磁共振設(shè)備的制造方法
【專利摘要】一種磁共振設(shè)備(G)，具有至少一個身體線圈(4)，用于產(chǎn)生B1磁場，和至少一個被引導穿過B1磁場的高頻線(8)，該高頻線具有至少一個頻率濾波器(10)，以截止由B1磁場感生的電壓，其中，高頻線(8)的被引導穿過B1磁場的至少一個區(qū)段按照電路板技術(shù)被構(gòu)造在至少一個電路板(14)上，并且能夠以另外的頻率(ZF)通過至少一個高頻線(8)傳輸信息引導信號，該另外的頻率不同于由B1磁場感生的電壓的頻率。本發(fā)明能夠特別應(yīng)用于MR設(shè)備的患者臥榻。
【專利說明】
磁共振設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種磁共振(MR)設(shè)備，具有至少一個用于產(chǎn)生BI磁場的身體線圈和至少一個穿過BI磁場引導的高頻線，其具有至少一個高頻濾波器以截止由BI磁場感生的電壓。本發(fā)明例如可以應(yīng)用于MR設(shè)備的患者臥榻。
【背景技術(shù)】
[0002]在磁共振(MR)斷層成像中，當前通常以所謂的“局部線圈”(也稱為“環(huán)”)記錄具有高信噪比(“信號噪聲比”，SNR)的圖像。在此，測量對象的受激勵的核在局部線圈中感生電壓，其被低噪聲的前置放大器(LNA)放大并且最后以電纜在MR頻率下傳輸?shù)組R設(shè)備的MR接收系統(tǒng)的接收器(接收電子器件)。
[0003]為改善信噪比，在高分辨率的圖像中也使用所謂的高場設(shè)備。其基本場強當今處于3特斯拉(T)或更高。因為在MR接收系統(tǒng)上經(jīng)?？梢赃B接比現(xiàn)有的接收器更多的局部線圈或環(huán)，所以在局部線圈與接收器之間安裝開關(guān)矩陣(也稱為“RCCS”)。該開關(guān)矩陣將當前激活的接收通道(分別具有一個或多個局部線圈)路由或引導到現(xiàn)有的接收器。由此可以連接比現(xiàn)有的接收器更多數(shù)量的局部線圈，因為在全身覆蓋下僅需要讀取位于FoV(視野)或磁體的均勻體積中的局部線圈。
[0004]局部線圈可以具有一個或多個線圈元件(也稱為天線元件或接收天線)。特別地，由多個線圈元件組成的局部線圈可以稱為“陣列線圈”。局部線圈典型具有至少一個線圈元件、低噪聲的前置放大器、其它電子器件和連線、殼體，還經(jīng)常具有帶插頭的電纜，通過插頭使局部線圈連接MR設(shè)備的其余部分。MR設(shè)備特別是具有至少一個MR接收系統(tǒng)。
[0005]局部線圈通常位于所謂的身體線圈的發(fā)送場(BI磁場)中。身體線圈是大的、圍繞例如身體的測量對象的線圈，其用于激勵測量對象中的自旋。身體線圈產(chǎn)生圓形或橢圓形的BI磁場。由于BI磁場，在位于該場內(nèi)的所有導體中感生電流。特別是在較長的電纜(其典型被構(gòu)造為同軸電纜)中，可能出現(xiàn)共振效應(yīng)，因為電纜起天線作用，由此在電纜表層的外側(cè)流過高電流，其可能通過升溫造成患者危險。在電流過高以致患者危險的很長時間之前，由BI感生的電流還在電纜的導體結(jié)構(gòu)上造成次級的BI場，其損害身體線圈發(fā)送場的BI均勻性。
[0006]在使用同軸電纜時出現(xiàn)的另一個問題是要經(jīng)歷不連續(xù)性，例如當焊接到電路板上或以其他方式脫離同軸狀態(tài)時。于是，前置放大的接收信號會從表層的內(nèi)側(cè)到達外側(cè)。如果同軸電纜接近線圈元件地引導，則前置放大的信號可能會再次反饋到局部線圈，并可能由此出現(xiàn)對應(yīng)局部線圈的自振蕩。在此情況下，局部線圈不能用于MR成像。
