基于TiN反射層的熱電堆紅外探測器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及熱電堆紅外探測器，具體是一種基于TiN反射層的熱電堆紅外探測器。進一步改進了現(xiàn)有熱電堆紅外探測器。所述探測器的加工步驟包括：1、在SOI襯底正面加工內、外兩個隔離槽，劃分出各加工區(qū)；2、加工SiO2介質支撐膜；3、加工構成熱電偶的P/N型多晶硅條；4、加工下層SiO2隔離層及后續(xù)加工用金屬連接加工孔；5、完成金屬連接；6、加工上層SiO2隔離層；7、加工TiN反射層；8、加工SiN導熱層；9、加工熱輻射吸收層；10、形成后續(xù)加工用釋放孔；11、將SiO2介質支撐膜下的熱電偶加工區(qū)及熱輻射吸收區(qū)空腔化；12、實現(xiàn)納米森林結構的熱輻射吸收層。本發(fā)明結構設計合理，制作工藝易于實現(xiàn)，成品性能提高明顯，具有良好的發(fā)展前景。
【專利說明】基于TiN反射層的熱電堆紅外探測器
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及熱電堆紅外探測器，具體是一種基于TiN反射層的熱電堆紅外探測器。
【背景技術】
[0002]熱電堆紅外探測器作為一種熱電轉化器件，因其工作原理簡單、數(shù)據(jù)處理簡便、無需斬波器、無需偏置電壓、工作波段帶寬大等優(yōu)點而成為主流紅外探測器。尤其隨著近些年來，IC工藝的發(fā)展和工藝水平的提高，更是給熱電堆紅外探測器提供了低成本和高可靠性的多種制作方法。熱電堆紅外探測器以塞貝克效應為基本的工作原理，通過將被測紅外輻射量轉化為載荷子和空穴遷徙的形式進行定量分析，而熱對流、熱輻射以及熱傳導是構成熱平衡狀態(tài)的三個主要因素，也是影響熱電堆紅外探測器性能的主要因素，因此，如何設計或改進探測器結構是本領域技術人員的重點研究課題。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明為了進一步改進現(xiàn)有熱電堆紅外探測器，提高熱電堆紅外探測器性能，提供了一種基于TiN反射層的熱電堆紅外探測器。
[0004]本發(fā)明是采用如下技術方案實現(xiàn)的:基于TiN反射層的熱電堆紅外探測器，按照如下步驟加工獲得:
a、采用LPCVD技術在SOI襯底正面(SOI襯底頂層硅的表面)沉積Si02，形成Si02薄膜，用作后續(xù)深硅刻蝕的硬掩模；
b、采用深硅刻蝕工藝在SOI襯底正面加工內、外兩個封閉環(huán)路狀的隔離槽，內隔離槽置于外隔離槽中間，兩隔離槽皆以SOI襯底的隱埋氧化層(SOI襯底的Si02層)為底；外隔離槽將SOI襯底正面劃分為一個熱電堆加工區(qū)、兩個焊盤加工區(qū)、兩個熱輻射吸收區(qū)，熱電堆加工區(qū)的兩側皆設有一個焊盤加工區(qū)和一個熱輻射吸收區(qū)，兩焊盤加工區(qū)和兩熱輻射吸收區(qū)皆以SOI襯底的表面中心為對稱中心點對稱(即兩焊盤加工區(qū)中心對稱、兩熱輻射吸收區(qū)中心對稱，對稱中心為SOI襯底的表面中心)；內隔離槽沿兩焊盤加工區(qū)所在的方向設置；
C、采用LPCVD技術在SOI襯底正面沉積Si02，填充隔離槽，同時形成Si02介質支撐膜；以LPCVD技術制備的Si02介質支撐膜具備低應力和熱容小的特點；根據(jù)XeF2氣體對硅和Si02的高選擇比特點，填充Si02后的隔離槽，將在后續(xù)加工過程中有效控制XeF2氣體的腐蝕范圍；
