛端子及SV輸入虛端子均采用GG1邏輯節(jié)點，GOOSE輸入虛端子輸入GG1邏輯節(jié)點應加GOIN前綴，GOOSE輸入虛端子應配置到數(shù)據(jù)屬性DA(DataAttribute) ；SV輸入虛端子輸入GG1邏輯節(jié)點應加SVIN前綴，SV輸入虛端子應配置到數(shù)據(jù)對象(Data Object)。
[0014]步驟(2)中，在站控層訪問點S1、過程層GOOSE訪問點Gl或者過程層SV訪問點Ml下的LLNO邏輯節(jié)點下創(chuàng)建Inputs節(jié)點。
[0015]步驟(2)中，將GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點中的方法如下:
[0016]搜索邏輯設備LD下以GOIN為前綴的GG1邏輯節(jié)點，然后搜索該GG1邏輯節(jié)點下的所有實例化數(shù)據(jù)屬性DAI，根據(jù)實例化數(shù)據(jù)屬性DAI所對應的功能約束FC判斷是否為有效的GOOSE輸入虛端子，如果是將有效的GOOSE輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點下；
[0017]搜索LD下以SVIN為前綴的GG1邏輯節(jié)點，然后搜索該GG1邏輯節(jié)點下的所有實例化數(shù)據(jù)對象D0I，根據(jù)實例化數(shù)據(jù)對象DOI所對應的公用數(shù)據(jù)類CDC判斷是否為有效的SV輸入虛端子，如果是將有效的SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點下。
[0018]步驟(3)中，典型間隔的GOOSE虛端子連接關系的建立方法如下:
[0019]選擇典型間隔內(nèi)某一個智能裝置IED(Intelligent Electronic Device)作為接收裝置，選擇該接收裝置的其中一個存放GOOSE輸入虛端子的Inputs節(jié)點作為配置節(jié)點；選擇典型間隔內(nèi)某一個智能裝置IED(Intelligent Electronic Device)作為發(fā)送裝置,選擇該發(fā)送裝置的其中一個G00SE發(fā)送數(shù)據(jù)集作為發(fā)送數(shù)據(jù)集；選擇G00SE發(fā)送數(shù)據(jù)集中其中一個或幾個虛端子作為G00SE發(fā)送虛端子，選擇Inputs節(jié)點中其中一個或幾個虛端子作為接收虛端子，從而建立發(fā)送虛端子和接收虛端子之間的G00SE虛端子連接關系；
[0020]典型間隔的SV虛端子連接關系的建立方法如下:
[0021]選擇典型間隔內(nèi)某一個智能裝置IED(Intelligent Electronic Device)作為接收裝置，選擇該接收裝置的其中一個存放SV輸入虛端子的Inputs節(jié)點作為配置節(jié)點；選擇典型間隔內(nèi)某一個智能裝置IED(Intelligent Electronic Device)為發(fā)送裝置,選擇該發(fā)送裝置其中一個SV發(fā)送數(shù)據(jù)集作為發(fā)送數(shù)據(jù)集；選擇SV發(fā)送數(shù)據(jù)集中其中一個或幾個虛端子作為SV發(fā)送虛端子，選擇Inputs節(jié)點中其中一個或幾個虛端子作為接收虛端子，從而建立發(fā)送虛端子和接收虛端子之間的SV虛端子連接關系。
[0022]步驟(4)中，通過典型間隔復制的方式完成同一電壓等級下其它間隔的虛端子連線配置，具體方法如下:
[0023]由于相同電壓等級不同間隔內(nèi)部智能裝置IED(Intelligent ElectronicDevice)之間的虛端子連接關系是相同的，以典型間隔為模板克隆生成其它的間隔配置，替換智能裝置IED(Intelligent Electronic Device)的名稱和通訊參數(shù),刪除智能裝置IEDdntelligent Electronic Device)內(nèi)跨間隔的虛端子連接關系,保留本間隔內(nèi)部的虛端子連接關系。
[0024]本發(fā)明通過智能的提取I⑶中預定義的有效的GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子并添加到Inputs節(jié)點中，避免設計人員在做變電站虛端子回路設計工作時，需要手工從各個LN節(jié)點下挑選有效的GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子；通過復制典型間隔創(chuàng)建新間隔的方法可以提高虛端子設計的工作效率，解決變電站信息數(shù)字化和網(wǎng)絡化給當前變電站設計工作中帶來的負擔和隱患，優(yōu)化了現(xiàn)有的智能變電站虛端子設計的流程，減少了智能變電站設計階段的工作量和工作的復雜度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為本發(fā)明智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法工作流程圖；