[0007]由于這些，所有明顯長于幾十厘米的線路結(jié)構(gòu)必須在高場設(shè)備(例如1.5T至3T或更高)中具有表層波截止器(MantelweI lensperren，MWS)。表層波截止器是共振的截止回路，其抑制在共振頻率范圍內(nèi)的電流流動。因為在按照現(xiàn)有技術(shù)的MR設(shè)備中身體線圈的發(fā)送頻率和局部線圈的接收頻率以及以從局部線圈向系統(tǒng)的電纜傳輸?shù)男盘栂嗤越?jīng)常使用構(gòu)造具有兩個線圈的表層波截止器的解決方案，其中一個線圈連接兩個表層段的表層內(nèi)側(cè)，而另一個線圈連接兩個表層段的表層外側(cè)，并且兩側(cè)還分別通過電阻接地。由此，僅在同軸電纜的表層外側(cè)抑制由發(fā)送場或TX場產(chǎn)生的表層波電流，但不在內(nèi)側(cè)抑制。不允許在內(nèi)側(cè)進行抑制，因為否則也抑制有用信號。其它結(jié)構(gòu)的表層波截止器，例如所謂的“Bazooka”表層波截止器雖然具有其它幾何結(jié)構(gòu)，但是目的也是僅抑制表層外側(cè)的電流，并且讓內(nèi)側(cè)的電流在MR頻率下無阻礙地流過。
[0008]目前使用的表層波截止器鏈或“MWS鏈”由截止罐(Sperrtopf)組成，其具有多個單個部分(例如電路板，殼體，螺絲等)，其全部必須高成本地單個安裝。因此，由L/C組合構(gòu)成的表層波截止器當今僅可手動卷繞，并且額外為MR應(yīng)用手動完成特殊部件。這些導致所需的調(diào)整(當今結(jié)構(gòu)的表層波截止器不容易調(diào)整，因為通過同軸電感的繞組數(shù)量規(guī)定電感)和高成本。
[0009]使用同軸電纜也造成過高成本，因為同軸電纜比簡單的絞合線或其它解決方案貴大約5-8倍。
[0010]非常多的并聯(lián)連接的表層波截止器還降低表層波的截止作用，因為并聯(lián)電路導致表層波的電阻更低。
[0011]另外，由于大的直徑和小的同軸電纜最小彎曲半徑，表層波截止器需要大的空間需求，特別是對于卷繞成電感的同軸電纜。局部線圈的空間需求特別是對于應(yīng)當機械柔性的局部線圈是問題。
[0012]US 7 777 492 B2公開了一種用于傳輸由合適的信號發(fā)生器產(chǎn)生的信息信號的裝置，具體是從第一電位置到第二電位置。第一電位置與第二電位置借助電容耦合的傳輸線連接。為了實現(xiàn)這種電容耦合的傳輸線，可以使用分散布置或集中布置的電容器。所述裝置可以連接附加設(shè)備，其可以具有光譜儀、其它信號發(fā)生器、調(diào)節(jié)裝置等。其它信號由附加設(shè)備產(chǎn)生并通過電容耦合的傳輸線以從第二電位置向第一電位置的方向傳輸。其它信號可以饋入放大器或用于攜載信號。所述裝置還涉及磁共振兼容的設(shè)備、磁共振成像系統(tǒng)和用于采集磁共振能量的方法。
[0013]DE 10 2010 012 393 Al或US 8 547 098 B2公開了一種磁共振系統(tǒng)，其包括至少一個線圈和至少一個將線圈與接收電子器件連接的同軸線，該線圈具有將接收信號轉(zhuǎn)換成至少一個與發(fā)送頻率不同的傳輸頻率的預處理裝置，其中所述同軸線具有至少一個帶截止回路的表層波截止器，其抑制同軸線的外導體的外側(cè)和內(nèi)側(cè)上的發(fā)送頻率的至少一個表層波。這兩個文件的目的在于在同軸電纜的內(nèi)導體和外導體中使用表層波截止器，其使中間頻率通過而截止拉莫爾頻率。
[0014]DE 10 2010 031 933 Al或US 2012/0187950 Al公開了平面構(gòu)造的電路板，從而具有上側(cè)和下側(cè)，其分別通過長和短的側(cè)棱限界。在長的側(cè)棱上延伸窄面，在短的側(cè)棱上延伸從上側(cè)到下側(cè)的端面。在上側(cè)上，在端面附近為屏蔽電纜布置多個接口。接口分別具有至少一個觸點，其與電路板的各個導線連接，導線從各個觸點向另一個端面的方向延伸。各個導線或者與在電路板上布置的用于磁共振應(yīng)用的局部線圈或者與布置在上側(cè)或下側(cè)的用于其它屏蔽電纜的其它接口的觸點連接。局部線圈和/或至少一個其它接口布置在另一端面附近。導線在至少一個介于上側(cè)與下側(cè)之間布置的電路板中間層中延伸。