專利名稱：觸控裝置以及觸控顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸控裝置以及觸控顯示裝置，且特別涉及一種薄形化的觸控裝置以及觸控顯示裝置。
背景技術(shù)：
圖I為現(xiàn)有技術(shù)一種觸控裝置的剖面圖。請參照圖1，現(xiàn)有技術(shù)的觸控裝置100為了提升觸控面板Iio的元件操作特性，通常需于觸控面板110的表面以光學(xué)膠120黏設(shè)電磁屏蔽膜130，藉此增加觸控面板的信噪比，其中電磁屏蔽膜130為銦錫氧化物膜。另外，為了提升觸控裝置整體的光穿透率并降低光反射率，現(xiàn)有技術(shù)的觸控面板110上必須再增設(shè)一層抗反射膜140。且在觸控面板110的另一表面上設(shè)有透明覆蓋板150。如此一來，現(xiàn)有技術(shù)的觸控裝置100的整體厚度無法有效地被縮減，因而降低了觸控裝置產(chǎn)品的競爭優(yōu) 勢。此外，當圖I所示的觸控裝置100中的光學(xué)膠120、電磁屏蔽膜130以及抗反射膜140為具有光學(xué)膠的塑膠基材的情況下，在制作上，當電磁屏蔽膜130與抗反射膜140進行粘貼時，容易造成氣泡、異物等不良，人力成本增加、以及抗反射膜因人工拿取的作業(yè)方式容易導(dǎo)致抗反射膜產(chǎn)生折痕等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種觸控顯示裝置，其可顯著地縮減觸控顯示裝置的整體厚度，并削減觸控面板與顯示面板之間的信號干擾問題。本發(fā)明提出一種觸控裝置，其包括一觸控面板以及一遮蔽電極薄膜。觸控面板包括一基板以及觸控元件，其中觸控元件位于基板上。遮蔽電極薄膜配置于觸控面板上，遮蔽電極薄膜具有多條納米金屬絲，納米金屬絲彼此交錯以構(gòu)成遮蔽電極薄膜。本發(fā)明另提出一種觸控顯示裝置，其包括一顯示面板、一觸控面板以及一遮蔽電極薄膜。觸控面板包括一基板以及一位于基板上的觸控元件。遮蔽電極薄膜位于顯示面板與觸控面板之間，其中遮蔽電極薄膜具有多條納米金屬絲，納米金屬絲彼此交錯以構(gòu)成遮蔽電極薄膜。換言之，本發(fā)明另提出的一種觸控顯示裝置，其包括一顯示面板、一觸控面板以及一遮蔽電極薄膜。觸控面板包括一基板以及一位于基板上的觸控兀件。遮蔽電極薄膜位于觸控面板上，其中遮蔽電極薄膜具有多條納米金屬絲，納米金屬絲彼此交錯以構(gòu)成遮蔽電極薄膜。以及，顯示面板位于遮蔽電極薄膜上，以供遮蔽電極薄膜設(shè)于觸控面板與顯示面板之間?；谏鲜?，本發(fā)明的觸控裝置以及觸控顯示裝置中，采用交織的納米金屬絲作為觸控面板的屏蔽電極薄膜，因此可以在納米級的厚度之下提供觸控面板足夠的電磁屏蔽功能，并有助于觸控裝置提升整體的穿透· ·以及降低光反射率，符合觸控裝置以及觸控顯示裝置薄形化的需求。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能還明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)一種觸控裝置的剖面圖。圖2為本發(fā)明的的觸控裝置的局部剖面示意圖。圖3為本發(fā)明的丨實施例的遮蔽電極薄膜在顯微鏡下的示意圖。圖4A至圖4E為本發(fā)明一實施例中一種觸控裝置的制作方法流程圖。
圖5為本發(fā)明的一實施利中采用不同折射率的涂料涂布于電容式觸控面板上時，遮蔽電極薄膜對于觸控面板的光穿透率與厚度之間的關(guān)系。圖6為本發(fā)明的一實施利中采用不同折射率的涂料涂布于電容式觸控面板上時，遮蔽電極薄膜對于觸控面板的光反射率與厚度之間的關(guān)系。圖7為本發(fā)明的的觸控觸控顯示裝置的局部剖面示意圖。主要元件符號說明100、200:觸控裝置 110、210:觸控面板120:光學(xué)膠130:電磁屏蔽膜140 :抗反射膜150、260 :透明覆蓋板210a:觸控面板母片 212 :基板214 :觸控元件216 :裝飾層220:遮蔽電極薄膜 222:納米金屬絲224 :分散媒230 :納米金屬絲溶液250 :顯示面板300 :觸控顯示裝置
