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半導體集成電路器件的制作方法

文檔序號:6461228閱讀:181來源:國知局
專利名稱:半導體集成電路器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及RFID ( Radio Fr叫uency Identification:射頻識別)系 統(tǒng),尤其涉及提高ID標簽安全的有效技術(shù)。
背景技術(shù)
作為能通過無線通信進行數(shù)據(jù)交換的自動識別技術(shù),RFID正在 得到廣泛應用。RFID例如包括可存儲信息的ID標簽、進行該ID標 簽中的信息讀出或?qū)懭氲淖x出器/寫入器、以及進行該讀出器/寫入器 所讀出的信息的管理等的主機等。在各ID標簽上被分配有固有的ID信息,因此能夠在物流等中, 通過在商品上貼附ID標簽而使其流通,來有效地進行各商品的跟蹤。但是,由于RFID通過非接觸方式進行數(shù)據(jù)的讀出/寫入,因此, 被指出存在如下問題,即當人持有ID標簽時,在本人不知道的情 況下而被第三者跟蹤行動之類的安全方面的問題。作為ID標簽的防止第三者取得信息的技術(shù),公知有如下技術(shù), 即例如錯開天線和生成該ID標簽的電源電壓的整流電路的阻抗匹 配,或者特意增大整流電路的消耗電流等,由此縮短ID標簽的通信 距離。作為這種ID標簽的縮短通信距離的技術(shù),例如有如下的技術(shù) 從外部通信裝置利用指令數(shù)據(jù)變更通信響應設定值,改變影響到對應 的內(nèi)部通信響應距離的參數(shù),根據(jù)該參數(shù)變更通信響應距離的技術(shù) (參照專利文獻l);以及通過在天線和基準電位VSS之間連接電阻 等,來使阻抗匹配錯開以縮短通信響應距離的技術(shù)(參照專利文獻2 ) 等。[專利文獻1]日本特開2006-185234號公寺艮[專利文獻2]美國專利出版公開第2006/0145851號說明書 發(fā)明內(nèi)容但是,在上述那樣的利用RFID來縮短通信響應距離的技術(shù)中, 本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)存在以下問題。通常,利用ID標簽的加電(power up)順序,使用從主機預先 設定在存儲器等中的信息來更新縮短通信距離的設定,在被更新的時 刻電源功率降低,此時,在輸入功率不充分大的情況下,將會導致ID 標簽斷電。但是,在已斷電的時刻ID標簽再次被充電,反復進行預定的加 電順序。這種情況下,實現(xiàn)了通信距離的限制,但ID標簽只在被電 波照射的情況下才反復通斷。一般而言,半導體元件的阻抗因偏置的有無而存在不同,因此, 通過反復通斷,來自ID標簽的反射波的大小發(fā)生變動,有可能會像 對噪聲進行反向散射 一樣地進行工作。本發(fā)明的目的在于提供一種技術(shù),該技術(shù)能不降低通信功率而實 現(xiàn)穩(wěn)定的通信,并且限制ID標簽的通信距離。本發(fā)明的上述目的和其他目的以及新的特征,通過本發(fā)明的敘述 和附圖而得以明確。簡單地說明在本申請公開的發(fā)明之中具有代表性的技術(shù)方案如下。本發(fā)明是一種半導體集成電路器件,其被用于將從讀出器/寫入器 接收到的電波轉(zhuǎn)換成功率,并將信息返回到上述讀出器/寫入器的ID 標簽,所述半導體集成電路器件的特征在于,包括整流電路,接收 從上述讀出器/寫入器輸出的電波,對基于其電磁感應的功率基于其電 i茲感應的功率進行整流而生成一次電壓;穩(wěn)定電壓電路,使上述整流 電路生成的一次電壓穩(wěn)定化而生成內(nèi)部電源電壓;指令解調(diào)電路,將施加在從上述讀出器/寫入器輸出的電波上的指令解調(diào)成數(shù)字信號;指令解碼部,對上述指令解調(diào)電路解調(diào)后的數(shù)字信號的指令進行解碼;以及通信距離限制控制部,用于限制與上述讀出器/寫入器之間的通信 距離,其中,上述通信距離限制控制部,在設定了通信距離限制設定數(shù) 據(jù)時,不接收從上述指令解調(diào)電路輸出的數(shù)字信號,其中,該通信距 離限制設定數(shù)據(jù)用于設定與上述讀出器/寫入器之間的通信距離限制。