用于測(cè)量散射參數(shù)的耦合組件和數(shù)據(jù)測(cè)定裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于測(cè)量散射參數(shù)的數(shù)據(jù)測(cè)定裝置，包括耦合組件和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，耦合組件包括第一探頭、第二探頭、與第一探頭連接的第一端口及與第二探頭連接的第二端口；第一探頭、第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)；矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀輸出端口用于與被測(cè)件的公共輸入端口連接，輸入端口與耦合組件的第一端口或第二端口連接，用于測(cè)量被測(cè)件公共輸入端口至第一探頭或第二探頭的傳輸系數(shù)及第一探頭和第二探頭間的延遲系數(shù)，傳輸系數(shù)和延遲系數(shù)用于散射參數(shù)的測(cè)量。通過上述方式，本實(shí)用新型能夠在不改變被測(cè)件工作狀態(tài)的情況下，對(duì)測(cè)量被測(cè)件散射參數(shù)所需的數(shù)據(jù)進(jìn)行測(cè)定，利用此數(shù)據(jù)可進(jìn)一步獲得被測(cè)件的散射參數(shù)。
【專利說明】用于測(cè)量散射參數(shù)的耦合組件和數(shù)據(jù)測(cè)定裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及微波測(cè)量領(lǐng)域，特別是涉及一種用于測(cè)量散射參數(shù)的耦合組件和數(shù)據(jù)測(cè)定裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]散射參數(shù)測(cè)量是射頻微波領(lǐng)域常見的測(cè)量手段，對(duì)于多端口微波網(wǎng)絡(luò)而言，散射參數(shù)包括端口的反射系數(shù)和端口間的隔離度。通過測(cè)量端口的散射參數(shù)，可以評(píng)估端口處的匹配狀態(tài)以及端口與端口之間的相互耦合。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀是散射參數(shù)的主要測(cè)量?jī)x表，因儀表測(cè)試端口通常是同軸類型的，因此在測(cè)量被測(cè)件散射參數(shù)時(shí)，需要在被測(cè)件上安裝射頻接頭，通過射頻電纜將射頻接頭與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀連接。
[0003]圖1是現(xiàn)有測(cè)量散射參數(shù)一實(shí)施例的電路連接圖，如圖1所示，被測(cè)件11包括一段微帶線111，為測(cè)試微帶線111的散射參數(shù)，需使用包括微帶線211、212和射頻接頭213、214的過渡件將被測(cè)件11通過電纜與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀器31連接。若需獲得微帶線111參考面a處的散射參數(shù)，需采用“去嵌入”或“TRL校準(zhǔn)”等技術(shù)，以消除射頻接頭等過渡件帶來的影響。當(dāng)被測(cè)件11是某個(gè)完整的微帶功分網(wǎng)絡(luò)的一部分，按上述常規(guī)的測(cè)量方式，需破壞微帶功分網(wǎng)絡(luò)的完整性，在測(cè)量位置插入用于測(cè)量的接頭，此方式會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，產(chǎn)生不利因素。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種用于測(cè)量散射參數(shù)的耦合組件和數(shù)據(jù)測(cè)定裝置，以便在不改變被測(cè)件工作狀態(tài)的情況下，對(duì)測(cè)量被測(cè)件散射參數(shù)所需的數(shù)據(jù)進(jìn)行測(cè)定，利用此數(shù)據(jù)可進(jìn)一步獲得被測(cè)件的散射參數(shù)。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種用于測(cè)量散射參數(shù)的耦合組件，包括第一探頭、第二探頭、與第一探頭連接的第一端口及與第二探頭連接的第二端口 ；第一探頭、第二探頭用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)以使射頻信號(hào)用于散射參數(shù)的測(cè)量。
[0006]其中，耦合組件包括用于設(shè)置第一探頭、第二探頭、第一端口及第二端口的基板。
[0007]其中，基板上可以設(shè)有被測(cè)件，即被測(cè)件與第一探頭、第二探頭、第一端口及第二端口設(shè)于同一基板上。