具體實施例方式圖2為本發(fā)明的的觸控裝置的局部剖面示意圖。請參照圖2，觸控裝置200包括一觸控面板210以及一遮蔽電極薄膜220。觸控面板210包括一基板212以及觸控元件214，其中觸控兀件214位于基板212上,基板212是一玻璃板或一塑膠板,在本實施例中,基板212設(shè)有一裝飾層216，以供基板212與裝飾層216形成一覆蓋板(cover lens)，如圖2所示，裝飾層216位于基板212與及觸控元件214之間，裝飾層216由類鉆、陶瓷、油墨以及光阻材料的至少其中之一所構(gòu)成，但本發(fā)明并不限定裝飾層的設(shè)置位置與材質(zhì)。請繼續(xù)參照圖2，遮蔽電極薄膜220配置于觸控面板210上，其中遮蔽電極薄膜220具有多條納米金屬222，納米金屬222彼此交錯以構(gòu)成遮蔽電極薄膜220。并且，本實施例的遮蔽電極薄膜220可以取代如圖I所示的現(xiàn)有技術(shù)觸控裝置100中光學(xué)膠120、電磁屏蔽膜130以及抗反射膜140的迭層結(jié)構(gòu)，因而可有效縮減觸控裝置200整體的厚度。本發(fā)明的實施例中，觸控元件可為單層透明電極結(jié)構(gòu)或多層透明電極結(jié)構(gòu)，例如包含數(shù)條第一電極串列及數(shù)條第二電極串列，且第一電極串列與第二電極串列彼此間隔開，且第一電極串列及第二電極串列可分別設(shè)于上述基板的一面或兩面，同時，第一電極串列及第二電極串列不限其形狀。舉例說明，數(shù)第一電極串列包括數(shù)第一連接線及數(shù)第一透明電極，第一透明串列可經(jīng)由數(shù)第一連接線串連相鄰的第一透明電極；數(shù)第二電極串列包括數(shù)第二連接線及數(shù)第二透明電極，且第二透明串列可經(jīng)由數(shù)第二連接線串連相鄰的第二透明電極，且數(shù)第一透明電極及數(shù)第二透明電極不限于設(shè)呈菱形、三角形、直線形等幾何形狀?；蛘?，第一電極串列及第二電極串列可為直線、三角形、矩形或其他形狀。詳細來說，本發(fā)明的遮蔽電極薄膜220兼具有電磁屏蔽、高光穿透率以及抗反射率的功能，以下說明將具體地提出數(shù)個可實現(xiàn)前述特性的電磁屏蔽膜的實施方式，不過以下的實施方式并非用以限定本發(fā)明。圖3為本發(fā)明的一實施例的遮蔽電極薄膜在顯微鏡下的示意圖。請同時參照圖2與圖3，遮蔽電極薄膜220是由納米金屬絲222散布(scattered)于觸控面板210上，并彼此交錯，本實施例的納米金屬絲222例如為納米銀絲。由圖3可知，構(gòu)成遮蔽電極薄膜220的各條納米金屬絲222的長度分布例如為大于O納米(nm)至150納米(nm),而納米金屬絲222的直徑分布例如大于O納米(nm)至100納米(nm)。圖4A至圖4E為本發(fā)明一實施例中一種觸控裝置的制作方法流程圖。請參照圖2 與圖4A，在本實施例中，遮蔽電極薄膜220的制作方式是將納米金屬絲222均勻地混合于一分散媒224。請參照圖4B，分散媒224用以使納米金屬絲222均勻地混合于其中，以形成一納米金屬絲溶液230，圖4B中的納米金屬絲尺寸與數(shù)量僅為示意，并不用以限定本發(fā)明。分散媒224例如是壓克力系等溶劑。接著，請參照圖2與圖4C，將混有納米金屬絲222的納米金屬絲溶液230以涂布、噴灑、浸泡或印刷等方式形成至少一觸控面板210的表面上。在本實施例中，納米金屬絲溶液230是直接形成于一觸控面板母片210a上。換言之，觸控面板母片210a具有多個觸控面板210。