提高傳感器在高溫高濕條件下絕緣性能的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及稱重傳感器技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種提高傳感器在高溫高濕條件下絕緣性能的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場(chǎng)上鋁制稱重傳感器價(jià)格便宜，應(yīng)用廣泛，一般利用硅膠作為密封材料覆蓋應(yīng)變片及PCB電路部分，因硅膠的特性是吸濕干燥，所以，這種結(jié)構(gòu)的稱重傳感器在常溫條件下性能優(yōu)越，但在高溫高濕環(huán)境下的絕緣性表現(xiàn)欠佳。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種提高傳感器在高溫高濕條件下絕緣性能的裝置，通過(guò)對(duì)傳感器應(yīng)變片結(jié)構(gòu)、焊接等進(jìn)行改進(jìn)，使稱重傳感器的絕緣性能在高溫高濕條件下仍能滿足客戶的使用要求。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出如下技術(shù)方案:一種提高傳感器在高溫高濕條件下絕緣性能的裝置，包括貼片裝置、焊接裝置、第一清洗裝置和烘干裝置，所述傳感器包括應(yīng)變片，所述應(yīng)變片包括基底和覆蓋，所述貼片裝置將所述覆蓋貼裝到所述基底上；所述焊接裝置將漆包線焊接到所述覆蓋上，所述漆包線包括與漆包線焊接在一起的焊接部、自由部、以及所述焊接部與自由部之間的彎曲部；所述第一清洗裝置將經(jīng)所述焊接裝置焊接的所述傳感器進(jìn)行超聲波清洗，所述烘干裝置對(duì)清洗的所述傳感器進(jìn)行干燥。
[0005]優(yōu)選地，所述應(yīng)變片的基底為PEEKF材質(zhì)基底。
[0006]優(yōu)選地，所述彎曲部向相對(duì)所述覆蓋的方向凸起。
[0007]優(yōu)選地，焊接后的所述傳感器浸泡在裝有醇類清洗液的容器中，所述第一清洗裝置在所述容器內(nèi)對(duì)所述傳感器進(jìn)行超聲波清洗。
[0008]優(yōu)選地，所述裝置還包括第二清洗裝置，所述第二清洗裝置用于將經(jīng)所述第一清洗裝置清洗后的傳感器進(jìn)行二次超聲波清洗。
[0009]優(yōu)選地，所述第二清洗裝置采用去離子水對(duì)所述傳感器進(jìn)行二次超聲波清洗。
[0010]優(yōu)選地，所述裝置還包括噴淋沖洗裝置，用于將經(jīng)所述第二清洗裝置清洗后的傳感器進(jìn)行噴淋沖洗。
[0011]優(yōu)選地，所述烘干裝置為烘箱。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了傳感器在高溫高溫條件下能保持良好的絕緣性能。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型提高傳感器在高溫高濕條件下絕緣性能的裝置的結(jié)構(gòu)框圖；
[0014]圖2和圖3是本實(shí)用新型應(yīng)變片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]附圖標(biāo)記:10、貼片裝置，20、焊接裝置，30、第一清洗裝置，40、第二清洗裝置，50、噴淋沖洗裝置，60、烘干裝置，70、傳感器，80、應(yīng)變片，81、基底，82、覆蓋，83、漆包線，84、焊接部，85、自由部，86、彎曲部。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合本實(shí)用新型的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。
[0017]結(jié)合圖1、圖2和圖3所示，本實(shí)用新型所揭示的一種提高傳感器在高溫高濕條件下絕緣性能的裝置，包括貼片裝置10、焊接裝置20、第一清洗裝置30、第二清洗裝置40、噴淋沖洗裝置50和烘干裝置60，傳感器70包括應(yīng)變片80，本實(shí)用新型使用一種新型抗潮性佳的應(yīng)變片，具體地，應(yīng)變片80包括PEEKF材質(zhì)基底81和覆蓋82。貼片裝置用于將覆蓋貼裝到基底上。
[0018]如圖3所示，焊接裝置20用于將漆包線83焊接到覆蓋82上，優(yōu)選地，本實(shí)用新型的漆包線83包括與漆包線83焊接在一起的焊接部84、自由部85、以及焊接部84與自由部85之間的彎曲部86，彎曲部86向相對(duì)覆蓋82的方向凸起，它的設(shè)置使得漆包線83與應(yīng)變片80之間有一定的間隙，便于下一步超聲波清洗時(shí)清洗液能順利流入，充分清洗。
[0019]焊接后的傳感器70浸泡在裝有醇類清洗液的容器(圖未示)中，第一清洗裝置30用于在容器內(nèi)將經(jīng)焊接裝置20焊接的傳感器進(jìn)行超聲波清洗。第一次清洗條件為:液溫30°C、功率800W、清洗5分鐘。