另外,本發(fā)明的半導體集成電路器件,上述通信距離限制控制部包括通信距離設定部,用于保存是否設定了通信距離限制設定數(shù)據(jù) 的信息,其中,該通信距離限制設定數(shù)據(jù)用來設定與上述讀出器/寫入 器之間的通信距離限制;功率強度監(jiān)視器部,用于監(jiān)視上述整流電路 生成的一次電壓的功率,判斷該功率是否在預先設定的任意的電場強 度以上;以及通信距離限制電路,進行控制以使得在由上述通信距離 設定部設定用來對通信距離限制進行設定的通信距離限制設定數(shù)據(jù)、 由上述功率強度監(jiān)視器部判斷為在任意的電場強度以下時,使上述指 令解調(diào)電路和上述指令解碼部不導通,使從上述指令解調(diào)電路輸出的 數(shù)字信號不輸入到上述指令解碼部。進而,本發(fā)明的半導體集成電路器件,上述通信距離限制控制部 包括通信距離設定部,用于保存是否設定了通信距離限制設定數(shù)據(jù) 的信息,其中,通信距離設定數(shù)據(jù)設定與上述讀出器/寫入器的通信距 離限制;功率強度監(jiān)視器部,用于監(jiān)視上述整流電路生成的一次電壓 的功率,判斷該功率是否在預先設定的任意的電場強度以上;以及通 信距離限制電路,在由上述通信距離設定部設定對通信距離限制進行 設定的通信距離限制設定數(shù)據(jù)、由上述功率強度監(jiān)視器部判斷為在任 意的電場強度以下時,關(guān)斷輸入到上述指令解調(diào)電路的來自上述讀出 器/寫入器的電波。本發(fā)明的半導體集成電路器件,上述功率強度監(jiān)視器部使用穩(wěn)定 電壓電路生成內(nèi)部電源電壓時所鉗位的鉗位電流來對一次電壓的功 率進行監(jiān)視。本發(fā)明的半導體集成電路器件,上述功率強度監(jiān)視器部對將鉗位 電流轉(zhuǎn)換成電壓的鉗位電壓和比較用電壓進行比較,將該比較結(jié)果作為判斷結(jié)果輸出。另外,簡單表示本發(fā)明的其他技術(shù)方案的概要如下。 本發(fā)明的一種半導體集成電路器件,包括連接在外部天線上的整流電路、指令解調(diào)電路和反向散射電路,所述半導體集成電路器件的特征在于,包括穩(wěn)定電壓電路,使上述整流電路的電壓穩(wěn)定化而提供功率;功率強度監(jiān)視器部,根據(jù)上述穩(wěn)定電壓電路的輸出電路來檢測電場強度;以及邏輯電路,接收來自上述指令解調(diào)電路的信號,進 行運算而輸出到上述反向散射電路,其中,上述邏輯電路包括判斷是 通常通信時還是距離限制時的狀態(tài)管理部,在上述狀態(tài)管理部判斷為 是距離限制時、并且上述功率強度監(jiān)視器部檢測出在預定強度以下 時,斷開從上述指令解調(diào)電路到指令解碼部的信號路徑。另外,本發(fā)明的半導體集成電路器件,上述邏輯電路包括由通信 距離限制電路構(gòu)成的通信距離限制控制部,其中,該通信距離限制電 路在狀態(tài)管理部判斷為是通信距離限制時、由功率強度監(jiān)視器部判斷 為在任意的電場強度以下時,進行控制使得從指令解調(diào)電路輸出的數(shù) 字信號不輸入到上述指令解碼部。本發(fā)明的半導體集成電路器件,上述功率強度監(jiān)視器部對整流電 路生成的一次電壓的功率進行監(jiān)視,判斷該功率是否在預先設定的任 意的電場強度以上。