之后，請參照圖2與圖4D，待納米金屬絲溶液230干固后，分散媒224因加熱而移除，即可形成納米金屬絲222與具有抗光反射性質(zhì)的二氧化硅、氧化鈦...等樹脂在無機物遮蔽電極薄膜220中，構(gòu)成連續(xù)相交織而成遮蔽電極薄膜220。在干固后的納米金屬絲222薄膜中，分散媒224中的無機物可留于納米金屬絲222薄膜中，例如無機物可為具有抗光反射性質(zhì)的二氧化硅樹脂而在遮蔽電極薄膜220中構(gòu)成連續(xù)相，而納米金屬絲222則均勻地分散在二氧化硅中而構(gòu)成遮蔽電極薄膜220的分散相。具體來說，納米金屬絲222分散于構(gòu)成連續(xù)項的樹脂膜(例如二氧化硅樹脂)中，納米金屬絲222在樹脂膜中的分布密度為大于O且小于等于2000萬條/微米平方。接著，請參照圖2與圖4E，切割已形成有遮蔽電極薄膜220的觸控面板母片210a，以形成多個由該些觸控面板210的其中之一以及該些遮蔽電極薄膜220的一部分所構(gòu)成的觸控裝置200。因此，本發(fā)明的觸控裝置200的制作方法由于可將遮蔽電極薄膜220以中片(即觸控面板母片210a)方式一次形成于多片的觸控面板210表面上，相較于現(xiàn)有技術(shù)的觸控裝置200的制作方法，本發(fā)明的觸控裝置的制作方法不僅可大幅節(jié)省人力工時，并且可大大地降低因粘貼電磁屏蔽膜以及抗反射膜所產(chǎn)生的異物及氣泡等外觀不良的問題，進而大幅提升廣品的整體良率。由此可知，遮蔽電極薄膜220是完整連續(xù)地成形于觸控面板210的表面上，當然，也可以因應(yīng)產(chǎn)品需求藉由微影蝕刻制程、雷射切割及印刷制程等圖案化處理來形成不同的圖案設(shè)計，因此本發(fā)明并不用以限定遮蔽電極薄膜220必須全面性地覆蓋在觸控面板210的表面上，而是可以視需求采用全面性地覆蓋或是具有圖案化的方式。此外，觸控面板210可以是各種電阻式觸控面板210或各種電容式觸控面板210，本發(fā)明并不以此為限。特別的是，本發(fā)明的遮蔽電極薄膜220的面阻抗實質(zhì)上小于等于400歐姆/平方，且遮蔽電極薄膜220的折射率介于I至I. 6之間。在本實施例中，上述的遮蔽電極薄膜220的光穿透率實質(zhì)上為90%以上，且遮蔽電極薄膜220的光反射率實質(zhì)上為11%以下。也就是說，遮蔽電極薄膜220兼具有電磁屏蔽、高光穿透率以及抗反射率的功能，因此，觸控面板210可藉由遮蔽電極薄膜220的單一膜層而達到滿足電磁屏蔽、高光穿透率以及低反射率的理想品質(zhì)。具體而言，圖5為本發(fā)明的一實施利中采用不同折射綠率的涂料涂布于電容式觸控面板上時，遮蔽電極薄膜對于觸控面板的光穿透率與厚度之間的關(guān)系，其中橫軸表示為厚度(單位納米)，縱軸為光穿透率(單位％)，而不同的線段代表具有不同折射率的遮蔽電極薄膜220。在量測中，光穿透率是于波長實質(zhì)上為550納米的光線下所測得的數(shù)值。請同時參照圖2與圖5，使用折射· · η介于I至I. 6的納米金屬絲溶液230分別形成厚度為20納米至180納米的由納米金屬絲222所構(gòu)成的遮蔽電極薄膜220，當折射率η為 I. O至I. 5時，遮蔽電極薄膜220的光穿透率實質(zhì)上皆大于等于91. 5%，且其分布曲線如圖5的上半部所示。當折射率η為I. 55至I. 6時，遮蔽電極薄膜220的穿透率實質(zhì)上亦能保有90%以上，且其分布曲線如圖5所示的下半部所示。圖6為本發(fā)明的一實施利中采用不同折射率的涂料涂布于電容式觸控面板上時，遮蔽電極薄膜對于觸控面板的光反射率與厚度的間的關(guān)系，其中橫軸表示為厚度(單位納米)，縱軸為光反射率(單位％)，而不同的線段代表具有不同折射率的遮蔽電極薄膜220。在量測中，光反射率是于波長實質(zhì)上為550納米的光線下所測得的數(shù)值。請同時參照圖2與圖6，使用折射率η介于I至I. 