[0008]其中，第一探頭和第二探頭分別垂直于被測(cè)件的軸線之間的距離不等于1/2被測(cè)件內(nèi)部電磁波工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍，且大于O小于被測(cè)件的總長(zhǎng)度；第一探頭和第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)，且第一探頭和第二探頭與被測(cè)件的耦合強(qiáng)度相同。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種用于測(cè)量散射參數(shù)的數(shù)據(jù)測(cè)定裝置，包括耦合組件和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；耦合組件包括第一探頭、第二探頭、與第一探頭連接的第一端口及與第二探頭連接的第二端口 ；第一探頭、第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)；矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀輸出端口用于與被測(cè)件的公共輸入端口連接，輸入端口與耦合組件的第一端口或第二端口連接，用于測(cè)量被測(cè)件公共輸入端口至第一探頭或第二探頭的傳輸系數(shù)及第一探頭和第二探頭間的延遲系數(shù)，所述傳輸系數(shù)和延遲系數(shù)用于所述散射參數(shù)的測(cè)量。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型在被測(cè)件附近設(shè)置第一探頭和第二探頭以形成4端口微波網(wǎng)絡(luò)，其中，第一探頭、第二探頭用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)，通過測(cè)量4端口微波網(wǎng)絡(luò)中被測(cè)件的公共輸入端口到第一探頭、第二探頭的傳輸系數(shù)及第一探頭和第二探頭間的延遲系數(shù)，利用傳輸系數(shù)和延遲系數(shù)計(jì)算被測(cè)件的散射參數(shù)。通過上述方式，本實(shí)用新型能夠在不改變被測(cè)件工作狀態(tài)的情況下，獲取被測(cè)件的散射參數(shù)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是現(xiàn)有測(cè)量散射參數(shù)一實(shí)施例的電路連接圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型散射參數(shù)測(cè)量方法一實(shí)施例的流程示意圖；
[0013]圖3是本實(shí)用新型數(shù)據(jù)測(cè)定裝置測(cè)量散射參數(shù)時(shí)一實(shí)施例的電路連接圖；
[0014]圖4是圖3所示實(shí)施例的原理圖；
[0015]圖5是本實(shí)用新型測(cè)量端口間隔離度一實(shí)施例的原理圖；
[0016]圖6是本實(shí)用新型耦合組件進(jìn)行測(cè)量的原理圖；
[0017]圖7是本實(shí)用新型耦合組件測(cè)量微帶線一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖8是本實(shí)用新型耦合組件測(cè)量微帶線另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0020]本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中，用于測(cè)量散射參數(shù)的數(shù)據(jù)測(cè)定裝置包括耦合組件和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。
[0021]其中，用于測(cè)量散射參數(shù)的耦合組件包括第一探頭、第二探頭、與第一探頭連接的第一端口及與第二探頭連接的第二端口。
[0022]其中，第一探頭和第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)。且第一探頭和第二探頭設(shè)置時(shí)，第一探頭和第二探頭分別垂直于被測(cè)件的軸線之間的距離不等于1/2被測(cè)件內(nèi)部電磁波工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍，且大于O小于被測(cè)件的總長(zhǎng)度；同時(shí)，第一探頭和第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)，且第一探頭和第二探頭與被測(cè)件的耦合強(qiáng)度相同。
[0023]在具體應(yīng)用過程中，第一探頭和第二探頭可設(shè)置于被測(cè)件徑向的兩側(cè)或同側(cè)。被測(cè)件內(nèi)部電磁波的工作波長(zhǎng)可根據(jù)被測(cè)件已知的相關(guān)參數(shù)推算得出。