在上側(cè)和/或下側(cè)布置了對于磁共振范圍內(nèi)的頻率的不可透過的基本屏蔽，在窄面上布置了與基本屏蔽電連接的對于磁共振范圍內(nèi)頻率的不可透過的附加屏蔽。這兩個文件目的在于通過長的電路板代替具有截止罐形式的表層波截止器的電纜樹，并且將導線在HF屏蔽部的內(nèi)部引導。在MR頻率中在屏蔽部上通過截止罐阻止電流。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，至少部分克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點，并且特別是提供通過MR設(shè)備的BI磁場進行高頻信號傳輸?shù)目赡苄?，其特別是能夠廉價地實現(xiàn)。
[0016]該技術(shù)問題通過一種MR設(shè)備解決，具有至少一個身體線圈，用于在預定均勻體積中產(chǎn)生BI磁場，和至少一個被引導穿過BI磁場或均勻體積的高頻線，該至少一個高頻線具有至少一個頻率濾波器(以下不失一般性地也稱為“表層波截止器”)，以截止由BI磁場感生的電壓，其中高頻線的被引導穿過BI磁場的至少一個區(qū)段按照電路板技術(shù)(例如導線)被構(gòu)造在至少一個電路板上，并且能夠以另外的頻率通過至少一個高頻線傳輸信息引導信號，該另外的頻率不同于由BI磁場感生的電壓的頻率或由頻率濾波器截止的頻率或頻率帶。
[0017]該MR設(shè)備具有的優(yōu)點是，能夠特別廉價地制造，S卩，應(yīng)用基本上已知的裝配技術(shù)。特別是可以通過自動化的生產(chǎn)方法裝配電路板，例如使用具有可裝配和可焊接部件的裝配自動器(“Pick-n-Place抓放”機器)，特別是也用于實現(xiàn)表層波截止器。可以避免高成本的手動制造表層波截止器。也不需要使用昂貴的屏蔽電纜，如同軸電纜等。
[0018]所述MR設(shè)備也可以稱為MR系統(tǒng)或MR裝置。
[0019]高頻線可以被構(gòu)造為單個導線或多個導線的組(例如包括饋線和回線)。
[0020]高頻線可以相同構(gòu)造。替代地，至少兩個高頻線可以彼此具有不同的特征。
[0021]信息引導信號例如可以是由局部線圈產(chǎn)生的測量信號或由此導出的(例如數(shù)據(jù)處理的和/或頻率偏移的)信號。信息引導信號也可以是控制信號和/或時鐘信號。通過信息引導信號與由BI磁場感生的電壓的頻率的頻率分離，可以在相同的導線上有效地截止或衰減感生的電流，而不同時截止信息引導信號。特別重要的是，在按照電路板技術(shù)的導線的構(gòu)造中，例如導線，其典型不具有屏蔽的包封。
[0022]信息引導信號例如可以按照比原始頻率低的中間頻率傳輸。為此，MR設(shè)備可以具有至少一個局部振蕩器，其產(chǎn)生用于將原始頻率向下混合的輔助信號。
[0023]電路板特別優(yōu)選具有多個導線層，例如在其正面和背面。電路板特別優(yōu)選是多層電路板。
[0024]—種實施方式是，至少一個高頻線在至少一端分別與阻抗匹配電路連接。由此可以在經(jīng)高頻線進行傳輸時降低信號損失。相反，同軸電纜不需要這樣的阻抗匹配電路。特別優(yōu)選是，每個高頻線與至少一個阻抗匹配電路連接。
[0025]—種擴展是，阻抗匹配電路為至少一個高頻線提供損耗降低的頻率范圍，在該頻率范圍上剛好能夠在一個信號頻率上傳輸信息引導信號。
[0026]另一種實施方式是，阻抗匹配電路為至少一個高頻線提供損耗降低的頻率范圍，在該頻率范圍上能夠在多個相對于彼此頻率偏移的信號頻率上傳輸信息引導信號。由此可以進一步降低高頻線的數(shù)目。這也可以稱為“寬帶”阻抗匹配。
[0027]另一種實施方式是，阻抗匹配電路為至少一個高頻線提供多個互相頻率分離的損耗降低的頻率范圍，在該頻率范圍上能夠分別在多個相對于彼此頻率偏移的信號頻率上傳輸信息引導信號。這也可以稱為“窄帶”阻抗匹配。
[0028]另一種實施方式是，至少一個高頻線被構(gòu)造為對稱導線，特別是分別具有饋線或信號線和回線或地線。這實現(xiàn)了特別低干擾的信號傳輸，并且也由直流信號進行導線供電。