本發(fā)明的半導體集成電路器件,上述功率強度監(jiān)視器部使用穩(wěn)定 電壓電路生成內(nèi)部電源電壓時所鉗位的鉗位電流來監(jiān)視一 次電壓的 功率。本發(fā)明的半導體集成電路器件,上述功率強度監(jiān)視器部對將鉗位 電流轉(zhuǎn)換成電壓的鉗位電壓和比較用電壓進行比較,將該比較結(jié)果作 為判斷結(jié)果輸出。簡單說明由本發(fā)明公開的發(fā)明之中具有代表性的技術(shù)方案所得 到的技術(shù)效果如下。(1 )由于監(jiān)視鉗位電流來進行通信距離限制,因此能不降低通 信效率而以穩(wěn)定的工作進行通信距離的限制。(2) 另外,由于在設定了通信距離限制時限制指令的輸入,因此能防止反復通斷半導體集成電路器件,能防止噪聲散逸。(3) 根據(jù)上述(1)、 (2),能實現(xiàn)一種高可靠性的RFID系統(tǒng)。


圖1是本發(fā)明實施方式1的半導體集成電路器件的框圖。圖2是表示設置在圖1的半導體集成電路器件上的穩(wěn)定電壓電路 和功率強度監(jiān)視器部的結(jié)構(gòu)例的說明圖。圖3是表示設置在圖1的半導體集成電路器件上的通信距離限制 控制部的工作的 一 例的流程圖。圖4是表示設置在本發(fā)明實施方式2的半導體集成電路器件上的 穩(wěn)定電壓電路和功率強度監(jiān)視器部的結(jié)構(gòu)例的說明圖。圖5是表示設置在本發(fā)明的其他實施方式的半導體集成電路器件 上的穩(wěn)定電壓電路和功率強度監(jiān)視器部的結(jié)構(gòu)例的說明圖。
具體實施方式
下面,根據(jù)附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。在用于說明實施方 式的全部附圖中,相同的部件原則上標以相同的符號而省略其反復的 說明。[實施方式1]圖1是本發(fā)明實施方式1的半導體集成電路器件的框圖,圖2是 表示設置在圖1的半導體集成電路器件上的穩(wěn)定電壓電路和功率強度 監(jiān)視器部的結(jié)構(gòu)例的說明圖,圖3是表示設置在圖1的半導體集成電 路器件上的通信距離限制控制部的工作的一例的流程圖。在本實施方式1中,半導體集成電路器件1被用于例如作為自動 識別技術(shù)的一種的RFID系統(tǒng)的ID標簽中。如圖1所示,半導體集 成電路器件1包括整流電路2、穩(wěn)定電壓電路3、指令解調(diào)電路4、反 向散射電路5、隨機數(shù)產(chǎn)生電路6、邏輯電路7和通信距離限刺控制 部8。整流電路2通過與半導體集成電路器件連接的天線接收從進行信息的讀出和寫入的讀出器/寫入器輸出的電波,對由電磁感應產(chǎn)生的功率進行整流并作為一次電壓VCC輸出。穩(wěn)定電壓電路3穩(wěn)定從整流電路2輸出的一次電壓VCC,并作為 成為工作功率的內(nèi)部電源電壓VDD,分別提供給指令解調(diào)電路4、反 向散射電路5、隨機數(shù)產(chǎn)生電路6、邏輯電路7和通信電路限制控制 部8。指令解調(diào)電路4例如用ASK ( Amplitude Shift Keying:移幅鍵控) 調(diào)制對附加在從進行信息的讀出和寫入的讀出器/寫入器傳送來的載 波信號上的各種指令進行解調(diào),轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號,將其輸出到邏輯電 路7。反向散射(back scatter)電路5使設置在半導體集成電路器件1 上的天線端子阻抗根據(jù)數(shù)據(jù)而變化,由此調(diào)制反射波(反向散射)。 隨機數(shù)產(chǎn)生電路6產(chǎn)生RFID集中控制中使用的隨機數(shù),將其輸出到 邏輯電路7。邏輯電路7包括指令解碼部9、狀態(tài)管理部10、工作控制部11、 響應部12以及存儲器13。