基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，包括內(nèi)部具有腔室的中空部件，安裝在中空部件內(nèi)部的Y向平臺和安裝在Y向平臺上的X向平臺，放置在安裝在X向平臺上的靶槽平臺上的靶槽，安裝在中空部件內(nèi)部且與X向平臺正向相對的頂靶機構(gòu)和舉靶機構(gòu)，以及安裝在中空部件頂部的具有凹槽的蓋板；本實用新型通過舉靶機構(gòu)和頂靶機構(gòu)的運動使得蓋板上的凹槽與靶槽平臺形成封閉腔室并由真空系統(tǒng)抽真空，以形成過渡真空腔室，可以有效地使得樣品進行一個動態(tài)的樣品對于真空度的適應過程，操作更加靈活和便捷。
【專利說明】
基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型型涉及基質(zhì)輔助激光解析(MALDI)離子源技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在基質(zhì)輔助激光解析離子源進行的固態(tài)樣品解析過程中，樣品在常壓下形成固體，經(jīng)過進樣系統(tǒng)，由常壓進入真空系統(tǒng)，并需進行精確定位，以實現(xiàn)樣品在一個微小的區(qū)域內(nèi)解析，在極短的時間間隔，激光對樣品提供高的能量，對它們進行極快的加熱，這樣可以避免熱敏感的化合物加熱分解，基質(zhì)分子能有效地吸收激光的能量，并間接地傳給樣品分子，從而得到電離，也就實現(xiàn)了離子進入質(zhì)量分析器，完成進樣。
[0003]基質(zhì)輔助激光解析(MALDI)離子源進樣裝置在真空中進樣有著至關(guān)重要的作用，由于待測樣品(多為生物樣品)不能直接從常壓環(huán)境中立即轉(zhuǎn)變?yōu)楦哒婵窄h(huán)境，因此進樣裝置需要保證樣品從常壓環(huán)境進入到高真空環(huán)境的過程中逐漸適應高真空環(huán)境，不會對樣品產(chǎn)生破壞以致影響解析結(jié)果，因此需要尋找一種能夠先進行一種低真空過度，進而進入高真空的設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，需要克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷中的至少一個，本實用新型提供了一種基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，包括內(nèi)部具有腔室的中空部件，安裝在所述中空部件內(nèi)部的Y向平臺和安裝在所述Y向平臺上的X向平臺，放置在安裝在所述X向平臺上的靶槽平臺上的靶槽，安裝在實時中空部件內(nèi)部且與所述X向平臺正向相對的頂靶機構(gòu)和舉靶機構(gòu)，以及安裝在所述中空部件頂部的蓋板;所述蓋板上設(shè)置有檢測孔及樣品放置孔，所述樣品放置孔處設(shè)置有樣品蓋板;所述X向平臺具有固定安裝的第一擋塊和第二擋塊，所述頂靶機構(gòu)具有與所述第一擋塊動態(tài)接觸的頂靶接觸部件，所述舉靶機構(gòu)具有與所述第二擋塊動態(tài)接觸的舉靶接觸部件，所述舉靶接觸部件具有舉靶接觸前部和舉靶接觸后部，所述第二擋塊在進靶過程中與所述舉靶接觸前部動態(tài)接觸且在退靶過程中與所述舉靶接觸后部動態(tài)接觸;所述舉靶機構(gòu)具有舉靶平臺，所述舉靶平臺在進靶過程中向上托舉所述靶槽且在退靶過程中向下放下所述靶槽及將靶槽放置在所述X向平臺上的靶槽平臺上;所述頂靶機構(gòu)具有頂靶部件，所述頂靶部件在進靶過程中向上頂起所述靶槽且在退靶過程中向下運動放松所述靶槽。
[0005]在操作過程中，在進靶位時，X向平臺和Y向平臺推動所述靶槽至預定位置過程中，所述第二擋塊與所述舉靶接觸部件的所述舉靶接觸前部接觸，推動所述舉靶機構(gòu)中的所述舉靶平臺向上托起所述靶槽，當X向平臺和Y向平臺繼續(xù)運動時，進一步使得所述第一擋塊與所述頂靶接觸部件接觸，使得所述頂靶機構(gòu)的所述頂靶部件向上頂起所述靶槽，以使所述靶槽向上和所述蓋板緊密接觸，此時將樣品放入所述靶槽，關(guān)閉所述樣品蓋板，此時，所述靶槽與所述蓋板以及所述樣品蓋板形成已第一密封腔室，其具有相應的抽真空通孔，如此，可以對此腔室進行低真空處理，而整個腔室中也同步進行高真空處理;待達到預定要求后，進行退靶位時，X向平臺和Y向平臺向后運動，所述頂靶接觸部件具有回彈力，因此會頂住所述第一擋塊一同運動，所述頂靶部件下落，所述靶槽隨著下落至上述舉靶平臺上，所述第二擋塊隨之后退并與所述舉靶接觸前部脫離進而帶動所述舉靶接觸后部，使得所述舉靶平臺帶動所述靶槽運動至所述X向平臺的所述靶槽平臺上，之后，X向平臺和Y向平臺運動至所述蓋板上的所述檢測孔位置，由此可以進行解析處理。