[0029]分別至少一個高頻線的饋線和回線可以特別布置在電路板的不同導線層上，例如在正面或背面。饋線和回線可以特別具有基本相同的結(jié)構(gòu)，其中回線附加接地，例如經(jīng)過一個或多個電阻接地。
[0030]—種特別低成本的實施方式是，至少兩個高頻線具有共同的地，特別是共同的回線或地線。
[0031]另一種用于改善傳輸特征的實施方式是，在饋線與共同的高頻線的回線之間連接至少一個電容。該電容優(yōu)選特別具有PF范圍內(nèi)的值。該電容例如可以置于串聯(lián)連接的表層波截止器之間。
[0032]另一種實施方式是，至少一個高頻線與分路電路電連接。由此可以簡單方式將直流信號輸入至少一個高頻線和從其輸出直流信號。也就是，MR設(shè)備具有至少一個分路電路，以經(jīng)過至少一個高頻線傳輸至少一個直流信號。
[0033]另一種實施方式是，MR設(shè)備被設(shè)置用于，經(jīng)過至少一個高頻線傳輸?shù)皖l的時鐘信號，例如用于產(chǎn)生中間頻率。
[0034]另一種實施方式是，由SMT零件組成至少一個頻率濾波器。這能夠?qū)崿F(xiàn)特別廉價和快速的裝配(包含定位和焊接)。
[0035]另一種實施方式是，高頻線的被引導穿過BI磁場的區(qū)段被構(gòu)造在剛好一個電路板上，這簡化了安裝和處理。替代地，也可以構(gòu)造在由多個(級聯(lián)的)電路板組成的一系列上，這以通常的電路板尺寸簡化了其提供。電路板優(yōu)選具有例如FR4或陶瓷作為基本材料。
[0036]另一種實施方式是，至少一個電路板代表MR設(shè)備的MR患者臥榻的一部分。于是，高頻線特別是連接患者臥榻的頭部部分或頭部端和足部部分或足部端。
【附圖說明】
[0037]結(jié)合以下實施例的示意圖將使本發(fā)明以上描述的特性、特征和優(yōu)點以及如何實現(xiàn)的方式變得更清楚和更易于理解，其中該實施例結(jié)合附圖被詳細解釋。在此，為了清晰，相同或作用相同的元件可以具有相同的附圖標記。
[0038]圖1不出了MR設(shè)備的不意性方塊圖；
[0039]圖2不出了具有尚頻線的MR設(shè)備電路板的不意性方塊圖；
[0040]圖3示出了圖2的電路板的高頻線的表層波截止器的可行實施方式的電路圖；
[0041]圖4示出了圖2的電路板的高頻線的表層波截止器的另一可行實施方式的電路圖；以及
[0042]圖5示出了圖2的電路板的阻抗匹配電路的可行實施方式的電路圖。
【具體實施方式】
[0043]圖1示出了MR設(shè)備G的患者臥榻I的圖示。患者臥榻I具有頭部端2和足部端3，在它們之間有由身體線圈4(其不是患者臥榻I的一部分)產(chǎn)生的均勻體積V。均勻體積V至少大致相當于對于患者臥榻I上的患者進行MR測量合適的體積。MR設(shè)備G的身體線圈4例如是位置固定的，而患者臥榻I是可偏移地安置的。
[0044]頭部端2具有多個(此處四個)線圈插頭或接口5，以連接局部線圈(參見附圖)。接口5也起頻率轉(zhuǎn)換的作用，其將由局部線圈接收的測量信號轉(zhuǎn)換到較低的中間頻率ZF。為此，優(yōu)選在頭部端2存在局部振蕩器6，其產(chǎn)生輔助頻率，以便將具有拉莫爾頻率的原始測量信號向下混合到中間頻率ZF。特別地，被接口 5使用的中間頻率可以至少部分地不同。特別地，接口 5可以提供在不同中間頻率ZF上的測量信號。
[0045]接口5與開關(guān)矩陣7連接，借助其僅繼續(xù)傳輸所選擇的接口 5的ZF(測量)信號。
[0046]開關(guān)矩陣7經(jīng)過多個被引導穿過均勻體積V的高頻線8而與患者臥榻I的足部端3連接，并且在那里還與MR設(shè)備G的MR接收系統(tǒng)(參見附圖)連接。通過相應(yīng)設(shè)定開關(guān)矩陣7，因此可以通過高頻線8從局部線圈傳輸不同組合的ZF測量信號。特別地，如此存在的局部線圈可以比高頻線8數(shù)量多。
