專利名稱：用于電子護(hù)照等的非接觸微電子裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造射頻識(shí)別裝置的方法和通過使用該方法而獲得的 識(shí)別裝置結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及利用該識(shí)別裝置來制造可靠且不能偽 造的身份證件，例如電子護(hù)照。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中已知制造射頻識(shí)別裝置的方法，按照該方法將由連 接到天線的微電子芯片構(gòu)成射頻電子裝置放置在絕緣襯底上。然后， 在裝有由該芯片和該天線組成的電子裝置的襯底上面層疊在一層或 幾層準(zhǔn)備用來保護(hù)和集成該電子電路的可或多或少縮減的材料。
這些已知的方法和所得的裝置有幾個(gè)缺點(diǎn)。因而，這些已知的制造過程大部分往往導(dǎo)致該裝置相當(dāng)厚，約0.6毫米或更大，或比較不 均勻，當(dāng)這些裝置須被用來制造諸如電子護(hù)照等電子身份證件時(shí)尤 為不利。新的電子護(hù)照在其機(jī)纟戒強(qiáng)度和使用壽命方面有非常嚴(yán)格的 規(guī)格，使用壽命必須是幾年，特別是在歐洲要長達(dá)10年。
另一方面，今天要求這些射頻識(shí)別裝置須允許以不過大的厚度集 成在諸如護(hù)照等身份證件的頁面中，而且要具有尺寸和機(jī)械特性， 特別是柔性，且必須與這些證件的規(guī)格相符。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的 一個(gè)目標(biāo)是提出 一種可以制造使用時(shí)非?？煽康?射頻識(shí)別裝置的方法。本發(fā)明的另一目標(biāo)是，該方法允許制造可適 應(yīng)各種用途的射頻識(shí)別裝置，得益于大量制造，因而單元成本低。 事實(shí)上，考慮到要提供給安全才幾構(gòu)(諸如某些國家的安全機(jī)構(gòu))大
量的識(shí)別裝置，重要的是掌握這樣一種制造射頻識(shí)別裝置的技術(shù)， 該技術(shù)要非常簡單，就所考慮的用途而言制造成本低，同時(shí)具有足 以保證所要求的使用壽命的可靠性。
本發(fā)明的另一目標(biāo)是提出一種制造射頻識(shí)別裝置的方法，它允許 可靠且重復(fù)地獲得相當(dāng)平整、厚度薄且非常均勻的識(shí)別裝置，厚度 約幾百微米，例如，小于400樣t米。
為此，本發(fā)明旨在提供一種制造射頻識(shí)別裝置方法，包括以下步
驟
-
在一個(gè)薄而柔性的襯底上面實(shí)現(xiàn)天線；
-在所述襯底上面放置一個(gè)在其厚度上包括至少一個(gè)空腔的穿孔
薄片；
-在所迷薄片的每一個(gè)空腔中放置一個(gè)微電子芯片，并在電氣上
將微電子芯片的引出接點(diǎn)連接到天線的相應(yīng)端子上；
-封閉該空腔，封住芯片，以便保護(hù)微電子芯片和連線，
按照本發(fā)明的方法的特征在于，該薄而柔性的襯底和穿孔薄片各
具小的厚度并經(jīng)校準(zhǔn)，大體上均勻且平整，其厚度總和小于約350
微米，穿孔薄片的厚度一定，略微大于該微電子芯片的厚度。
這樣，可獲得一種相當(dāng)平坦的沒有隆起的識(shí)別裝置，特別適合于
方便地集成在電子護(hù)照的紙頁中，而不會(huì)造成超厚度，和明顯的不規(guī)則。
該方法用的柔性襯底和穿孔薄片最好是連續(xù)的巻材，通過連續(xù)的 疊層裝配多個(gè)電子識(shí)別裝置，^接著通過在兩個(gè)連續(xù)的電子裝置之間 實(shí)現(xiàn)橫向切割，使這樣形成的電子裝置單片化，
其優(yōu)點(diǎn)是，形成巻材的穿孔薄片可在襯底的覆蓋了粘接膜的 一 面 上，疊層在該襯底上面。