[0024]第一探頭、第二探頭及被測(cè)件的公共輸入端口、輸出端口形成4端口微波網(wǎng)絡(luò)。
[0025]矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的輸入端口與第一端口或第二端口連接，輸出端與被測(cè)件的公共輸入端口連接，用于測(cè)量4端口微波網(wǎng)絡(luò)中被測(cè)件公共輸入端口到第一探頭或第二探頭的傳輸系數(shù)及第一探頭和第二探頭間的延遲系數(shù)。根據(jù)測(cè)得的傳輸系數(shù)和延遲系數(shù)計(jì)算被測(cè)件的散射參數(shù)。
[0026]在其他實(shí)施例中，若矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀為多端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，則包括多個(gè)輸入端口，各輸入端口分別與第一端口和第二端口同時(shí)連接。[0027]請(qǐng)參閱圖2，圖2是本實(shí)用新型散射參數(shù)測(cè)量方法一實(shí)施例的流程示意圖，如圖2所示，包括以下步驟:
[0028]步驟201，測(cè)定第一探頭、第二探頭及被測(cè)件的公共輸入端口、輸出端口形成的4端口微波網(wǎng)絡(luò)中被測(cè)件公共輸入端口到第一探頭、第二探頭的傳輸系數(shù)及第一探頭和第二探頭間的延遲系數(shù)，其中，第一探頭和第二探頭用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)。
[0029]其中，延遲系數(shù)的獲得方式包括電磁場(chǎng)仿真軟件仿真及校準(zhǔn)的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)量。傳輸系數(shù)的獲得方式為校準(zhǔn)的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)量，采用校準(zhǔn)的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量得到的傳輸系數(shù)包括幅度和相位。
[0030]步驟202，根據(jù)傳輸系數(shù)和延遲系數(shù)計(jì)算被測(cè)件的散射參數(shù)。
[0031]在本實(shí)施例中，被測(cè)件為一均勻傳輸線，在均勻傳輸線中設(shè)置兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)，測(cè)試點(diǎn)附近設(shè)置第一探頭和第二探頭，第一探頭、第二探頭與均勻傳輸線之間可以通過電容或電感進(jìn)行弱耦合，通常將耦合量級(jí)設(shè)計(jì)為小于_20dB，以減弱對(duì)均勻傳輸線特性的影響。
[0032]其中，第一探頭和第二探頭分別垂直于被測(cè)件的軸線之間的距離不等于1/2被測(cè)件內(nèi)部電磁波工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍，且大于O小于被測(cè)件的總長(zhǎng)度；同時(shí)，第一探頭和第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)，且第一探頭和第二探頭與被測(cè)件的耦合強(qiáng)度相同。在具體應(yīng)用過程中，第一探頭和第二探頭可設(shè)置于被測(cè)件徑向的兩側(cè)或同側(cè)。
[0033]通過校準(zhǔn)的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量被測(cè)件公共輸入端口到第一探頭和第二探頭的傳輸系數(shù)及第一探頭和第二探頭間的延遲系數(shù)，然后根據(jù)經(jīng)理論推導(dǎo)得出的計(jì)算公式計(jì)算被測(cè)件的散射參數(shù)。
[0034]請(qǐng)參閱圖3，圖3是本實(shí)用新型數(shù)據(jù)測(cè)定裝置測(cè)量散射參數(shù)時(shí)一實(shí)施例的電路連接圖，包括:被測(cè)件31、第一射頻接頭32、第二射頻接頭33、第一探頭34、第二探頭35、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀36及負(fù)載37。
[0035]其中，被測(cè)件31包括傳輸線311，本實(shí)施例中的傳輸線311為均勻傳輸線。