d、采用LPCVD技術、離子注入工藝、光刻工藝、刻蝕工藝在Si02介質支撐膜上加工用于構成熱電偶的N型多晶硅條和P型多晶硅條；所述多晶硅條的形狀及分布情況如下:內隔離槽在其設置方向上的中心線將Si02介質支撐膜上與熱電堆加工區(qū)及熱輻射吸收區(qū)對應的區(qū)域劃分為兩個加工區(qū)，在每一加工區(qū)內成對加工N型多晶硅條和P型多晶硅條，N型多晶硅條與P型多晶硅條一一對應，且兩加工區(qū)內的多晶硅條分別呈“形和”形；P型多晶硅條和N型多晶硅條的一端位于Si02介質支撐膜上與多晶硅條相鄰的熱輻射吸收區(qū)對應的區(qū)域，P型多晶娃條的另一端與另一區(qū)N型多晶娃條的一端正對，N型多晶娃條的另一端與另一區(qū)P型多晶硅條的一端正對；
e、采用LPCVD技術在Si02介質支撐膜上沉積Si02，形成覆蓋N型多晶硅條和P型多晶硅條的下層Si02隔離層(用于隔熱和保護多晶硅條);然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在下層Si02隔離層上加工露出用于后續(xù)實現(xiàn)熱電堆輸出焊盤的焊盤加工區(qū)，并加工形成:用于后續(xù)實現(xiàn)P型多晶硅條與對應N型多晶硅條連接構成熱電偶的金屬連接加工孔、用于后續(xù)實現(xiàn)兩區(qū)域內熱電偶串聯(lián)構成熱電堆的金屬連接加工孔、用于后續(xù)實現(xiàn)熱電堆與輸出焊盤間連接的金屬連接加工孔；
f、采用金屬濺射工藝在下層Si02隔離層及焊盤加工區(qū)上濺射金屬鋁，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在焊盤加工區(qū)及上述各加工孔對應位置處形成:實現(xiàn)熱電堆的輸出焊盤、將P型多晶硅條與對應N型多晶硅條連接構成熱電偶的鋁條、將兩區(qū)域內熱電偶串聯(lián)構成熱電堆的鋁條、將熱電堆的輸出焊盤與熱電堆首尾熱電偶連接的鋁條，實現(xiàn)熱電堆結構；所述熱電堆結構有兩個熱結區(qū)和一個冷結區(qū)，兩個熱結區(qū)分別位于對應的熱輻射吸收區(qū)，冷結區(qū)處于兩熱結區(qū)之間，位于內隔離槽劃出的區(qū)域；熱電堆的輸出焊盤位于Si02介質支撐膜上與焊盤加工區(qū)對應的區(qū)域；且兩區(qū)內熱電偶串聯(lián)時，熱電偶的P型多晶硅條經(jīng)鋁條連接另一區(qū)內與其端部正對的N型多晶硅條，熱電偶的N型多晶硅條經(jīng)鋁條連接另一區(qū)內與其端部正對的P型多晶硅條；按照上述e、f步驟進行加工，能避免熱電偶的N型多晶硅條和P型多晶硅條之間產(chǎn)生二極管效應；
g、采用PECVD技術在f步驟所得器件的表面沉積Si02，形成覆蓋熱電堆結構的上層Si02隔離層(用于隔熱和保護熱電堆結構)；
h、采用磁控濺射工藝在上層Si02隔離層的表面制備TiN薄膜，形成覆蓋熱電堆結構的TiN反射層，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在TiN反射層上加工露出熱電堆的輸出焊盤、Si02介質支撐膜上與熱輻射吸收區(qū)對應的區(qū)域及該區(qū)域內熱偶條的端部；TiN反射層為表面反射層，用于反射入射的中遠紅外，降低中遠紅外對熱電堆的輻射傳熱影響；
1、采用LPCVD技術在h步驟所得器件的表面沉積SiN，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在Si02介質支撐膜上與熱輻射吸收區(qū)對應的區(qū)域形成覆蓋熱偶條端部(該端部為熱偶條的熱端)的SiN導熱層；在后續(xù)加工中，SiN導熱層上將加工熱輻射吸收層，SiN導熱層起導熱及電隔離的作用，用以保證熱電偶的熱端不會接觸熱輻射吸收層的黑硅材料而發(fā)生短路；
j、采用PECVD技術在i步驟所得器件的表面沉積多晶硅層、或者單晶硅層、或者非晶硅層，然后采用光刻工藝形成位于SiN導熱層上及范圍內的熱輻射吸收層；
