本發(fā)明屬于氧傳感器，具體地說，涉及一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)的氧傳感器中，片式芯片與接觸彈簧是直接接觸的，用以實(shí)現(xiàn)電性連接，傳遞反映氧氣濃度的電壓信號(hào)；由于片式芯片工作于高溫環(huán)境，因此必須保證片式芯片與接觸彈簧之間的接觸緊密，否則就可能在片式芯片或接觸彈簧的接觸面上生成氧化層，導(dǎo)致接觸電阻發(fā)生變化，從而使氧傳感器的輸出電壓發(fā)生偏差，最終導(dǎo)致氧傳感器監(jiān)測(cè)不準(zhǔn)確；

2、現(xiàn)有技術(shù)中，授權(quán)公告號(hào)：cn101216452b，名稱為一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，該氧傳感器包括傳感元和接觸彈簧，每個(gè)接觸彈簧都包括受壓部和夾持部，當(dāng)接觸彈簧的受壓部未受力時(shí)，位于傳感元一側(cè)的任意接觸彈簧的夾持部與位于傳感元另一側(cè)的任意接觸彈簧的夾持部的間距在傳感元厚度邊上的投影大于傳感元的厚度；

3、上述專利雖然能夠?qū)崿F(xiàn)與片式芯片接觸緊密，但夾緊效果在實(shí)際使用過程中還有欠缺，為此我們提出一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可以克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的氧傳感器。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用技術(shù)方案的基本構(gòu)思是：一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，包括兩端分別連接有進(jìn)氣襯套、外襯套的傳感器座，所述進(jìn)氣襯套上開設(shè)有進(jìn)氣孔，所述傳感器座遠(yuǎn)離進(jìn)氣襯套的一端連接有內(nèi)襯套，還包括：設(shè)置在所述傳感器座和內(nèi)襯套之間的多個(gè)陶瓷填充套，多個(gè)所述陶瓷填充套內(nèi)設(shè)置有延著傳感器座長(zhǎng)度方向設(shè)置的片式芯片；彈簧座，位于所述外襯套中，所述彈簧座上開設(shè)有安裝槽；接觸彈簧組件，對(duì)稱設(shè)置在所述安裝槽內(nèi)，所述接觸彈簧組件與片式芯片之間具有兩個(gè)凸出接觸點(diǎn)，且兩個(gè)所述凸出接觸點(diǎn)之間具有一個(gè)凹陷部，兩個(gè)所述凸出接觸點(diǎn)與彈簧座中的安裝槽之間以及一個(gè)所述凹陷部與彈簧座中的安裝槽之間均形成有氣體受熱膨脹腔室。

3、優(yōu)選地，所述接觸彈簧組件包括3字型彈簧片，兩個(gè)所述凸出接觸點(diǎn)分別是第一弧形頂部、第二弧形頂部，所述凹陷部是位于第一弧形頂部、第二弧形頂部之間且與第一弧形頂部、第二弧形頂部一體成型的第一凹陷部，所述第一弧形頂部、第二弧形頂部、第一凹陷部的兩側(cè)均與安裝槽內(nèi)壁相貼，所述氣體受熱膨脹腔室分別是第一弧形頂部、第二弧形頂部與安裝槽之間的第一大腔室以及第一凹陷部與安裝槽之間的第一小腔室。

4、進(jìn)一步地，所述3字型彈簧片還包括分別與第一弧形頂部、第二弧形頂部一體成型的第一支腳部和第一雙折部，所述第一支腳部、第一雙折部呈相向彎折，所述第一支腳部、第一雙折部均與安裝槽內(nèi)壁相貼；還包括與所述第一雙折部一體成型的第一弧形彎折部，所述彈簧座上對(duì)稱設(shè)置有弧頂塊，所述第一弧形彎折部與弧頂塊相對(duì)應(yīng)。

5、進(jìn)一步地，所述第一弧形彎折部向一端延伸處形成有第一下延長(zhǎng)支腳，所述第一下延長(zhǎng)支腳上設(shè)置有第一端子，用以夾持導(dǎo)線。

6、進(jìn)一步地，所述第一弧形彎折部向另一端延伸處形成有第一上延長(zhǎng)支腳，多個(gè)所述陶瓷填充套上均對(duì)稱開設(shè)有開槽，所述第一上延長(zhǎng)支腳穿過開槽延伸進(jìn)進(jìn)氣襯套中，且所述第一上延長(zhǎng)支腳與進(jìn)氣孔處向內(nèi)凹陷的襯套片接觸。