[0036]本實(shí)施例的設(shè)置原理為，在均勻傳輸線311中設(shè)置兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)，利用經(jīng)過校準(zhǔn)的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀36測(cè)量被測(cè)件公共輸入端口到兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)的傳輸系數(shù)及測(cè)試點(diǎn)間的延遲系數(shù)，再利用相應(yīng)的計(jì)算公式，獲得測(cè)試點(diǎn)位置的散射參數(shù)。
[0037]具體為，傳輸線311兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)(參考面b、參考面c)附近設(shè)置第一探頭34、第二探頭35，第一探頭34和第二探頭35之間的距離為d。
[0038]傳輸線311輸入端、輸出端分別設(shè)有第一射頻接頭32、第二射頻接頭33。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀36的輸出端口通過電纜與第一射頻接頭32連接，其輸入端口通過電纜連接一端口 38，該端口 38可分別與第一探頭34或第二探頭35連接以測(cè)試參考面b、參考面c處的傳輸系數(shù)及參考面b和參考面c間的延遲系數(shù)，即被測(cè)件公共輸入端口到第一探頭、第二探頭的傳輸系數(shù)及第一探頭，第二探頭間的延遲系數(shù)。再根據(jù)本實(shí)用新型推導(dǎo)出的計(jì)算公式，得到參考面b、參考面c處的散射參數(shù)。
[0039]其中，第二射頻接頭33連接負(fù)載37。
[0040]為更詳細(xì)的闡述散射參數(shù)的測(cè)量過程，下面結(jié)合圖3、圖4進(jìn)行說明。
[0041]圖4是圖3所示實(shí)施例的原理圖，如圖4所示，均勻傳輸線311附近設(shè)置兩個(gè)相距為d的第一探頭34和第二探頭35，其中，d不等于1/2傳輸線311內(nèi)部電磁波工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍，第一探頭34和第二探頭35分別與傳輸線311通過電容或電感的方式耦合。此結(jié)構(gòu)形成4端口微波網(wǎng)絡(luò)，其中，端口 I (Portl)、Port2分別位于傳輸線311的輸入端、輸出端，即第一射頻接頭32、第二射頻接頭33。Port3、Port4分別與第一探頭34、第二探頭35連接。
[0042]其中，Port I為公共輸入端口。
[0043]利用圖3所示矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀36可測(cè)量得到Portl到Port3、Port4的傳輸系數(shù)S31、S41，及Port2到Portl的延遲系數(shù)G12、Portl到Port2的延遲系數(shù)G21。
[0044]如圖4所示，V1、V2為第一探頭34、第二探頭35對(duì)應(yīng)傳輸線311位置的矢量電壓，可由圖3所示矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀36測(cè)得，其中，VI+、vr是Vl對(duì)應(yīng)的入射波電壓與反射波電壓，V2+、V2_是V2對(duì)應(yīng)的入射波電壓與反射波電壓。
[0045]現(xiàn)有傳輸線理論包括如下:
[0046]Vl=V1++ν1- (I)
[0047]V2=V2++V2_ (2)
[0048]V1+=V2+XG12 (3)
[0049]Vr=V2_XG21 (4)
[0050]G12=exp (j X AX d)為 Port2 到 Portl 的延遲系數(shù)，G21=exp (_j X AX d)為 Portl到Port2的延遲系數(shù)，A為均勻傳輸線的傳播常數(shù)，± j為-1開根號(hào)的數(shù)值，G12=l/G21。
[0051]聯(lián)合方程(I)~(4)，可以得到:
[0052]Vr= (V2-V1XG21) / (G12-G21)
[0053]Vl+= (V2-V1XG12) / (G21-G12)
[0054]V2-= (V1-V2XG12) / (G21-G12)
[0055]V2+= (V2-V1XG21) / (G12-G21)
[0056]其中，因第一探頭34、第二探頭35與傳輸線311之間是相互耦合的，因此，S31=KXV1, S41=KXV2，其中，K為耦合系數(shù)。
[0057]根據(jù)散射參數(shù)的定義及上述現(xiàn)有理論，可求得V2所在位置向負(fù)載37方向的反射系數(shù)為:Sllm=V27V2+=-(S31-S41XG12)/(S41-S31XG21), V2 所在位置對(duì)應(yīng)的阻抗為:ZOX (1+Sllm)/(1-Sllm)。同理，可求得可求得Vl所在位置向負(fù)載37方向的反射系數(shù)為:S=Vl7Vl+=-(S41-S31XG21)/(S41-S31XG12)o