6的納米金屬絲溶液230分別形成厚度為20納米至180納米的由納米金屬絲222所構(gòu)成的遮蔽電極薄膜220，當折射率η為I. O至1.5時，遮蔽電極薄膜220對觸控面板210的光反射率實質(zhì)上皆小于等于8. 5 %，且其分布曲線如圖6的下半部所示。當折射率η為I. 55至I. 6時，遮蔽電極薄膜220的光反射率實質(zhì)上亦能維持在11%以下，且其分布曲線如圖6所示的上半部所示。因此，由圖5與圖6可知，折射率η介于I至I. 6的遮蔽電極薄膜220的光穿透率可以達90%以上，且光反射率降低至11%以下。當折射率為I. 3，厚度為100納米時，遮蔽電極薄膜220對于觸控面板210的光穿透率可以達95 %以上，且光反射率可以降至小于5%以下的程度，因而具有最佳的光學(xué)特性。此外，在此條件下的遮蔽電極薄膜220，其所測得的面阻抗實質(zhì)上小于等于為400歐姆/平方，因此已具有電磁屏蔽的功效?；谏鲜觯诒坞姌O薄膜220具良好的光穿透性質(zhì)與抗光反射特性，并且具有的電磁屏蔽性質(zhì)。由以上可知，遮蔽電極薄膜220可以在納米級的厚度(20納米至180納米)下提供觸控面板210電磁屏蔽、高光穿透率以及低反射率的效果。換言之，由于遮蔽電極薄膜220中納米金屬絲222所占面積微小，且即使納米金屬絲222在遮蔽電極薄膜220必須彼此交錯迭置以構(gòu)成電性連接的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)來提供電磁屏蔽的效應(yīng)，但其光穿透率仍可高達90%以上。因此，遮蔽電極薄膜220的厚度即使為納米級仍已足夠達到理想的電磁屏蔽效應(yīng)而使觸控面板210維持其信噪比，以達到高感測靈敏度等元件操作特性的需求。在一些應(yīng)用層面上，觸控裝置可以進一步與另一顯示面板相結(jié)合而構(gòu)成一觸控顯示裝置。圖7為本發(fā)明的的觸控觸控顯示裝置的局部剖面示意圖。請參照圖7，觸控顯示裝置300包括一顯示面板250、一觸控面板210以及一遮蔽電極薄膜220，觸控面板210與遮蔽電極薄膜220即為前述的觸控裝置200，其中觸控裝置200上的構(gòu)件如前述，不再贅述，而遮蔽電極薄膜220位于顯示面板250與觸控面板210之間。如前述，遮蔽電極薄膜220的設(shè)置可以避免觸控面板210與顯示面板250之間發(fā)生訊號干擾的現(xiàn)象。其中，該顯示面板250為液晶顯不器、有機發(fā)光顯不器、電潤濕顯不器或電泳顯不器。整體而言，由于本發(fā)明的遮蔽電極薄膜220可以用如涂布、噴灑、浸泡、印刷等方式在觸控面板210上形成由納米金屬絲所構(gòu)成的遮蔽電極薄膜220，因此其過程簡易。以下將本發(fā)明的遮蔽電極薄膜220與現(xiàn)有技術(shù)如圖I所示的銦錫氧化物膜所構(gòu)成的電磁屏蔽膜130進行比較。此外，現(xiàn)有技術(shù)觸控裝置100中的由銦錫氧化物膜所構(gòu)成的電磁屏蔽膜130中包 含了銦元素等稀有金屬，由于產(chǎn)量日益稀少，因有原料供給不足與斷料的擔(dān)心。相對于此，本發(fā)明的遮蔽電極薄膜220中是以納米金屬絲替代現(xiàn)有技術(shù)銦錫氧化物膜的材料，并無上述原料供給不足與斷料等擔(dān)憂。此外，本發(fā)明的由納米金屬絲薄膜所構(gòu)成的遮蔽電極薄膜220具有耐化學(xué)藥性，因此可以因應(yīng)產(chǎn)品特性進一步選用不同特性的分散媒224(如圖4A所示)，例如可選用用于形成抗反射膜的二氧化硅溶液，以使最后所形成的遮蔽電極薄膜220具有抗反射膜的特性。綜上所述，本發(fā)明采用納米結(jié)構(gòu)的納米金屬絲作為觸控面板表面上的遮蔽電極薄膜，可以在納米級的厚度之下提供觸控面板增加訊號/雜訊比、提升整體穿透·以及·低光反射·等特·性，大·幅降低·觸控裝置以及觸控顯示裝置整體的厚度并維持其理想的元件特性。