k、采用光刻工藝和刻蝕工藝在j步驟所得器件表面與熱電偶加工區(qū)、熱輻射吸收區(qū)對應的區(qū)域內、避開熱電偶開設貫通至SOI襯底頂層硅的用于后續(xù)加工的釋放孔；
1、采用光刻工藝對k步驟所得器件表面涂覆光刻膠，并光刻暴露出釋放孔，用于實現(xiàn)后續(xù)步驟中的光刻保護；
m、采用XeF2氣體經(jīng)釋放孔正面腐蝕SOI襯底的頂層硅，將Si02介質支撐膜下的熱電堆加工區(qū)及熱輻射吸收區(qū)空腔化，形成懸浮結構的熱電堆；
η、采用氧等離子去除技術將m步驟所得器件表面的光刻膠剝離，最后采用干法刻蝕工藝將熱輻射吸收層表面刻蝕成納米森林結構(利于提高吸收層對紅外熱輻射的吸收率)，得到探測器成品。
[0005]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明對探測器結構進行多重改進:1、巧妙地將探測器的熱電堆設計成雙熱結區(qū)結構，冷結區(qū)置于兩熱結區(qū)之間，將冷結區(qū)中間化，并采用已有干法刻蝕釋放技術將熱電堆的熱結區(qū)下方、熱結區(qū)與冷結區(qū)之間區(qū)域的下方空腔化，形成懸浮結構的熱電堆，利于提高熱電堆熱結區(qū)與冷結區(qū)之間的溫差，進而提高輸出電勢差；2、在熱電堆的冷結區(qū)上方、熱結區(qū)與冷結區(qū)之間區(qū)域的上方覆蓋TiN薄膜，能有效地反射測試環(huán)境中的中遠紅外，降低中遠紅外對熱電堆的輻射傳熱影響，和懸浮結構的結合使用，極大地降低了敏感區(qū)域的熱容，提高了熱傳導效率和器件穩(wěn)定性；同時鑒于氮化鈦的抗腐蝕性和耐磨性強，可以保護器件在利用XeF2氣體進行干法釋放時不被損壞。3、串聯(lián)構成熱電堆的熱電偶呈“Z”形排布，能有效地提高占空比，延長有效傳熱途徑以增大輸出信號電勢差；4、熱電堆的熱結區(qū)采用納米森林結構的熱輻射吸收層，對中遠紅外的吸收率在90%以上，利于提高熱電堆熱結區(qū)熱量的吸收；以多重改進，增強熱電堆熱結區(qū)與冷結區(qū)間的塞貝克效應，提高熱電堆熱結區(qū)與冷結區(qū)之間的溫差，提高熱電堆的輸出電勢差，進而優(yōu)化探測器的性能指標。其中，本發(fā)明所用加工工藝及技術皆是現(xiàn)有公知技術。
[0006]本發(fā)明結構設計合理，制作工藝易于實現(xiàn)，成品性能提高明顯，具有良好的發(fā)展前景。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明所述熱電堆紅外探測器的第一部分制作流程圖；
圖2為本發(fā)明所述熱電堆紅外探測器的第二部分制作流程圖；
圖3為本發(fā)明所述熱電堆紅外探測器的第三部分制作流程圖；
圖4為圖1b的俯視圖；
圖5為圖1d的俯視圖；
圖6為圖2e的俯視圖；
圖7為圖2f的俯視圖；
圖8為圖2h的俯視圖；
圖9為圖3i的俯視圖；
圖10為圖3j的俯視圖；
圖11為圖3k的俯視圖；
圖中:1-Si02薄膜；2-內隔離槽；3_外隔離槽；4-S0I襯底的隱埋氧化層；5_熱電堆加工區(qū)；6_焊盤加工區(qū)；7_熱輻射吸收區(qū)；8-Si02介質支撐膜；9-N型多晶硅條；IO-P型多晶硅條；11_下層Si02隔離層；13、14、15_金屬連接加工孔；16_熱電堆的輸出焊盤；17、18、19-鋁條；20_熱結區(qū)；21_冷結區(qū)；22_上層Si02隔離層；23_SiN導熱層；24_TiN反射層；25-熱輻射吸收層；26-S0I襯底的頂層硅；27_釋放孔。
【具體實施方式】
[0008]如圖1-3所示，基于TiN反射層的熱電堆紅外探測器，按照如下步驟加工獲得:
a、采用LPCVD技術在SOI襯底正面沉積Si02，形成Si02薄膜1，用作后續(xù)深硅刻蝕的
