專利名稱：一種應(yīng)用于移動存儲soc芯片的仿真驗證方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于移動存儲SOC芯片的仿真驗證方法，屬于設(shè)計驗證技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
以半導(dǎo)體集成電路為代表的微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，已經(jīng)成為現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)的先導(dǎo)和基石。幾年來，移動存儲產(chǎn)品由于其具有體積小，攜帶方便，成本低等特點，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)/攝像機(jī)，手機(jī)，游戲機(jī)等電子產(chǎn)品中?；贔LASH存儲器相關(guān)的產(chǎn)品包括U盤，USB讀卡器，F(xiàn)LASH存儲卡(SD卡，MMC卡，CF卡等)等。移動存儲產(chǎn)品具有如下特點1)大多是SOC系統(tǒng)芯片，芯片中既包含硬件部分，也包含軟件部分。公都是多接口芯片，數(shù)據(jù)從一種協(xié)議層傳輸?shù)搅硗庖环N協(xié)議層?；枚忌婕暗郊嫒菪詥栴}，大容量存儲產(chǎn)品的數(shù)據(jù)來源于不同種類的電子產(chǎn)品，也是不同種類的電子產(chǎn)品進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的媒介。比如，U盤向上兼容USB主機(jī)，向下兼容FLASH存儲器。4)速度更快，容量更高，數(shù)據(jù)更安全是存儲產(chǎn)品的發(fā)展方向。仿真驗證技術(shù)是集成電路設(shè)計中重要的一個環(huán)節(jié)，仿真階段是在計算機(jī)上進(jìn)行的，通過產(chǎn)生激勵模擬真實芯片的工作環(huán)境從而對芯片進(jìn)行驗證。仿真驗證技術(shù)具有如下優(yōu)點1)能夠全面觀察被測設(shè)計的全部信號。2)能夠更真實的模擬芯片的工作環(huán)境。3)可以自由模擬各種工作環(huán)境激勵對被測設(shè)計進(jìn)行驗證。對于移動存儲產(chǎn)品的仿真驗證中，一端為總線協(xié)議的功能仿真模型，另一端為存儲器的仿真模型，存儲器的仿真模型一般由工藝廠商提供或者開發(fā)者自己按照相關(guān)協(xié)議進(jìn)行編寫，多為HDL硬件描述語言編寫。傳統(tǒng)仿真驗證將仿真模型集成到環(huán)境中，通過編寫測試激勵對被測設(shè)計進(jìn)行仿真驗證。缺乏對兼容性的驗證，缺乏對被測設(shè)計的觀測。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)解決問題是針對傳統(tǒng)仿真技術(shù)中存在的缺點，提供了一種應(yīng)用于移動存儲SOC芯片的仿真驗證方法。采用本發(fā)明實現(xiàn)對移動存儲SOC芯片的功能驗證。本發(fā)明的技術(shù)解決方案一種應(yīng)用于移動存儲SOC芯片的仿真驗證方法，包括以下步驟步驟1 建立存儲器模型根據(jù)被測移動存儲SOC芯片的測試目的建立存儲器模型，所述存儲器模塊為帶有時序特性的HDL仿真模型；步驟2 建立兼容性產(chǎn)生機(jī)制確定被測移動存儲SOC芯片與所述存儲器模型的指令與數(shù)據(jù)的格式，所述指令包括由被測移動存儲SOC芯片向存儲器模型發(fā)送的命令和由存儲器模型向被測移動存儲SOC 芯片發(fā)送的響應(yīng)；針對指令或數(shù)據(jù)的格式，確定對指令或數(shù)據(jù)內(nèi)容的修改方式；所述修改方式包括更改、增加或縮短指令或數(shù)據(jù)格式中字段的內(nèi)容；步驟3:建立檢測點確定斷言檢測機(jī)制并建立斷言檢測點；建立覆蓋率檢測模型，所述覆蓋率檢測模型包括功能覆蓋率和代碼覆蓋率；步驟4 產(chǎn)生激勵數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測按任務(wù)形成對移動存儲SOC芯片的激勵數(shù)據(jù)；移動存儲SOC芯片根據(jù)接收的激勵數(shù)據(jù)與存儲器模型；對步驟3中建立的檢測點進(jìn)行判讀，獲得對移動存儲SOC芯片的仿真驗證結(jié)果。