[0047]通過至少一個高頻線圈8或可選地通過專用的信號線9還可以從患者臥榻I的足部端3向頭部端2傳輸?shù)皖l的時鐘信號(例如具有頻率值5或1MHz)。由此可以就地獲得為了將拉莫爾頻率上的局部線圈的MR測量信號向下混合到中間頻率所需要的頻率固定的局部振蕩器信號或輔助信號(例如具有頻率值115MHz和135MHz)。專用的信號線9例如可以被構(gòu)造為，平行于高頻線8延伸的光纖。
[0048]高頻線8分別具有多個以表層波截止器10形式的頻率濾波器，如圖2詳細示出。表層波截止器10例如可以被構(gòu)造為以線圈11形式的扼流圈或“Chokes”(參見圖3)，例如具有范圍在0.5μΗ與20μΗ之間的自感L，或者構(gòu)造為以具有線圈11和電容器12的LC振蕩回路形式的頻率截止器或者“Traps”(參見圖4)，特別是具有相當于拉莫爾頻率的共振頻率。表層波截止器10特別是截止具有由BI磁場感生的頻率、特別是具有拉莫爾頻率的電流。在此，被構(gòu)造為扼流圈的表層波截止器10典型具有低通特性，被構(gòu)造為頻率截止器的表層波截止器10具有帶阻特性。在以扼流圈實現(xiàn)表層波截止器10時，雖然與以頻率截止器實現(xiàn)相比形成更高的ZF信號的接入衰減(因為扼流圈具有高的L，還具有更高的歐姆串聯(lián)電阻Rs)，但是對于表層波的截止作用也明顯更有效。高頻線8也可以稱為“截止鏈”。
[0049]在此，高頻線8不被實施為同軸電纜，而是按照電路板技術(shù)，特別是實施為導線或?qū)Ь€區(qū)段13。按照表面貼裝技術(shù)或SMT("Surface Mounting Technology")利用表層波截止器10的組件11或11、12裝配電路板14。也就是，組件11或11、12特別是SMT組件，其特別廉價，允許自動化裝配(例如利用裝配自動機)和安裝。表層波截止器10于是被連接在高頻線8的相鄰導線區(qū)段13之間。特別地，導線區(qū)段13和連續(xù)的表層波截止器10之間的距離可以是大約1cm至40cm。
[0050]這樣的導線區(qū)段13可以特別具有介于50歐姆與100歐姆之間的阻抗，其使得技術(shù)上易于實現(xiàn)。具有50歐姆的導線區(qū)段比具有100歐姆的消耗更多電流，但是為此更不易受干擾并更易于制造。
[0051]電路板14可以特別具有介于0.5至3米的長度LP。電路板可以單件式地存在或者多件式地以一系列級聯(lián)的單個電路板的形式存在。
[0052]然而，在將高頻線8作為整體直接連接的電路板結(jié)構(gòu)中，產(chǎn)生高的誤差匹配損耗，因為表層波截止器10的高電感與位于其間的導線區(qū)段13的小的寄生泄漏電容一起構(gòu)成了具有幾千歐姆的高波阻的低通導線。為了保持特別是測量信號的低信號損耗，因此(也在中間頻率中)將相對高歐姆的高頻線8兩側(cè)(S卩，頭部側(cè)和足部側(cè))分別連接阻抗匹配電路15，其使系統(tǒng)阻抗至少近似匹配于高頻線8的高波阻。
[0053]阻抗匹配電路15也就是被用于，將高頻線8對于中間頻率(這里處于大約1MHz周圍的范圍，例如介于7.5MHz至12.5MHz，例如在8MHz和12MHz之間)匹配到與其連接的MR設(shè)備G的50歐姆的阻抗值，例如在頭部側(cè)匹配到局部線圈的接口 5的輸出放大器的源阻抗。
[0054]圖5示出了阻抗匹配電路15的可行構(gòu)造，其具有線圈15a和兩個串聯(lián)連接的電容器15b。在電容器15b之間連接了地接口 GND。阻抗匹配電路15可以位于電路板14上，其中其電組件15a、15b可以被構(gòu)造為SMT組件。如圖2所示，阻抗匹配電路15也可以存在于電路板14之外。
[0055]阻抗匹配可以寬帶進行，以便在頻率多工運行中通過共同的高頻線8傳輸多個ZF頻率或ZF測量信號。這實現(xiàn)了進一步節(jié)省高頻線8的數(shù)目。例如優(yōu)選為傳輸8MHz和12MHz的兩個ZF頻率，通過阻抗匹配產(chǎn)生具有寬度介于7.5MHz與12.5MHz之間的損耗降低的頻率范圍。
[0056]但是，阻抗匹配也可以窄帶進行，例如通過提供在高頻線8上的多個單個匹配的頻率窗。如此可以為傳輸SMHz和12MHz的兩個ZF頻率，通過阻抗匹配分別產(chǎn)生兩個損耗降低的頻率范圍，例如8MHz+/-500kHz和 12MHz+/-500kHz。