按照本方法的 一個(gè)變體，為了在電氣上將微電子芯片的引出接點(diǎn) 連接到天線端子，將芯片的與有引出接點(diǎn)的面相反的一面粘合在襯 底上，使引出接點(diǎn)向空腔上方，所述空腔是橫向的，在芯片的各引
出接點(diǎn)和天線的相應(yīng)端子之間用微絲進(jìn)行連接。
按照該方法另一個(gè)變體，為了在電氣上將微電子芯片的引出接點(diǎn) 連接到天線的端子，將與有芯片引出接點(diǎn)的一面相反的芯片面粘合 到襯底上，使其引出接點(diǎn)呈現(xiàn)朝向空腔的高度，并用淀積低粘度導(dǎo) 電物質(zhì)在芯片的每一個(gè)引出接點(diǎn)和天線相應(yīng)端子之間進(jìn)行連接。
按照該方法的又一變體，為了電連接微電子芯片的引出接點(diǎn)和天 線的端子，將芯片有引出接點(diǎn)的一面粘合到襯底的連接到天線各個(gè) 端子的導(dǎo)電凸起上。
按照該方法，為了封閉空腔以隱藏芯片，在空腔內(nèi)，在微電子芯 片和與天線端子連接的上面，灌入液體封裝樹脂，大致填充空腔的 自由容積，接著使樹脂聚合。這樣，便獲得一個(gè)相當(dāng)平坦，不超厚 度，特別是與空腔齊平的識(shí)別裝置。
在該方法的另一變體中，穿孔薄片的空腔不是^f黃向的，在芯片的 引出接點(diǎn)和天線的端子之間進(jìn)行連接之后，將穿孔薄片疊層在該襯 底上，以封裝每個(gè)空腔并保護(hù)微電子芯片。
本發(fā)明還涉及射頻識(shí)別電子裝置，其特征在于，它是用以上描述 的制造方法獲得的。
按照本發(fā)明，射頻識(shí)別電子裝置最好具有約14mm和約25mm 之間的長度，約13mm和約19mm之間的寬度和小于約350微米的厚度。
其優(yōu)點(diǎn)是，本發(fā)明的射頻識(shí)別裝置包括
-薄襯底，帶有一個(gè)具有引出接點(diǎn)的微電子芯片；以及
-天線，在該襯底實(shí)現(xiàn)，該天線的端子通過互連部分連接到微電
子芯片相應(yīng)的引出接點(diǎn)，
該識(shí)別裝置的特征在于，它包括平整且穿孔的薄片，其厚度薄并
經(jīng)過校準(zhǔn)，這個(gè)穿孔薄片機(jī)械上連接到襯底的一面，并包括一個(gè)空
腔，其中放置芯片和互連部分，
-通過堆疊襯底和穿孔薄片而形成的整體，厚度小于約350微米。
本發(fā)明還旨在保護(hù)和利用前面描述的電子裝置，用以制造一個(gè)包 括一個(gè)或多個(gè)頁面的電子護(hù)照，包含其攜帶者的識(shí)別信息，護(hù)照頁 中的一頁包括一個(gè)能夠接納本發(fā)明的電子裝置的空腔。
本發(fā)明最后涉及電子護(hù)照，其特征在于，護(hù)照中的至少一頁包含 凹進(jìn)部分，其中插入并固化本發(fā)明的射頻識(shí)別電子裝置。


參照附圖閱讀詳細(xì)說明后，本發(fā)明的其它特性和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而
易見，其中
－圖1表示按照現(xiàn)有技術(shù)制造射頻識(shí)別裝置的方法；
-圖2表示本發(fā)明制造方法的第一實(shí)施方式；
-圖3表示圖2中制造方法的一個(gè)變體；而
-圖4表示按照本發(fā)明連續(xù)制造射頻識(shí)別裝置的方法。
具體實(shí)施例方式
以下參照?qǐng)D1。
該圖中，表示利用已知的技術(shù)制造的護(hù)照等產(chǎn)品用的電子裝置10 的一個(gè)剖面圖。為了制造該裝置， 一個(gè)微電子模塊1放置在支持薄 片5上的薄片2的空腔3中。該孩^莫塊1備有天線(未示出)和連 接到該天線的硅芯片4。為了填充該空腔3中和芯片4周圍的空間， 使用整平樹脂來填充該空腔，然后利用具有與包含空腔的薄片2相 同的性質(zhì)的薄片6覆蓋該空腔3。覆蓋之后，電子模塊10需要在爐 內(nèi)熟化(cmre)，以便使整平樹脂形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但是，該操作有若 干缺點(diǎn)。