指令解碼部9對指令解調(diào)部4進行了解調(diào) 的指令進行解碼,輸出到工作控制部ll。成為通信距離設定部的狀態(tài)管理部10例如由寄存器構(gòu)成,與讀 出器/寫入器通信時的通信距離限制的有無的設定數(shù)據(jù)通過工作控制 部11設定。該設定數(shù)據(jù)利用讀出器/寫入器設定。工作控制部11根據(jù) 從指令解碼部9輸出的指令,執(zhí)行對存儲器13的信息讀出/寫入中的 工作控制,進行信息的讀出/寫入。響應部12/人工作控制部11接收響應的有無、響應種類、響應參 數(shù)的指示,根據(jù)響應數(shù)據(jù)的傳送速度使反向散射電路5工作。存卡者器 13 例如由 EEPROM (Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory:電可擦寫可編程只讀存儲器)等非 易失性半導體存儲器構(gòu)成,存儲來自讀出器/寫入器的各種信息。通信距離限制控制部8包括功率強度控制部14、邏輯和電路15和開關(guān)部16。功率強度監(jiān)視器部14監(jiān)視一次電壓VCC的功率,判斷其功率是 否在預先設定的任意的電場強度以上,將判斷結(jié)果作為控制信號輸 出。構(gòu)成通信距離限制電路的邏輯和電路15的一個輸入部上,以接 收功率強度監(jiān)視器部14的判斷結(jié)果的方式進行連接。在該邏輯和電 路15的另一輸入部上,以接收狀態(tài)管理部10的通信顯示的設定數(shù)據(jù) 的寄存器值的方式進行連接。邏輯和電路15的輸出部上連接有構(gòu)成通信距離限制電路的開關(guān) 部16的控制端子。在該開關(guān)部16的一個連接部上連接有指令解調(diào)電 路4的輸出部,在該開關(guān)部16的另一連接部上連接有指令解碼部9 的輸入部。開關(guān)部16例如在從邏輯和電路15輸出的信號為Lo信號時接通 (ON),在從邏輯和電路15輸出的信號為Hi信號時斷開(非導通)。 圖2是表示穩(wěn)定電壓電路3和功率強度監(jiān)視器部14的構(gòu)成例的 說明圖。穩(wěn)定電壓電路3由二極管17~19構(gòu)成,功率強度監(jiān)視器部14包 括恒流源20、晶體管21以及反相器22、 23。二極管17的陽極上連接有整流電路2的輸出部,該二極管17的 陰極上連接有二極管18的陽極。二極管18的陰極上連接有二極管19 的陽極,該二極管19的陰極上連接有基準電位VSS。利用構(gòu)成穩(wěn)定電壓電路3的串聯(lián)連接的這些二極管17 19,從整 流電路2輸出的一次電壓VCC被鉗位而進行穩(wěn)定化,從而輸出內(nèi)部 電源電壓VDD。另外,在功率強度監(jiān)視器部14,晶體管21例如由N溝道MOS (Metal Oxide Semiconductor:金屬氧化物半導體)構(gòu)成。在該半導體21的一個連接部上連接有恒流源20,在該晶體管21 的另 一連接部上連接有基準電位VSS。晶體管的柵極上連接有串聯(lián)連 接的二極管18和二極管19的連接部。在晶體管21的一個連接部上連接有反相器22的輸入部,在該反 相器22的輸出部上連接有反相器23的輸入部。進行連接使得從該反 相器23輸出的信號成為功率強度監(jiān)視器部14的判斷結(jié)果,并輸入到 邏輯和電路15的一個輸入部。接著,用圖3的流程圖說明本實施方式的通信距離限制控制部8 的工作。首先,半導體集成電路器件1接近讀出器/寫入器,當來自穩(wěn)定電 壓電路3的內(nèi)部電源電壓VDD成為可進行工作的電壓電平時(步驟 S101),工作控制部11從存儲器13中讀出半導體集成電路器件1的 初始狀態(tài)(步驟S102)。此時,工作控制部11判斷是否設定了縮短通信距離的通信距離限 制(步驟S103),將通信距離限制的有無設定在狀態(tài)管理部10。