[0006]根據(jù)本專利【背景技術(shù)】中對現(xiàn)有技術(shù)所述，由于在相應解析過程中，樣品若快速進入高真空環(huán)境下，必定會樣品本身造成一定的破壞，如此對檢測結(jié)果也必然存在很大誤差；而本實用新型公開的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，通過利用舉靶機構(gòu)和頂靶機構(gòu)運動使得具有凹槽的蓋板和靶槽平臺以及靶槽形成一個動態(tài)過渡低真空腔室，可以有效地使得樣品進行一個動態(tài)的樣品對于真空度的適應過程，操作更加靈活和便捷。
[0007]另外，根據(jù)本實用新型公開的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置還具有如下附加技術(shù)特征:
[0008]進一步地，所述第一擋塊為一個，所述第二擋塊為兩個且位于第一擋塊的兩側(cè)，所述舉靶接觸部件為一個且在進靶過程和退靶過程中與所述第一擋塊動態(tài)接觸，所述頂靶接觸部件為兩個且與所述第二擋塊一一對應并動態(tài)接觸。
[0009]此處的動態(tài)接觸指的是非固定接觸，其可隨著相互之間的運動或處于不同的狀態(tài)位時，處于接觸或非接觸狀態(tài)。
[0010]進一步地，所述蓋板具有凹槽，所述凹槽與所述靶槽動態(tài)接觸且與所述樣品蓋板形成密封腔室，所述凹槽中有聯(lián)通真空設(shè)備的凹槽真空聯(lián)通孔。
[0011]在所述凹槽中存在所述凹槽真空聯(lián)通孔，可以使得低真空處理更加方便。
[0012]進一步地，所述舉靶機構(gòu)還具有托塊，所述頂靶機構(gòu)安裝在所述托塊上。
[0013]進一步地，所述舉靶機構(gòu)具有定位桿，安裝在所述頂靶機構(gòu)的滑動部件安裝在所述定位桿上且可上下運動。
[0014]進一步地，所述舉靶接觸部件具有軸承的可轉(zhuǎn)動部件。
[0015]更進一步地，所述舉靶接觸部件為滾柱結(jié)構(gòu)。
[0016]進一步地，所述頂靶部件具有軸承的可轉(zhuǎn)動部件。
[0017 ]更進一步地，所述頂勒I接觸部件為滾柱結(jié)構(gòu)。
[0018]滾動運動可以更加使得整體運動順滑。
[0019]優(yōu)選地，所述滾柱結(jié)構(gòu)的外表面使用彈性體作為接觸部位，如此可以使得運動更加具有緩沖性。
[0020]進一步地，所述靶槽平臺上具有定位裝置。
[0021 ]更進一步地，所述定位裝置位三個定位柱。
[0022]進一步地，所述X向平臺或所述Y向平臺包括動力源和絲杠結(jié)構(gòu)以及線性滑軌滑塊。
[0023]更進一步地，所述動力源為電機。
[0024]進一步地，所述進樣裝置還包括真空系統(tǒng)，所述凹槽中有聯(lián)通真空設(shè)備的凹槽真空聯(lián)通孔。
[0025]更進一步地，所述真空系統(tǒng)包括分子栗和機械栗，所述分子栗與所述腔室相聯(lián)，所述機械栗與所述分子栗相聯(lián)且與所述凹槽真空聯(lián)通孔相聯(lián)。
[0026]進一步地，所述舉靶機構(gòu)中的所述舉靶平臺與舉靶第一連桿上端轉(zhuǎn)動相聯(lián)，所述舉靶第一連桿下端與所述托塊轉(zhuǎn)動鏈接，且通過舉靶第二連桿與所述舉靶接觸部件位于所述舉靶接觸前部和所述舉靶接觸后部與所述舉靶接觸部件和位于所述舉靶機構(gòu)下部的托塊的轉(zhuǎn)動鏈接處之間且形成四連桿結(jié)構(gòu)。
[0027]進一步地，所述頂靶機構(gòu)還包括底座，所述底座和所述頂靶機構(gòu)固定聯(lián)接;頂靶第一連桿，所述頂靶第一連桿下端與所述底座相聯(lián);頂靶滑動部件，所述頂靶滑動部件與安裝在所述舉靶機構(gòu)上的定位桿且可上下移動;頂靶第二連桿，所述頂靶第二連桿頂端與所述頂靶滑動部件頂端鏈接，底端安裝所述頂靶接觸部件，中部與所述頂靶第一連桿中部鏈接；頂靶第三連桿，頂靶第四連桿，所述頂靶第三連桿的兩端分別與所述頂靶第一連桿的頂端和所述頂靶第四連桿的一端鏈接;所述頂靶第四連桿一端與所述頂靶滑動部件的頂端及所述頂靶第二連桿的頂端共同鏈接。
[0028]本實用新型附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。
【附圖說明】