所述斷言檢測點包括接口協(xié)議斷言檢測點，總線協(xié)議斷言檢測點，DUT功能點斷言檢測點。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(1)本發(fā)明所涉及的應(yīng)用于移動存儲SOC芯片的仿真驗證方法將斷言檢測點加入到驗證環(huán)境中，通過使用兼容性產(chǎn)生機(jī)制將存儲器模型快速的集成到驗證環(huán)境中，縮短了驗證的開發(fā)時間和調(diào)試時間；(2)兼容性產(chǎn)生機(jī)制是一種通用的適用于海量存儲模型的機(jī)制，可以根據(jù)不同存儲協(xié)議要求加入兼容性數(shù)據(jù)，具有復(fù)用性，接口斷言檢測點和總線斷言監(jiān)測點是針對通用接口與通用總線協(xié)議的監(jiān)測點，也具有復(fù)用性；(3)通過使用斷言編寫針對協(xié)議和DUT的檢測點，同時由于兼容性數(shù)據(jù)的加入，覆蓋率的統(tǒng)計使仿真驗證完備。


圖1為本發(fā)明流程圖；圖2為本發(fā)明仿真驗證平臺示意圖；圖3為實施例示意圖。
具體實施例方式下面就結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步介紹。如圖1所示為本發(fā)明流程圖，包括建立存儲器模塊的步驟；建立兼容性產(chǎn)生機(jī)制的步驟；建立檢測點的步驟和產(chǎn)生激勵數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測的步驟。進(jìn)一步如圖2所示，給出了采用本發(fā)明所述方法形成的仿真驗證平臺，包括激勵產(chǎn)生模塊，總線功能模型，斷言檢查器， 覆蓋率模型，存儲器模型，兼容性產(chǎn)生機(jī)制，DUT (Design Under Test)為被測移動存儲SOC
-H-· I I心片。存儲器模型由廠商提供的FLASH存儲器仿真模型，或者由開發(fā)者自己編寫的用于仿真的存儲模型。一般是帶有時序特性的HDL仿真模型。通過被測設(shè)計對存儲器模型進(jìn)行讀寫等操作的仿真來檢查被測設(shè)計是否滿足存儲器的時序和功能要求。兼容性產(chǎn)生機(jī)制對于移動存儲產(chǎn)品來講，是針對某一類型的存儲器(存儲模型) 而言的，同一類型的存儲器可能由不同的廠商生產(chǎn)，其特性和功能會有所差異，同一廠商生產(chǎn)的存儲器又有不同的容量，速度，工藝等等。比如U盤的控制器針對的是FLASH存儲器， U盤的控制器要兼容1G，2G，4G等的不同廠商提供的FLASH。存儲器模型一般是存儲器初始化，讀寫數(shù)據(jù)正常流程下的功能仿真模型。對于移動存儲SOC芯片的仿真驗證來講，基于存儲器模型的仿真驗證是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足兼容性要求的，這就需要有兼容性產(chǎn)生機(jī)制來滿足當(dāng)前的仿真驗證。兼容性產(chǎn)生機(jī)制是通過在DUT接口與存儲器模型接口之間建立起新的通信信息從而達(dá)到仿真驗證的要求。存儲器在相同協(xié)議下的流程是基本相同的，但是時序特性是不相同的，存儲器的反應(yīng)特性也是不盡相同的。兼容性問題可以歸結(jié)為DUT對錯誤狀態(tài)的處理能力和恢復(fù)機(jī)制。