[0026]圖2為圖1中將GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點中的工作流程圖。

【具體實施方式】
[0027]為使本發(fā)明實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合【具體實施方式】，進一步闡述本發(fā)明。
[0028]參見圖1，本發(fā)明的一種智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法包括如下步驟:
[0029](I)創(chuàng)建典型間隔:根據(jù)變電站的一次系統(tǒng)結(jié)構(gòu)在每個電壓等級下創(chuàng)建一個典型間隔，根據(jù)智能裝置對應的ICD文件創(chuàng)建智能裝置IED ；
[0030](2)在IED節(jié)點的LLNO邏輯節(jié)點下自動創(chuàng)建Inputs節(jié)點，提取G0INGG10和SVINGG10邏輯節(jié)點下的內(nèi)容作為內(nèi)部虛端子自動添加到Inputs節(jié)點中；
[0031](3)完成典型間隔的虛端子設計；
[0032](4)通過間隔復制的方式完成同一電壓等級下其它間隔的虛端子設計工作。
[0033]步驟(I)中，首先是根據(jù)變電站的一次系統(tǒng)結(jié)構(gòu)建立變電站二次系統(tǒng)的過程，SP在智能變電站節(jié)點下創(chuàng)建電壓等級節(jié)點，在電壓等級節(jié)點下創(chuàng)建間隔節(jié)點，在間隔節(jié)點下創(chuàng)建智能裝置二次設備IED節(jié)點。由于同一電壓等級下相同類型的間隔下所使用的裝置類型基本是相同的，因此可以在每一個電壓等級下先創(chuàng)建某種類型間隔的典型間隔；
[0034]IED具體包括:線路保護、線路測控、線路合并單元、線路智能終端、線路保護測控一體化裝置、線路智能終端合并單元一體化裝置、斷路器保護、斷路器測控、斷路器合并單元、斷路器智能終端、主變保護、主變測控、主變智能終端、主變保護測控一體化裝置、主變智能終端合并單元一體化裝置、電容器保護測控一體化裝置、電容器智能終端、電容器智能終端合并單元一體化裝置、站用變保護測控一體化裝置、站用變智能終端、站用變合并單元、站用變智能終端合并單元一體化裝置。
[0035]根據(jù)Q/GDW396《IEC 61850工程繼電保護應用模型》建模規(guī)范的要求，GOOSE、SV輸入虛端子采用GG1邏輯節(jié)點，GOOSE輸入GG1應加“G0IN”前綴，GOOSE輸入虛端子應配到DA ；SV輸入GG1應加“SVIN”前綴，SV輸入虛端子應配置到D0。
[0036]將I⑶文件中預先定義好的GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點中的詳細流程參見圖2。
[0037]首先,在I⑶文件的任意訪問點下的LLNO下創(chuàng)建Inputs節(jié)點,例如具體可在站控層訪問點S1、過程層GOOSE訪問點Gl或者過程層SV訪問點Ml下的LLNO邏輯節(jié)點下創(chuàng)建Inputs節(jié)點。將輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點中有兩個分支:添加GOOSE輸入虛端子和添加SV輸入虛端子。
[0038]GOOSE輸入虛端子分散在I⑶文件中以“G0IN”關鍵字為前綴的GG1邏輯節(jié)點下，從與Inputs節(jié)點在同一個LD下的所有以“G0IN”為前綴的所有GG1邏輯節(jié)點下獲取有效的GOOSE輸入虛端子DA的信息，并添加到Inputs節(jié)點中。
[0039]SV輸入虛端子分散在I⑶文件中以“SVIN”關鍵字為前綴的GG1邏輯節(jié)點下，從與Inputs節(jié)點在同一個LD下的所有以“SVIN”為前綴的所有GG1邏輯節(jié)點下獲取有效的SV輸入虛端子DO的信息,并添加到Inputs節(jié)點中。
[0040]此處需要說明的是,本實施例中，Inputs節(jié)點不跨LD創(chuàng)建，Inputs中的內(nèi)部虛端子均來自Inputs所屬的LD節(jié)點下的DO或DA。根據(jù)IED的功能劃分需求可以在不同的LD下創(chuàng)建多個Inputs節(jié)點。
[0041]對于發(fā)送虛端子的預配置，I⑶文件用應預先定義SV訪問點Ml或GOOSE訪問點Gl，并配置采樣值發(fā)送數(shù)據(jù)集dsSV或GOOSE發(fā)送數(shù)據(jù)集dsGOOSE。