[0029]本實用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0030]圖1基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置整體示意圖；
[0031]圖2基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置(隱藏蓋板)整體示意圖；
[0032]圖3基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置(無中空部件且為頂靶機構(gòu)和舉靶機構(gòu)頂起和舉起靶槽平臺狀態(tài)時)整體示意圖；
[0033]圖4頂靶機構(gòu)與舉靶機構(gòu)一體示意圖；
[0034]圖5X向平臺示意圖；
[0035]圖6Y向平臺示意圖；
[0036]圖7頂靶機構(gòu)示意圖；
[0037]圖8舉靶機構(gòu)示意圖；
[0038]圖9蓋板不意圖；
[0039]圖中，100中空部件，200 X向平臺，201靶槽平臺，202第一擋塊203第二擋塊，204定位裝置，300 Y向平臺，400舉靶機構(gòu)，401舉靶平臺，402舉靶接觸部件，4021舉靶接觸前部，4022舉靶接觸后部，403定位桿，404托塊，405舉靶第一連桿，406舉靶第二連桿，500頂靶機構(gòu)，501頂靶部件，502頂靶接觸部件，503頂靶滑動部件，504底座，505頂靶第一連桿，506頂靶第二連桿，507頂靶第三連桿，508頂靶第四連桿，600蓋板，601檢測孔，602樣品蓋板，603樣品放置孔，604凹槽，605凹槽真空聯(lián)通孔。
【具體實施方式】
[0040]下面詳細描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的限制。
[0041 ]在本實用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“底”、“頂”、“前”、“后”、“內(nèi)”、“外”、“橫”、“豎”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。
[0042]在本實用新型的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“聯(lián)接”、“連通”、“相連”、“連接”、“配合”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，一體地連接，也可以是可拆卸連接;可以是兩個元件內(nèi)部的連通;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連；“配合”可以是面與面的配合，也可以是點與面或線與面的配合，也包括孔軸的配合，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本實用新型中的具體含義。
[0043]本實用新型的實用新型構(gòu)思如下，如圖1-9所示，通過利用舉靶機構(gòu)400和頂靶機構(gòu)500運動使得具有凹槽604的蓋板600和靶槽平臺201以及靶槽形成一個動態(tài)過渡低真空腔室，可以有效地使得樣品進行一個動態(tài)的樣品對于真空度的適應過程，操作更加靈活和便捷。
[0044]根據(jù)本實用新型的實施例，如圖1-9所示，一種基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，包括內(nèi)部具有腔室的中空部件100，安裝在所述中空部件100內(nèi)部的Y向平臺300和安裝在所述Y向平臺300上的X向平臺200，放置在安裝在所述X向平臺200上的靶槽平臺201上的靶槽，安裝在所述中空部件100內(nèi)部且與所述X向平臺200正向相對的頂靶機構(gòu)500和舉靶機構(gòu)400，以及安裝在所述中空部件100頂部的蓋板600;所述蓋板600上設(shè)置有檢測孔601及樣品放置孔603，所述樣品放置孔處設(shè)置有樣品蓋板602;所述X向平臺200具有固定安裝的第一擋塊202和第二擋塊203，所述頂靶機構(gòu)500具有與所述第一擋塊202動態(tài)接觸的頂靶接觸部件502，所述舉靶機構(gòu)400具有與所述第二擋塊203動態(tài)接觸的舉靶接觸部件402，所述舉靶接觸部件402具有舉靶接觸前部4021和舉靶接觸后部4022，所述第二擋塊203在進靶過程中與所述舉靶接觸前部4021動態(tài)接觸且在退靶過程中與所述舉靶接觸后部4022動態(tài)接觸；所述舉靶機構(gòu)400具有舉靶平臺401，所述舉靶平臺401在進靶過程中向上托舉所述靶槽平臺201且在退靶過程中向下放下所述靶槽平臺201及將靶槽放置在所述X向平臺200上的靶槽平臺201上;所述頂靶機構(gòu)500具有頂靶部件501，所述頂靶部件501在進靶過程中向上頂起所述靶槽平臺201且在退靶過程中向下運動放松所述靶槽平臺201。