硬掩模； b、采用深硅刻蝕工藝在SOI襯底正面加工內、外兩個封閉環(huán)路狀的隔離槽，內隔離槽2置于外隔離槽3中間，兩隔離槽皆以SOI襯底的隱埋氧化層4為底；外隔離槽3將SOI襯底正面劃分為一個熱電堆加工區(qū)5、兩個焊盤加工區(qū)6、兩個熱輻射吸收區(qū)7，熱電堆加工區(qū)5的兩側皆設有一個焊盤加工區(qū)6和一個熱輻射吸收區(qū)7，兩焊盤加工區(qū)6和兩熱輻射吸收區(qū)7皆以SOI襯底的表面中心為對稱中心點對稱；內隔離槽2沿兩焊盤加工區(qū)6所在的方向設置；如圖4所示；
C、采用LPCVD技術在SOI襯底正面沉積Si02，填充隔離槽，同時形成Si02介質支撐膜
8 ；
d、采用LPCVD技術、離子注入工藝、光刻工藝、刻蝕工藝在Si02介質支撐膜8上加工用于構成熱電偶的N型多晶硅條9和P型多晶硅條10 ;所述多晶硅條的形狀及分布情況如下:內隔離槽2在其設置方向上的中心線將Si02介質支撐膜8上與熱電堆加工區(qū)5及熱輻射吸收區(qū)7對應的區(qū)域劃分為兩個加工區(qū)，在每一加工區(qū)內成對加工N型多晶硅條9和P型多晶硅條10，N型多晶硅條9與P型多晶硅條10 —一對應，且兩加工區(qū)內的多晶硅條分別呈“形和”形；P型多晶硅條10和N型多晶硅條9的一端位于Si02介質支撐膜8上與多晶硅條相鄰的熱輻射吸收區(qū)7對應的區(qū)域，P型多晶硅條10的另一端與另一區(qū)N型多晶娃條9的一端正對，N型多晶娃條9的另一端與另一區(qū)P型多晶娃條10的一端正對；如圖5所示；
e、采用LPCVD技術在Si02介質支撐膜8上沉積Si02，形成覆蓋N型多晶硅條9和P型多晶硅條10的下層Si02隔離層11 ;然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在下層Si02隔離層11上加工露出用于后續(xù)實現(xiàn)熱電堆輸出焊盤的焊盤加工區(qū)6，并加工形成:用于后續(xù)實現(xiàn)P型多晶硅條10與對應N型多晶硅條9連接構成熱電偶的金屬連接加工孔13、用于后續(xù)實現(xiàn)兩區(qū)域內熱電偶串聯(lián)構成熱電堆的金屬連接加工孔14、用于后續(xù)實現(xiàn)熱電堆與輸出焊盤間連接的金屬連接加工孔15 ;如圖6所示；
f、采用金屬濺射工藝在下層Si02隔離層11及焊盤加工區(qū)6上濺射金屬鋁，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在焊盤加工區(qū)及上述各加工孔對應位置處形成:實現(xiàn)熱電堆的輸出焊盤16、將P型多晶硅條10與對應N型多晶硅條9連接構成熱電偶的鋁條17、將兩區(qū)域內熱電偶串聯(lián)構成熱電堆的鋁條18、將熱電堆的輸出焊盤16與熱電堆首尾熱電偶連接的鋁條19，實現(xiàn)熱電堆結構；所述熱電堆結構有兩個熱結區(qū)20和一個冷結區(qū)21，兩個熱結區(qū)20分別位于對應的熱輻射吸收區(qū)7，冷結區(qū)21處于兩熱結區(qū)20之間，位于內隔離槽2劃出的區(qū)域；熱電堆的輸出焊盤16位于Si02介質支撐膜8上與焊盤加工區(qū)6對應的區(qū)域；且兩區(qū)內熱電偶串聯(lián)時，熱電偶的P型多晶硅條10經(jīng)鋁條18連接另一區(qū)內與其端部正對的N型多晶娃條9,熱電偶的N型多晶娃條9經(jīng)招條18連接另一區(qū)內與其端部正對的P型多晶娃條10 ;如圖7所示；
g、采用PECVD技術在f步驟所得器件的表面沉積Si02，形成覆蓋熱電堆結構的上層Si02隔尚層22 ；