7、優(yōu)選地，所述接觸彈簧組件包括m型彈簧片，兩個(gè)所述凸出接觸點(diǎn)分別是第一接觸平面部、第二接觸平面部，所述凹陷部是位于第一接觸平面部、第二接觸平面部之間且與第一接觸平面部、第二接觸平面部一體成型的第二凹陷部，所述第一接觸平面部、第二接觸平面部、第二凹陷部的兩側(cè)均與安裝槽內(nèi)壁相貼，所述氣體受熱膨脹腔室分別是第一接觸平面部、第二接觸平面部與安裝槽之間的第二大腔室以及第二凹陷部與安裝槽之間的第二小腔室。

8、進(jìn)一步地，所述m型彈簧片還包括分別與第一接觸平面部、第二接觸平面部一體成型的第二支腳部和第二雙折部，所述第二支腳部、第二雙折部呈相向彎折，所述第二支腳部、第二雙折部均與安裝槽內(nèi)壁相貼；還包括與所述第二雙折部一體成型的第二弧形彎折部，所述彈簧座上對(duì)稱設(shè)置有弧頂塊，所述第二弧形彎折部與弧頂塊相對(duì)應(yīng)。

9、進(jìn)一步地，所述第二弧形彎折部向一端延伸處形成有第二下延長(zhǎng)支腳，所述第二下延長(zhǎng)支腳上設(shè)置有第二端子，用以夾持導(dǎo)線。

10、進(jìn)一步地，所述第二弧形彎折部向另一端延伸處形成有第二上延長(zhǎng)支腳，多個(gè)所述陶瓷填充套上均對(duì)稱開設(shè)有開槽，所述第二上延長(zhǎng)支腳穿過開槽延伸進(jìn)進(jìn)氣襯套中，且所述第二上延長(zhǎng)支腳與進(jìn)氣孔處向內(nèi)凹陷的襯套片接觸。

11、優(yōu)選地，所述外襯套遠(yuǎn)離傳感器座的一端設(shè)置有填充部。

12、采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果：本發(fā)明通過設(shè)置接觸彈簧組件，形成有兩個(gè)與片式芯片接觸的凸出接觸點(diǎn)，相較于現(xiàn)有技術(shù)能夠進(jìn)一步提高對(duì)片式芯片的夾持效果，進(jìn)一步避免在高溫環(huán)境下接觸彈簧組件與片式芯片之間出現(xiàn)松脫，而導(dǎo)致產(chǎn)生氧化層導(dǎo)致輸出電壓不穩(wěn)的情況，并利用熱脹原理，使得在高溫環(huán)境下接觸彈簧組件能夠進(jìn)一步對(duì)片式芯片夾緊，此外在膨脹過程中，與片式芯片接觸的凸出接觸點(diǎn)還能夠起到擦拭片式芯片的效果，進(jìn)一步減少因氧化層造成的監(jiān)測(cè)不準(zhǔn)確的情況發(fā)生，此外通過設(shè)置的第一上延長(zhǎng)支腳或第二上延長(zhǎng)支腳，進(jìn)一步使接觸彈簧組件快速受熱進(jìn)行膨脹，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠更好的提高氧傳感器的使用性能。