[0045]在操作過程中，在進靶位時，X向平臺200和Y向平臺300推動所述靶槽平臺401至預定位置過程中，所述第二擋塊203與所述舉靶接觸部件402的所述舉靶接觸前部4021接觸，推動所述舉革G機構(gòu)400中的所述舉革El平臺401向上托起所述革El槽平臺401，當X向平臺200和Y向平臺300繼續(xù)運動時，進一步使得所述第一擋塊202與所述頂靶接觸部件501接觸，使得所述頂革G機構(gòu)500的所述頂革El部件501向上頂起所述革El槽平臺201，以使所述革El槽平臺201向上和所述蓋板600緊密接觸，此時將樣品放入所述靶槽平臺201中的靶槽中，關(guān)閉所述樣品蓋板602，此時，所述靶槽平臺201與所述蓋板600以及所述樣品蓋板602形成第一密封腔室，其具有相應的抽真空通孔605，如此，可以對此腔室進行低真空處理，而整個腔室中也同步進行高真空處理，如圖1-3所示;待達到預定要求后，進行退靶位時，X向平臺200和Y向平臺300向后運動，所述頂靶接觸部件502具有回彈力，因此會頂住所述第一擋塊202—同運動，所述頂靶部件501下落，所述靶槽平臺201隨著下落至所述舉靶平臺401上，所述第二擋塊203隨之后退并與所述舉靶接觸前部4021脫離進而帶動所述舉靶接觸后部4022，使得所述舉靶平臺401帶動所述革El槽平臺201運動至所述X向平臺200的所述革El槽平臺上201，之后，X向平臺200和Y向平臺300運動至所述蓋板600上的所述檢測孔601位置，由此可以進行解析處理。
[0046]另外，根據(jù)本實用新型公開的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置還具有如下附加技術(shù)特征:
[0047]進一步地，所述第一擋塊202為一個，所述第二擋塊203為兩個且位于第一擋塊202的兩側(cè)，所述頂靶接觸部件52為一個且在進靶過程和退靶過程中與所述第一擋塊202動態(tài)接觸，所述舉靶接觸部件402為兩個且與所述第二擋塊203—一對應并動態(tài)接觸，如圖4、5、
7、8所示。
[0048]此處的動態(tài)接觸指的是非固定接觸，其可隨著相互之間的運動或處于不同的狀態(tài)位時，處于接觸或非接觸狀態(tài)。
[0049]進一步地，所述蓋板600具有凹槽604，所述凹槽604與所述靶槽平臺201動態(tài)接觸且與所述樣品蓋板602形成密封腔室，所述凹槽604中有聯(lián)通真空設(shè)備的凹槽真空聯(lián)通孔605，如圖9所示。
[0050]在所述凹槽604中存在所述凹槽真空聯(lián)通孔605，可以使得低真空處理更加方便。[0051 ] 進一步地，所述舉靶機構(gòu)400還具有托塊404，所述頂靶機構(gòu)500安裝在所述托塊404上，如圖4、7、8所示。
[0052]進一步地，所述舉靶機構(gòu)400具有定位桿403，安裝在所述頂靶機構(gòu)500的頂靶滑動部件503安裝在所述定位桿403上且可上下運動，如圖4、8所示。
[0053]進一步地，所述舉靶接觸部件402具有軸承的可轉(zhuǎn)動部件。
[0054]更進一步地，所述舉靶接觸部件402為滾柱結(jié)構(gòu)，如圖8所示。
[0055]進一步地，所述頂靶部件500具有軸承的可轉(zhuǎn)動部件。
[0056]更進一步地，所述頂靶接觸部件502為滾柱結(jié)構(gòu)，如圖7所示。
[0057]滾動運動可以更加使得整體運動順滑。
[0058]優(yōu)選地，所述滾柱結(jié)構(gòu)的外表面使用彈性體作為接觸部位，如此可以使得運動更加具有緩沖性。
[0059]進一步地，所述靶槽平臺201上具有定位裝置204。
[0060]更進一步地，所述定位裝置204為三個定位柱，如圖5所示。
[0061]進一步地，所述X向平臺200或所述Y向平臺300包括動力源和絲杠結(jié)構(gòu)以及線性滑軌滑塊。
[0062]更進一步地，所述動力源為電機。
[0063]進一步地，所述進樣裝置還包括真空系統(tǒng)，所述凹槽604中有聯(lián)通真空設(shè)備的凹槽真空聯(lián)通孔605。