h、采用磁控濺射工藝在上層Si02隔離層22的表面制備TiN薄膜，形成覆蓋熱電堆結構的TiN反射層24，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在TiN反射層上加工露出熱電堆的輸出焊盤16、Si02介質支撐膜8上與熱輻射吸收區(qū)對應的區(qū)域及該區(qū)域內熱偶條的端部；如圖8所示； 1、采用LPCVD技術在h步驟所得器件的表面沉積SiN，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在Si02介質支撐膜8上與熱輻射吸收區(qū)7對應的區(qū)域形成覆蓋熱偶條端部的SiN導熱層23 ；如圖9所示；
j、采用PECVD技術在i步驟所得器件的表面沉積多晶硅層、或者單晶硅層、或者非晶硅層，然后采用光刻工藝形成位于SiN導熱層23上及范圍內的熱輻射吸收層25 ;如圖10所示；
k、采用光刻工藝和刻蝕工藝在j步驟所得器件表面與熱電偶加工區(qū)5、熱輻射吸收區(qū)7對應的區(qū)域內、避開熱電偶開設貫通至SOI襯底頂層硅26的用于后續(xù)加工的釋放孔27 ;如圖11所示；
1、采用光刻工藝對k步驟所得器件表面涂覆光刻膠，并光刻暴露出釋放孔27，用于實現(xiàn)后續(xù)步驟中的光刻保護；
m、采用XeF2氣體經(jīng)釋放孔27正面腐蝕SOI襯底的頂層硅26，將Si02介質支撐膜8下的熱電堆加工區(qū)及熱輻射吸收區(qū)空腔化，形成懸浮結構的熱電堆；
η、采用氧等離子去除技術將m步驟所得器件表面的光刻膠剝離，最后采用干法刻蝕工藝將熱輻射吸收層25表面刻蝕成納米森林結構，得到探測器成品。
【權利要求】
1.一種基于TiN反射層的熱電堆紅外探測器，其特征在于按照如下步驟加工獲得: a、采用LPCVD技術在SOI襯底正面沉積Si02，形成Si02薄膜(I)，用作后續(xù)深硅刻蝕的硬掩模； b、采用深硅刻蝕工藝在SOI襯底正面加工內、外兩個封閉環(huán)路狀的隔離槽，內隔離槽(2)置于外隔離槽(3)中間，兩隔離槽皆以SOI襯底的隱埋氧化層(4)為底；外隔離槽(3)將SOI襯底正面劃分為一個熱電堆加工區(qū)(5)、兩個焊盤加工區(qū)(6)、兩個熱輻射吸收區(qū)(7)，熱電堆加工區(qū)(5)的兩側皆設有一個焊盤加工區(qū)(6)和一個熱輻射吸收區(qū)(7)，兩焊盤加工區(qū)(6)和兩熱輻射吸收區(qū)(7)皆以SOI襯底的表面中心為對稱中心點對稱；內隔離槽(2)沿兩焊盤加工區(qū)(6)所在的方向設置； C、采用LPCVD技術在SOI襯底正面沉積Si02，填充隔離槽，同時形成Si02介質支撐膜(8)； d、采用LPCVD技術、離子注入工藝、光刻工藝、刻蝕工藝在Si02介質支撐膜(8)上加工用于構成熱電偶的N型多晶硅條(9)和P型多晶硅條(10);所述多晶硅條的形狀及分布情況如下:內隔離槽(2)在其設置方向上的中心線將Si02介質支撐膜(8)上與熱電堆加工區(qū)(5)及熱輻射吸收區(qū)(7)對應的區(qū)域劃分為兩個加工區(qū)，在每一加工區(qū)內成對加工N型多晶娃條(9)和P型多晶娃條(10)，N型多晶娃條(9)與P型多晶娃條(10) 對應，且兩加工區(qū)內的多晶硅條分別呈“形和“l(fā)”形；P型多晶硅條(10)和N型多晶硅條(9)的一端位于Si02介質支撐膜(8)上與多晶硅條相鄰的熱輻射吸收區(qū)(7)對應的區(qū)域，P型多晶娃條(10)的另一端與另一區(qū)N型多晶娃條(9)的一端正對，N型多晶娃條(9)的另一端與另一區(qū)P型多晶硅條(10)的一端正對； e、采用LPCVD技術在Si02介質支撐膜(8)上沉積Si02，形成覆蓋N型多晶硅條(9)和P型多晶硅條(10)的下層Si02隔離層(11);然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在下層Si02隔離層(11)上加工露出用于后續(xù)實現(xiàn)熱電堆輸出焊盤的焊盤加工區(qū)(6)，并加工形成:用于后續(