[0058]請(qǐng)參閱圖5,圖5是本實(shí)用新型測(cè)量端口間隔離度一實(shí)施例的原理圖,如圖5所示，包括第一傳輸線51、第二傳輸線52、第一探頭53、第二探頭54、第三探頭55、第四探頭56及2端口網(wǎng)絡(luò)。
[0059]其中，第一傳輸線51的輸入端、輸出端分別連接Portl、Port2,第一探頭53、第二探頭54分別連接Port3、Port4。
[0060]第二傳輸線52的輸入端、輸出端分別連接Port5、Port6,第三探頭55、第四探頭56分別連接Port7、Port8。
[0061]其中，第一探頭53和第二探頭54之間的距離，第三探頭55和第四探頭56之間的距離均為d，d不等于1/2第一傳輸線51或第二傳輸線52工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍
[0062]其中，V1、V2分別為第一探頭53、第二探頭54對(duì)應(yīng)第一傳輸線51位置的矢量電壓，其中，V1\ vr是Vl對(duì)應(yīng)的入射波電壓與反射波電壓，V2+、V2—是V2對(duì)應(yīng)的入射波電壓與反射波電壓。[0063]V5、V6分別為第三探頭55、第四探頭56對(duì)應(yīng)第二傳輸線52位置的矢量電壓，其中，V5+、V5_是V5對(duì)應(yīng)的入射波電壓與反射波電壓，V6+、V6_是V6對(duì)應(yīng)的入射波電壓與反射波電壓。
[0064]圖5所示的原理圖可測(cè)量Portl和Port5之間的隔離度。測(cè)量原理與圖4所示相同，經(jīng)過類似的推導(dǎo)，可以得到:
[0065]V6-= (V6-V5XG21) / (G12-G21)
[0066]W= (V5-V6XG12) / (G21-G12)
[0067]V5-= (V6-V5XG12) / (G21-G12)
[0068]V5+= (V5-V6XG21) / (G12-G21)
[0069]分別測(cè)量公共輸入端口 Portl到Port3和Port4的傳輸系數(shù)S31和S41，根據(jù)上述推導(dǎo)及圖4所示實(shí)施例的推導(dǎo)，計(jì)算出Vl+= (S41-S31XG12)/ (G21-G12);再測(cè)量公共輸入端口 Portl到Port7和Port8的傳輸系數(shù)S71和S81，根據(jù)推導(dǎo)，計(jì)算出V5_=(S81-S71XG12V(G21-G12)。根據(jù) S 參數(shù)的定義，Protl 和 Port5 之間的隔離度 IS(V5=V57Vl+= (S81-S71XG12) / (S41-S31 XG12)。
[0070]請(qǐng)參閱圖6，圖6是本實(shí)用新型耦合組件進(jìn)行測(cè)量的原理圖，包括微帶線61、第一探頭62、第二探頭63及Portl、Port2、Port3、Port4。其中，第一探頭62和第二探頭63之間的距離為d。
[0071]圖6中探頭的測(cè)量原理為，在均勻微帶線61附近成對(duì)設(shè)置測(cè)量探頭62、63，第一探頭62、第二探頭63可以使用蝕刻的方式印制在PCB上。通過測(cè)試公共輸入端口 Portl到第一探頭62、第二探頭63的傳輸系數(shù)及第一探頭62、第二探頭63間的延遲系數(shù)，可計(jì)算得到均勻微帶線61上第一探頭62、第二探頭63對(duì)應(yīng)位置的散射參數(shù)。
[0072]請(qǐng)參閱圖7，圖7是本實(shí)用新型耦合組件測(cè)量微帶線一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，包括被測(cè)件和測(cè)量裝置。
[0073]其中，被測(cè)件包括基片711、微帶線712，測(cè)量裝置包括第一探頭721、第二探頭722。
[0074]其中，微帶線712的輸入端、輸出端分別連有Portl、Port2，第一探頭721、第二探頭722分別連有Port3、Port4。
[0075]在本實(shí)施例中，具有特征阻抗ZO的均勻微帶線712、第一探頭721及第二探頭722通過PCB蝕刻工藝制作在基片711上，探頭之間的距離不等于1/2微帶線712工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍，第一探頭721及第二探頭722通過與微帶線712間的縫隙形成的等效電容與微帶線712進(jìn)行耦合，形成具有Portl?Port4的4端口微波網(wǎng)絡(luò)。
[0076]請(qǐng)參閱圖8，圖8是本實(shí)用新型耦合組件測(cè)量微帶線另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，包括被測(cè)件和測(cè)量裝置。
[0077]其中，被測(cè)件包括第一基片811和刻蝕在第一基片811上的微帶線812。
[0078]測(cè)量裝置包括第二基片821及刻蝕在第二基片821上的第一探頭822和第二探頭823。
[0079]其中，微帶線812的輸入端、輸出端分別連有Portl、Port2，第一探頭822、第二探頭823分別連有Port3、Port4。