首先，它需要非常長的時(shí)間(數(shù)小時(shí))并要求相當(dāng)大的設(shè) 備，諸如爐。另外，形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)引起變形，由于整平樹脂膨脹和 隨后的收縮，當(dāng)目的在于獲得非常薄的產(chǎn)品，諸如想要包括在護(hù)照 中的產(chǎn)品時(shí)，這是不利的。另外，護(hù)照薄片制造商和他們的打印機(jī) 用戶， 一般具有層疊諸如制造護(hù)照用的薄片所要求的技術(shù)訣藥，但 是用樹脂填充并熟化填充操作，護(hù)照等證件的制造商是完全不懂的，這使得制造護(hù)照用的電子模塊的已知方法的實(shí)現(xiàn)復(fù)雜化。
以下參照?qǐng)D2,它是表示按本發(fā)明的制造方法以第一實(shí)施方式制 造的射頻識(shí)別裝置20的剖面圖。
每一射頻識(shí)別裝置20都包4舌一個(gè)襯底21，其上放置一個(gè)厚度小 并校準(zhǔn)過的薄片22，它以隔離片的方式對(duì)射頻識(shí)別裝置20經(jīng)校準(zhǔn)的 精細(xì)厚度作出貢獻(xiàn)。該薄片22在其厚度上包括一個(gè)或幾個(gè)穿孔，穿 透和不穿透的，并在要接納源自經(jīng)鋸割而切斷的小片(plaquette)的 微電子芯片24的位置上形成預(yù)留位置即空腔23。為了便于描述，由 于它所包含的穿孔，該薄片將稱作"穿孔薄片"。在圖2中的制造方 法中，該穿孔薄片22的每個(gè)空腔23都是穿透的，使得該穿孔薄片22 放置在襯底21上之后，微電子芯片24的引出接點(diǎn)仍舊可被接近， 以建立與天線端子26的連接。
按照本發(fā)明，該襯底是較柔軟的。它最好是，盡管不只是由聚酰 亞胺或聚環(huán)氧化物制成，它最好是連續(xù)的并成巻包裝，并至少在其 一個(gè)面上用非常薄的粘接膜覆蓋(未示出)。類似地，穿孔薄片22 最好(但不僅僅)由聚對(duì)苯二甲酸已二酯或聚酰亞胺制成。更具體 地說，它可以主要由屬于聚醚酰亞胺(PEI)、聚酰亞胺或聚酯(聚 乙烯苯二曱酸或PEN;聚對(duì)苯二曱酸已二酯或PET)族材料制成。 之所以要選擇這些材料是因?yàn)樗鼈兙哂屑s2到4京帕(Gpa)的拉伸 模量。
薄片22成巻包裝，通過層疊在該襯底的正面而放置在襯底21上， 該襯底被覆蓋通過整理而獲得的粘接膜，或"熱熔"型(英語術(shù)語 "hot melt")粘接膜，或壓敏粘接劑。因而，通過例如，環(huán)氧樹脂型 的粘接劑提供兩層21和22之間的粘附力。該粘接材料層的厚度取 決于具體的要求，在5到70微米的范圍內(nèi)。
但是，不利用粘接劑，而利用材料本身，諸如PET自身的粘接 特性也可以獲得粘接。
為了保證減少這樣裝配的裝配件的校準(zhǔn)厚度，重要的是柔性襯底21和穿孔薄片22各自具有基本均勻的厚度，其厚度總和小于約350 微米。穿孔薄片22的厚度一定且經(jīng)校準(zhǔn)。它比微電子芯片24略厚 一些。
放入空腔23的芯片24，在襯底21和穿孔薄片22之間的界面層 上，用膠水粘到襯底21，膠水可為電導(dǎo)體或電絕緣體(英語術(shù)語中 稱為"die attach:芯片粘接"的工藝)。該芯片的有效面放置得使引 出接點(diǎn)25朝向空腔23的開口。
該芯片的引出接點(diǎn)25利用已知的絲焊技術(shù)電連接到對(duì)應(yīng)于天線 27的端子26上，該絲焊技術(shù)乃是利用導(dǎo)線28和焊接劑將芯片24的 引出接點(diǎn)25與印刷電路板的接觸端子26連接。
應(yīng)該指出，該芯片24和該天線27還可用另一種稱為"FlipChip: 倒裝芯片"的技術(shù)在電氣上互連，按照該技術(shù)使用帶有金屬或聚合 物制的導(dǎo)電凸起的芯片粘接到襯底上，使得該芯片的包含該芯片引 出接點(diǎn)的有效面向下(按照?qǐng)D2所示的方向)。電氣上的互連由該襯 底上的連接到該天線各端子的導(dǎo)電凸起保證。