[0057]這里，高頻線8被構(gòu)造為對稱的(雙)導線，其分別具有饋線或信號線8a和回線或“地線” Sb?；鼐€Sb分別接地(參見附圖)。對于每條饋線8a分別設(shè)置有回線Sb。
[0058]電路板14優(yōu)選特別具有多個導線層，例如在其正面和背面，其中饋線8a例如在一個導線層，而回線Sb在另一個導線層上。電路板14優(yōu)選特別是多層電路板。
[0059]特別地，在該布置中，能夠使可能同樣由高頻線8或其饋線8a運載的直流電流更易于被低歐姆地(并由此低損耗功率地)向回傳導。在表層波截止器10的布置中，對于饋線8a和回線8b作為空間緊密相鄰的對的情況下，還能夠?qū)崿F(xiàn)按照第一近似抵消由直流電流引起的反并聯(lián)的干擾場，而僅少量影響MR設(shè)備G的基本磁場。
[0060]這樣的直流電流或直流電流信號可以例如從患者臥榻I的足部端3被傳輸?shù)交颊吲P榻I的頭部端2，以便給位于頭部端2以及必要時與其連接的用電器(例如接口5和開關(guān)矩陣7以及局部線圈中的電子器件)供應(yīng)電力。
[0061 ]為改善傳輸特性，電路板丨4裝配有pF范圍(例如6至1pF)的附加電容16，其被連接在高頻線8的饋線8a與回線Sb之間，由此實現(xiàn)定義的低波阻(例如400歐姆)。電容16分別位于串聯(lián)連接的表層波截止器10之間。由此也使匹配更容易，并且使導通范圍內(nèi)的波動性降低。這些電容16增大了在例如在電路板14上側(cè)和下側(cè)引導的饋線8a與回線Sb之間已經(jīng)存在的分散的電容。饋線8a和/或回線Sb例如可以同時用于傳輸承載信號的ZF(測量)信號，用于傳輸控制信號(例如用于關(guān)斷由局部線圈使用的PIN 二極管)以及用于給局部線圈中和頭部端2處的有源電子器件供應(yīng)電力。
[0062]用于供應(yīng)電力的直流電流信號在此可以經(jīng)過至少一個高通/低通分路電路17(“偏差器”)輸入和輸出。至少一個高通/低通分路電路17優(yōu)選處于50歐姆系統(tǒng)。
[0063]雖然細節(jié)上通過所示實施例詳細圖解和描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于此，并且技術(shù)人員可以從中推導出其它變化，而不脫離本發(fā)明的保護范圍。
[0064]如此可以為多個信號線設(shè)置共同的地或共同的地線，或者設(shè)置多個但較少的地系統(tǒng)或地線，其通過相應(yīng)的線圈或頻率截止器截止表層波。但是這具有以下缺點:位于共同地線中的表層波截止器的高阻抗導致信號線之間互相強烈的耦合。
[0065]此外，優(yōu)選僅在足部端或僅在頭部端具有開關(guān)矩陣和/或阻抗匹配電路。
[0066]通常只要沒有明確排除，例如通過表述“剛好一個”等，“一個”可以被理解為單個或多個，特別是在“至少一個”或“一個或多個”等的意義中。
[0067]另外，數(shù)字說明可以包括剛好該說明的數(shù)字也可以包括通常的容差范圍，只要沒有明確排除。
[0068]附圖標記
[0069]I 患者臥榻
[0070]2 患者臥榻的頭部端
[0071]3 患者臥榻的足部端
[0072]4 身體線圈
[0073]5 局部線圈的接口
[0074]6 局部振蕩器
[0075]7 開關(guān)矩陣
[0076]8 高頻線
[0077]8a 高頻線的饋線
[0078]Sb 高頻線的回線
[0079]9 信號線
[0080]10 表層波截止器
[0081]11 線圈
[0082]12 電容器
[0083]13 導線區(qū)段
[0084]14 電路板
[0085]15 阻抗匹配電路
[0086]15a 線圈
[0087]15b 電容器
[0088]16 電容
[0089]17 分路電路
[0090]G MR 設(shè)備
[0091]GND 地接口
[0092]LP 電路板的長度
[0093]V 均勻體積