此外，由于本發(fā)明的遮蔽電極薄膜的處理簡易，并可以以中片的方式一次形成于多片的觸控面板表面上，不僅使產(chǎn)品的良率大幅提升且節(jié)省人力工時，符合量產(chǎn)需求。雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，當可作些許的更動與潤飾，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種觸控裝置，包括 一觸控面板，包括 一基板； 一觸控元件，位于該基板上；以及 一遮蔽電極薄膜，配置于該觸控面板上，該遮蔽電極薄膜具有多條納米金屬絲，該些納米金屬絲彼此交錯以構(gòu)成該遮蔽電極薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置，其中該遮蔽電極薄膜的面阻抗小于或等于400歐姆/平方，且該遮蔽電極薄膜的折射率介于I至I. 6之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置，其中該遮蔽電極薄膜的光穿透率為90%以上，且該遮蔽電極薄膜的光反射率為11%以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置，其中該遮蔽電極薄膜的厚度介于20納米至180納米之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置，其中該遮蔽電極薄膜還包括一樹脂膜，該些納米金屬絲分散于該樹脂膜中，該些納米金屬絲的分布密度為大于O且小于等于2000萬條/平方微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置，其中該基板為ー玻璃板或ー塑膠板。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置，其中該基板為ー覆蓋板(CoverLens)，該覆蓋板包含一玻璃板或ー塑膠板，且于該玻璃板或塑膠板設(shè)有ー裝飾層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸控裝置，其中該裝飾層由類鉆、陶瓷、油墨以及光阻材料的至少其中之一所構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置，其中該觸控元件包含數(shù)條第一電極串列及數(shù)條第ニ電極串列，且數(shù)條第一電極串列與數(shù)條第二電極串列彼此間隔開。
10.ー種觸控顯示裝置，包括 一觸控面板，包括 一基板； 一觸控元件，位于該基板上；以及 一遮蔽電極薄膜，位于該觸控面板上，且該遮蔽電極薄膜具有多條納米金屬絲，該些納米金屬絲彼此交錯以構(gòu)成該遮蔽電極薄膜；以及 一顯示面板，位于該遮蔽電極薄膜上，以供該遮蔽電極薄膜設(shè)于該觸控面板與該顯示面板之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控顯示裝置，其中該顯示面板為ー液晶顯示器、一有機發(fā)光顯不器、一電潤濕顯不器或電泳顯不器。
全文摘要
一種觸控裝置，其包括一觸控面板以及一遮蔽電極薄膜。觸控面板包括一基板以及一位于基板上的觸控元件。遮蔽電極薄膜配置于觸控面板上，其中遮蔽電極薄膜具有多條納米金屬絲，納米金屬絲彼此交錯以構(gòu)成遮蔽電極薄膜。藉此，可大幅縮減觸控裝置的整體厚度。本發(fā)明并提出一種具有前述構(gòu)造的觸控顯示裝置。
文檔編號G06F3/041GK102855013SQ201110180888
公開日2013年1月2日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者林怡君, 吳明坤, 黃炳文 申請人:聯(lián)勝(中國)科技有限公司, 勝華科技股份有限公司