兼容性產(chǎn)生機(jī)制首先在保持DUT接口與存儲器模型接口的通信同步的此基礎(chǔ)之上，將產(chǎn)生兼容性數(shù)據(jù)在DUT和存儲模塊間進(jìn)行傳輸。在兼容性產(chǎn)生機(jī)制中，根據(jù)兼容性數(shù)據(jù)的要求產(chǎn)生出相應(yīng)的數(shù)據(jù)。兼容性產(chǎn)生機(jī)制可以將存儲協(xié)議層加入其中，從功能上增加其兼容特性。兼容性數(shù)據(jù)是通過數(shù)據(jù)選通的方式與原通信數(shù)據(jù)合成，產(chǎn)生出新數(shù)據(jù)發(fā)給DUT或存儲器模型。對于海量存儲器模型來說， 兼容性數(shù)據(jù)一般分為兼容性指令，兼容性響應(yīng)和兼容性傳輸數(shù)據(jù)。不同的存儲器模型會有不同的指令，響應(yīng)和數(shù)據(jù)格式，但相容數(shù)據(jù)的類型具有很多相似性。兼容性產(chǎn)生機(jī)制的產(chǎn)生模式包括，數(shù)據(jù)位增加，數(shù)據(jù)位縮短，數(shù)據(jù)內(nèi)容的修改和填入，數(shù)據(jù)延時，數(shù)據(jù)停止。兼容性產(chǎn)生機(jī)制也能用于總線功能模型，增強(qiáng)總線功能模型的激勵產(chǎn)生。斷言檢查器斷言的優(yōu)勢在于能夠很容易的對時序周期進(jìn)行描述，能夠檢查錯誤發(fā)生的位置和準(zhǔn)確仿真時間。向DUT的外部接口部分加入的斷言檢測點，用于檢查DUT的接口總線時序，同時可以對DUT的接口協(xié)議傳輸?shù)氖聞?wù)進(jìn)行檢查時是否符合協(xié)議規(guī)范和自定義的要求，并且還可以對傳輸事務(wù)歸納為功能點對功能覆蓋率進(jìn)行統(tǒng)計。向DUT內(nèi)部加入的斷言檢測器，用于對其他自行設(shè)計的模塊、主控制器與其他內(nèi)部模塊的接口部分的功能進(jìn)行檢測，從而可以根據(jù)獲得的斷言檢測結(jié)果幫助在仿真驗證環(huán)境中調(diào)試。斷言檢查器在設(shè)計的最初階段加入能充分利用斷言的優(yōu)勢。對于RTL代碼內(nèi)部的斷言而言，其關(guān)鍵問題是如何描述設(shè)計的屬性(抽象層次的高低)。如果抽象層次太低的話，就是對HDL語言的翻譯，并不能描述出設(shè)計意圖。而抽象層次過高的話，一旦出現(xiàn)問題又不能及時進(jìn)行錯誤定位。所以抽象層既不能過高又不能過低。斷言檢測點的類型包括接口協(xié)議斷言，總線協(xié)議斷言，DUT功能點斷言。接口協(xié)議斷言涵蓋了接口協(xié)議中涉及到全部功能點，位于海量存儲SOC芯片的接口部分；總線協(xié)議斷言涵蓋了總線的數(shù)據(jù)傳輸功能點，位于海量存儲SOC芯片內(nèi)部的所使用總線傳輸?shù)牟糠郑籇UT功能點斷言涵蓋了需要對DUT內(nèi)部檢測的功能點，位于DUT內(nèi)部的MCU和各個模塊中，對于海量存儲SOC芯片來講，DUT內(nèi)部檢測的功能點歸納為DUT初始化的檢測，讀寫操作檢測，讀寫數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)搬運(yùn)的位置檢測，內(nèi)部搬運(yùn)數(shù)據(jù)的算法檢測，內(nèi)部狀態(tài)機(jī)的檢測。功能覆蓋率模型覆蓋率是系統(tǒng)實現(xiàn)行為的顯現(xiàn)。其中，代碼覆蓋率是對實現(xiàn)代碼執(zhí)行情況的統(tǒng)計，而功能覆蓋率是從規(guī)范的角度出發(fā)，對實現(xiàn)執(zhí)行的功能進(jìn)行統(tǒng)計。代碼覆蓋率低而功能覆蓋率高時，應(yīng)該及時修改功能覆蓋模型，映射到設(shè)計代碼或者測試平臺的斷言。代碼覆蓋率和功能覆蓋率都比較低時，應(yīng)該增加測試向量，執(zhí)行更多的設(shè)計斷言。