又一種連接的可能性是利用"wire deposition:導(dǎo)線淀積，，技術(shù)， 其中該芯片的與帶有該引出接點(diǎn)的面相反的面粘接到襯底，使該引 出接點(diǎn)朝向該空腔的頂部。然后，通過在該芯片的各引出接點(diǎn)和該 天線相應(yīng)的端子之間淀積低粘度導(dǎo)電物質(zhì)，實(shí)現(xiàn)連接。
當(dāng)完成電連接28時(shí)，在該體內(nèi)連好線的芯片上涂保護(hù)層(英語 術(shù)語稱之為"potting:滴裝")，就是保護(hù)該芯片24和焊好的連接導(dǎo) 線28或?qū)щ娡蛊?，?dāng)施加時(shí)，通過利用液體封裝樹脂，例如，具有 硅氧烷環(huán)氧樹脂或聚氨酯基的樹脂填充空腔23的余下部分，隨后使 樹脂聚合，使之固化。這樣，該空腔23便被填充和隔斷，獲得一個(gè) 特別薄的射頻識(shí)別裝置，具有經(jīng)特別校準(zhǔn)的厚度。
另外，其柔性可完美地適應(yīng)不同的最終用途，因?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人 員容易知道如何按照柔性和耐久性的要求特性，選擇村底材料21和 該穿孔薄片22的柔性，以及封裝樹脂29的粘度。
該封裝樹脂29將從例如單組分、無溶劑、電絕緣的樹脂選取， 主要從環(huán)氧樹脂或丙烯酸酯族選取。它們的聚合通過加熱形成網(wǎng)狀 結(jié)構(gòu)或紫外輻射或這兩者來獲得。它們在粘度方面的特性(25。C時(shí) 的錐體平面粘度)范圍400mPa.s (毫帕秒)到45000mPa.s，形成網(wǎng) 狀結(jié)構(gòu)之后硬度特性等于60到90肖氏硬度D。
在本發(fā)明的射頻識(shí)別裝置20的尺寸方面，它們可以^^決于最終 用途，主要取決于由該天線的尺寸決定的要求(距離)范圍。在實(shí) 踐中，用來進(jìn)行短距離通信的包括在護(hù)照或其它類似的支持物內(nèi)的 識(shí)別裝置20，尺寸上可特別小，例如，長度在約14毫米和約25毫 米之間，寬度在約13毫米和約19毫米之間，厚度小于約350微米。
為獲得一個(gè)厚度相對(duì)恒定的經(jīng)校準(zhǔn)的堆疊，該穿孔薄片22和該 襯底的厚度允差須小于或等于20微米。
為了在襯底21上實(shí)現(xiàn)天線，將在絕緣基材，特別是聚酰亞胺或 環(huán)氧樹脂制的絕緣基材上，使用諸如蝕刻等減法過程、加入金屬(特 別是銅或鋁)的過程或?qū)щ姴牧?導(dǎo)電的膠水或墨水)絲網(wǎng)印刷過 程。按照具體的需要和使用的技術(shù)，該天線的厚度在2到70微米的 數(shù)量級(jí)。
以下參照?qǐng)D3。在本發(fā)明的射頻識(shí)別裝置30的這個(gè)實(shí)施方案中， 穿孔薄片22中的空腔即預(yù)留部分23不穿透。
在該實(shí)施方案中，開始先在村底21上放置天線27。然后，將微 電子芯片24粘接到襯底21上，與天線27的同一側(cè)，利用以上描述 的一種互連技術(shù)將該芯片24的接點(diǎn)25電連接到該天線的端子26。
在芯片24的引出接點(diǎn)25和該天線的端子26之間建立連接之后， 將穿孔薄片22層疊在襯底21上，將空腔23封裝并保護(hù)該微電子芯 片。
以下參照?qǐng)D4。
該圖表示襯底薄片21呈帶條巻材配置，例如，長度為35毫米， 超過亦為帶條狀的穿孔薄片22。該襯底帶條21兩側(cè)有一系列驅(qū)動(dòng)孔32，用來與層疊機(jī)(未示出)的齒配合，以驅(qū)動(dòng)襯底帶條21。該穿 孔薄片的材料帶條上設(shè)有一系列空腔23,彼此相隔規(guī)定的距離，其 中每個(gè)都可以插入上述微電子芯片24和樹脂29。在每一個(gè)空腔的底 部可見到各天線的端子26，它們可通過已知技術(shù)中的一種，例如通 過淀積導(dǎo)電材料，做在襯底帶條21上。