[0064]更進一步地，所述真空系統(tǒng)包括分子栗和機械栗，所述分子栗與所述腔室相聯(lián)，所述機械栗與所述分子栗相聯(lián)且與所述凹槽真空聯(lián)通孔605相聯(lián)。
[0065]進一步地，所述舉靶機構(gòu)400中的所述舉靶平臺401與舉靶第一連桿405上端轉(zhuǎn)動相聯(lián)，所述舉靶第一連桿405下端與所述托塊404轉(zhuǎn)動鏈接，且通過舉靶第二連桿406與所述舉靶接觸部件402位于所述舉靶接觸前部4021和所述舉靶接觸后部4022與所述舉靶接觸部件402和位于所述舉靶機構(gòu)400下部的托塊404的轉(zhuǎn)動鏈接處之間且形成四連桿結(jié)構(gòu)，如圖8所示。
[0066]進一步地，所述頂靶機構(gòu)500還包括底座504，所述底座504和所述頂靶機構(gòu)500固定聯(lián)接;頂靶第一連桿506，所述頂靶第一連桿506下端與所述底座504相聯(lián);頂靶滑動部件503，所述頂靶滑動部件503與安裝在所述舉靶機構(gòu)400上的定位桿403且可上下移動;頂靶第二連桿506，所述頂靶第二連桿506頂端與所述頂靶滑動部件503頂端鏈接，底端安裝所述頂靶接觸部件502，中部與所述頂靶第一連桿505中部鏈接;頂靶第三連桿507，頂靶第四連桿508，所述頂靶第三連桿507的兩端分別與所述頂靶第一連桿505的頂端和所述頂靶第四連桿508的一端鏈接;所述頂靶第四連桿508—端與所述頂靶滑動部件503的頂端及所述頂靶第二連桿502的頂端共同鏈接。
[0067]任何提及“一個實施例”、“實施例”、“示意性實施例”等意指結(jié)合該實施例描述的具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例中。在本說明書各處的該示意性表述不一定指的是相同的實施例。而且，當結(jié)合任何實施例描述具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點時，所主張的是，結(jié)合其他的實施例實現(xiàn)這樣的構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點均落在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍之內(nèi)。
[0068]盡管參照本實用新型的多個示意性實施例對本實用新型的【具體實施方式】進行了詳細的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出多種其他的改進和實施例，這些改進和實施例將落在本實用新型原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進，而不會脫離本實用新型的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項】
1.一種基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，包括內(nèi)部具有腔室的中空部件，安裝在所述中空部件內(nèi)部的Y向平臺和安裝在所述Y向平臺上的X向平臺，放置在安裝在所述X向平臺上的靶槽平臺上的靶槽，安裝在所述中空部件內(nèi)部且與所述X向平臺正向相對的頂靶機構(gòu)和舉靶機構(gòu)，以及安裝在所述中空部件頂部的蓋板； 所述蓋板上設(shè)置有檢測孔及樣品放置孔，所述樣品放置孔處設(shè)置有樣品蓋板； 所述X向平臺具有固定安裝的第一擋塊和第二擋塊，所述頂靶機構(gòu)具有與所述第一擋塊動態(tài)接觸的頂靶接觸部件，所述舉靶機構(gòu)具有與所述第二擋塊動態(tài)接觸的舉靶接觸部件，所述舉靶接觸部件具有舉靶接觸前部和舉靶接觸后部，所述第二擋塊在進靶過程中與所述舉靶接觸前部動態(tài)接觸且在退靶過程中與所述舉靶接觸后部動態(tài)接觸； 所述舉靶機構(gòu)具有舉靶平臺，所述舉靶平臺在進靶過程中向上托舉所述靶槽平臺且在退靶過程中向下放下所述靶槽及將靶槽放置在所述X向平臺上的所述靶槽平臺上； 所述頂靶機構(gòu)具有頂靶部件，所述頂靶部件在進靶過程中向上頂起所述靶槽且在退靶過程中向下運動放松所述靶槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述第一擋塊為一個，所述第二擋塊為兩個且位于第一擋塊的兩側(cè)，所述頂靶接觸部件為一個且在進靶過程和退靶過程中與所述第一擋塊動態(tài)接觸，所述舉靶接觸部件為兩個且與所述第二擋塊一一對應并動態(tài)接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述蓋板具有凹槽，所述凹槽與所述靶槽平臺動態(tài)接觸且與所述樣品蓋板形成密封腔室，所述凹槽中有聯(lián)通真空設(shè)備的凹槽真空聯(lián)通孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述舉靶機構(gòu)還具有托塊，所述頂靶機構(gòu)安裝在所述托塊上。