激勵產(chǎn)生模塊可以由HDL硬件描述語言或者更高級的驗證語言來編寫，是整個仿真驗證平臺的數(shù)據(jù)源頭和數(shù)據(jù)發(fā)起者，也是整個仿真驗證平臺的主控制者。激勵的數(shù)據(jù)來自對海量存儲協(xié)議的理解或者由來源于其他可靠數(shù)據(jù)?？偩€功能模型在本發(fā)明中激勵產(chǎn)生模塊輸出的激勵數(shù)據(jù)可以通過HDL接口方式或者PU接口方式傳遞給總線功能模型，總線功能模型是將由激勵產(chǎn)生模塊產(chǎn)生的激勵數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為符合DUT接口時序的數(shù)據(jù)傳遞給DUT。當(dāng)DUT接收到輸入的激勵數(shù)據(jù)時，激勵產(chǎn)生模塊發(fā)起整個仿真的操作，激勵產(chǎn)生模塊將產(chǎn)生的激勵數(shù)據(jù)發(fā)送給總線功能模型，總線功能將激勵數(shù)據(jù)按照接口協(xié)議發(fā)送給 DUT,當(dāng)DUT接收到輸入的激勵數(shù)據(jù)時，DUT開始解析接收的激勵數(shù)據(jù)，響應(yīng)激勵產(chǎn)生模塊并對存儲模型發(fā)出相應(yīng)的操作，兼容性產(chǎn)生模塊會根據(jù)配置文件對DUT與存儲器模型產(chǎn)生兼容性數(shù)據(jù)。斷言檢查器實時檢查接口協(xié)議，總線協(xié)議和DUT內(nèi)部的功能點，將斷言結(jié)果顯示出來。激勵產(chǎn)生模塊的激勵數(shù)據(jù)對DUT的操作完成后停止仿真，仿真結(jié)束后獲得覆蓋率數(shù)據(jù)。如圖3所示，利用本發(fā)明對USB2. 0讀卡器進(jìn)行邏輯驗證首先，通過激勵產(chǎn)生模塊利用verilog代碼按任務(wù)包形成USB應(yīng)用層的激勵數(shù)據(jù)。 通過USB總線功能模型將激勵數(shù)據(jù)按照規(guī)定的時序發(fā)送給DUT。加入斷言檢查器，USB2.0讀卡器芯片中包含有8位單片機(jī)(MCU)，USB控制器 (SIE)，SD/MMC控制器(SDHC)，存儲器管理單元(MMU)，直接存儲器訪問(DMA)，控制寄存器模塊等，各模塊通過VCI總線掛到MCU上。在仿真環(huán)境中，對軟件進(jìn)行調(diào)試是很困難的，這就需要在MCU接口上加入斷言，斷言的屬性以MCU對寄存器的一次操作為單元。加入斷言可以觀察軟件對控制器內(nèi)部寄存器的讀寫情況。使軟件在仿真環(huán)境變得容易調(diào)試。斷言的屬性以狀態(tài)機(jī)的每個狀態(tài)跳轉(zhuǎn)為一次操作單元。這部分?jǐn)嘌允怯沈炞C人員通過對設(shè)計人員的SPEC理解來進(jìn)行編寫的，用于檢查狀態(tài)機(jī)是否按照預(yù)期進(jìn)行跳轉(zhuǎn)。在UTMI和SD/MMC接口上加入斷言，用于檢查DUT是否符合協(xié)議的功能和時序要求和功能點的描述。USB接口時序斷言檢測點，是對接口的信號在時序上進(jìn)行檢查，用于檢查DUT的接口部分是否滿足USB/SD/MMC的接口時序特性。USB/SD接口協(xié)議斷言檢測點，這部分?jǐn)嘌詸z查器是與DUT的接口總線相連接的。 對DUT與功能仿真模型之間的數(shù)據(jù)交換檢查協(xié)議檢查，檢查位于USB/SD的功能協(xié)議層。讀卡器內(nèi)部總線斷言檢測點，讀卡器是MCU為控制核心的SOC芯片，芯片內(nèi)部的其他模塊通過總線協(xié)議掛接到MCU上，MCU與模塊的通信或者模塊與模塊間的通信都遵守內(nèi)部總線協(xié)議規(guī)范。讀卡器內(nèi)部模塊斷言檢測點，這部分?jǐn)嘌允菍δK內(nèi)部的狀態(tài)進(jìn)行檢查，通過對內(nèi)部模塊的檢查，可以快速定位模塊內(nèi)部的產(chǎn)生錯誤位置。