工作 控制部11例如在設定了通信距離限制的情況下將"1" (Hi信號)設 定在狀態(tài)管理部10,在沒有通信距離限制的情況,即、通常通信時的 情況下,將"0" (Lo信號)設定在狀態(tài)管理部10。在步驟S103的處理中,在沒有設定通信距離限制的情況下,在 邏輯和電路15的另一輸入部上輸入了設定在狀態(tài)管理部10中的Lo 信號,因此無論功率強度監(jiān)視器部14的判斷結(jié)果的信號狀態(tài)如何, 從邏輯和電路15的輸出都為Lo信號。當從邏輯和電路15輸出Lo信號時,開關(guān)部16接通,由指令解 調(diào)電路4進行了解調(diào)的各種指令等被輸入到指令解碼部9 (步驟 S104),半導體集成電路器件1進行指令工作(步驟S105)。由此,不限制通信距離而進行半導體集成電路器件和讀出器/寫入 器的通信。另一方面,在步驟S103,在設定了通信距離限制的情況下,功率 強度監(jiān)視器部14判斷從整流電路2輸出的功率是否在預先設定的任 意的電場強度以上(步驟S106),將該判斷結(jié)果作為控制信號輸出。當半導體集成電路器件1和讀出器/寫入器的距離接近,從整流電 路2輸出的功率在預先設定的任意的電場強度以上時,從整流電路2輸出的一次電壓VCC的電壓電平也增高,由穩(wěn)定電壓電路3所鉗位 的電壓也增高。與此伴隨,晶體管21導通,從反相器23輸出的判斷結(jié)果成為Lo 信號。在判斷信號為Lo信號時,邏輯和電路15的輸出成為Lo信號 使得開關(guān)部16接通,執(zhí)行步驟S104、 S105的處理。另外,在半導體集成電路器件1和讀出器/寫入器的距離較遠,從 整流電路2輸出的功率弱于預先設定的任意的電場強度時,從整流電 路2輸出的一次電壓VCC的電壓電平也隨之降低,因此,由穩(wěn)定電 壓電路3所鉗位的電壓也降低,晶體管21截止,從反相器23輸出的 判斷信號成為Hi信號。另外,功率強度監(jiān)視器部14所判斷的任意的電場強度能通過使 恒流源20的電流值可變而自由改變。這是由于通過使恒流源20的電 流值可變而使晶體管21的閾值電壓值發(fā)生改變的緣故。在判斷信號為Hi信號時,邏輯和電路15的輸出成為Hi信號, 因此開關(guān)部16斷開,即使指令解調(diào)電路4對各種指令等進行解調(diào)也 不會輸入到指令解碼部9,從而半導體集成電路器件1不進行工作。這樣,在半導體集成電路器件1上沒有設定通信距離限制時,如 果該半導體集成電路1和讀出器/寫入器沒有接近到任意距離,則能限 制通信距離使得半導體集成電路器件1不進行工作。另外,在通信距離限制時即使半導體集成電路器件1進行了工作 時,也能使該半導體集成電路器件1的工作穩(wěn)定。由此,根據(jù)本實施方式,通信距離限制控制部8能對穩(wěn)定電壓電 路3監(jiān)視鉗位電流而限制通信距離,因此能不降低通信效率而以穩(wěn)定 的工作來進行通信距離的限制。[實施方式2]圖4是表示本發(fā)明實施方式2的設置在半導體集成電路器件上的 穩(wěn)定電壓電路和功率強度監(jiān)視器部的結(jié)構(gòu)例的說明圖。在實施方式2中,半導體集成電路器件1 (圖1 )與上述實施方 式l相同,包括整流電路2、穩(wěn)定電壓電路3、指令解調(diào)電路4、反向散射電路5、隨機數(shù)產(chǎn)生電路6、邏輯電路7以及通信距離限制控制 部8,與上述實施方式1不同的是穩(wěn)定電壓電路3和功率強度監(jiān)視器 部14的結(jié)構(gòu)。圖4是表示穩(wěn)定電壓電路3和功率強度監(jiān)視器部14的結(jié)構(gòu)例的 框圖。穩(wěn)定電壓電路3包括電阻24 27、轉(zhuǎn)換器28、基準電源部29以 及晶體管30。另外,功率強度監(jiān)視器部14包括轉(zhuǎn)換器31、基準電源 部32以及反相器33。