5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述舉靶機構(gòu)具有定位桿，安裝在所述頂靶機構(gòu)的滑動部件安裝在所述定位桿上且可上下運動。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述舉靶接觸部件具有軸承的可轉(zhuǎn)動部件。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述舉靶接觸部件為滾柱結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述頂靶部件具有軸承的可轉(zhuǎn)動部件。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述頂靶接觸部件為滾柱結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述靶槽平臺上具有定位裝置。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述定位裝置位三個定位柱。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述X向平臺或所述Y向平臺包括動力源和絲杠結(jié)構(gòu)以及線性滑軌滑塊。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述動力源為電機。14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述進樣裝置還包括真空系統(tǒng)，所述凹槽中有聯(lián)通真空設(shè)備的凹槽真空聯(lián)通孔。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述真空系統(tǒng)包括分子栗和機械栗，所述分子栗與所述腔室相聯(lián)，所述機械栗與所述分子栗相聯(lián)且與所述凹槽真空聯(lián)通孔相聯(lián)。16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述舉靶機構(gòu)中的所述舉靶平臺與舉靶第一連桿上端轉(zhuǎn)動相聯(lián)，所述舉靶第一連桿下端與所述托塊轉(zhuǎn)動鏈接，且通過舉靶第二連桿與所述舉靶接觸部件位于所述舉靶接觸前部和所述舉靶接觸后部與所述舉靶接觸部件和位于所述舉靶機構(gòu)下部的托塊的轉(zhuǎn)動鏈接處之間且形成四連桿結(jié)構(gòu)。17.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基質(zhì)輔助激光解析離子源進樣裝置，其特征在于，所述頂靶機構(gòu)還包括: 底座，所述底座和所述頂靶機構(gòu)固定聯(lián)接； 頂靶第一連桿，所述頂靶第一連桿下端與所述底座相聯(lián)； 頂靶滑動部件，所述頂靶滑動部件與安裝在所述舉靶機構(gòu)上的所述定位桿且可上下移動； 頂靶第二連桿，所述頂靶第二連桿頂端與所述頂靶滑動部件頂端鏈接，底端安裝所述頂靶接觸部件，中部與所述頂靶第一連桿中部鏈接； 頂靶第三連桿，頂靶第四連桿，所述頂靶第三連桿的兩端分別與所述頂靶第一連桿的頂端和所述頂靶第四連桿的一端鏈接;所述頂靶第四連桿一端與所述頂靶滑動部件的頂端及所述頂靶第二連桿的頂端共同鏈接。
【文檔編號】G01N27/62GK205691540SQ201620556870
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月12日 公開號201620556870.1, CN 201620556870, CN 205691540 U, CN 205691540U, CN-U-205691540, CN201620556870, CN201620556870.1, CN205691540 U, CN205691540U
【發(fā)明人】應剛, 徐鵬登, 周立
【申請人】江蘇天瑞儀器股份有限公司