模塊斷言包括USB指令的解析， USB響應(yīng)的組裝，USB包內(nèi)數(shù)據(jù)的解析與組裝，數(shù)據(jù)的搬運(yùn)，SD/MMC的指令組裝，SD/MMC響應(yīng)的解析，SD/MMC數(shù)據(jù)的解析與組裝，模塊內(nèi)部狀態(tài)機(jī)的檢測。存儲器模型為采用SD/MMC卡模型。兼容性產(chǎn)生機(jī)制，通過讀入控制配置文件來確定兼容性數(shù)據(jù)的產(chǎn)生位置和類型。 SD/MMC卡存儲器模型一般是存儲器初始化，讀寫數(shù)據(jù)正常流程下的功能仿真模型。對于 USB2. 0讀卡器SOC芯片的仿真驗證來講，基于SD/MMC卡存儲器模型的仿真驗證是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足兼容性要求的，這就需要有兼容性產(chǎn)生機(jī)制來滿足當(dāng)前的仿真驗證。兼容性產(chǎn)生機(jī)制是通過在DUT接口與SD/MMC卡存儲器模型接口之間建立起新的通信信息從而達(dá)到仿真驗證的要求。SD/MMC卡存儲器在相同協(xié)議下的流程是基本相同的，但是時序特性是不相同的， 存儲器的反應(yīng)特性也是不盡相同的。兼容性問題可以歸結(jié)為DUT對錯誤狀態(tài)的處理能力和恢復(fù)機(jī)制。兼容性產(chǎn)生機(jī)制是保持DUT接口與SD/MMC卡存儲器仿真模型接口的通信同步，在此基礎(chǔ)之上，產(chǎn)生兼容性數(shù)據(jù)放置到接口總線上。兼容性數(shù)據(jù)是通過數(shù)據(jù)選通的方式與原通信數(shù)據(jù)合成，產(chǎn)生出新數(shù)據(jù)發(fā)給DUT或SD/MMC卡存儲器模型。將DUT與SD/MMC卡模型相接。兼容數(shù)據(jù)通過兼容性產(chǎn)生模塊的邏輯放置到接口總線上。模塊內(nèi)部有指令分析的控制端，控制接口總線的開關(guān)與閉合，在關(guān)閉的狀態(tài)下，兼容性產(chǎn)生模塊的兼容性數(shù)據(jù)不會放置到接口總線上，在開啟的狀態(tài)下，兼容性產(chǎn)生模塊根據(jù)兼容性要求將兼容性數(shù)據(jù)發(fā)送到接口總線上，接口總線上產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，可以包含原接口總線數(shù)據(jù)和兼容性數(shù)據(jù)兩部分。兼容性數(shù)據(jù)作為兼容性產(chǎn)生模塊的輸入數(shù)據(jù)，兼容性產(chǎn)生模塊按照兼容性數(shù)據(jù)的類別在接口產(chǎn)生協(xié)議所要求的具有時序特性的數(shù)據(jù)。兼容性數(shù)據(jù)包括兼容性SD/MMC指令， 兼容性SD/MMC響應(yīng)，兼容性SD/MMC數(shù)據(jù)部分。兼容性SD/MMC指令部分，兼容性產(chǎn)生模塊將接收原DUT發(fā)出的指令，同時按照兼容性SD/MMC指令的要求產(chǎn)生指令數(shù)據(jù)發(fā)送給SD/MMC存儲器模型。兼容性SD/MMC指令部分的數(shù)據(jù)包括，指令的起始位數(shù)據(jù)，指令的類別數(shù)據(jù)，指令的附加數(shù)據(jù)，指令的CRC數(shù)據(jù)，指令的結(jié)束位。兼容性SD/MMC響應(yīng)部分，兼容性產(chǎn)生模塊將接收原SD/MMC存儲器模型的響應(yīng)，同時按照兼容性SD/MMC響應(yīng)的要求產(chǎn)生響應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)送給DUT。兼容性SD/MMC響應(yīng)部分的數(shù)據(jù)包括，響應(yīng)的起始位數(shù)據(jù)，響應(yīng)的類別位，響應(yīng)的附加數(shù)據(jù)，響應(yīng)的校驗位CRC數(shù)據(jù)，響應(yīng)的結(jié)束位。