按照本發(fā)明，襯底帶條21上涂有粘接材料，而且穿孔薄片帶條 22由已知的層疊機(jī)層疊在一起。整個(gè)層疊過程，每一個(gè)空腔23都各 自裝上微電子芯片，它們電連接到該天線的端子，然后用封裝樹脂29 填充每一個(gè)空腔23。然后，通過在該層疊帶條(21, 22)行走方向進(jìn) 行橫向切割這樣形成的電子裝置，在連續(xù)的兩個(gè)電子裝置之間切割 分離。
因此，該制造方法能夠以每小時(shí)4000件以上的高速，以優(yōu)異的 可靠性，連續(xù)地制造本發(fā)明的電子裝置(20，30)。
用本發(fā)明的方法獲得的電子裝置(20; 30)是尺寸小、厚度薄且 經(jīng)校準(zhǔn)的小片。然后主要用粘接、層疊或其它的已知的技術(shù)，可以 將這些小片轉(zhuǎn)移到準(zhǔn)備用來制造護(hù)照或任何其它身份證件的諸如薄 片等基材上。
權(quán)利要求
1.一種制造射頻識(shí)別電子裝置(20；30)的方法，包括以下步驟-在薄而柔性的襯底(21)上形成天線(27)；-在所述襯底(21)上設(shè)置在其厚度內(nèi)包含至少一個(gè)空腔(23)的穿孔薄片(22)；-將一微電子芯片(24)放入所述穿孔薄片(22)的各空腔(23)中，并將該微電子芯片的引出接點(diǎn)(25)電連接到天線(27)的相應(yīng)端子(26)上；-密封裝入該芯片的空腔(23)，保護(hù)已如此接線的微電子芯片(24)；其特征在于所述薄而柔性的襯底(21)和穿孔薄片(22)各具有薄的厚度并經(jīng)校準(zhǔn)，大致均勻而平整，其總厚度小于約350微米，所述穿孔薄片(22)的厚度恒定且略大于微電子芯片(24)。
2. 權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述柔性村底(21 ) 和所述穿孔薄片(22)連續(xù)并包裝成巻材，多個(gè)電子識(shí)別裝置(20,30) 連續(xù)層疊地進(jìn)行裝配，然后在兩個(gè)連續(xù)的電子裝置(30)之間橫向 切開(33)，以將如此形成的電子裝置分割為單件。
3. 以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于所述 穿孔薄片(22)包裝成巻材，以層疊在襯底的有粘接膜覆蓋的面上 的方式設(shè)置在所述襯底(21)上。
4. 以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于為將 所述微電子芯片(24)的引出接點(diǎn)(25)電連接到所述天線的端子(26),將該芯片的與包含該芯片引出接點(diǎn)(25)的面相反的一面粘 接到該村底(21)上，并使引出接點(diǎn)(25)朝向該空腔(23)的頂 部，所述空腔是穿透的，在所述芯片(24)的各引出接點(diǎn)(25)和 所述天線的相應(yīng)端子(26)之間進(jìn)行絲焊，實(shí)現(xiàn)連接(28)。
5. 權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于為 將所述微電子芯片(24)的引出接點(diǎn)(25)電連接到所述天線的端 子(26)，將所述芯片的與包含該芯片(24)引出接點(diǎn)(25)的面相 反的一面粘接到襯底(21)上，以使其引出接點(diǎn)(25)朝向所述空 腔(23)的頂部，通過在所述芯片(24)的各引出接點(diǎn)(25)和所 述天線的相應(yīng)端子(26)之間淀積低粘度導(dǎo)電物質(zhì)來建立連接。
6. 權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于為 將所述微電子芯片(24)的引出接點(diǎn)(25)電連接到所述天線的端 子(26)，將所述芯片的包含該芯片的引出接點(diǎn)的一面粘接到襯底的 導(dǎo)電凸起上，該凸起連接到所述天線的各端子上。