[0080]在本實(shí)施例中，具有特征阻抗ZO的均勻微帶線812通過PCB蝕刻工藝制作在第一基片811上，第一探頭822和第二探頭823通過PCB蝕刻工藝制作在第二基片821上，探頭之間的距離不等于1/2微帶線812工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍，第二基片821在第一探頭822和第二探頭823之外的區(qū)域盡可能去除以減小對(duì)微帶線812的影響，第一探頭822和第二探頭823通過與微帶線812之間的間隙所形成的等效電容與微帶線812進(jìn)行耦合，形成具有Portl?Port4的4端口微波網(wǎng)絡(luò)。
[0081]綜上所述，本實(shí)用新型通過在被測(cè)件附近放置測(cè)量探頭，避免將用于連接測(cè)試電纜的射頻接頭安裝在被測(cè)件中，可在不改變被測(cè)件工作狀態(tài)的情況下進(jìn)行散射參數(shù)的測(cè)量。具體如下優(yōu)點(diǎn):
[0082]A.耦合組件制作成本低，適合應(yīng)用于采用微帶的各種微波電路散射參數(shù)的測(cè)量。
[0083]B.測(cè)量方法簡(jiǎn)單，不需要采用特殊的校準(zhǔn)措施，只需獲取耦合探頭與微帶線形成的4端口微波網(wǎng)絡(luò)的傳輸系數(shù)即可。
[0084]C.可測(cè)頻帶寬，只要探頭垂直于微帶線的軸線之間的距離不等于1/2微帶線工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍即可進(jìn)行測(cè)量。
[0085]D.耦合探頭使用PCB蝕刻工藝，尺寸精度高，一致性好。
[0086]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測(cè)量散射參數(shù)的耦合組件，其特征在于，包括第一探頭、第二探頭、與第一探頭連接的第一端口及與第二探頭連接的第二端口； 所述第一探頭、第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)以使所述射頻信號(hào)用于散射參數(shù)的測(cè)量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合組件，其特征在于，所述耦合組件包括用于設(shè)置所述第一探頭、第二探頭、第一端口及第二端口的基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耦合組件，其特征在于，所述基板上設(shè)置有被測(cè)件。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的耦合組件，其特征在于，所述第一探頭和第二探頭分別垂直于被測(cè)件的軸線之間的距離不等于1/2被測(cè)件內(nèi)部電磁波工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍，且大于O小于被測(cè)件的總長(zhǎng)度； 其中，所述第一探頭和第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)，且第一探頭和第二探頭與被測(cè)件的耦合強(qiáng)度相同。
5.一種用于測(cè)量散射參數(shù)的數(shù)據(jù)測(cè)定裝置，其特征在于，包括耦合組件和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀； 所述耦合組件包括第一探頭、第二探頭、與第一探頭連接的第一端口及與第二探頭連接的第二端口 ；所述第一探頭、第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)； 所述矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀輸出端口用于與被測(cè)件的公共輸入端口連接，輸入端口與所述耦合組件的第一端口或第二端口連接，用于測(cè)量所述被測(cè)件公共輸入端口至第一探頭或第二探頭的傳輸系數(shù)及第一探頭和第二探頭間的延遲系數(shù)，所述傳輸系數(shù)和延遲系數(shù)用于所述散射參數(shù)的測(cè)量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第一探頭和第二探頭分別垂直于被測(cè)件的軸線之間的距離不等于1/2被測(cè)件內(nèi)部電磁波工作波長(zhǎng)的整數(shù)倍，且大于O小于被測(cè)件的總長(zhǎng)度； 其中，所述第一探頭和第二探頭分別用于耦合被測(cè)件的射頻信號(hào)，且第一探頭和第二探頭與被測(cè)件的耦合強(qiáng)度相同。
【文檔編號(hào)】G01R29/08GK203643514SQ201320890545
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】賴展軍 申請(qǐng)人:京信通信技術(shù)(廣州)有限公司