電阻24的一個連接部上連接有整流電路2的輸出部,該電阻24 的另一連接部上連接有電阻25的一個連接部。另外,從該電阻24的 另一連接部輸出內(nèi)部電源電壓VDD。電阻25的另 一連接部上連接有電阻26的一個連接部和轉(zhuǎn)換器28 的正(+ )側(cè)輸入部。基準電源部29生成輸入到轉(zhuǎn)換器28的負(-) 側(cè)輸入部的成為比較用電壓的基準電壓VREF1。轉(zhuǎn)換器28的輸出部上連接有例如由N溝道MOS構(gòu)成的晶體管 30的柵極,在該晶體管30的一個連接部上連接有電阻24的另一連接 部,該晶體管30和電阻24的連接部成為穩(wěn)定電壓電路3的輸出部, 其輸出內(nèi)部電源電壓VDD。另外,在晶體管的另一連接部上連接有電阻27的一個連接部。 在該電阻27的另一連接部上連接有基準電位VSS。轉(zhuǎn)換器28對由電阻24、 25和電阻26進行分壓后得到的一次電 壓VCC和基準電源部29的基準電壓VREF1進行比較,并輸出該比 較結(jié)果。當分壓后的一次電壓VCC大于基準電壓VREF1時,轉(zhuǎn)換器 28輸出使晶體管30導通的信號。而且,通過使晶體管30導通,使一 次電壓VCC的電流經(jīng)由電阻27而鉗位,輸出穩(wěn)定后的內(nèi)部電源電壓 VDD。在晶體管30和電阻27的連接部上連接有轉(zhuǎn)換器31的正(+ )側(cè) 輸入部,在該轉(zhuǎn)換器28的負(一)側(cè)輸入部上連接以使得接收由基 準電源部32所生成的成為比較用電壓的基準電壓VREF2。在該轉(zhuǎn)換器31的輸出部上連接有轉(zhuǎn)換器33的輸入部。而且,進行連接使得從轉(zhuǎn)換器33的輸出部輸出的信號成為功率 強度監(jiān)視器部14的判斷結(jié)果,并輸入到邏輯電路15的一個輸入部。接著,說明本實施方式中的功率強度監(jiān)視器部14的工作。由穩(wěn)定電壓電路3進行了鉗位的電流通過阻抗27轉(zhuǎn)換成電壓。 轉(zhuǎn)換器31比較由電阻27進行了轉(zhuǎn)換的電壓和基準電源部32的基準 電壓VREF2的電壓電平,例如,在基準電壓VREF2的電壓電平較低 的情況下,即,在半導體集成電路器件1和讀出器/寫入器的距離足夠 近時,作為功率強度監(jiān)視器部14的判斷結(jié)果輸出Lo信號。另外,在基準電壓VREF2的電壓電平較高的情況下,即半導體 集成電路器件1和讀出器/寫入器離開某種程度時,作為功率強度監(jiān)視 器部14的判斷結(jié)果輸出Hi信號。而且,從功率強度監(jiān)視器部14輸 出的判斷結(jié)果被輸入到邏輯電路15的一個輸入部。對于其他的通信距離限制控制部8的工作,由于與實施方式l(圖 3)相同,因此省略說明。由此,在本實施方式2中,通信距離限制控制部8也能對穩(wěn)定電 壓電路3監(jiān)視鉗位電流而進行通信距離限制,因此能不降低通信效率 而以穩(wěn)定的工作顯示通信距離。明不限定于上述實施方式,無需贅言在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi) 可以進行各種變更。例如,也可以是組合上述實施方式1的圖2中的功率強度監(jiān)視器 部14和上述實施方式2的圖4中的穩(wěn)定電壓電路3的結(jié)構(gòu)。這種情況下,如圖5所示,穩(wěn)定電壓電路3由電阻24~26、轉(zhuǎn)換 器28、基準電源部29和晶體管30構(gòu)成,而不需要將由晶體管30進 行了鉗位的電流轉(zhuǎn)換成電壓的電阻27。另外,對于穩(wěn)定電壓電路3 中的其他連接結(jié)構(gòu),與圖4相同。進而,對于功率強度監(jiān)視器部14,由恒流源20、晶體管21以及 反相器22、 23構(gòu)成,與圖2不同之處在于,連接成轉(zhuǎn)換器28的判斷15結(jié)果被輸入到晶體管21的柵極。