【主權(quán)項】
1.一種磁共振設(shè)備(G)，具有: -至少一個身體線圈(4)，用于產(chǎn)生BI磁場，和 -至少一個被引導穿過BI磁場的高頻線(8)，該高頻線具有至少一個頻率濾波器(10)，以截止由BI磁場感生的電壓， 其中， -高頻線(8)的被引導穿過BI磁場的至少一個區(qū)段按照電路板技術(shù)被構(gòu)造在至少一個電路板(14)上，并且 -能夠以另外的頻率(ZF)通過至少一個高頻線(8)傳輸信息引導信號，該另外的頻率不同于由BI磁場感生的電壓的頻率。2.按照權(quán)利要求1所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，所述至少一個高頻線(8)在至少一端分別連接阻抗匹配電路(15)。3.按照權(quán)利要求2所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，所述至少一個阻抗匹配電路(15)為至少一個高頻線(8)提供損耗降低的頻率范圍，在該頻率范圍上能夠在多個相對于彼此頻率偏移的信號頻率上傳輸信息引導信號。4.按照權(quán)利要求2所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，所述至少一個阻抗匹配電路(15)為至少一個高頻線(8)提供多個互相頻率分離的損耗降低的頻率范圍，在該頻率范圍上能夠在多個相對于彼此頻率偏移的信號頻率上傳輸信息引導信號。5.按照以上權(quán)利要求中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，至少一個高頻線(8)被構(gòu)造為具有饋線(8a)和回線(Sb)的對稱導線。6.按照以上權(quán)利要求中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，在饋線(Sa)與回線(Sb)之間連接至少一個電容(16)。7.按照權(quán)利要求1至4中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，至少兩個高頻線具有共同的地。8.按照以上權(quán)利要求中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，所述磁共振設(shè)備(G)具有至少一個分路電路(17)，用于經(jīng)過至少一個高頻線(8)傳輸至少一個直流電流信號。9.按照以上權(quán)利要求中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，所述磁共振設(shè)備(G)被設(shè)置為，經(jīng)過至少一個高頻線(8)傳輸?shù)皖l的時鐘信號。10.按照以上權(quán)利要求中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，至少一個頻率濾波器(10)是由SMT組件(11，12)構(gòu)成的。11.按照以上權(quán)利要求中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，高頻線(8)的被引導穿過BI磁場的區(qū)段被構(gòu)造在剛好一個電路板(14)上。12.按照以上權(quán)利要求中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，被引導穿過BI磁場的區(qū)段被構(gòu)造在由多個電路板組成的一系列上。13.按照以上權(quán)利要求中任一項所述的磁共振設(shè)備(G)，其中，所述至少一個電路板(14)是磁共振設(shè)備(G)的磁共振患者臥榻(I)的一部分。
【文檔編號】G01R33/20GK105842640SQ201610068676
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年2月1日
【發(fā)明人】S.比伯, A.法克爾邁耶, M.維斯特
【申請人】西門子公司