13、下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。

技術(shù)特征：

1.一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，包括兩端分別連接有進(jìn)氣襯套（12）、外襯套（14）的傳感器座（1），所述進(jìn)氣襯套（12）上開設(shè)有進(jìn)氣孔（121），所述傳感器座（1）遠(yuǎn)離進(jìn)氣襯套（12）的一端連接有內(nèi)襯套（11），其特征在于，還包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述接觸彈簧組件包括3字型彈簧片（17），兩個(gè)所述凸出接觸點(diǎn)分別是第一弧形頂部（171）、第二弧形頂部（172），所述凹陷部是位于第一弧形頂部（171）、第二弧形頂部（172）之間且與第一弧形頂部（171）、第二弧形頂部（172）一體成型的第一凹陷部（173），所述第一弧形頂部（171）、第二弧形頂部（172）、第一凹陷部（173）的兩側(cè)均與安裝槽（161）內(nèi)壁相貼，所述氣體受熱膨脹腔室分別是第一弧形頂部（171）、第二弧形頂部（172）與安裝槽（161）之間的第一大腔室（170）以及第一凹陷部（173）與安裝槽（161）之間的第一小腔室（179）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述3字型彈簧片（17）還包括分別與第一弧形頂部（171）、第二弧形頂部（172）一體成型的第一支腳部（1700）和第一雙折部（174），所述第一支腳部（1700）、第一雙折部（174）呈相向彎折，所述第一支腳部（1700）、第一雙折部（174）均與安裝槽（161）內(nèi)壁相貼；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述第一弧形彎折部（175）向一端延伸處形成有第一下延長(zhǎng)支腳（177），所述第一下延長(zhǎng)支腳（177）上設(shè)置有第一端子（178），用以夾持導(dǎo)線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述第一弧形彎折部（175）向另一端延伸處形成有第一上延長(zhǎng)支腳（176），多個(gè)所述陶瓷填充套（13）上均對(duì)稱開設(shè)有開槽（131），所述第一上延長(zhǎng)支腳（176）穿過開槽（131）延伸進(jìn)進(jìn)氣襯套（12）中，且所述第一上延長(zhǎng)支腳（176）與進(jìn)氣孔（121）處向內(nèi)凹陷的襯套片（122）接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述接觸彈簧組件包括m型彈簧片（18），兩個(gè)所述凸出接觸點(diǎn)分別是第一接觸平面部（181）、第二接觸平面部（182），所述凹陷部是位于第一接觸平面部（181）、第二接觸平面部（182）之間且與第一接觸平面部（181）、第二接觸平面部（182）一體成型的第二凹陷部（183），所述第一接觸平面部（181）、第二接觸平面部（182）、第二凹陷部（183）的兩側(cè)均與安裝槽（161）內(nèi)壁相貼，所述氣體受熱膨脹腔室分別是第一接觸平面部（181）、第二接觸平面部（182）與安裝槽（161）之間的第二大腔室（180）以及第二凹陷部（183）與安裝槽（161）之間的第二小腔室（189）。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述m型彈簧片（18）還包括分別與第一接觸平面部（181）、第二接觸平面部（182）一體成型的第二支腳部（1800）和第二雙折部（184），所述第二支腳部（1800）、第二雙折部（184）呈相向彎折，所述第二支腳部（1800）、第二雙折部（184）均與安裝槽（161）內(nèi)壁相貼；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述第二弧形彎折部（185）向一端延伸處形成有第二下延長(zhǎng)支腳（187），所述第二下延長(zhǎng)支腳（187）上設(shè)置有第二端子（188），用以夾持導(dǎo)線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述第二弧形彎折部（185）向另一端延伸處形成有第二上延長(zhǎng)支腳（186），多個(gè)所述陶瓷填充套（13）上均對(duì)稱開設(shè)有開槽（131），所述第二上延長(zhǎng)支腳（186）穿過開槽（131）延伸進(jìn)進(jìn)氣襯套（12）中，且所述第二上延長(zhǎng)支腳（186）與進(jìn)氣孔（121）處向內(nèi)凹陷的襯套片（122）接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，其特征在于，所述外襯套（14）遠(yuǎn)離傳感器座（1）的一端設(shè)置有填充部（19）。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，涉及氧傳感器技術(shù)領(lǐng)域。一種氧氣濃度監(jiān)測(cè)傳感器，包括兩端分別連接有進(jìn)氣襯套、外襯套的傳感器座，所述進(jìn)氣襯套上開設(shè)有進(jìn)氣孔；本發(fā)明通過設(shè)置接觸彈簧組件，形成有兩個(gè)與片式芯片接觸的凸出接觸點(diǎn)，相較于現(xiàn)有技術(shù)能夠進(jìn)一步提高對(duì)片式芯片的夾持效果，進(jìn)一步避免在高溫環(huán)境下接觸彈簧組件與片式芯片之間出現(xiàn)松脫，而導(dǎo)致產(chǎn)生氧化層導(dǎo)致輸出電壓不穩(wěn)的情況，并利用熱脹原理，使得在高溫環(huán)境下接觸彈簧組件能夠進(jìn)一步對(duì)片式芯片夾緊，此外在膨脹過程中，與片式芯片接觸的凸出接觸點(diǎn)還能夠起到擦拭片式芯片的效果，進(jìn)一步減少因氧化層造成的監(jiān)測(cè)不準(zhǔn)確的情況發(fā)生。

技術(shù)研發(fā)人員：劉斌,王田軍,杜野,彭焯,陳建安,宋易庭,梁惠偉,鄧武祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳匯北川科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21