對于其他的通信距離限制控制部8 中的連接關(guān)系與圖2相同。另外,在上述實施方式中為開關(guān)16 (圖1 )連接在指令解調(diào)電路 4和指令解碼部9之間的結(jié)構(gòu),開關(guān)16例如也可以連接在天線和指令 解調(diào)電路4之間。并且,在上述實施方式中,記載了通信距離限制控制部8與邏輯 電路7分開設置的結(jié)構(gòu),但也可以將通信距離限制控制部8設置在邏 輯電^各7內(nèi)。[工業(yè)可利用性]本發(fā)明適用于限制與讀出器/寫入器之間的通信距離時的ID標簽 的穩(wěn)定化的通信技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種半導體集成電路器件,其被用于將從讀出器/寫入器接收到的電波轉(zhuǎn)換成功率,并將信息返回到上述讀出器/寫入器的ID標簽,所述半導體集成電路器件的特征在于,包括整流電路,接收從上述讀出器/寫入器輸出的電波,并對基于其電磁感應的功率進行整流來生成一次電壓;穩(wěn)定電壓電路,使上述整流電路生成的一次電壓穩(wěn)定化來生成內(nèi)部電源電壓;指令解調(diào)電路,將施加在從上述讀出器/寫入器輸出的電波上的指令解調(diào)成數(shù)字信號;指令解碼部,對上述指令解調(diào)電路解調(diào)后的數(shù)字信號的指令進行解碼;以及通信距離限制控制部,用于限制與上述讀出器/寫入器的通信距離,上述通信距離限制控制部在設定了通信距離限制設定數(shù)據(jù)時,不接收從上述指令解調(diào)電路輸出的數(shù)字信號,其中,該通信距離限制設定數(shù)據(jù)用于設定與上述讀出器/寫入器的通信距離限制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體集成電路器件,其特征在于上述通信距離限制控制部包括通信距離設定部,用于保存是否設定了通信距離限制設定數(shù)據(jù)的 信息,其中,該通信距離限制設定數(shù)據(jù)用來設定與上述讀出器/寫入器 之間的通信距離限制;功率強度監(jiān)視器部,用于監(jiān)視上述整流電路生成的 一 次電壓的功 率,并判斷該功率是否在預先設定的任意的電場強度以上;以及通信距離限制電路,在由上述通信距離設定部設定了用于對通信 距離限制進行設定的通信距離限制設定數(shù)據(jù),并由上述功率強度監(jiān)視 器部判斷為在任意的電場強度以下時,進行控制以使上述指令解調(diào)電 路與上述指令解碼部不導通,并使從上述指令解調(diào)電路輸出的數(shù)字信號不輸入上述指令解碼部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體集成電路器件,其特征在于 上述通信距離限制控制部包括通信距離設定部,用于保存是否設定了通信距離限制設定數(shù)據(jù)的 信息,其中通信距離設定數(shù)據(jù)用于設定與上述讀出器/寫入器的通信距 離限制;功率強度監(jiān)視器部,用于監(jiān)視上述整流電路生成的 一次電壓的功 率,并判斷該功率是否在預先設定的任意的電場強度以上;以及通信距離限制電路,在由上述通信距離設定部設定了用于對通信 距離限制進行設定的通信距離限制設定數(shù)據(jù),并由上述功率強度監(jiān)視 器部判斷為在任意的電場強度以下時,關(guān)斷輸入到上述指令解調(diào)電路 的來自上述讀出器/寫入器的電波。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導體集成電路器件,其特征在于上述功率強度監(jiān)視器部使用上述穩(wěn)定電壓電路生成內(nèi)部電源電 壓時被鉗位的鉗位電流來對 一 次電壓的功率進行監(jiān)視。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導體集成電路器件,其特征在于上述功率強度監(jiān)視器部對將鉗位電流轉(zhuǎn)換成電壓的鉗位電壓和 比較用電壓進行比較,并將該比較結(jié)果作為判斷結(jié)果輸出。