xù)實現(xiàn)P型多晶硅條(10)與對應N型多晶硅條(9)連接構成熱電偶的金屬連接加工孔(13)、用于后續(xù)實現(xiàn)兩區(qū)域內熱電偶串聯(lián)構成熱電堆的金屬連接加工孔(14)、用于后續(xù)實現(xiàn)熱電堆與輸出焊盤間連接的金屬連接加工孔(15)； f、采用金屬濺射工藝在下層Si02隔離層(11)及焊盤加工區(qū)(6)上濺射金屬鋁，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在焊盤加工區(qū)及上述各加工孔對應位置處形成:實現(xiàn)熱電堆的輸出焊盤(16)、將P型多晶硅條(10)與對應N型多晶硅條(9)連接構成熱電偶的鋁條(17)、將兩區(qū)域內熱電偶串聯(lián)構成熱電堆的鋁條(18)、將熱電堆的輸出焊盤(16)與熱電堆首尾熱電偶連接的鋁條(19)，實現(xiàn)熱電堆結構；所述熱電堆結構有兩個熱結區(qū)(20)和一個冷結區(qū)(21)，兩個熱結區(qū)(20)分別位于對應的熱輻射吸收區(qū)(7)，冷結區(qū)(21)處于兩熱結區(qū)(20)之間，位于內隔離槽(2)劃出的區(qū)域；熱電堆的輸出焊盤(16)位于Si02介質支撐膜(8)上與焊盤加工區(qū)(6)對應的區(qū)域；且兩區(qū)內熱電偶串聯(lián)時，熱電偶的P型多晶硅條(10)經(jīng)鋁條(18)連接另一區(qū)內與其端部正對的N型多晶硅條(9)，熱電偶的N型多晶硅條(9)經(jīng)鋁條(18)連接另一區(qū)內與其端部正對的P型多晶硅條(10); g、采用PECVD技術在f步驟所得器件的表面沉積Si02，形成覆蓋熱電堆結構的上層Si02隔尚層(22)； h、采用磁控濺射工藝在上層Si02隔離層(22)的表面制備TiN薄膜，形成覆蓋熱電堆結構的TiN反射層(24)，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在TiN反射層(24)上加工露出熱電堆的輸出焊盤(13)、Si02介質支撐膜(8)上與熱輻射吸收區(qū)對應的區(qū)域及該區(qū)域內熱偶條的端部； i、采用LPCVD技術在h步驟所得器件的表面沉積SiN，然后采用光刻工藝和刻蝕工藝在Si02介質支撐膜(8)上與熱輻射吸收區(qū)(7)對應的區(qū)域形成覆蓋熱偶條端部的SiN導熱層(23)； j、采用PECVD技術在i步驟所得器件的表面沉積多晶硅層、或者單晶硅層、或者非晶硅層，然后采用光刻工藝形成位于SiN導熱層(23)上及范圍內的熱輻射吸收層(25)； k、采用光刻工藝和刻蝕工藝在j步驟所得器件表面與熱電偶加工區(qū)(5)、熱輻射吸收區(qū)(7)對應的區(qū)域內、 避開熱電偶開設貫通至SOI襯底頂層硅(26)的用于后續(xù)加工的釋放孔(27)； l、采用光刻工藝對k步驟所得器件表面涂覆光刻膠，并光刻暴露出釋放孔(27)，用于實現(xiàn)后續(xù)步驟中的光刻保護； m、采用XeF2氣體經(jīng)釋放孔(27)正面腐蝕SOI襯底的頂層硅(26)，將Si02介質支撐膜(8)下的熱電堆加工區(qū)及熱輻射吸收區(qū)空腔化，形成懸浮結構的熱電堆； n、采用氧等離子去除技術將m步驟所得器件表面的光刻膠剝離，最后采用干法刻蝕工藝將熱輻射吸收層(25)表面刻蝕成納米森林結構，得到探測器成品。
【文檔編號】G01J5/12GK103698021SQ201310631237
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月2日 優(yōu)先權日:2013年12月2日
【發(fā)明者】譚秋林, 陳媛婧, 熊繼軍, 薛晨陽, 張文棟, 劉俊, 毛海央, 明安杰, 歐文, 陳大鵬 申請人:中北大學