7. 權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于為 了封閉包含所述芯片(24)的空腔(23)，在所述空腔(23)內(nèi)對(duì)微 電子芯片(24)和所述天線端子的連接部分(28)上設(shè)置液體封裝 樹脂(29)，以大致填滿所述空腔(23)的自由容積，然后使樹脂(29) 聚合。
8. 權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于所 述穿孔薄片(22)的空腔(23)不穿透，在所述芯片的引出接點(diǎn)和 所述天線的端子之間建立連接后，將所迷穿孔薄片(22)層疊在襯 底(21)上，以將各空腔(23)封裝并保護(hù)微電子芯片(24)。
9. 一種射頻識(shí)別電子裝置(20; 30),其特征在于它憑借如以 上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造方法而獲得。
10. 以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的射頻識(shí)別電子裝置(20; 30), 其特征在于其長度在約14毫米和約25毫米之間，其寬度在約13 毫米和約19毫米之間，其厚度小于約350微米。
11. 一種射頻識(shí)別電子裝置(20; 30)，包括-薄襯底(21)，支承帶有引出接點(diǎn)(25)的微電子芯片(24); 以及-天線(27)，在所述襯底(21)上形成，其端子(26)通過互連部分(28)連接到所述微電子芯片(24)的相應(yīng)引出接點(diǎn)(25);-其特征在于它包括平坦的穿孔薄片(22)，其厚度薄且經(jīng)校準(zhǔn)， 所述穿孔薄片(22)用機(jī)械方法固定在襯底(21)的一個(gè)面上，并 包含空腔(23),其中設(shè)有芯片(24)和互連部分(28)，-通過堆疊襯底(21)和穿孔薄片(22)而形成的裝配件具有小 于約350微米的厚度。
12. 權(quán)利要求10或11所述的電子裝置(20; 30)的利用包括制 造護(hù)照，其中包含一個(gè)或幾個(gè)具有其攜帶者的識(shí)別信息的頁面，該 護(hù)照的頁面之一包含適于裝入所述電子裝置(20; 30)的空腔。
13. —種電子護(hù)照，其特征在于其頁面中的至少一頁含有凹進(jìn) 部分，其中插入并固化如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的射頻識(shí)別 電子裝置(20; 30)。
全文摘要
制造主要用于電子護(hù)照的無觸點(diǎn)微電子裝置(20)的方法，按照該方法-在薄而柔性的襯底(21)上形成天線(27)；-在所述襯底(21)上放置穿孔薄片(22)，后者在其厚度上包括至少一個(gè)空腔(23)；-將微電子芯片(24)放入該穿孔薄片(22)的各空腔(23)內(nèi)，并將該微電子芯片的引出接點(diǎn)(24)連接到該天線(27)相應(yīng)的端子(26)；-密封空腔(23)封閉該芯片，保護(hù)這樣連線后的微電子芯片(24)；該方法的特征在于，薄而柔性的襯底(21)和穿孔薄片(22)均具有薄的厚度，且經(jīng)過校準(zhǔn)，大致均勻且平整，其總厚度小于約350微米，穿孔薄片(22)厚度恒定且略大于該微電子芯片(24)的厚度，從而獲得平整、無隆起的完美制品。
文檔編號(hào)G06K19/077GK101203869SQ200680011238
公開日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2006年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月11日
發(fā)明者I·佩塔文, J·-F·薩爾沃, O·布魯尼特 申請(qǐng)人:智能包裝技術(shù)公司