[0042]編輯典型間隔的GOOSE虛端子連接關系，選中間隔內(nèi)的某一個智能裝置IEDdntelligent Electronic Device)作為接收裝置，選中接收裝置的某一個存放GOOSE輸入虛端子的Inputs節(jié)點作為配置節(jié)點,選中間隔內(nèi)的某一個智能裝置IED(IntelligentElectronic Device)作為發(fā)送裝置，選中發(fā)送裝置的某一個G00SE發(fā)送數(shù)據(jù)集作為發(fā)送數(shù)據(jù)集。選中需要G00SE發(fā)送數(shù)據(jù)集中的某一個或幾個虛端子作為G00SE發(fā)送虛端子，選中Inputs中的某一個或幾個虛端子作為接收虛端子，建立發(fā)送虛端子和接收虛端子之間的G00SE虛端子連接關系。
[0043]編輯典型間隔的SV虛端子連接關系，選中間隔內(nèi)的某一個智能裝置IEDdntelligent Electronic Device)作為接收裝置，選中接收裝置的某一個存放SV輸入虛端子的Inputs節(jié)點作為配置節(jié)點，選中間隔內(nèi)的某一個智能裝置IED(IntelligentElectronic Device)作為發(fā)送裝置，選中發(fā)送裝置的某一個SV發(fā)送數(shù)據(jù)集作為發(fā)送數(shù)據(jù)集。選中需要SV發(fā)送數(shù)據(jù)集中的某一個或幾個虛端子作為SV發(fā)送虛端子，選中Inputs中的某一個或幾個虛端子作為接收虛端子，建立發(fā)送虛端子和接收虛端子之間的SV虛端子連接關系。
[0044]Inputs 節(jié)點下的 ExtRef 節(jié)點的屬性為:1edName、ldlnst、prefix、InClass、InInst > doName> daName> intAddr,屬性“ iedName”表示外部虛端子所述的IED節(jié)點的名稱，“intAddr”表示內(nèi)部虛端子的路徑。
[0045]通過間隔復制的方式完成其它間隔的虛端子連線配置工作，復制已有的間隔、間隔下的IED節(jié)點以及IED中的虛端子連接關系到新建的間隔中，同時修改IED的名稱以及IED中Inputs節(jié)點中的ExtRef的iedName屬性,可以保留原間隔中的G00SE虛端子連接關系以及SV虛端子連接關系。
[0046]本發(fā)明在智能變電站設計周期，優(yōu)化虛端子的設計流程，為智能變電站的設計提供優(yōu)化的虛端子設計方案。通過智能的提取ICD中預定義的有效的GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子并添加到Inputs節(jié)點中，避免設計人員在做變電站虛端子回路設計工作時，需要手工從各個LN節(jié)點下挑選有效的GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子；通過復制典型間隔創(chuàng)建新間隔的方法可以省略重復配置的過程，在大大提高虛端子設計的工作效率的同時可保證各間隔數(shù)據(jù)的正確性，解決變電站信息數(shù)字化和網(wǎng)絡化給當前變電站設計工作中帶來的負擔和隱患，優(yōu)化了現(xiàn)有的智能變電站虛端子設計的流程，減少了設計研究院在智能變電站設計階段的工作量和工作的復雜度。
[0047]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【權利要求】
1.一種智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，其特征在于，具體包括以下幾個步驟: (1)創(chuàng)建典型間隔:根據(jù)智能變電站一次系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖在智能變電站節(jié)點下建立電壓等級節(jié)點和間隔節(jié)點，每個電壓等級節(jié)點下選中某一個間隔節(jié)點作為典型間隔，在典型間隔節(jié)點下通過間隔所對應的IED能力描述文件ICD實例化智能裝置IED節(jié)點； (2)在IED能力描述文件ICD中預先定義SV訪問點或GOOSE訪問點，并配置采樣值發(fā)送數(shù)據(jù)集dsSV或GOOSE發(fā)送數(shù)據(jù)集dsGOOSE ;在IED能力描述文件ICD中預先定義GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子；在IED能力描述文件ICD的訪問點下的LLNO邏輯節(jié)點下創(chuàng)建Inputs節(jié)點,將GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點中； (3)建立典型間隔的GOOSE虛端子/SV虛端子連接關系； (4)同一電壓等級相同類型的間隔內(nèi)部裝置之間的虛端子連接關系是相同的，通過典型間隔復制的方式完成同一電壓等級下其它間隔的虛端子連線配置。
2.根據(jù)權利要求1所述的智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，其特征在于， 步驟(I)中，智能裝置IED具體包括線路保護、線路測控、線路合并單元、線路智能終端、線路保護測控一體化裝置、線路智能終端合并單元一體化裝置、斷路器保護、斷路器測控、斷路器合并單元、斷路器智能終端、主變保護、主變測控、主變智能終端、主變保護測控一體化裝置、主變智能終端合并單元一體化裝置、電容器保護測控一體化裝置、電容器智能終端、電容器智能終端合并單元一體化裝置、站用變保護測控一體化裝置、站用變智能終端、站用變合并單元和站用變智能終端合并單元一體化裝置。