6. —種半導體集成電路器件,包括連接在外部天線上的整流電 路、指令解調(diào)電路和反向散射電路,所述半導體集成電路器件的特征 在于,包括穩(wěn)定電壓電路,使上述整流電路的電壓穩(wěn)定化而提供功率; 功率強度監(jiān)視器部,根據(jù)上述穩(wěn)定電壓電路的輸出電路來檢測電 場強度;以及邏輯電路,接收來自上述指令解調(diào)電路的信號,進行運算后輸出 到上述反向散射電路,其中,上述邏輯電路包括判斷是通常通信時還是距離限制時的狀態(tài)管理部,在上述狀態(tài)管理部判斷為是距離限制時,并且上述功率強度監(jiān)視 器部檢測出在預定強度以下時,斷開從上述指令解調(diào)電路到指令解碼 部的信號路徑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體集成電路器件,其特征在于 上述邏輯電路包括由通信距離限制電路構(gòu)成的通信距離限制控制部,其中,該通信距離限制電路在上述狀態(tài)管理部判斷為是通信距 離限制時,并由上述功率強度監(jiān)視器部判斷為在任意的電場強度以下 時,進行控制以使上述指令解調(diào)電路與上述指令解碼部不導通,并使 從上述指令解調(diào)電路輸出的數(shù)字信號不輸入上述指令解碼部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導體集成電路器件,其特征在于上述功率強度監(jiān)視器部對上述整流電路生成的一次電壓的功率 進行監(jiān)視,并判斷該功率是否在預先設定的任意的電場強度以上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體集成電路器件,其特征在于 上述功率強度監(jiān)視器部使用上述穩(wěn)定電壓電路生成內(nèi)部電源電壓時被鉗位的鉗位電流來監(jiān)視一 次電壓的功率。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體集成電路器件,其特征在于 上述功率強度監(jiān)視器部對將鉗位電流轉(zhuǎn)換成電壓的鉗位電壓和比較用電壓進行比較,并將該比較結(jié)果作為判斷結(jié)果輸出。
全文摘要
一種半導體集成電路器件,不降低通信效率而實現(xiàn)穩(wěn)定的通信,并且限制ID標簽的通信距離。在半導體集成電路器件(1)工作時,工作通信部(11)在狀態(tài)管理部(10)設定縮短通信距離的通信距離限制的有無。沒有通信距離限制時,從邏輯和電路(15)輸出Lo信號,開關(guān)部(16)接通,從指令解調(diào)電路(4)向指令解碼部(9)輸入經(jīng)過了解調(diào)的指令。在設定了通信距離限制時,功率強度監(jiān)視器部(14)判斷整流電路(2)的功率是否在所設定的電場強度以上,在小于所設定的電場強度時,邏輯和電路的輸出成為Hi信號而使開關(guān)部斷開,指令解調(diào)電路進行了解調(diào)的各種指令不會被輸入到指令解碼部,從而半導體集成電路器件不進行工作。
文檔編號G06K19/07GK101276396SQ20081008117
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者塚本隆幸, 遠藤武文 申請人:株式會社瑞薩科技
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