[0020]第二清洗裝置40用于將經(jīng)第一清洗裝置30清洗后的傳感器用去離子水進(jìn)行二次超聲波清洗。第一次清洗條件同樣為:液溫30°C、功率800W、清洗5分鐘。
[0021]噴淋沖洗裝置50用于將經(jīng)第二清洗裝置清洗后的傳感器進(jìn)行噴淋沖洗，用去離子水對(duì)廣品進(jìn)彳丁喂'淋沖洗30秒左右。
[0022]烘干裝置60用于對(duì)清洗的傳感器進(jìn)行干燥，烘干裝置可為烘箱，干燥過(guò)程為:將噴淋沖洗后的產(chǎn)品放入烘箱內(nèi)干燥2小時(shí)，干燥溫度70°C。從而實(shí)現(xiàn)焊接后殘余焊料的徹底清潔，實(shí)現(xiàn)了傳感器在高溫高溫條件下能保持良好的絕緣性能。
[0023]本實(shí)用新型大幅提高傳感器的絕緣性能，在環(huán)境溫度40°C濕度85%條件下測(cè)試24小時(shí)后，仍然能實(shí)現(xiàn)良好的絕緣性能，且不影響溫度對(duì)零點(diǎn)(TCO)、溫度對(duì)靈敏度(TCspan)、高溫(+40°C )低溫(-10°C )婦變(Creep)下對(duì)性能指標(biāo)的要求。
[0024]本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特征已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實(shí)用新型的教示及揭示而作種種不背離本實(shí)用新型精神的替換及修飾，因此，本實(shí)用新型保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實(shí)用新型的替換及修飾，并為本專利申請(qǐng)權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高傳感器在高溫高濕條件下絕緣性能的裝置，其特征在于，包括貼片裝置、焊接裝置、第一清洗裝置和烘干裝置，所述傳感器包括應(yīng)變片，所述應(yīng)變片包括基底和覆蓋，所述貼片裝置將所述覆蓋貼裝到所述基底上；所述焊接裝置將漆包線焊接到所述覆蓋上，所述漆包線包括與漆包線焊接在一起的焊接部、自由部、以及所述焊接部與自由部之間的彎曲部；所述第一清洗裝置將經(jīng)所述焊接裝置焊接的所述傳感器進(jìn)行超聲波清洗，所述烘干裝置對(duì)清洗的所述傳感器進(jìn)行干燥。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述應(yīng)變片的基底為PEEKF材質(zhì)基底。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述彎曲部向相對(duì)所述覆蓋的方向凸起。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，焊接后的所述傳感器浸泡在裝有醇類清洗液的容器中，所述第一清洗裝置在所述容器內(nèi)對(duì)所述傳感器進(jìn)行超聲波清洗。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括第二清洗裝置，所述第二清洗裝置將經(jīng)所述第一清洗裝置清洗后的傳感器進(jìn)行二次超聲波清洗。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第二清洗裝置采用去離子水對(duì)所述傳感器進(jìn)行二次超聲波清洗。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括噴淋沖洗裝置，用于將經(jīng)所述第二清洗裝置清洗后的傳感器進(jìn)行噴淋沖洗。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述烘干裝置為烘箱。
【專利摘要】本實(shí)用新型揭示了一種提高傳感器在高溫高濕條件下絕緣性能的裝置，包括貼片裝置、焊接裝置、第一清洗裝置、第二清洗裝置、噴淋沖洗裝置和烘干裝置，貼片裝置用于將應(yīng)變片的覆蓋貼裝到其基底上，焊接裝置用于將漆包線焊接到覆蓋上，第一清洗裝置、第二清洗裝置、噴淋沖洗裝置用于分別對(duì)焊接后的傳感器進(jìn)行一次、二次和三次沖洗，烘干裝置用于對(duì)清洗后的傳感器進(jìn)行干燥。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)傳感器在應(yīng)變片及電路部分涂覆硅膠以及高溫條件的條件下，仍然能實(shí)現(xiàn)良好的絕緣性能。
【IPC分類】G01G3/14
【公開號(hào)】CN204630644
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520130431
【發(fā)明人】王宇萍
【申請(qǐng)人】霍丁格包爾文(蘇州)電子測(cè)量技術(shù)有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年3月6日