3.根據(jù)權利要求1所述的智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，其特征在于， 步驟(2)中，在IED能力描述文件ICD中預先定義GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子的方法如下: 所述GOOSE輸入虛端子及SV輸入虛端子均采用GG1邏輯節(jié)點，GOOSE輸入虛端子輸入GG1邏輯節(jié)點應加GOIN前綴，GOOSE輸入虛端子應配置到數(shù)據(jù)屬性DA ；SV輸入虛端子輸入GG1邏輯節(jié)點應加SVIN前綴，SV輸入虛端子應配置到數(shù)據(jù)對象D0。
4.根據(jù)權利要求3所述的智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，其特征在于， 步驟(2)中，在站控層訪問點S1、過程層GOOSE訪問點Gl或者過程層SV訪問點Ml下的LLNO邏輯節(jié)點下創(chuàng)建Inputs節(jié)點。
5.根據(jù)權利要求4所述的智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，其特征在于， 步驟⑵中，將GOOSE輸入虛端子和SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點中的方法如下: 搜索邏輯設備LD下以GOIN為前綴的GG1邏輯節(jié)點，然后搜索該GG1邏輯節(jié)點下的所有實例化數(shù)據(jù)屬性DAI，根據(jù)實例化數(shù)據(jù)屬性DAI所對應的功能約束FC判斷是否為有效的GOOSE輸入虛端子，如果是將有效的GOOSE輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點下； 搜索邏輯設備LD下以SVIN為前綴的GG1邏輯節(jié)點，然后搜索該GG1邏輯節(jié)點下的所有實例化數(shù)據(jù)對象D0I，根據(jù)實例化數(shù)據(jù)對象DOI所對應的公用數(shù)據(jù)類CDC判斷是否為有效的SV輸入虛端子，如果是將有效的SV輸入虛端子添加到Inputs節(jié)點下。
6.根據(jù)權利要求1所述的智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，其特征在于， 步驟(3)中，典型間隔的GOOSE虛端子連接關系的建立方法如下: 選擇典型間隔內(nèi)其中一個智能裝置IED作為接收裝置，選擇該接收裝置的其中一個存放GOOSE輸入虛端子的Inputs節(jié)點作為配置節(jié)點；選擇典型間隔內(nèi)其中一個智能裝置IED作為發(fā)送裝置，選擇該發(fā)送裝置的其中一個GOOSE發(fā)送數(shù)據(jù)集作為發(fā)送數(shù)據(jù)集；選擇GOOSE發(fā)送數(shù)據(jù)集中其中一個或幾個虛端子作為GOOSE發(fā)送虛端子,選擇Inputs節(jié)點中其中一個或幾個虛端子作為接收虛端子，從而建立發(fā)送虛端子和接收虛端子之間的GOOSE虛端子連接關系； 典型間隔的SV虛端子連接關系的建立方法如下: 選擇典型間隔內(nèi)其中一個智能裝置IED作為接收裝置，選擇該接收裝置的其中一個存放SV輸入虛端子的Inputs節(jié)點作為配置節(jié)點；選擇典型間隔內(nèi)其中一個智能裝置IED為發(fā)送裝置，選擇該發(fā)送裝置其中一個SV發(fā)送數(shù)據(jù)集作為發(fā)送數(shù)據(jù)集；選擇SV發(fā)送數(shù)據(jù)集中其中一個或幾個虛端子作為SV發(fā)送虛端子，選擇Inputs節(jié)點中其中一個或幾個虛端子作為接收虛端子，從而建立發(fā)送虛端子和接收虛端子之間的SV虛端子連接關系。
7.根據(jù)權利要求1所述的智能變電站虛端子設計的優(yōu)化方法，其特征在于， 步驟(4)中，通過典型間隔復制的方式完成同一電壓等級下其它間隔的虛端子連線配置，具體方法如下: 由于相同電壓等級不同間隔內(nèi)部智能裝置IED之間的虛端子連接關系是相同的，以典型間隔為模板克隆生成其它的間隔配置，替換智能裝置IED的名稱和通訊參數(shù)，刪除智能裝置IED內(nèi)跨間隔的虛端子連接關系，保留本間隔內(nèi)部的虛端子連接關系。
【文檔編號】G06F17/50GK104318006SQ201410557297
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月20日 優(yōu)先權日:2014年10月20日
【發(fā)明者】周化, 梅德冬, 鄭文彬, 詹榮榮 申請人:國家電網(wǎng)公司, 國電南瑞科技股份有限公司, 中國電力科學研究院, 國網(wǎng)天津市電力公司