兼容性SD/MMC數(shù)據(jù)部分，是指在通過SD/MMC總線的DAT數(shù)據(jù)線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)。這部分?jǐn)?shù)據(jù)分為讀數(shù)據(jù)部分和寫數(shù)據(jù)部分，兼容性產(chǎn)生模塊按照兼容性SD/MMC數(shù)據(jù)部分的要求產(chǎn)生SD/MMC數(shù)據(jù)發(fā)送給DUT或者SD/MMC存儲器模型。兼容性SD/MMC數(shù)據(jù)部分包括， 數(shù)據(jù)的起始位，數(shù)據(jù)的位數(shù)，數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，數(shù)據(jù)的校驗位CRC，數(shù)據(jù)的結(jié)束位，數(shù)據(jù)的延時數(shù)據(jù)。通過本發(fā)明應(yīng)用于USB2.0讀卡器的仿真驗證中，達(dá)到快速建立仿真驗證平臺的需求，可復(fù)用等優(yōu)點，并對DUT的兼容性作了充分的仿真驗證。本發(fā)明未詳細(xì)說明部分屬本領(lǐng)域技術(shù)人員公知常識。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于移動存儲SOC芯片的仿真驗證方法，其特征在于包括以下步驟 步驟1 建立存儲器模型根據(jù)被測移動存儲SOC芯片的測試目的建立存儲器模型，所述存儲器模塊為帶有時序特性的HDL仿真模型；步驟2:建立兼容性產(chǎn)生機(jī)制確定被測移動存儲SOC芯片與所述存儲器模型的指令與數(shù)據(jù)的格式，所述指令包括由被測移動存儲SOC芯片向存儲器模型發(fā)送的命令和由存儲器模型向被測移動存儲SOC芯片發(fā)送的響應(yīng)；針對指令或數(shù)據(jù)的格式，確定對指令或數(shù)據(jù)內(nèi)容的修改方式；所述修改方式包括更改、 增加或縮短指令或數(shù)據(jù)格式中字段的內(nèi)容； 步驟3 建立檢測點確定斷言檢測機(jī)制并建立斷言檢測點；建立覆蓋率檢測模型，所述覆蓋率檢測模型包括功能覆蓋率和代碼覆蓋率； 步驟4 產(chǎn)生激勵數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測按任務(wù)形成對移動存儲SOC芯片的激勵數(shù)據(jù)；移動存儲SOC芯片根據(jù)接收的激勵數(shù)據(jù)與存儲器模型；對步驟3中建立的檢測點進(jìn)行判讀，獲得對移動存儲SOC芯片的仿真驗證結(jié)^ ο
2.如權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于移動存儲SOC芯片的仿真驗證方法，其特征在于 所述斷言檢測點包括接口協(xié)議斷言檢測點，總線協(xié)議斷言檢測點，DUT功能點斷言檢測點ο
全文摘要
本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于移動存儲SOC芯片的仿真驗證方法。包括建立存儲器模塊的步驟；建立兼容性產(chǎn)生機(jī)制的步驟；建立檢測點的步驟和產(chǎn)生激勵數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測的步驟。采用本發(fā)明實現(xiàn)對移動存儲SOC芯片的功能驗證。
文檔編號G06F17/50GK102542110SQ20111045920
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者宋晶峰, 宗宇, 張志永, 王莉, 褚曉濱, 謝俊玲, 谷羽 申請人:中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七二研究所, 北京時代民芯科技有限公司